「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The air blowing apparatus comprises a fan 6, a fan driving motor 7, the ion generating part 15 creating ions, a cylindrical body case 1 to hold the above components and a nozzle 33 mounted on an outlet 11 of the body case 1.例文帳に追加

ファン６およびファン駆動用のモータ７と、イオンを生成するイオン発生部１５と、これらを収容する筒状の本体ケース１と、本体ケース１の吹出口１１に装着されるノズル３３とを備える送風装置である。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

Consequently, constituent substances, such as atoms and molecules, of a metal film and a piezoelectric substance layer of the functional layer FL on the substrate 1 are scattered and removed, due to collision of the ion beam to etch the functional layer FL in the desired pattern shape.例文帳に追加

これにより、基板１上の機能層ＦＬの金属膜と圧電体層の原子や分子等の構成物質がイオンビームの衝突により飛散して除去され、機能層ＦＬが所望のパターン形状にエッチングされる。 - 特許庁

Then, reactive ion etching is carried out by O_2/CF_4, the second carbon and silicon films not covered with the resist pattern for forming the projection are removed, and a third carbon film is formed on the first carbon film exposed in the removed parts.例文帳に追加

次に、Ｏ_2／ＣＦ_4による反応性イオンエッチングを行い、突起形成用レジストパターンで覆われていない第２カーボン膜及び第２シリコン膜を除去し、除去部分に露出した第１カーボン膜上に第３カーボン膜を形成する。 - 特許庁

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

This phosphoric acid supplying material is composed by bonding a phosphate ion to a particulate containing a central part 1 composed of metallic iron, covered with a metallic organic compound 3 having an anion exchange group 2 at the terminal on the peripheral thereof and having 1-100 nm mean particle diameter by ions.例文帳に追加

中心部１が金属鉄からなり、その周りが末端にアニオン交換基２を有する金属有機化合物３により取り囲まれている平均粒径１〜１００ｎｍの微粒子に、リン酸イオンがイオン結合している。 - 特許庁

An area of a PMOSFET around a gate, which is at least not affecting the characteristic of the transistor, is covered with a resist 10, and oblique ion pouring for drain engineering is effected under a gate electrode 7 on a P-well area 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴの、少なくともトランジスタ特性に影響を与えないゲート周りの領域をレジスト１０で覆い、Ｐウェル領域１の上であって、ゲート電極７の下にドレインエンジニアリングのための斜めイオン注入を行なう。 - 特許庁

A region including an observation position 2 on a semiconductor substrate is so formed into a flake 3 by removing the semiconductor substrate surface layer around the observation position 2 by a converged ion beam method that it can be taken out by a needlepoint of a manipulation device.例文帳に追加

半導体基板上の観察箇所２を含む領域を、マニピュレーション装置の針先で取り出せるように、観察箇所２周辺の半導体基板表面層を集束イオンビーム法によって除去して薄片３化する。 - 特許庁

To provide a stack gas desulfurization process capable of effectively removing a nitrogen-sulfur compound(NS compound) giving adverse effect on desulfurization performance and decreasing COD components due to iodine ion in a liquid absorbent, which changes with the kind of coal.例文帳に追加

脱硫性能に悪影響を及ぼすＮＳ化合物を効果的に除去できるとともに、石炭種によって変化する吸収液中のよう素イオン起因のＣＯＤ成分を減少できる排煙脱硫方法を提供する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate which can efficiently conduct parasitic channel suppressing ion implantation for an MOSFET having an SOI structure, based on SBSI method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有するＳＢＳＩ法によるＭＯＳＦＥＴに、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことのできる半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A first high-frequency power supply 25 and a second high-frequency power supply 27 impress high frequency on respective lower electrode 51 and upper electrode 52 to accelerate the supplied negative ion, and collide the same against the supplied processing gas.例文帳に追加

第１高周波電源２５および第２高周波電源２７は、下部電極５１および上部電極５２のそれぞれに高周波を印加し、供給されたマイナスイオンを加速し、供給された処理ガスに衝突させる。 - 特許庁

After a reaction preventing film 7, consisting of a metal nitride film such as a TiN film, is formed on the film 6, P-type impurities, such as B and N-type impurities such as P are selectively ion-implanted in the film 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜６上にＴｉＮ膜などの金属窒化膜からなる反応防止膜７を製膜した後、多結晶Ｓｉ膜６に選択的にＢなどのｐ型不純物やＰなどのｎ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery containing a positive electrode sheet, a separator, non-aqueous electrolyte and a negative electrode sheet, the separator is consisted of a heat-resistant porous layer and a shut down layer, and the heat-resistant porous layer is arranged on the negative electrode sheet side.例文帳に追加

正極シート、セパレータ、非水電解液および負極シートを含むリチウムイオン二次電池において、該セパレータが耐熱多孔質層とシャットダウン層からなり、該耐熱多孔質層が該負極シート側に配置されてなるリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The surface of a high melting metallic material is simultaneously subjected to irradiation with an ion beam of a high energy/high particle flux and heating, thereby the microporous layer ( nano porous layers of the porous diameter below 1μm) is formed on the surface.例文帳に追加

高融点金属材料表面の高エネルギー・高粒子束のイオンビームによる照射と加熱を同時に行うことにより、その表面に微細多孔質層（１μｍ以下の孔径のナノ多孔質層）を形成するものである。 - 特許庁

To reduce electric charges on the surface of a substrate accompanying ion beam irradiation, without deteriorating the vacuum level in a beam line or a substrate processing chamber, by generating a large number of low energy electrons and utilizing them for neutralization.例文帳に追加

ビームラインや基板処理室の真空度悪化を惹き起こすことなく、低エネルギーの電子を大量に発生させてそれを中和に利用して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁

To provide an ophthalmic lens having no phenomenon such as adhesion of lipid and protein which exerts influence on optical characteristics, having high correspondence to environmental changes in ion concentration or the like, and excellent in a hydrous property, elasticity, transparency, and oxygen permeability.例文帳に追加

脂質や蛋白質の付着といった光学的特性に影響を及ぼすような現象がなく、また、イオン濃度等環境変化への対応性が高い、含水性、伸縮性、透明性、酸素透過性に優れた眼用レンズを提供する。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

High frequency electricity generated from a high frequency power source 7 is supplied to a switching circuit 4 to form an ion sheath on the front surface of the wall without being reflected by an impedance matching device 6 and a capacitor 5.例文帳に追加

壁前面にイオン・シースを形成するために、高周波電源７から生成された高周波電力は、インピーダンス整合器６及びコンデンサ５によって高周波電源７に反射することなく、スイッチング回路４に供給される。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a structure where a deposition substrate 21B for depositing Li and an inorganic compound layer 21C having Li ion conductivity formed by a dry film forming process are laminated on a substrate 21A for film forming.例文帳に追加

負極２１は、成膜用基体２１Ａの上に、Ｌｉを析出させるための析出基板２１Ｂと、乾式成膜プロセスにより形成されたＬｉイオン伝導性を有する無機化合物層２１Ｃとが積層された構成を有している。 - 特許庁

After forming the barrier films, the substrates W are transferred to an ion plating unit 13, a Cu film material is vaporized by utilizing a plasma beam and, at the same time, a thin Cu seed film is formed on the barrier films by ionizing the Cu vapor.例文帳に追加

次に、イオンプレーティングユニット１３に基板Ｗを移送し、プラズマビームを利用して膜材料Ｃｕを蒸発させるとともにこのＣｕ蒸気をイオン化させて基板Ｗ上であってバリア膜上にＣｕのシード膜を薄く形成する。 - 特許庁

An HV-ECU 302 adjusts an upper-limit value of a charging power of a battery based on the charging/discharging history of the battery 18, in order to restrain the segregation of the lithium metal in the battery 18 composed of the lithium-ion secondary battery.例文帳に追加

ＨＶ−ＥＣＵ３０２は、リチウムイオン二次電池により構成されるバッテリ１８におけるリチウム金属の析出を抑制するために、バッテリ１８の充放電履歴に基づいてバッテリの充電電力上限値を調整する。 - 特許庁

To provide a metallic ion trapping agent which has an excellent trapping ratio of cadmium and lead and exhibits a sufficient trapping effect on a number of metal species and, in addition, is water soluble and biodegradable, and a method for cleaning soil by using the same.例文帳に追加

カドミウムや鉛の捕捉率に優れていると共に数多くの金属種に対しても充分な捕捉効果を示し、しかも水溶性でかつ生分解性の金属イオン捕捉剤と、これを用いる土壌の浄化方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a coating film having high adhesiveness, excellent rust-proofing property and high chlorine ion permeation inhibition effect in the coating on a steel building/structure or the like under a chlorine exposed environment.例文帳に追加

本発明は、塩害暴露環境における鉄鋼構造物鋼構造物等への塗装において、塗膜の密着性が高く、優れた防錆性を有し、塩素イオンの透過抑制効果の高い塗膜を形成する塗装方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the solvent-type antistatic acrylic adhesive includes mixing a solution of an acrylic copolymer (A) having a hydroxy group and an alkylene oxide chain on the side chain, an aqueous solution of an ion compound (B) and a curing agent (C).例文帳に追加

側鎖に水酸基及びアルキレンオキサイド鎖を有するアクリル系共重合体（Ａ）の溶液、イオン化合物（Ｂ）の水溶液、及び硬化剤（Ｃ）を混合することを特徴とする溶剤型帯電防止アクリル粘着剤の製造方法。 - 特許庁

With this device in which the mask is moved intermittently and/or continuously, it is possible to form a sample different stepwise in ion species and/or regions in one dimension or two dimensions on the sample base body.例文帳に追加

この装置を用いて、マスクを断続的および／または連続的に移動させることにより試料基体上に１次元または２次元で段階的に異るイオン種および／または注入量領域を形成した試料を作製する。 - 特許庁

In manufacturing an SIMOX wafer having an oxygen implantation process and a high-temperature annealing process, prior to implantation of oxygen ions; an oxide film is formed on the surface of the wafer, and oxygen ion implantation is executed through the oxide film.例文帳に追加

酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、 該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁

Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like.例文帳に追加

被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。 - 特許庁

To provide a bonding SOI wafer manufacturing method with less defect density in an epitaxial layer in the case where epitaxial growth is performed on a surface of an SOI layer of a bonded wafer manufactured by using an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いて作製した貼り合わせウエーハのＳＯＩ層の表面上にエピタキシャル成長を行った場合に該エピタキシャル層の欠陥密度が少ない貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the ceiling interior material 30, an emission outlet 30a is provided for emitting minus ion into the vehicle room, and an air inlet 30b is also provided to guide the convecting air in the vehicle room between the ceiling interior material 30 and the ceiling body 40.例文帳に追加

天井内装材３０に、マイナスイオンを車室内に放射する放射口３０ａを設けるとともに、車室内を対流する空気を天井内装材３０と天井ボデー４０との間に導く取込口３０ｂを設ける。 - 特許庁

The apparatus includes a cylindrical grounding shield 5 arranged between a substrate 7 and a metal plate 3 for an ion source, and shielding plates 6 (6a, 6b) movably provided in a vicinity of an end on the substrate side of the grounding shield 5 with surfaces thereof being blackened.例文帳に追加

基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。 - 特許庁

To provide a liquid circulation system capable of extending a replacement cycle of an ion filter to extend service life and reduce cost, and of eliminating formation of a resin coating layer on the inside surface of a passage of a heat exchanger.例文帳に追加

イオンフィルタの交換サイクルを延ばして長寿命化を図ると共にコスト低下を実現し、さらに、熱交換器の流路内面への樹脂コーティング層の形成を廃止することのできる液体循環システムを提供する。 - 特許庁

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁

This highly copper-containing yeast which has a copper content of ≥500 wt. ppm based on the dry weight of the cells is produced by washing the copper-containing yeast with 25°C ion-exchanged water, until the copper concentration of the washing liquid becomes ≤1 wt. ppm.例文帳に追加

洗浄液中の銅濃度が１質量ｐｐｍ以下となるまで２５℃のイオン交換水で洗浄した菌体における銅含有量が乾燥菌体当たり５００質量ｐｐｍ以上である銅高含有酵母である。 - 特許庁

To provide a method for measuring the film potential of a rust film capable of reproducing the ion selectivity of the rust film and the deterioration effect and corrosionproof effect of a chemical agent on the rust film in a state near to an actual environment to evaluate the same, and a measuring instrument therefor.例文帳に追加

さび膜のイオン選択性、薬剤のさび膜に対する変質効果、防食効果を実環境に近い状態で再現し、評価することができるさび膜の膜電位測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁

A structure for insulating a discharging vessel top plate 2 from a discharging vessel 1 which is a discharging cathode by an insulating spacer 12, while removing a plasma closing magnet on a discharging vessel top plate 2 having been mounted as a conventional ion source, is provided.例文帳に追加

従来イオン源で設置していた放電容器天板2上のプラズマ閉じこめ用磁石を取り除くとともに、絶縁スペーサー12によって放電容器天板2を放電の陽極である放電容器1から絶縁する構造にする。 - 特許庁

In the wire drawing die for an extra fine wire, the dimensional accuracy for the die diameter is 5-50 μm with the dimensional accuracy of ±0.1 μm by projecting condensed ion beams on a bearing part of the wire drawing die.例文帳に追加

極細線用の伸線ダイスであって、伸線ダイスのベアリング部に集束イオンビームを照射することによって、ダイス径が５〜５０μｍで寸法精度が±０．１μｍに成形された極細線用の伸線ダイスとすることによって、解決される。 - 特許庁

A plurality of layers composed of transparent materials are laminated on a support plate 101 made of glass or the like by such means as vacuum deposition, ion plating, and sputtering (an intermediate layer 102 and an electro-conductive layer 103 of the Figure (b)).例文帳に追加

即ち、ガラス等からなる支持板１０１に対し、透明性の材料からなる層を真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の手法によって複数積層せしめる（図１（ｂ）の中間層１０２や導電層１０３）。 - 特許庁

A dielectric polarization is generated in the ferroelectric substance thin film 11 on the surface of the first electrode 1, and the substance or an ion of the measuring object is adsorbed in the vicinity of the surface of the ferroelectric substance thin film 11, attracted with a charge therein.例文帳に追加

第１電極１の表面の強誘電体薄膜１１に誘電分極が発生し、それによる電荷に誘引されて計測対象の物質またはイオンが強誘電体薄膜１１の表面近傍に吸着される。 - 特許庁

The electrical conductivity is imparted to the one side of the two-color ball and the charges at the circumference on this hemispherical body side are made uniform to decrease the counter electric field (repulsive force) by the asymmetric ion regions, by which the offset in the rotation of the two-color ball is suppressed.例文帳に追加

２色ボールの片側に導電性を付与し、その半球体側の周囲の電荷を一様にし、非対称イオン領域による反電界（反発力）を減少させることにより、２色ボールの回転のずれが抑制される。 - 特許庁

Exciting light is made incident on the optical fiber grating 13, and the reflected wavelength of the optical fiber grating is changed by changing the effective refractive index of the optical fiber through a temperature rise caused in the non-radiative relaxation process of a rare earth ion.例文帳に追加

光ファイバグレーティング１３に励起光を入射し、希土類イオンの非放射緩和過程で生じる温度上昇によって光ファイバの実効屈折率を変化させ、光ファイバグレーティングの反射波長を変化させる。 - 特許庁

To provide a method for collecting a measurement sample while suppressing influence on a structure of a concrete skeleton, and easily measuring a total salt content (kg/m^3) at low cost by measurement of a total chloride ion content wherein meaning of an analysis value is clear.例文帳に追加

コンクリート躯体の構造上の影響を抑えて測定試料を採取し、かつ分析値の意味が明確な全塩化物イオン量の計測により、全塩分量（ｋｇ／ｍ^３）を簡易・ローコストで測定する方法を提供する。 - 特許庁

Further, as a crucible 8, the one whose opening diameter is smaller than that of a substrate holder 16 is used, thus the amount of vapor upon arrival at the substrate 6 can be made uniform on the substrate 6, and uniform film deposition by ion plating is made possible.例文帳に追加

また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 - 特許庁

To provide a surface treatment method which forms a corrosion resistant film on aluminum or an aluminum alloy by using an aqueous solution containing no toxic substance such as a hexavalent chromium ion.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題点は、６価クロムの如き毒性を有せず、水溶性処理が可能で、耐食性の高い表面処理を施したアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁