「p concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a high-concentration p-well region 32 having a concentration higher than that of the other portions of the p-well region 23 is formed on the shallow portion of the n^+ source region 24.例文帳に追加

そして、そのｎ^+ソース領域２４の浅い部分に、ｐウェル領域２３の他の部分よりも濃度が高い高濃度ｐウェル領域３２を形成する。 - 特許庁

Impurity concentration of the N^- drift layer 1 is reduced from a location where the impurity concentration is maximum toward a P base layer 2 and a P collector layer 4.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の不純物濃度は、不純物濃度が極大となる箇所からＰベース層２およびＰコレクタ層４の方向に向かって低くなる。 - 特許庁

The P^- layer is extended from the P^+ layer toward the gate 13g and is a low concentration layer with an impurity concentration of boron around 1×10^18/cc.例文帳に追加

Ｐ^−層はＰ^＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０^１８／ｃｃ程度の低濃度層である。 - 特許庁

Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction.例文帳に追加

さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is as deep as the low-concentration diffusion regions 7 and 11.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは、低濃度拡散領域７，１１の深さと同じである。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.例文帳に追加

ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁

An interval d of high concentration p-type conductive layers 3, 4 is set to the interval for depletion of the area between the high concentration p-type conductive layer 3 and high concentration p-type conductive layer 4 at the low concentration n-type conductive layer 2 when the desired voltage lower than the breakdown voltage BV is applied.例文帳に追加

高濃度ｐ型導電層３，４の間隔ｄを、降伏電圧BV以下の所望の電圧を印加したときに、低濃度ｎ型導電体層２における高濃度ｐ型導電層３と高濃度ｐ型導電層４との間の部分が空乏化する間隔に設定する。 - 特許庁

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

(3) The concentration Ti (ppm) of titanium metal element of a titanium compound soluble in a polyester and the concentration P (ppm) of phosphorus element of the phosphorus compound satisfy 0.65≤P/Ti≤5 and 10≤Ti+P≤200.例文帳に追加

］（３）その際、ポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素濃度Ｔｉ（ｐｐｍ）とリン化合物のリン元素濃度Ｐ（ｐｐｍ）とが、０．６５≦Ｐ／Ｔｉ≦５，１０≦Ｔｉ+Ｐ≦２００を満足する。 - 特許庁

A second p-type clad layer 16 is formed in the laser on the first p-type clad layer 13, and has higher carrier concentration than the p-type current block layer 14.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１６は、第１ｐ型クラッド層１３上のレーザ部に形成され、ｐ型電流ブロック層１４よりも高いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

In this ferritic stainless steel sheet with slight gold dust flaws, the concentration of P in the grain boundaries is ≤5 at.% by atomic concentration.例文帳に追加

結晶粒界のＰ濃度が、原子濃度にて５ａｔ％以下であるゴールドダスト疵の少ないフェライト系ステンレス鋼板。 - 特許庁

A different configuration of this structure includes a region that is p+ doped in high concentration between the p region and the metallic layer.例文帳に追加

この構造の変形形態は、ｐ領域と金属層の間に、高濃度にｐ＋ドーピングされた領域を含む。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Impurity concentration of the p-type first doped layer 52 is set lower than that of the p-type second doped layer 54.例文帳に追加

ｐ型第１ドープ層５２の不純物濃度は、ｐ型第２ドープ層５４の不純物濃度より低くなるようにする。 - 特許庁

On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.例文帳に追加

基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁

After that, by using ion injection, annealing, and so on, high-concentration P-type guard ring areas 14b are formed on the surfaces of the low-concentration P-type guard ring areas 14a so as to completely cover the low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法及びアニール処理等を用いて、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａの表面部分に、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを完全に被覆する状態で高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂを形成する。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

Consequently, such a p-type concentration distribution that the concentration of a p-type impurity becomes higher as going toward the boron-introduced areas 2 from the element area of the substrate 1 is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板１の素子領域からボロン導入領域２に向けてｐ型の不純物濃度が高くなるようなｐ型濃度分布が形成されている。 - 特許庁

The diaphragm is formed of a silicon layer having a high concentration P type impurity and the peak concentration of the P type impurity is set in the inner section of the diaphragm in the depth direction of the diaphragm.例文帳に追加

振動板を高濃度のＰ型不純物シリコン層で形成し、振動板の厚さ方向で振動板内部に高濃度Ｐ型不純物のピーク濃度を持たせた。 - 特許庁

In this epitaxial growth, impurity concentration of the p--type Si epitaxial layer 23 is made higher by about two orders of magnitude than that of the impurity concentration of the p---type high resistance layer 24.例文帳に追加

このエピタキシャル成長において、ｐ^- 型のＳｉエピタキシャル層２３の不純物濃度をｐ^--型の高抵抗層２４の不純物濃度より２桁程度高くする。 - 特許庁

That is, the impurity element in the vicinity of the junction regions can be gettered effectively, by lowering the concentration of the element represented by P in sections close to the junction regions and enhancing the concentration of the element represented by P in sections separated from the junction regions.例文帳に追加

即ち、接合領域に近い部分でPに代表される元素の濃度を低くし、接合領域から離れた部分でPに代表される元素の濃度を高くすることで、接合領域近傍の不純物元素を効果的にゲッタリングできる。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

The heat treatment is carried out while the oxygen concentration is controlled so as to increase a common logarithm of P at a rate of 0.5 or below per minute when the oxygen concentration is denoted by P under an environment of oxygen concentration of 1 ppm or more.例文帳に追加

熱処理は、酸素濃度１ｐｐｍ以上の雰囲気下で、酸素濃度をＰとした場合の常用対数ｌｏｇＰが、毎分０．５以下で上昇するように酸素濃度を制御しながら行われる。 - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

The p-type layer 127 having small impurity concentration, and n-type layer 128 having small impurity concentration are as thick as 40 nm or less.例文帳に追加

Ｐ型の不純物濃度の薄い層１２７とＮ型の不純物濃度の薄い層１２８の厚さは４０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The p-type impurity concentration in a surface portion 17 of the guard ring 13 is set to be smaller than the n-type impurity concentration.例文帳に追加

そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 - 特許庁

Such oxygen concentration reduction area Q and constant concentration area P are formed each time a growth temperature of a membrane is elevated.例文帳に追加

このような酸素の濃度低下領域Ｑと定濃度領域Ｐは、薄膜の成長温度を増加させる毎に形成される。 - 特許庁

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The first p-type contact layer 16a has an Mg concentration not higher than 3×10^19/cm^3.例文帳に追加

第１ｐ型コンタクト層１６ａは、Ｍｇ濃度が３×１０^19／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁

A p^+ high-concentration contact region 6 is formed on the side wall and a bottom surface of the second trench 5.例文帳に追加

第２トレンチ５の側壁および底面に、ｐ^+高濃度コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

Proper hydrochloric acid concentration (a) is calculated by formula 21: a=CN+10^-P.例文帳に追加

Ａｔ＝２Ｆｖ（ａ−１０^−Ｐ）（式１８）適正な塩酸濃度（ａ）は式２１で算出。 - 特許庁

QUANTITATIVE ANALYSIS LIMIT DETERMINING METHOD FOR IRON CONCENTRATION ANALYSIS IN BORON-DOPED P-TYPE SILICON例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed on the surface of the n-type low-concentration layer 11.例文帳に追加

Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

A conductivity type of the low-concentration doped regrowth layer 13 is an undope type or a p type.例文帳に追加

低濃度ドーピング再成長層１３の導電型はアンドープもしくはｐ型とする。 - 特許庁

The storage device further comprises a P-type dense impurity concentration region 332a formed in the P-type well region 332 becoming a third bit line in such a manner that the impurity concentration region 332a is interposed between P-type thin impurity concentration regions 332b and 332c.例文帳に追加

第３ビット線となるＰ型のウェル領域３３２内には、Ｐ型の不純物濃度が濃い領域３３２ａを形成し、さらにＰ型の不純物濃度の濃い領域３３２ａはＰ型の不純物濃度の薄い領域３３２ｂ，３３２ｃで挟まれている。 - 特許庁

The crosstalk reduction layer 77 has the same conductivity type as that of the P-type well layer 52 and a higher concentration than that of the P-type well layer 52.例文帳に追加

クロストーク低減層７７は、Ｐ型ウエル層５２と同じ導電型のＰ型で、Ｐ型ウエル層５２よりも高濃度である。 - 特許庁

A high-concentration n-type region 9 and a p-type region 11 are disposed between the p-type regions 7 adjacent each other.例文帳に追加

隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

On the N type collector layer 4, a P+ type base layer 3 including the P type impurities of a high concentration is entirely formed.例文帳に追加

Ｎ型コレクタ層４上には、高濃度のＰ型不純物を含むＰ＋型ベース層３が全面的に形成されている。 - 特許庁