「p concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a sharp p type impurity profile with low resistance by increasing p type impurity concentration of a nitride semiconductor without increasing the doping quantity.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるようにする。 - 特許庁

In the N-type diffused source and drain layers 20, there is formed P-type impurity-implanted regions 19 having a P-type impurity concentration lower than that of the N-type diffused source and drain layers 20.例文帳に追加

Ｎ型ソース・ドレイン拡散層２０の内部には、Ｐ型不純物濃度がＮ型ソース・ドレイン拡散層２０よりも低いＰ型不純物注入領域１９が形成されている。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.例文帳に追加

トレンチ７の側面から所定距離離れた位置に、ｎ^+型ソース領域４よりも深く、かつ、ｐ型ベース領域３よりも高濃度となるｐ^+型ボデー層６を備える。 - 特許庁

The p-type diffusion layer 5 is formed to have an impurity concentration peak at a deeper part than the n-type diffusion layers 7, 8.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５は、Ｎ型の拡散層７、８よりも深部に不純物濃度ピークを有するように形成されている。 - 特許庁

Owing to the presence of the impurity layer (8), the impurity concentration diffused from the p-type cladding layer (18) to the waveguide layer (6) is reduced.例文帳に追加

この不純物層（４）により、ｐ型クラッド層（１８）から導波層（６）へ拡散される不純物の濃度が低減される。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

Thereby, p^+ diffusion layer 4 and an n^+ diffusion layer 3 can be formed shallow, making a steep distribution profile of impurity concentration.例文帳に追加

そのため、Ｐ^+拡散層４及びＮ^+拡散層３を浅く形成でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

The size, inner concentration and the position of the two-dimensional pattern P are decided by calculating the area, gray level and centroid of the input fingerprint picture.例文帳に追加

２次元パターンＰの大きさ，内部の濃度，位置は入力指紋画像の面積，濃淡度，重心を算出して決める。 - 特許庁

The stages described above may be repetitively executed in a range where the (P) concentration in the slag amount after the dephosphorization refining is ≤35%.例文帳に追加

また、脱燐精錬後のスラグ量中の（Ｐ）濃度が３５％以下の範囲で、前記工程を繰り返し実施することができる。 - 特許庁

Accordingly, it prevents the contact characteristics of a P-type electrode from being deteriorated due to the decrease in the carrier concentration of the layer 28.例文帳に追加

したがって、ｐ型コンタクト層２８のキャリア濃度が低下して、ｐ型電極とのコンタクト特性が悪化するのを防止である。 - 特許庁

A thickness of a P-type emitter layer 5 is set to 5 μm or less or preferably 1 μm, and its peak concentration is set to 7×1017 cm-3.例文帳に追加

Ｐエミッタ層５の層厚を５μｍ以下、好ましくは１μｍとし、ピーク濃度を７×１０^１７ｃｍ^−３とする。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

To provide a heat treating method of P-type gallium nitride based compound semiconductor crystal, which can highly improve carrier concentration.例文帳に追加

キャリア濃度を高度に高めるとができるＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

To measure the concentration and distribution of an impurity near a p-n junction where a depletion layer is formed in a no-bias state.例文帳に追加

無バイアス状態で空乏層の形成される、ｐｎ接合近傍領域の不純物濃度およびその分布を測定する。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a channel region 420 that has a relatively low p-type impurity concentration on the surface, a channel region 320 that has relatively high p-type impurity concentration on the surface, a channel region 120 that has a relatively low n-type impurity concentration on the surface, and a channel region 220 that has a relatively high n-type impurity concentration on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、表面においてｐ型の不純物濃度が相対的に低いチャネル領域４２０と、表面においてｐ型の不純物濃度が相対的に高いチャネル領域３２０と、表面においてｎ型の不純物濃度が相対的に低いチャネル領域１２０と、表面においてｎ型の不純物濃度が相対的に高いチャネル領域２２０とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device includes a buried p (or n) channel type MOSFET whose n (or p) type impurity concentration in a buried channel region 7 of a buried p (or n) channel region gradually increases toward a p++ source region 5 and a p++ drain region 6, in the lengthwise direction of a channel like a line shown in the accompanying drawing.例文帳に追加

埋め込みｐ（又はｎ）チャネル領域である埋め込みチャネル領域７に於けるｎ（又はｐ）型不純物濃度が図に付記した線図に見られるようにチャネル長方向に於いてｐ^++ソース領域５側及びｐ^++ドレイン領域６側に向かって漸増するように分布している埋め込みｐ（又はｎ）チャネル型ＭＯＳＦＥＴが含まれている。 - 特許庁

This method is to produce a p-nitrophenyl-β-primeveroside crystal from the solution containing the p-nitrophenyl-β-primeveroside and p- nitrophenyl-β-glucoside and the method comprises concentrating the solution until the p-nitrophenyl-β-primeveroside reaches a prescribed concentration or above and then depositing the crystal of the p-nitrophenyl-β-primeveroside from the concentrated solution.例文帳に追加

パラニトロフェニル−β−プリメベロシド及びパラニトロフェニル−β−グルコシドを含有する溶液からパラニトロフェニル−β−プリメベロシドの結晶を製造する方法であって、前記溶液をパラニトロフェニル−β−プリメベロシドが所定の濃度以上になるまで濃縮し、次いでこの濃縮溶液からパラニトロフェニル−β−プリメベロシドの結晶を析出させる方法。 - 特許庁

The surface shape detecting device validates other candidate pixel position data in a class at a distance from a concentration class region by neglecting the maximum light receiving position separating the most concentrating class region from the concentration class region by the maximum light receiving positions P, P' in two or more classes.例文帳に追加

最大受光位置Ｐ，Ｐ’が最も多く集中するクラス領域を集中クラス領域から２クラス以上離れた最大受光位置を無視し、集中クラス領域からの距離が１クラス内にある他の候補画素位置データを有効化する構成とした。 - 特許庁

Then a concentration (CO) of the IPA gas included in the sample gas before dilution is calculated on the basis of CO=C1×(1/P), by multiplying the measured concentration value (CO) by an inverse number (1/P) of a dilution ratio obtained on the basis of flow rates of the sample gas and the dilution gas.例文帳に追加

そして、計測された濃度値（Ｃ０）とサンプルガスおよび希釈ガスの流量に基づいて得られる希釈率の逆数（１／Ｐ）とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれるＩＰＡガスの濃度（Ｃ０）をＣ０＝Ｃ１×（１／Ｐ）として算出する。 - 特許庁

Then, by multiplying a measured concentration value (C1) by a reciprocative (1/P) of a dilution rate obtained based on flow rates of the sample gas and the diluting gas, the concentration (C0) of the IPA gas contained in the sample gas before the dilution is calculated as C0=C1×(1/P).例文帳に追加

そして、計測された濃度値（Ｃ１）とサンプルガスおよび希釈ガスの流量に基づいて得られる希釈率の逆数（１／Ｐ）とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれるＩＰＡガスの濃度（Ｃ０）をＣ０＝Ｃ１×（１／Ｐ）として算出する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing p-xylene by regulating the concentration of the p-xylene in a mixture of xylene isomers so as to be not less than the equilibrium concentration when obtaining the xylene from a feedstock containing 9C aromatic hydrocarbons.例文帳に追加

本発明は炭素数９個からなる芳香族炭化水素を含む供給原料からキシレンを得るに際し、キシレン異性体混合物中のパラ−キシレン濃度を平衡濃度以上にして、効率よくパラ−キシレンを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing p-xylene by regulating the concentration of the p-xylene in a mixture of xylene isomers so as to be not less than the equilibrium concentration when obtaining the xylene from a feedstock containing 9C aromatic hydrocarbons.例文帳に追加

炭素数９個からなる芳香族炭化水素を含む供給原料からキシレンを得るに際し、キシレン異性体混合物中のパラ−キシレン濃度を平衡濃度以上にし、効率的にパラ−キシレンを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the cast slab having a white cast iron structure, the concentration of phosphorus atoms [P] is ≥0.015 mass%, and provided that molar concentration of the phosphorus atoms [P_mol] is ≥0.4×[P_mol], the molar concentration of rare earth elements [REM_mol] is ≥0.4×[P_mol].例文帳に追加

白鋳鉄組織を有する鋳片であって、リン原子の濃度［Ｐ］が０．０１５質量％以上であり、希土類元素のモル濃度［ＲＥＭ_ｍｏｌ］が、リン原子のモル濃度を［Ｐ_mol］としたときに、０．４×［Ｐ_mol］以上であることを特徴とする鋳片である。 - 特許庁

When a voltage is applied, the area between the high concentration p-type conductive layers 3, 4 in the low concentration n-type conductive layer 2 is depleted, voltage gradient within the low concentration n-type conductive layer 2 reaches the breakdown field and thereby breakdown is generated.例文帳に追加

そして、電圧を印加した場合に、低濃度ｎ型導電層２における高濃度ｐ型導電層３，４の間の部分が空乏化し、低濃度ｎ型導電層２内部の電位勾配が降伏電界に達し、降伏が発生する。 - 特許庁

A p-clad layer 105 is composed of two layers having a different carrier concentration, and a Zn dope amount of a p-clad layer 105B on the far side from an active layer 104 is set to be lower than a p-clad layer 105A on the close side to the active layer 104.例文帳に追加

ｐ−クラッド層１０５を、キャリア濃度が異なる２層から構成し、活性層１０４に近い側のｐ−クラッド層１０５Ａに対して、活性層１０４に遠い側のｐ−クラッド層１０５ＢのＺｎドープ量が低くなるように設定する。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 8 is formed on the second drain region 6, and a P-type third drain region 10 having a P-type impurity concentration higher than that of the P-type second drain region 6 is formed in a region underneath the LOCOS oxide film 8a.例文帳に追加

第２ドレイン領域６上にＬＯＣＯＳ酸化膜８が形成され、ＬＯＣＯＳ酸化膜８ａ下の領域にＰ型第２ドレイン領域６よりも濃いＰ型不純物濃度をもつＰ型第３ドレイン領域１０が形成されている。 - 特許庁

More specifically, by considering the off-angle of the p-type GaInP etching stop layer 7, the concentration of Zn to be introduced to the p-type GaInP etching stop layer 7 is set, so that the band gap of the p-type GaInP etching stop layer 7 can be made as large possible.例文帳に追加

具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板１のオフ角を考慮して、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７のバンドギャップが可能な限り大きい値となるように、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７に導入するＺｎの濃度を設定する。 - 特許庁

A p^+-type anode buried layer 1a having an impurity concentration higher than those of the semiconductor substrate 1 and the p^--type epitaxial layer 2 is selectively formed beneath the light receiving section 220 and between the semiconductor substrate 1 and the p^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

半導体基板１及びＰ^- 型エピタキシャル層２の間における受光素子部２２０の下側には、半導体基板１及びＰ^- 型エピタキシャル層２よりも不純物濃度が高いＰ^+ 型アノード埋め込み層１ａが選択的に形成されている。 - 特許庁

Therefore, the traveling time is reduced, and at the same time the p type carrier concentration is increased, thus improving operation efficiency in a device.例文帳に追加

この構造は、従って、走行時間を減少させ、同時にｐ型キャリア濃度を増加させてディバイスの動作効率を改善する。 - 特許庁

The p-type metal oxide semiconductor film 12, having concentration of holes which is h igh contributes to normally-off characteristics and a decrease in the gate leak current.例文帳に追加

正孔濃度の高いｐ型金属酸化物半導体膜１２はノーマリオフ特性に寄与し且つゲートリーク電流の低減に寄与する。 - 特許庁

As a result of this setup, the carrier concentration of the p-AlGaAs film is set at 1×1018 cm-3 on both the (111) A face and (100) face.例文帳に追加

これにより、（１００）面上及び（１１１）Ａ面上のｐ−ＡｌＧａＡｓ膜のキャリア濃度が１×１０^18ｃｍ^-3になる。 - 特許庁

To know the effective concentration of a p-layer and an n-lyer of a striped parallel pn layer provided in a vertical super junction semiconductor element.例文帳に追加

縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列ｐｎ層の各ｐ層およびｎ層の実効濃度を知ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element increasing the carrier concentration of a p-type clad layer while improving the efficiency of light emission.例文帳に追加

ｐ型クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、発光の効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The embedded oxide film (element isolation) 3 is formed to be positioned at the bottom of a base lead high concentration layer (p^+-type) 5 formed later.例文帳に追加

この埋込酸化膜(素子分離)３は、後に形成されるベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５の底部に位置するように形成される。 - 特許庁

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁

To provide a p-type AlGaN layer that has improved carrier concentration and luminous output, and to provide a group-III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The concentration of p-type dopant is increased locally in a region of the second layer 20b in the vicinity of an interface with the first layer 20a.例文帳に追加

第２層２０ｂにおける第１層２０ａとの界面の近傍領域には、ｐ型ドーパントの濃度が局所的に増大している。 - 特許庁

Eventually, a collector 13 of the transistor 20 is constituted of one or several carbon nanotubes 10 having a large energy gap and semiconductive properties, and formed by doping a P-type impurity in a lower concentration than that of the emitter 15.例文帳に追加

炭素ナノチューブ１０の熱伝導度はシリコンよりも遥かに高いので、トランジスタ２０の動作速度が向上する。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

Furthermore, the p-type doping concentration of the confinement layer has at least one gradient significantly different from zero in one direction in the plane.例文帳に追加

さらに、閉込め層のｐ型ドーピング濃度は、この面内の一方向でゼロと著しく異なる少なくとも１つの勾配を有する。 - 特許庁

An n^+-type source layer 14 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the p-type body layer 12.例文帳に追加

ｐ-型ボディ層１２には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ソース層１４が形成されている。 - 特許庁

The benzenedicarboxylic acid product obtained contains a total concentration of 4-carboxybenzaldehyde and p-toluic acid of 150 ppmw or less.例文帳に追加

得られるベンゼンジカルボン酸生成物中の４−カルボキシベンズアルデヒド及びｐ−トルイル酸の合計濃度は１５０ｐｐｍｗ未満である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer having a stabilized high carrier concentration and its fabricating method.例文帳に追加

安定した高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法を提供する。 - 特許庁

A P+ semiconductor layer 4 is formed by diffusing high concentration N type impurities from the other surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

上記Ｎ−型半導体基板の他方の表面から高濃度のＰ型不純物を拡散して，Ｐ＋型半導体層を形成する。 - 特許庁