on ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4042件
The substrate W delivered to the second carrying device 4 is carried to the delivery position in a delivery space S1 above, for example, a first ion plating apparatus 31, and placed on and fixed to a supporting member 53 provided on a first substrate handling device 51.例文帳に追加
第2搬送装置4に渡された基板Wは、例えば第1イオンプレーティング装置31の上方位置である受渡空間S1中の受渡位置に搬送され、ここで第1基板取扱装置51に設けた支持部材53上に載置されて固定される。 - 特許庁
Therefore, the neutralization state on a prescribed section of the reinforced concrete can be determined easily and accurately, and a distribution corresponding to the distance from the reinforced concrete surface of the hydrogen ion concentration exponent pH of the reinforced concrete can be displayed on a display 54.例文帳に追加
そのため、鉄筋コンクリートの所定断面における中性化状態を容易に且つ精度よく判定でき、鉄筋コンクリートの水素イオン濃度指数pHの当該鉄筋コンクリート表面からの距離に応じた分布をディスプレイ54に表示させることができる。 - 特許庁
Further, the ion supplying unit 21 supplies the hydride ions taken out into a treatment chamber 51 using an inert gas as a carrier gas to reduce an oxide film formed on the surface of a metal film on a semiconductor wafer W disposed in the treatment chamber 51.例文帳に追加
また、イオン供給ユニット21は、取り出した水素化物イオンを、キャリアガスである不活性ガスによって処理室51内に供給し、処理室51内に配置された半導体ウエハW上の金属膜表面に形成された酸化膜を還元する。 - 特許庁
The MFMOS 1 transistor memory device is provided with a semiconductor substrate, an oxide layer which has at least ten dielectric constants and is positioned on the substrate, a lower electrode positioned on the oxide layer and a ferroelectric layer positioned ion the lower electrode.例文帳に追加
本発明によるMFMOS1トランジスタメモリデバイスは、半導体基板と、少なくとも10の誘電率を有する、基板上に位置する酸化物層と、酸化物層上に位置する下部電極と、下部電極上に位置する強誘電体層とを備える。 - 特許庁
A high voltage conductor in a dielectric pellicle or ion damage prevention system is coated with a separation layer having a resistance low enough to prevent accumulation of charges on its surface and also high enough to restrict a peak current on dielectric breakdown.例文帳に追加
静電ペリクル又はイオン損傷防止システムでは、高電圧導体が、その表面上に電荷が蓄積するのを防止するのに十分に低い抵抗を有するが、絶縁破壊時にピーク電流を制限するのに十分に高い抵抗を有する分離層が被覆される。 - 特許庁
In the solid polymer electrolyte membrane and the catalytic metal composite electrode, catalytic layers including platinum deposited by reduction of platinum ion are formed on both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane and graphitized carbon is deposited on the surfaces of the anode catalytic layers.例文帳に追加
固体高分子電解質膜の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面に、グラファイト化した炭素が担持された固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。 - 特許庁
This invention relates to a polyamide molding composition based on a partially-aromatic partially crystalline polyamide having a specific melting point range, an effective amount of ionomer partially or completely neutralized by metal ion, and a flame retardant (preferably based on phosphinic acid or diphosphinic acid salt).例文帳に追加
特定の融点範囲を有する部分芳香族の部分結晶ポリアミド、部分的に又は完全に金属イオンで中和された有効量のイオノマー、及び、難燃剤(好ましくはホスフィン酸又はジホスフィン酸塩に基づく)に基づくポリアミド成形組成物を提供する。 - 特許庁
A dicing processing device 1 comprises ion blow means 14 having an adjustment part 144 that adjusts a direction of an exhaust nozzle 143 so as to spray an ionized air from the exhaust nozzle 143 to a workpiece on a spinner table 101 of spin cleaning means 10 and a workpiece on a temporary placing part 11.例文帳に追加
ダイシング加工装置1は、噴出口143からのイオン化されたエアが、スピンナ洗浄手段10のスピンナテーブル101上のワークおよび仮置部11上のワークに吹き付けるように調整する調整部144を有するイオンブロー手段14を備える。 - 特許庁
The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加
表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁
When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加
n側電極をn型導電性基板上に設けるときには、まず、n型導電性基板にSiを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してn型導電性基板にイオン照射層を形成する(照射工程、ステップS52)。 - 特許庁
A method for manufacturing a piezoelectric element is forming a resist layer 35 on a laminated film 34 in which a lower electrode 31, a piezoelectric film 32, and an upper electrode 33 are laminated on a silicon substrate 30 in this order from the bottom and removing the laminated film 34 that is not covered with the resist layer 35 by ion milling.例文帳に追加
シリコン基板30上に下から下部電極31、圧電膜32及び上部電極33の順に積層された積層膜34上にレジスト層35を形成し、レジスト層35に覆われていない積層膜34をイオンミリングで除去する。 - 特許庁
Since what is important in an electrode reaction is that only the catalyst on the surface of the electrode contributes to a reaction, and the catalyst in a bulk (inside) of the electrode 2 does not contribute to the electrode reaction, the existence of the chloride ion only on the surface of the electrode 2 is enough for the reaction.例文帳に追加
特に、電極反応で重要なことは、電極2表面に存在する触媒のみが反応に寄与し、電極2のバルク(内部)に存在する触媒は反応に寄与しないので、塩化物イオンは電極2表面に存在すれば十分である。 - 特許庁
In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加
クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源5を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構(回折格子,アパチャースリット)を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁
When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加
素子分離領域13により画素部間が分離された固体撮像装置10、10Aまたは10Bを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク19として半導体基板11上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域13とする。 - 特許庁
To provide a charged particle beam device for processing and observing a sample by irradiating the sample with both an ion beam and an electron beam, which includes a common detector for both the ion beam and the electron beam, and in which the detector can be provided at a suitable position in accordance with details of processing on the sample and an observation technique.例文帳に追加
イオンビームと電子ビームの両方を試料へ照射して、試料の加工と観察を行う荷電粒子線装置において、イオンビームと電子ビームの両方に対して共通の検出器を有し、試料の加工内容や観察手法に応じて適した位置に検出器を設けることができる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁
A negative ion treatment apparatus including an exhaust gas treatment apparatus 4 for reducing an oxidation-reduction potential by making negative ions act on the target organic substance, a circulating means, etc., and a treatment chamber 1 for dry-distilling and carbonizing the organic substance treated by the negative ion treatment apparatus by smoking (pole non-flame burning) are provided.例文帳に追加
処理対象の有機物にマイナスイオンを作用させ酸化還元電位を低減させる排気処理装置4や循環手段などを含むマイナスイオン処理装置と、このマイナスイオン処理装置によってマイナスイオンを作用された処理対象の有機物を燻焼(極点無火炎燃焼)により乾溜炭化する処理室1とを設ける。 - 特許庁
The hydrogen ion conductor is formed on the base board and partially contains an sp2 bonding crystal and a functional group having high affinity to hydrogen ion is introduced in the grain boundary part and the inside part of the sp2 bonding crystal and an angle between the base board face and the sp2 bond face is 60-120°.例文帳に追加
基材上に形成された、sp2結合性結晶を少なくとも一部含む水素イオン伝導体であって、該sp2結合性結晶の粒界部および内部に水素イオンと親和性の高い官能基が導入されており、基材面とsp2結合面とがなす角度は60°〜120°であることを特徴とする水素イオン伝導体を提供すること。 - 特許庁
In the of secondary ion for mass analysis method insulating material, a Pt-Pd alloy thin film that is a conductive continuous film is formed on the surface of a sample that is the insulating material, the sample with the Pt-Pd alloy thin film is irradiated with a primary ion beam and an electron beam, and the secondary ions generated from the sample are extracted and are subjected to mass analysis.例文帳に追加
本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるPt−Pd合金薄膜を成膜し、このPt−Pd合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 - 特許庁
This resistance memory element is formed of a resistive layer 22, including the metal oxide and the metal ion dopant, and an upper electrode 23 on a lower electrode 21 in the order, wherein an electrode material usually used for semiconductor device can be used for the lower electrode 21 and the upper electrode 23, and the resistive layer 22 includes a metal oxide and the metal ion dopant.例文帳に追加
抵抗メモリ素子は、下部電極21上に金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層22と、上部電極23が順次に形成されており、下部電極21及び上部電極23は、通常的に半導体素子に使われる電極物質を使用でき、抵抗層22は、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含む。 - 特許庁
The silver salt photothermographic dry imaging material has on a support a photosensitive layer containing photosensitive silver halide grains, a non-photosensitive silver salt of an aliphatic carboxylic acid, a silver ion reducing agent, and a binder resin, wherein the photosensitive layer contains a silver ion reducing agent of a specific structure.例文帳に追加
支持体上に、感光性ハロゲン化銀粒子、非感光性脂肪族カルボン酸銀塩、銀イオン還元剤及びバインダー樹脂を含有する感光性層を有する銀塩光熱写真ドライイメージング材料において、該感光性層が、特定の構造の銀イオン還元剤を含有することを特徴とする銀塩光熱写真ドライイメージング材料。 - 特許庁
For city water being added with a complex forming agent susceptible to forming a complex with the cupper ion rather than lead ion or having a pH indicating strong acid, a conductive diamond electrode as a working electrode and a counter electrode are contacted with each other and voltage is applied between the working electrode and the counter electrode for depositing lead on the working electrode.例文帳に追加
鉛イオンよりも銅イオンと錯形成しやすい錯形成剤を添加するか、またはそのpHを強酸性とした水道水について、作用電極としての導電性ダイヤモンド電極と、対電極とを接触させ、作用電極と対電極との間に、作用電極上に鉛の析出が生じる電圧を印加し、作用電極上に鉛を析出させる。 - 特許庁
The ink accepting layer which the medium has on a water-resistant substrate contains the pseudo-boehmite-like alumina hydrate, polyvinyl alcohol having a saponification degree less than 90% and an average polymerization degree of 3,000 or more, a crosslinking agent for crosslinking the polyvinyl alcohol, a cationic polymer including quaternary ammonium in the skeleton, a magnesium ion or a precursor thereof and an SCN ion or a precursor thereof.例文帳に追加
耐水性支持体上に有するインク受容層が、擬ベーマイト状アルミナ水和物と、ケン化度90%未満、平均重合度3000以上のポリビニルアルコールと、ポリビニルアルコールを架橋する架橋剤と、4級アンモニウムを骨格に含むカチオンポリマーと、マグネシウムイオン又はその前駆物質と、SCNイオン又はその前駆物質とを含んでいる。 - 特許庁
To solve the following problem: it is effective that a precipitate including a fluorine compound is exhausted as hydrofluoric acid vapor by generating hydrogen ions by ionizing a hydrogen compound gas and by reacting fluorine and the hydrogen ions, as one of methods for removing a precipitate including fluorine piled up on a source housing in an ion pouring device, but the hydrogen compound gas is not ionized when a cathode filament of an ion source is burned out.例文帳に追加
イオン注入装置において、ソースハウジング内に堆積したフッ素を含む析出物を除去する方法の一つとして、水素化合物ガスをイオン化し水素イオンを発生させ、フッ素と水素イオンとを反応させ、フッ酸蒸気として排気することが有効であるが、イオン源のカソードフィラメントが切れると、ガスをイオン化できない。 - 特許庁
The cathode 7 for a lithium-ion secondary battery includes a cathode active material 1 represented by the following formula: xLi_2MO_3-(1-x)LiM'O_2, and an oxygen absorbing substance 2 has oxygen absorbing ability and also lithium-ion intercalation/de-intercalation abilities after absorbing oxygen, and is disposed on the cathode active material 1.例文帳に追加
本発明に関わるリチウムイオン二次電池用正極は、正極活物質1が次式 xLi_2MO_3−(1−x)LiM’O_2 で表記されるリチウムイオン二次電池用正極7であって、酸素吸収能を有するとともに酸素吸収後にリチウムイオン吸収放出能を有する酸素吸収物質2が、正極活物質1上に配置されている。 - 特許庁
The LED flash device includes: an LED as a light source; the lithium ion capacitor for driving the LED; a nonaqueous-system secondary battery for charging the lithium ion capacitor; a controller that controls the light emitting state of the LED including flash pulse width; and a first switching element that turns on/off current flowing in the LED according to control by the controller.例文帳に追加
このLEDフラッシュ装置は、光源としてのLEDと、そのLED駆動用のリチウムイオンキャパシタと、そのリチウムイオンキャパシタ充電用の非水系二次電池と、フラッシュパルス幅を含む前記LEDの発光状態を制御するコントローラと、前記コントローラの制御に応じて前記LEDに流れる電流をオン/オフする第一のスイッチング素子を有している。 - 特許庁
The problem can be solved by assigning in an ionic crystal possessing a pair of sufficiently broad surfaces and a sufficient thickness a corrected charge and a formal charge to each ion appearing on the surfaces and each ion situated inside the crystal, respectively and by evaluating the energy of a structure of the ionic crystal having the pair of the surfaces by using the Ewald method.例文帳に追加
一対の充分広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶について、その表面に現れるイオンには補正した電荷を、当該結晶の内部に位置するイオンには形式電荷をそれぞれ適用し、且つエワルド法を用いて当該一対の表面を有するイオン性結晶が備える構造のエネルギーを評価すればよい。 - 特許庁
Provided that the ignition timing is set to the MBT, after ignition in a combustion chamber 6, it is determined whether or not the set ignition timing is deviated from the MBT on the basis of a waveform shape of the ion current with respect to progress of a crank angle detected by the ion current detecting means 33 over a period near to a compression top dead center.例文帳に追加
点火時期がMBTに設定されている条件下において、燃焼室6における点火後、圧縮上死点付近までの期間に亘ってイオン電流検出手段33によって検出されたクランク角の進行に対するイオン電流の波形形状に基づいて、設定されている点火時期がMBTからずれているか否かを判定する。 - 特許庁
The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD.例文帳に追加
半導体ウエハの限界寸法(CD)の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に2次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 - 特許庁
The impurities are made by electroplating copper after copper seed is deposited on inside the holding place and ion is implanted, or by electrodepositing the copper composition including the impurities and diffusing the impurities inside the copper seed layer after the copper layer is deposited, or by implanting dopant ion after the deposition of a barrier layer and then depositing the copper seed layer.例文帳に追加
不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。 - 特許庁
In particular, a silane compound containing a hydrogen ion dissociating functional group is chemically adsorbed on each of the surfaces of the catalyst fine particles or the catalyst carriers of a catalyst layer, and thereby, hydrogen ion channels are also formed in the catalyst inside the fine holes of the electrodes, so that the solid high- polymer type fuel cell capable of increasing reaction areas inside the electrodes and exerting high discharging performance is realized.例文帳に追加
特に、触媒層の触媒微粒子もしくは触媒担体表面に水素イオン解離性官能基を含むシラン化合物を化学吸着し、これで、電極の細孔内部の触媒にも水素イオンチャネルを形成することによって、反応面積が増大して、高い放電性能を発揮する固体高分子型燃料電池を実現する。 - 特許庁
To provide an internal structure of a battery pack by removing the cause of accidents of short circuit and breakage of a circuit by preventing the fluctuation of a lithium ion battery, in its turn a protection circuit board by installing protruding bars on the back of an upper cover in the dimension positioning the inside of the protection circuit board bonded to the lithium ion battery with an adhesive double coated tape.例文帳に追加
この発明の課題は、リチュームイオン電池に両面テープで接着されている保護回路基板の内側に位置する寸法で上蓋の裏側に突条を設け、これによって、リチューム電池延いては保護回路基板を揺動させないようにして回路の短絡、破断の事故の原因をなくすようにする電池パックの内部構造を提供するものである。 - 特許庁
A mask of a several micron-several hundred micron unit is applied to the edge part of the mask for prescribing an ion irradiation region and an ion non-irradiation region and the positional relation of the mask, and the sample is confirmed, on the basis of the mark to facilitate the observation due to an optical microscope to manufacture a cross-sectional sample high in positional precision of about several microns.例文帳に追加
イオン照射領域とイオン非照射領域を規定するマスクのエッジ部に数ミクロンから数百ミクロン単位のマークを付けることにより、このマークに注目してマスクと試料の位置関係を確認して光学顕微鏡での観察を容易にし、数ミクロン程度の位置精度の高い断面試料を作製することを特徴としている。 - 特許庁
In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加
LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n−低濃度不純物領域106を形成する。 - 特許庁
In a method for operating a condensate desalting column in which an ion exchange resin containing the cation exchange resin is packed and on a space velocity being a water passing flow rate to a volume of the ion exchange resin at a condensate passing operation, the space velocity per the cation exchange resin is kept in ≥150 (/h).例文帳に追加
カチオン交換樹脂を含むイオン交換樹脂を充填した復水脱塩塔の運転方法であって、復水通水運転時におけるイオン交換樹脂体積に対する通水流量である空間速度に関し、カチオン交換樹脂あたりの空間速度を150(/h)以上にすることを特徴とする復水脱塩装置の運転方法。 - 特許庁
The electrochemical micro-coil reactor is composed of an electrochemical reactor cell having a structure in which a hollow tube coil structure made of an anode (a fuel electrode) material is laminated with an ion conductor (an ion conductor layer) and a cathode (an air electrode) is laminated on the above coil.例文帳に追加
電気化学リアクターセルであって、リアクターセルが、アノード(燃料極)材料で構成された中空チューブのコイル状構造体に、イオン伝導体(イオン伝導相)が積層され、そのコイル上にカソード(空気極)が積層されている構造を有していることを特徴とする、電気化学マイクロコイルリアクター、及びそれらから構成される電気化学反応システム。 - 特許庁
This method of manufacturing the carbon nanotube-metal nanoparticle composite material includes a first process of forming a self-organized structure of an organic molecule on the surface of the carbon nanotube, a second process of bonding a metal ion to a terminal end of the organic molecule, and a third process of generating a metal nanoparticle by reducing the metal ion.例文帳に追加
本発明のカーボンナノチューブ‐金属ナノ粒子複合材料の製造方法は、カーボンナノチューブの表面に有機分子の自己組織化構造を形成させる第1工程と、該有機分子の末端に金属イオンを結合させる第2工程と、該金属イオンを還元して金属ナノ粒子を生成させる第3工程と、を有している。 - 特許庁
In the electrode for a solid polymer electrolyte fuel cell equipping with a gas diffusion layer and a catalyst layer including positive ion exchange resin and the catalyst metals, the catalyst metal amount being carried on a carbon particle surface contacting with a proton conduction route of the positive ion exchange resin exceeds 50 wt.% of all catalyst metal amount and comprises porosity resins within the electrode.例文帳に追加
陽イオン交換樹脂と触媒金属とを含む触媒層とガス拡散層とを備えた固体高分子電解質型燃料電池用電極において、陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路に接するカーボン粒子表面に担持された触媒金属量が全触媒金属担持量の50wt%を越え、前記電極内に有孔性樹脂を備える。 - 特許庁
The conductivity of cooling water circulating in a cooling water line, measured with a conductivity meter 12 after the specified time elapsed from the starting of driving of a cooling water pump 14 is compared with the previously set reference conductivity, and based on the compared result, the replacing time of an ion exchange resin filter 11 is determined in an ion exchange capacity determining part 152.例文帳に追加
予め設定された基準導電率と、冷却水ポンプ14の駆動が開始されてから所定期間後に、導電率計12で測定された、冷却水系を循環する冷却水の導電率とを比較し、比較結果に基づいてイオン交換樹脂フィルター11の交換時期を、イオン交換能判定部152で判定するように構成される。 - 特許庁
The electrogalvanized steel is manufactured by a method of dipping a steel sheet in the sulfuric acidic galvanizing bath containing 10-800 ppm 3-valent Cr ion and having pH:0.5-3.5 and 50-150 g/L Zn ion content to electrogalvanize the steel sheet at 10-130 A/dm^2 current density to deposit metal Zn on the surface of the steel sheet.例文帳に追加
この電気Znめっき鋼板は、3価のCrイオンを10〜800ppm含有し、pH:0.5〜3.5であり、好ましくはZnイオン含有量が50〜150g/Lである硫酸酸性Znめっき浴中に鋼板を浸漬し、電流密度10〜130A/dm^2にて鋼板表面に金属Znを析出させる手法により製造することができる。 - 特許庁
In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加
LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n−低濃度不純物領域106を形成する。 - 特許庁
The negative electrode for the lithium ion secondary battery is manufactured by a method of manufacturing the negative electrode for the lithium ion secondary battery comprising a kneading process of preparing slurry by kneading the negative electrode active material, conductive assistant and the binder, a coating process of coating the slurry on the collector, and a drying process of drying the collector coated with the slurry.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池用の負極は、負極活物質と導電助剤と結着剤とを混練してスラリーを調製する混練工程と、前記スラリーを集電体に塗布する塗布工程と、前記スラリーを塗布した前記集電体を乾燥する乾燥工程とからなるリチウムイオン二次電池用の負極の製造方法により製造される。 - 特許庁
The pharmaceutical preparations for improving tone of color and/or palate feeling of noodles contain 5-20,000 pts.mass sodium ion-containing substance expressed in terms of salt, and/or 5-20,000 pts.mass calcium ion-containing substance expressed in terms of calcium lactate concentration, based on 100 pts.mass ascorbic acid-containing substance expressed in terms of ascorbic acid.例文帳に追加
アスコルビン酸類含有物質をアスコルビン酸に換算して100質量部に対して、ナトリウムイオン含有物質を食塩に換算して5〜20000質量部、及び/又はカルシウムイオン含有物質を乳酸カルシウム濃度に換算して5〜20000質量部含有することを特徴とする、麺の色調及び/又は食感改良用製剤。 - 特許庁
The ceramic heater 1 comprises an insulating ceramic base 13, a resistance heater 10 embedded in the insulating ceramic base, and the ion current detecting electrode part 14, which is integrally formed with the resistance heater in the insulating ceramic base and whose surface is partly exposed as an ion current detecting face on the surface of the insulating ceramic base.例文帳に追加
セラミックヒータ1は、絶縁性セラミック基体13と、絶縁性セラミック基体中に埋設される抵抗発熱体10と、絶縁性セラミック基体中において抵抗発熱体と一体形成され、かつ自身の表面の一部を絶縁性セラミック基体の表面にイオン電流検出面として露出させるイオン電流検出電極部14とを備える。 - 特許庁
The discharged amount or discharged direction of positive ions and negative ions from an ion generator 71 is changed in accordance with the action mode of the image forming apparatus 100, so that the odor of exhaust gas is reduced, the air is cleaned, the ions are prevented from being directly exhausted to the user, and the amount of the ion to be exhausted on the user is reduced.例文帳に追加
画像形成装置100の動作モードに応じて、イオン発生装置71からの正イオン及び負イオンの放出量もしくは放出方向を変更しているので、排出ガスの臭気を低減したり、空気を浄化したり、イオンを画像形成装置の利用者に直接かけないようにするか、利用者にかかるイオンの量を低減させることができる。 - 特許庁
This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas.例文帳に追加
所定の物質層21上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層21に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。 - 特許庁
The negative-ion emitting coating powder is formed by mixing into a binder, which is a scallop shell powder made into a particle size of 10-50 μm after the crushing and baking of scallop shells, 3-10 wt%, based on the total, of a negative ion-emitting powder mainly composed of an ore generating negative ions and having a particle size of 0.1-50 μm.例文帳に追加
帆立貝の貝殻を粉砕焼成し粒径10μm〜50μmとした帆立貝殻粉末をバインダーとし、該バインダーにマイナスイオンを発生する鉱石を主成分とした粒径0.1μm〜50μmのマイナスイオン粉末を全体の3重量%〜10重量%混合してなることを特徴とするマイナスイオン塗装用粉末を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate.例文帳に追加
半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a detection apparatus for an ion exchange resin layer capable of detecting a transparent ion exchange resin by a simple apparatus at a high accuracy in a short time and easily performing detection of an interface of a cation exchange resin layer and an aqueous layer even when an anion exchange resin is partially left and deposited or flied up on the cation exchange resin layer at deeper part than a peephole.例文帳に追加
簡単な装置により短時間で透明イオン交換樹脂を高精度で検出でき、アニオン交換樹脂が一部残留してのぞき窓より奥のカチオン交換樹脂層の上に堆積しまたは舞い上がる場合でも、カチオン交換樹脂層と水相の界面の検出が容易なイオン交換樹脂層の検出装置を提案する。 - 特許庁
This ion source 2a is arranged near the upside of a plasma electrode 15 of an extraction electrode system 14, by holding an ion extracting area 20 of the extraction electrode system 14 between, in a heteropolar confrontation, and it is provided with a pair of permanent magnets 26 which generate a magnetic field 28 along the face on the side of plasma 10 of the plasma electrode 15.例文帳に追加
このイオン源2aは、引出し電極系14のプラズマ電極15の上部近傍に、引出し電極系14のイオン引出し領域20を挟んで異極性で相対向するように配置されていて、プラズマ電極15のプラズマ10側の面に沿う磁界28を発生させる一組の永久磁石26を備えている。 - 特許庁
To provide a wad usable for stuffing beddings for fatigue recovery of the whole body and health mats, which is produced by properly mixing a composite ceramic [PSR (negative ion generator for far infrared ray), pasty bamboo charcoal, Parafine M-1 (negative ion generator)] with germanium dioxide, and spraying the mixture on to the wad with an acrylic resin binder (cohesive material).例文帳に追加
配合セラミック{RSR(遠赤外線用のマイナスイオン発生材)、ペー竹炭、及び、パラファインM−1(マイナスイオン発生材)}と、二酸化ゲルマニウムを適量に混ぜ合わせ、アクリル系樹脂バインダー(粘着材)とともに、綿に吹きつけ加工した、全身の疲労回復用の寝具及び、健康マットの中詰め綿として使用する綿を提供する。 - 特許庁
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