「p concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor element which is easily made p-type by sufficiently making hall concentration sufficient even if an acceptor concentration in an acceptor doped layer is not increased when a laminate containing the acceptor doped layer is formed.例文帳に追加

アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate.例文帳に追加

ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

In LDD regions 207, 215, 211, 219, 223a, 223b, and 229 overlapping with the gate electrode of a TFT, concentration inclination where the concentration of an N- or a P-type impurity element is increased is provided while the LDD regions approach source drain regions 208, 212, 216, 220, 226, 209, 213, 217, 221, 225, and 227.例文帳に追加

ＴＦＴのゲート電極と重なるＬＤＤ領域２０７，２１５，２１１，２１９，２２３ａ，２２３ｂ，２２９，をソース・ドレイン領域２０８，２１２，２１６，２２０，２２６，２０９，２１３，２１７，２２１，２２５，２２７に近づくにつれて徐々にＮ又はＰ型不純物元素の濃度が高くなるような濃度勾配を持たせる。 - 特許庁

Further, an impurity concentration interface between the p^+-type region 5 and a p^++-type region 4 has been so structured as not to agree with an interface at a signal charge readout side of an n-type impurity region 3 that forms the photodiode.例文帳に追加

また、ｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との不純物濃度の境界面が、フォトダイオード部を形成するｎ型不純物領域３の信号電荷読出し部側の境界面と一致しない構造を採用した。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device structure which is improved in manufacturing yield by alleviating the influence of the diffusion of a p-type dopant element on its characteristics, and by distributing the concentration of a p-type dopant element as designed.例文帳に追加

ｐ型ドーパント元素の拡散による特性に対する影響を軽減し、かつｐ型ドーパント元素を設計通りに濃度分布させることが可能な、歩留まりの高い半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

To prevent a step of an inter layer insulating film which is caused from ununiformity of a concentration of a P type impurity ion-implanted into the inter layer insulating film in a P+pickup area and failure of a bridge between bit lines related to it.例文帳に追加

Ｐ＋ピックアップ領域の層間絶縁膜内にイオン注入されるＰ型不純物の濃度の不均一によって生じる層間絶縁膜の段差及びそれに係るビットライン間ブリッジの不良を防止する。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

A concentration computing section computes the numerical values p and q which are most approximate to the ultraviolet spectrum μ (λ) of the sample solution measured by means of an ultraviolet spectrum measuring section S1 and [p.ω (λ)+q.δ (λ)] and uses p.Co and q.Cd as the ozone concentration and organic-matter concentration of the sample solution, respectively.例文帳に追加

濃度演算部は、紫外線スペクトル測定部Ｓ１によって測定された試料液の紫外線スペクトルμ（λ）と、［ｐ・ω（λ）＋ｑ・δ（λ）］とが最もよく近似する数値ｐ、ｑを演算し、ｐ・Ｃｏを該試料液のオゾン濃度とし、ｑ・Ｃｄを該試料液の有機物濃度とする。 - 特許庁

A p channel region 6, a p body lead electrode 7 connected to the channel region 6, and a p high-concentration body contact region 8 connected to the body lead region 7 are made in the region of a semiconductor layer 3 surrounded by an element isolating insulating film 4.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４に取り囲まれた半導体層３領域には、ｐ型のチャネル領域６と、チャネル領域６に接続されたｐ型のボディ引き出し領域７と、ボディ引き出し領域７に接続されたｐ型の高濃度ボディコンタクト領域８とが形成されている。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がＮ型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つＰ型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いＰ型第二埋込み拡散層１４を埋込み形成する。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

However, in this case, Si of high concentration is deposited on the P-clad layer and a P-clad layer interface directly below the oxide film, these layers are turned into N-type, positive holes which flowed into a P-block layer are injected effectively into the active layer, and a semiconductor laser having superior oscillation characteristic can be realized.例文帳に追加

ただし、この場合ｐクラッド層と酸化膜直下のｐクラッド層界面には高濃度のＳｉが析出し、ｎ転しｐブロック層に流れ込んでいた正孔が有効に活性層に注入され、良好な発振特性を有する半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

The voltage withstand structure section has an inner peripheral structure section 30 which is formed adjacently to the first parallel p-n structure of the drain/drift section 22 and has the same repeating pitch P1 and impurity concentration the p-n structure has and an outer peripheral structure section 40 which is the second parallel p-n structure formed adjacently to the section 30.例文帳に追加

この耐圧構造部は、ドレイン・ドリフト部２２の第１の並列ｐｎ構造に隣接して繰り返しピッチ及び不純物濃度が同じである内周構造部３０と、この内周構造部３０に隣接した第２の並列ｐｎ構造である外周構造部４０とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

To improve a crystal property and electrical conductivity and also uniform the composition ratio and the p-type impurity concentration in a growth surface of a crystal.例文帳に追加

結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度を均一とする。 - 特許庁

In the power semiconductor device 1, the impurity concentration profile in a vertical direction of a p-type base contact layer 15 has a two-stage structure.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、ｐ型ベースコンタクト層１５における上下方向の不純物濃度プロファイルの形状を２段構成とする。 - 特許庁

Between the n-type diffusion region 2 and the p well 10, an n^--type diffusion region 11 is formed having a lower dopant concentration than that of the n-type diffusion region 2.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２とＰウェル１０との間に、Ｎ型拡散領域２よりも不純物濃度の低いＮ^−型拡散領域１１を設ける。 - 特許庁

By forming such a structure, it is possible to mitigate a concentration of stress generated between the insulating films 11a, 11b and the p-type contact layer 6c.例文帳に追加

このような構造とすることにより、絶縁膜１１ａ、１１ｂとｐ型コンタクト層６ｃとの間に発生するストレスの集中を緩和することができる。 - 特許庁

With this structure, the impurity concentration of the n-type diffusion layer 8 near the p-type diffusion layers 10, 11 as source regions can be increased.例文帳に追加

この構造により、ソース領域としてのＰ型の拡散層１０、１１近傍のＮ型の拡散層８の不純物濃度を高濃度とすることができる。 - 特許庁

A low-concentration impurity region 36 is formed in a surface portion (channel region) of a P well 2 located under a gate electrode 33 of an amplifier transistor 30.例文帳に追加

増幅トランジスタ３０のゲート電極３３の下側に位置するＰウェル２の表面部（チャネル領域）に低濃度不純物領域３６が形成されている。 - 特許庁

Preferably, impurity concentration of the p-type first doped layer 52 is set in the range of 5×10^16 cm^-3 to 3×10^17 cm^-3.例文帳に追加

好ましくは、ｐ型第１ドープ層５２の不純物濃度は、概ね５×１０^１６ｃｍ^−３以上３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a technique for reducing variance in on voltage of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) by suppressing variations in carrier concentration of a P-type collector layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ型コレクタ層におけるキャリア濃度の変化を抑制し、オン電圧のばらつきを低減可能な技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

The channel region 9 is formed of two channel layers 9a, 9b having P-type impurity concentration lower as it is arranged on a side closer to the surface.例文帳に追加

チャンネル領域９は表面側に配置されているものほど薄いＰ型不純物濃度をもつ２層のチャンネル層９ａ，９ｂで形成されている。 - 特許庁

Consequently, a fine p-type channel region 5 is formed between the source region 6 and a low-concentration drain region 4 in a self-aligning way.例文帳に追加

これによって、高濃度ソース領域６と低濃度ドレイン領域４との間に自己整合的に微細なｐ型のチャネル領域５を形成する。 - 特許庁

To provide a dephosphorizing method of molten iron, by which spitting quantity is reduced and [P] concentration in the molten iron can be made to ≤0.020%.例文帳に追加

スピッティング量を低減して、かつ溶銑中の［Ｐ］濃度を０．０２０％以下とすることができる溶銑の脱りん方法を提供する方法を提供する。 - 特許庁

By thus making the Mg concentrations of the p-InGaN layers 152, the concentration of Mg diffusing into the active layer can be reduced to improve light emission efficiency.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＧａｎ層１５２のＭｇ濃度をこのようにすることで、活性層へ拡散するＭｇの濃度を低減することができ、発光効率が向上する。 - 特許庁

To provide a means for determining a quantitative analysis limit in an analysis method of iron concentration in boron-doped p-type silicon with high reliability.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。 - 特許庁

An impurity concentration of the p-type impurity layer 2 is low and further the depth is 1.0 μm or less, sufficiently shallow, so that the carrier implantation efficiency is decreased.例文帳に追加

ｐ型不純物層２の不純物濃度は、低く、かつ、その深さは、１．０μｍ以下と十分に浅いため、キャリア注入効率が低減される。 - 特許庁

To provide a junction type group III nitride transistor configured to be fabricated without regrowing a p-type semiconductor and a low-concentration n-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer positioned right above the sidewall of the concavoconvex has a p-type carrier concentration of ≥1×10^18/cm^3.例文帳に追加

前記凹凸の側壁直上に位置する前記第２の窒化物半導体層は、ｐ型キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３以上となる。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a metal impurity concentration in a P-type silicon wafer such that high-precision evaluation is possible over the entire wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ全面において高精度に評価が可能な、Ｐ型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を評価する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To stably make an ingot into perfect area [P] over whole length in a high yield and to make oxygen concentration and electrical resistance of the ingot uniform over the whole length.例文帳に追加

全長にわたって安定して高収率にインゴットをパーフェクト領域［Ｐ］にし、全長にわたってインゴットの酸素濃度及び抵抗率を均一化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a P type region having a uniform boron (B) concentration distribution, while suppressing the deterioration of electrical performance.例文帳に追加

電気特性の劣化を抑制すると共に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The effective impurity concentration of the N^--type layer 12 is made lower than the effective impurity concentrations of the N^+-type layer 11 and the P^+-type layer 13.例文帳に追加

Ｎ^−型層１２の実効的な不純物濃度は、Ｎ^＋型層１１及びＰ^＋型層１３の実効的な不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁

This diffusion allows the P concentration on top of the film 7 to be reduced, thereby suppressing the growth of an edge on top of a gate electrode during patterning.例文帳に追加

この拡散によって、ポリシリコン膜７上端部におけるリン濃度が低減され、パターニング時にゲート電極の上端部のエッジが大きくなるのを抑制できる。 - 特許庁

A gate electrode is made of p^+type polysilicon, and the channel region of the SOI film is n-type while the concentration of impurities is about 3E17/cm^3 at most.例文帳に追加

ゲート電極がＰ^＋型のポリシリコンで形成され、ＳＯＩ膜のチャネル領域がＮ型であり、その不純物濃度が約３Ｅ１７／ｃｍ^３程度である。 - 特許庁

The concentration of hydrogen atoms contained in the p-type layer 15 is 1×1016 atoms/cm3 or higher and 1×1019 atoms/cm3 or lower.例文帳に追加

ｐ型層１５に含まれる前記水素元素の濃度は、１×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上１×１０^19ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である。 - 特許庁

A P-type push-in diffusion region 440 higher in concentration than a semiconductor layer 200 is formed from the surface to the bottom face of the semiconductor layer 200.例文帳に追加

半導体層２００よりも高濃度のＰ型の押込拡散領域４４０は、半導体層２００の表層から底面まで設けられている。 - 特許庁