「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, it includes a transparent electrode adhesion layer 7 made of adhesive ion conductive polymer gel formed on a surface of the transparent film 6 facing with the luminescence layer 5, and spacers 8 consisting of grain-shaped resin beads of bridge polymethacrylic acid methyl and dispersedly formed on the transparent electrode adhesion layer 7.例文帳に追加

一方、透明フィルム６の発光層５と相対する面側に形成された粘着性を有するイオン伝導性高分子ゲルからなる透明電極粘着層７と、透明電極粘着層７に分散形成された架橋ポリメタクリル酸メチルの粒形状樹脂ビーズからなるスペーサ８を備える。 - 特許庁

The treated gear is rotated with respect to a carbon target, the first DLC film containing 10 atm% or lower of hydrogen is formed on the meshing surface, and then, the rotation of the gear is stopped or decelerated to low speed, and the second DLC film is formed on a part of the first DLC film by ion plating, and the high-strength gear is manufactured.例文帳に追加

カーボンターゲットに対して被処理歯車を回転させ、噛み合い面に、水素含有量１０ａｔｍ％以下の第１ＤＬＣ膜を形成した後に、歯車の回転を停止又は低速とし、該第１ＤＬＣ膜の一部に第２ＤＬＣ膜をイオンプレーティング法により形成して高強度歯車を製造する。 - 特許庁

The oxygen and ozone generating apparatus is provided with an oxygen pump element in which electrodes are formed on both sides of a solid electrolyte having an oxygen ion conductivity and with a discharge body in which a flat electrode and linear electrodes are formed on both sides of the dielectric body, and is constructed so as to heat and operate the oxygen pump element by heating of the discharge body.例文帳に追加

酸素イオン導電性を有する固体電解質の両面に電極が形成された酸素ポンプ素子と、誘電体の両面に線状電極と面状電極が形成された放電体を備え、放電体の発熱により酸素ポンプ素子を加熱動作するようにした酸素及びオゾン発生装置。 - 特許庁

The cylindrical lithium ion battery 20 is provided with a wound-up group W which has a positive electrode with a positive electrode active material layer W2 formed on a positive electrode collector W1 and a negative electrode with a negative electrode active material layer W4 formed on a negative electrode collector W3 wound up spirally in cross section through a separator W5.例文帳に追加

円筒形リチウムイオン電池２０は、正極集電体Ｗ１に正極活物質層Ｗ２が形成された正極と、負極集電体Ｗ３に負極活物質層Ｗ４が形成された負極とがセパレータＷ５を介して断面渦巻状に捲回された捲回群Ｗを備えている。 - 特許庁

A paste is made through a process S1 of agitating solid matter supporting catalyst and a process S2 of mixing the solid matter and resin having hydrogen ion conductivity, and then, the paste is applied on a substrate with conductivity to make up an electrode, which is bonded on both sides of a polymer electrolyte film to make up a unit cell.例文帳に追加

触媒を担持する固形物を攪拌する工程Ｓ１と、固形物と水素イオン伝導性を有する樹脂とを混合する工程Ｓ２とを経てペーストを作製し、次にこのペーストを、導電性を有する基体に塗布して電極を作製し、この電極を高分子電解質膜の両面に接着して単電池を作製する。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

A polysilicon layer 105 is formed on a wafer, with which a P well 102 and an N well 103 are formed, and after a gate electrode 105A is formed on the P well 102 with a photoresist pattern 106 as a mask, the LDD region of N-channel MOS is formed by conducting ion implantation, in a state of the photoresist pattern 106 being left.例文帳に追加

Ｐウェル１０２、Ｎウェル１０３の形成された基板上にポリシリコン層１０５を形成し、フォトレジストパターン１０６をマスクとして、Ｐウェル１０２上にゲート電極１０５Ａを形成した後、フォトレジストパターン１０６が残存した状態でイオン注入を行ってＮチャネルＭＯＳのＬＤＤ領域を形成する。 - 特許庁

This TFT manufacturing method is carried out in such a manner that a semiconductor layer 1 is arranged on a substrate 60, a gate-insulating film 2 is formed covering the semiconductor layer 1, a gate electrode 3a is arranged on the gate-insulating film 2, a protective film 17 is arranged so as to cover the gate electrode 3a, and a resist film used in an ion implantation process is formed.例文帳に追加

基板６０上に半導体層１が配置され、これを覆うようにゲート絶縁膜２、ゲート絶縁膜２上にゲート電極３ａが配置され、更にこのゲート電極３ａを覆うように保護膜１７が配置された状態で、イオン注入工程の際に用いるレジスト膜を形成する。 - 特許庁

In this oxide superconductive conductor, a polycrystalline intermediate thin film is provided by an ion beam assist method on the metal substrate which comprises a Ni-Cr alloy and the surface of which is polished by electrolytic polishing or chemical polishing, and an oxide superconductive conductor thin film is provided on the polycrystalline intermediate thin film.例文帳に追加

Ｍｏを含まないＮｉ−Ｃｒ合金からなり、その表面が電解研磨または化学研磨された金属基材上にイオンビームアシスト法によって多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。 - 特許庁

An SiGe film is formed on the top surface of a substrate which is composed of a silicon single-crystal layer with a surface azimuth (111) or (110), a buried crystal defect is introduced into the substrate by ion injection and annealing, and a semiconductor film is formed on the SiGe film.例文帳に追加

表面が（１１１）又は（１１０）の面方位のシリコン単結晶層からなる基板上面にＳｉＧｅ膜を形成し、イオン注入及びアニール処理を行って前記基板内に埋め込み結晶欠陥を導入し、前記ＳｉＧｅ膜上に半導体膜を形成することからなる半導体基板の製造方法。 - 特許庁

The negative electrode for the lithium ion secondary battery is provided with a metallic collector, and a silicon linear body grown on the collector, with at least one end of the silicon linear body coupled in metal bonding with the collector, or in metal bonding with metal on the collector.例文帳に追加

金属製の集電体と、前記集電体上に成長したシリコン線状体と、を有し、前記シリコン線状体の少なくとも一端が、前記集電体に金属結合で結合している、または前記集電体上の金属に金属結合で結合していることを特徴とするリチウムイオン二次電池用の負極である。 - 特許庁

Next, the electrically conductive member is placed on an exothermic board with the face in which the film of ion is formed upward, and is heated to about 100°C, and a suspension obtained by ultrasonically dispersing a carbon nanotube into ethanol is atomized, and sprayed on the face in which the film of iron is formed by using an airbrush to form a carbon nanotube film.例文帳に追加

次に、この導電性部材を鉄の被膜が形成された面を上に向けて発熱板上に載置し、１００℃程度に加熱した状態とし、エアブラシを用いてカーボンナノチューブをエタノール中に超音波分散させた懸濁液を霧状にして鉄の被膜が形成された面に吹き付け、カーボンナノチューブ膜を形成する。 - 特許庁

Firstly, a silicon film having the suitable thickness, is formed on the surface of the steel material in the general film forming method, such as vapor-deposition, spattering, ion-plating and the silicon is diffused into the inner part of the steel material by heating and holding this in the vacuum or in the inert gas atmosphere to form the silicon permeated layer on the surface layer of the steel material.例文帳に追加

先ず、鋼材の表面上に蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティング等の一般的な成膜方法で適切な厚さの珪素皮膜を形成し、これを真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱保持して珪素を鋼材内部へ拡散させ、鋼材の表層部に珪素浸透層を形成する。 - 特許庁

In the method of vapor-depositing a carbon film on a base material under a vacuum, when an evaporating carbonacious material is deposited on the surface of the base material, a mixed ion beam of gas cluster ions and monomer ions is continuously or discontinuously applied.例文帳に追加

真空減圧下で炭素膜を基材上に気相成長させる方法であって、蒸発炭素質材料を基材表面に付着させる際に、ガスクラスターイオンとモノマーイオンの混合イオンビームを連続的又は断続的に照射することを特徴とする炭素膜形成方法並びにその方法を実施するための装置。 - 特許庁

The high efficiency heat conducting circuit board for electrically connecting an electronic part (5) includes a plurality of conductive contactors (4) for electrically connecting a metal oxide layer (3) formed of a micro arc oxidation on a metal substrate (2) and the electronic part (5) formed by plasma ion plating on the metal oxide layer (3).例文帳に追加

電子部品（５）を電気的に接続する高効率熱伝導回路基板は、金属基板（２）の上にマイクロアーク酸化により形成した金属酸化物層（３）と、金属酸化物層（３）の上にプラズマイオンメッキにより形成した、電子部品（５）を電気的に接続する複数の導電性接触子（４）とを含む。 - 特許庁

An optical member 1 on which an optical waveguide should be formed and a liquid exchange source 2 are respectively preheated up to temperatures T1 and T2 (T1=T2 and T1 approximately equal to T2) at which ions are exchangeable, the optical member 1 is dipped into the liquid exchange source 2, and ion exchanging is performed to form an optical waveguide on the optical member.例文帳に追加

光導波路を形成すべき光学部材１と、液状交換源２とを、それぞれ予め加熱しイオン交換可能な温度Ｔ１、Ｔ２（Ｔ１＝Ｔ２、Ｔ１≒Ｔ２）としておき、該液状交換源２に、該光学部材１を浸漬し、イオン交換することによって該光学部材に光導波路を形成する。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the oxide ion transporter in which after the slurry containing the solid electrolyte ceramics to form the continuous dense layer by calcination is applied on at least one face of the porous support body and dried, and furthermore, the slurry to become to form a porous layer by calcination is applied on the surface and dried and then calcined.例文帳に追加

多孔質支持体の少なくとも片面に、焼成により連続緻密層となる固体電解質セラミックスを含有するスラリーを塗布、乾燥後、さらにその表面に、焼成により多孔化層となるスラリーを塗布、乾燥してから、焼成することを特徴とする酸化物イオン輸送体の製造方法である。 - 特許庁

An organic light emitting display device comprises: a substrate; an element circuit arranged above the substrate; a pixel electrode electrically connected to the element circuit; a pixel defining layer exposing the pixel electrode; an intermediate layer arranged on the pixel electrode, the intermediate layer being configured to emit light; and a first ion injected layer formed on the pixel defining layer.例文帳に追加

基板と、基板上に配される素子回路部と、素子回路部と電気的に連結される画素電極と、画素電極を露出させる画素定義膜と、画素電極上に配されて光を放出する中間層と、画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備える有機発光表示装置。 - 特許庁

This chemical converter is characterized in that a gas generating element is composed of forming thin photocatalytic membrane on the platinum thin coating melt-coated on the metal titanium substrate set in the water bath, and that the bath is partitioned by an ion-exchange membrane or a salt bridge.例文帳に追加

上記課題を解決する装置は、水槽内に、チタン金属基板に溶融接着させた白金薄膜上に光触媒薄膜を形成することにより構成されている気体発生素子が設けられており、該水槽内がイオン交換膜又は塩橋で仕切られていることを特徴とする化学変換装置である。 - 特許庁

The method is provided with an outline etching process (S104) for etching a mask material positioned on the outline of a region to be removed in a mask so that it is penetrated by using convergent ion beams and etching gas, and a removing process (S106) for removing the mask material positioned on the inner side of the outline of the region to be removed in the mask.例文帳に追加

収束イオンビームとエッチングガスとを用いて、マスクの除去したい領域の輪郭に位置するマスク材料を貫通するようにエッチングする輪郭エッチング工程（Ｓ１０４）と、前記マスクの除去したい領域の輪郭の内側に位置するマスク材料を除去する除去工程（Ｓ１０６）と、を備える。 - 特許庁

To generate an SiGe layer where Ge of sufficient concentration exists in a channel area even if the ion implanting quantity of Ge is less when ion- implanting Ge to an Si layer in an SOI wafer, to improve carrier moving degree in a field effect semiconductor device, and to improve current driving force on the manufacture method of the field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果型半導体装置の製造方法に関し、ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層にＧｅをイオン注入してＳｉＧｅ層を生成させるに際し、Ｇｅのイオン注入量が少なくても、チャネル領域には充分な濃度のＧｅが存在するＳｉＧｅ層を生成できるようにし、電界効果型半導体装置に於けるキャリヤ移動度を高めて電流駆動力を向上しようとする。 - 特許庁

To provide sleep-assisting bedding utilizing an ion conversion substance and an infrared radiation substance which is widely usable for household use or in hospitals by mixing the ion conversion substance and the infrared radiation substance processed into micron-powder in ink, and printing the ink on the cloth surface of the bedding for promoting health by minus ions and infrared ray radiated from these substances.例文帳に追加

ミクロンパウダー状に加工したイオン変換物質及び赤外線放射物質をインクに混入し、このインクを蒲団や敷物等の寝装具の布地表面に印刷し、この物質から放射されるマイナスイオン及び赤外線により健康を増進せしめる、家庭用、又は、病院等で広く用いることの出来るイオン変換物質及び赤外線放射物質を利用した睡眠補助寝装具を提供する。 - 特許庁

An air conditioner 100 comprises the ion generator 10 for generating ions, a temperature sensor 151 for detecting temperature, a humidity sensor 152 for detecting humidity, and a control part 150 for controlling the ion generator 10 to execute control of generating more ions than in a normal operation in dependence on the temperature detection result detected by the temperature sensor 151 and the humidity detection result detected by the humidity sensor 152.例文帳に追加

空気調節装置１００は、イオンを発生するイオン発生装置１０と、温度を検出する温度センサ１５１と、湿度を検出する湿度センサ１５２と、温度センサ１５１により検出された温度検出結果と、湿度センサ１５２により検出された湿度検出結果とに基づき、イオン発生装置１０を制御して通常運転時よりも多量のイオンを発生させる制御を行なう制御部１５０とを備える。 - 特許庁

This organic electrochemical luminescent element comprises an electrolyte having at least one kind of an organic compound emitting light by an ion collision between different ion radicals, an organic solvent dissolving the organic compound and a polymer compound dissolved in the organic solvent when heated and gelled at room temperature between first and second electrodes provided on an insulating substrate as a basic component.例文帳に追加

絶縁基板上に設けた第一の電極と第二の電極の間に、異なるイオンラジカル間のイオン衝突により発光する有機化合物と、該有機化合物を溶解する有機溶剤と、該有機溶剤に熱時溶解し室温時ゲル化する高分子化合物とを、少なくとも各一種類を基本構成とする電解質として備えることを特徴とする有機電界化学発光素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This ion exchange membrane having excellent properties for the fuel cell is composed of a polyarylene ether compound having introduced sulfonic acid group useful as a polymer ion exchange membrane, particularly a polyarylene ether having a 3,3'-disulfo-4,4'-dichlorodiphenylsulfone structure unit having sulfonic acid group on an electron-attracting aromatic ring in combination with a benzonitrile structure unit introduced into the ether.例文帳に追加

高分子イオン交換膜として有用なスルホン酸基を導入したポリアリーレンエーテル系化合物、すなわち、電子吸引性の芳香環上にスルホン酸基を導入した３，３'−ジスルホ−４，４'−ジクロロジフェニルスルホン構造単位とともにベンゾニトリル構造単位を導入したポリアリーレンエーテルからなるイオン交換膜により、燃料電池用の優れた特性を有するイオン交換膜を提供するものである。 - 特許庁

To provide a calcium ion-independent smooth muscle anomalous shrinkage inhibitor that is uneffective on the calcium ion-independent physiological smooth muscle shrinkage, an injection composition for treating the cardiovascular diseases caused by smooth muscle anomalous shrinkage, a prophylactic and/or therapeutic agent for black out and narrowed visual field, reduction of the side-effect of the chemical-inducing orthostatic hypotension and Rho- kinase signal transduction system inhibitor.例文帳に追加

カルシウムイオン依存性の生理的な平滑筋収縮に影響しない、カルシウムイオン非依存性の平滑筋異常収縮の抑制剤、血管平滑筋異常収縮に起因する循環器系疾患治療用の注射用組成物、暗黒視症および視野狭窄の予防および／または治療剤、薬物誘発起立性低血圧の副作用軽減剤およびＲｈｏキナーゼシグナル伝達系の阻害剤の提供。 - 特許庁

In a part or the whole of an upper nozzle 3, respective SN plates 4 and a lower nozzle 5 constituting the sliding nozzle 7 arranged on the bottom part of the metallurgical vessel, the surface in contact with passed molten metal 2 is partially constituted with the oxygen ion conductive body 9, and a means for impressing DC current into the interval between this oxygen ion conductive body 9 and the molten metal 2 is provided.例文帳に追加

冶金容器の底部に配するスライディングノズル７であって、該スライディングノズルを構成する上ノズル３、各ＳＮプレート４、下ノズル５の一部又は全部について、通過する溶融金属２と接する面を部分的に酸素イオン伝導体９で構成し、該酸素イオン伝導体９と溶融金属２との間に直流電流を印加する手段を備えることを特徴とする冶金容器のスライディングノズル。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

The all solid lithium ion secondary battery includes a battery element which is made by pinching a solid electrolyte layer containing crystal of lithium ion conductivity, laminating a cathode layer and an anode layer, and laminating a collector layer on at least either the cathode layer or the anode layer.例文帳に追加

リチウムイオン伝導性の結晶を含む固体電解質層を挟んで、正極層及び負極層が積層され、前記正極層又は前記負極層の少なくとも一方には集電体層が積層された電池素子を含むことを特徴とし、前記正極層又は前記負極層の少なくとも一方には導電助剤を含むことを特徴とする全固体リチウムイオン二次電池を提供することができる。 - 特許庁

This charge-up measurement device 20 has plural measuring conductors 22 disposed on a surface across an ion beam 12, for receiving the ion beam 12; plural bidirectional constant voltage elements 28 respectively connected to the measuring conductors 22; and plural current measurement devices 30 each for measuring a polarity and an amount of a current I flowing through each the bidirectional constant voltage element 28.例文帳に追加

このチャージアップ測定装置２０は、イオンビーム１２と交差する面に配列されていてイオンビーム１２を受ける複数の測定用導体２２と、この各測定用導体２２にそれぞれ接続された複数の双方向定電圧素子２８と、この各双方向定電圧素子２８を通して流れる電流Ｉの極性および大きさをそれぞれ測定する複数の電流測定器３０とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The device is provided with a cathode equipped with a cathode material coating part coating an electrode material with active carbon as a main component, an anode equipped with an anode material coating part coating an electrode material mainly composed of a compound preliminarily making the carbonaceous material absorb lithium ion on a carbonaceous material capable of absorbing and desorbing lithium ion, a separator between the cathode and the anode, and electrolyte solution containing lithium salt and a nonaqueous solvent.例文帳に追加

活性炭を主体とする電極材を塗布した正極電極材塗布部を有する正極と、リチウムイオンを吸蔵、脱離し得る炭素質材料にあらかじめリチウムイオンをその炭素質材料に吸蔵させた化合物を主体とする電極材を塗布した負極電極材塗布部を有する負極と、その正極と負極との間のセパレータと、リチウム塩と非水溶媒とを含む電解液を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a metallic block having high castability and high quality by providing a suitable applying condition for obtaining the stickiness preventing effect while preventing the decomposition of an oxygen ion conductive refractory, in the manufacturing method of the metallic block while preventing the formation of the stuck material on a nozzle with electro-chemical action by applying the electric current between molten metal bath and the oxygen ion conductive refractory constituting the nozzle wall.例文帳に追加

溶融金属浴とノズル壁を構成する酸素イオン伝導性耐火材に電流を印加する電気化学的作用によりノズルへの付着物形成を防止し金属塊を製造する方法において、酸素イオン伝導性耐火材の分解を防止しつつ、付着防止効果を得る適正印加条件を提供することで、鋳造性が高く、品質の高い金属塊を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A friction mechanism 15c moves a friction body 13 toward a metal ion eluting body 12n serving as a negative electrode and brings it into contact with the elution layer 12a of the metal ion eluting body 12n to thereby rub the surface of the elution layer 12a, and consequently mechanically removes scale formed on the surface of the elution layer 12a, thus keeping the elution rate of the silver ions over a long time.例文帳に追加

摩擦機構１５ｃにより、摩擦体１３を陰極たる金属イオン溶出体１２ｎに向かって移動させて金属イオン溶出体１２ｎの溶出層１２ａに接触させて、溶出層１２ａの表面を摩擦することにより、溶出層１２ａの表面に形成されるスケールを機械的に除去することができるため、長期間に渡って銀イオンの溶出速度を維持することができる。 - 特許庁

The hydrogen absorbing material is composed of the three-dimensional high-molecular complex formed by stacking two-dimensional structures, each formed of a metal ion and an organic ligand capable of being coordinated to the metal ion, through a pillar ligand capable of being coordinated to the metal ions, and the pillar ligand in the three-dimensional high-molecular complex contains a hydrocarbon group having a π electron based on a carbon-carbon unsaturated bond.例文帳に追加

金属イオンと該金属イオンに配位可能な有機配位子とによって形成される二次元構造が、前記金属イオンに配位可能なピラー配位子を介して積み重ねられた三次元高分子錯体からなり、該三次元高分子錯体中のピラー配位子が、炭素−炭素間の不飽和結合に基づくπ電子を有する炭化水素基を含むことを特徴とする、水素吸着材料が提供される。 - 特許庁

An inlay lens 109 having a convex lens shape only downward is formed without increasing a distance between an on-chip micro lens 112 and a silicon substrate as a lens formation region, by realizing high refractive index in a metallic ion implantation region alone in a first flattening layer 108 by injecting metallic ion into the first flattening layer 108 of an existing interlaminar film without using an inlay lens material.例文帳に追加

層内レンズ材料を用いずに、既存層間膜の第１平坦化層１０８中に金属イオンを注入することによって、第１平坦化層１０８中の金属イオン注入領域のみ高屈折率化してレンズ形成領域として、オンチップマイクロレンズ１１２とシリコン基板間の距離を増加させることなく、下にのみ凸形状のレンズ形状を持つ層内レンズ１０９を形成する。 - 特許庁

The binder resin is a resin having solubility of <10 mass% to 25°C ion exchange water or a resin having a water absorption rate of the ion exchange water which is less than two times of its own weight, and the content of the organic solvent is 25-80 mass% based on 100 mass% of the resin composition.例文帳に追加

吸水性樹脂、バインダー樹脂、有機溶媒及び揺変化剤を含む土木・建築用樹脂組成物であって、該バインダー樹脂は、２５℃のイオン交換水への溶解性が１０質量％未満の樹脂、又は、自重に対するイオン交換水の吸水倍率が２倍未満の樹脂であり、該有機溶媒は、該樹脂組成物を１００質量％としたときの含有量が２５〜８０質量％である土木・建築用樹脂組成物。 - 特許庁

The conductive sponge rubber roller has a conductive shaft body 61 and a conductive sponge rubber layer 62 on the conductive shaft body, wherein the conductive sponge rubber layer is formed by curing and foaming the ion conductive rubber composition and it is characterized in that the moisture amount in the ion conductive rubber composition before the curing and the foaming is 0.1 mass% or more and 0.5 mass% or less.例文帳に追加

導電性軸体６１と、該導電性軸体の上に導電性スポンジゴム層６２を有する導電性スポンジゴムローラにおいて、前記導電性スポンジゴム層が、イオン導電性ゴム組成物を加硫・発泡することにより形成されたものであり、加硫・発泡前のイオン導電性ゴム組成物の水分量が、０．１質量％以上、０．５質量％以下であることを特徴とする導電性スポンジゴムローラ。 - 特許庁

After the releasable wafer 12 is obtained by separating the wafer 13 from the thin film 17 on the whole surface of the ion-implanted region 13b so that no step may be formed in the periphery of the wafer 12, a regenerated wafer 32 is obtained by polishing the separation surface 12a of the wafer 12.例文帳に追加

周囲に段差が生じないようにイオン注入領域１３ｂの全面で半導体ウェーハ１３を薄膜１７から分離して剥離ウェーハ１２を得て、剥離ウェーハ１２の分離面１２ａを研磨して再生ウェーハ３２を得る。 - 特許庁

In a knocking judge means 23b, the knocking is detected based on the ion current value detected at the high load operation time, and in an ignition timing control means 25, the ignition timing control for advancing and correcting the ignition timing until the knocking is detected is carried out.例文帳に追加

又、ノッキング判定手段２３ｂでは高負荷運転時に検出したイオン電流値に基づきノッキングを検出し、点火時期制御手段２５においてノッキングが検出されるまで点火時期を進角補正する点火時期制御を行う。 - 特許庁

The lithium ion battery 20 has a bunch 6' of electrode windings such that a positive electrode plate and a negative electrode plate are wound centering on a core 11 with a polyethylene separator S1 interposed, in which the periphery of the electrode bunch 6' is enwrapped with the separator S1 more than one turn.例文帳に追加

電池２０は、軸芯１１を中心として正極板、負極板を、ポリエチレン製セパレータＳ１を介して捲回した電極捲回群６’を有しており、電極捲回群６’の外周はセパレータＳ１が１周以上捲回されている。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

Related to manufacturing a resist coat wherein a liquid resist 4 coated on the surface of a conductor pattern 3 is exposed, developed with alkali, rinsed, dried, and then thermo-set, a Ca ion concentration of a washing liquid after development with alkali is 17-20 mg/L.例文帳に追加

導体パターン３の表面に塗布した液体レジスト４を露光し、アルカリ現像・水洗・乾燥をした後、熱硬化するレジスト被膜の製造方法において、アルカリ現像後の水洗用液のＣａイオン濃度を１７〜２０ｍｇ／Ｌにした。 - 特許庁

To efficiency lower the concentration of discharge products, such as ozone and NOX, which can be generated even when an ion generator capable of discharging electricity with the voltage smaller than that of a corona charger is used for an image carrying member destaticizer for destaticizing the residual charges on an image carrying member.例文帳に追加

コロナチャージャよりも小電圧で放電可能なイオン発生装置を像担持体上の残留電荷除電用の像担持体除電装置に用いた場合でも生じ得るオゾン、ＮＯ_X等の放電生成物の濃度を効率良く低減させる。 - 特許庁