「p-n-p」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

option instead of 例文帳に追加

\\-N " オプションの代わりに " \\-P - JM

"C-a backspace" 0 "C-a h" "C-a p" "C-a C-p (prev)" Switch to the previous window (opposite of C-a n). 例文帳に追加

"C-a backspace"0"C-a h""C-a p""C-a C-p (prev)"前のウィンドウに切り替える (C-a n の反対)。 - JM

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

a p-n junction has marked rectifying characteristics 例文帳に追加

p-n接合は整流特性の特徴がある - 日本語WordNet

(vii) N,N'- Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

七　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

(x) N,N'-Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

十　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

The formula 1 is represented by S1=(M/L)×(N-P)+P.例文帳に追加

Ｓ１＝（Ｍ／Ｌ）×（Ｎ−Ｐ）＋Ｐ…式１ - 特許庁

To thin a p-i-n diode without its property deteriorated.例文帳に追加

p-i-nダイオードをその特性の劣化なしに薄くする。 - 特許庁

(m and n denote integers, N=2P and p denotes an integer).例文帳に追加

（ここで、ｎ、ｍは整数、Ｎ＝２^p、ｐは整数である） - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor 例文帳に追加

半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書

General n. tyamin shamil p. lyubeshkin例文帳に追加

将軍チャミン シャミリリュベシキン - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In the expression, n and m are each an integer, N=2^p and p is an integer.例文帳に追加

（ここで、ｎ、ｍは整数、Ｎ＝２^ｐ、ｐは整数である） - 特許庁

The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加

最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁

in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加

半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書

You can make both p and ntype semiconductors例文帳に追加

p-とn-typeの半導体を両方つくることができるので - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

C / P = Yd · C / Yd · ( 1 / P ) and Yd = I N=1 · (1 – H) accordingly,例文帳に追加

Ｃ／Ｐ＝Ｙｄ　・　Ｃ／Ｙｄ　・（１／Ｐ）及びＹｄ＝Ｉ－Ｎ＝Ｉ・（１－Ｈ）より、 - 厚生労働省

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.例文帳に追加

nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

In the image display apparatus, image data P(d) obtained from an arbitrary view point d is selected from image data P(1), P(2), ..., P(N).例文帳に追加

画像データＰ（１）、Ｐ（２）、…、Ｐ（Ｎ）の中から、任意の視点ｄの画像データＰ（ｄ）が選択される。 - 特許庁

The distribution circuit divides the Reed-Solomon code of code length M×(N+P) bytes into (N+P) pieces of fragments of M bytes each and distributes the (N+P) pieces of fragments to the N+P pieces of drives.例文帳に追加

分配回路は、Ｍ×（Ｎ＋Ｐ）バイトのリード・ソロモン符号を、Ｍバイトずつの（Ｎ＋Ｐ）個の断片に分割し、Ｎ＋Ｐ台のドライブに分配する。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

The P-I-N photo diode 7 and the transparent electrode 9 both demarcate a sub pixel 5.例文帳に追加

P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素５を画定する。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

The bottom peak level of the signal SRF-N at the standard density becomes 'P(min-N)', and the signal SRF-H at the high density becomes 'P(min-H)' which is the level higher than 'P(min-N)'.例文帳に追加

標準密度での信号ＳRF-Nのボトムピークレベルは「Ｐ(min-N)」となり、高密度光ディスクでの信号ＳRF-Hは「Ｐ(min-N)」よりもレベルの高い「Ｐ(min-H)」となる。 - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

The color difference data Cr(n) of the target pixel P(n) is replaced by the color difference data CrB(n) close to achromatic color (closest to 0 value) among the pixels P(n), P(n-1), and P(n+1).例文帳に追加

すなわち、注目画素Ｐ（ｎ）の色差データＣｒ（ｎ）を、画素Ｐ（ｎ）、Ｐ（ｎ−１）、Ｐ（ｎ＋１）の中で無彩色に近い（最も０値に近い）色差データＣｒＢ（ｎ）に置換する。 - 特許庁

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物ｐ−ｎ接合ダイオード - 特許庁

That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.例文帳に追加

（１） ５＜ｆ_3／ｆ＜１００ （２） ｎ_d（ｎ）−ｎ_d（ｐ）＜０．２ （３） ν（ｐ）−ν（ｎ）＞３５ - 特許庁

The N RESURF layers 2 and the P RESURF layers 3 are repeatedly formed alternately in a direction substantially vertically to the direction of connecting the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10.例文帳に追加

Nリサーフ層２とPリサーフ層３は、Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０とを結ぶ方向と概略垂直方向に交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

(ccxxx) N-(1,3-dimethylbutyl)-N'-phenyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

二百三十　Ｎ―（一・三―ジメチルブチル）―Ｎ’―フェニル―パラ―フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁