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「protection element」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索
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protection elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1395



例文

Hereby, three kinds of currents of the synchronous rectification type DC-DC converter 3 can be detected only by using one current sensor, and the protection of a switching element against an overcurrent and the constant current control can be achieved.例文帳に追加

これにより、一つの電流センサを用いるだけで同期整流型DC−DCコンバータの3種類の電流を検出することができ、スイッチング素子の過電流保護や定出力電流制御を簡素な回路で実現することが可能となる。 - 特許庁

An overvoltage protection circuit 100, a second threshold value higher than the first threshold value being set, compulsorily turns off a switching element 6 by outputting an overvoltage detection signal when the soft-stop overvoltage detection voltage Vfb exceeds the second threshold value.例文帳に追加

過電圧保護回路100は、第1の閾値より高い第2の閾値が設定され、ソフト過電圧検出電圧Vfbが第2の閾値を超えたとき過電圧検出信号を出力することによってスイッチング素子6を強制的にオフする。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

The silicone rubber composition for electrode protection comprises (A) 100 parts by mass of a curable silicone rubber composition and (B) 0.1-50 parts by mass of an oxide of at least one kind of a metal selected from the group of a lanthanoide element, yttrium and indium.例文帳に追加

(A)硬化性シリコーンゴム組成物 100質量部、および (B)ランタノイド元素、イットリウムおよびインジウムからなる群より選択される少なくとも一種の金属元素の酸化物 0.1〜50質量部を含有してなる電極保護用シリコーンゴム組成物。 - 特許庁

例文

In the contact safety device for the pin and socket connector suitable for use between a primer for an air bag and the control unit of a car, the protection element of the contact safety device is constructed for preventing the false release.例文帳に追加

本発明は、エアバッグ用のプライマーと自動車の制御ユニットとの間での使用に適した、ピン及びソケットコネクタのための接点安全装置に関するものであり、接点安全装置の保護エレメントが疑似解放を防止するように構成されている。 - 特許庁


例文

The photocatalyst element 19 comprises a photocatalyst carrier 7 comprising a hard material such as a porous ceramic, a protection frame 17 to hold the periphery 32 of the carrier 7, and a buffer material 18 interposed between the frame 17 and the carrier 7.例文帳に追加

本光触媒エレメント19では、多孔質のセラミック等の硬質材からなる光触媒担持体7と、これの周縁部32を保持する保護枠17と、保護枠17と光触媒担持体7との間に介在する緩衝材18とを有する。 - 特許庁

To provide an overcurrent protection circuit of a semiconductor integrated circuit for preventing an overcurrent generated at abnormal time such as the case that an output terminal is erroneously short-circuited to the GND and preventing the heat generation and destruction of a semiconductor element in an output drive circuit.例文帳に追加

出力駆動回路において、出力端子が誤ってGNDにショートした場合などの異常時に発生する過電流を防止し、半導体素子の発熱、破壊を防止する半導体集積回路の過電流保護回路を提供する。 - 特許庁

The control system, when determined that it is in accelerator heel hold and prescribed time according to a gradient way has passed, carries out fastening element protection control to reduce the fastening torque of the clutch, while giving mechanical braking torque to a wheel using a brake control means.例文帳に追加

アクセルヒルホールドと判定され、かつ、勾配路に応じた所定時間が経過したときは、ブレーキ制御手段を用いて車輪に機械的制動トルクを付与すると共に、クラッチの締結トルクを低下させる締結要素保護制御を実施することとした。 - 特許庁

The protection membrane 5 covering the organic EL layer of an organic EL element has a three-layered structure made of a high-density silicon nitride membrane 52 having compressive stress and a low-density silicon nitride membranes 51, 53 having tensile stress formed so as to clip it.例文帳に追加

有機EL素子の有機EL層を覆う保護膜5は、圧縮応力を有する高密度なシリコン窒化膜52と、それを挟むように形成された引っ張り応力を有する低密度なシリコン窒化膜51,53とから成る3層構造を有している。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device with a protection circuit for preventing a MOSFET from being destroyed due to an overcurrent that quickly senses a current flowing through the semiconductor element with high sensitivity to protect the MOSFET and to reduce the consumed current.例文帳に追加

過電流によりMOSFETが破壊されることを防止する保護回路を備えた半導体装置において、感度よくかつ迅速に、半導体素子に流れる電流を検出してMOSFETを保護すると共に、消費電流を低減する。 - 特許庁

例文

To stably operate an overcurrent protection circuit, whereby in power ICs, the influence of VBE of an overcurrent-sensing transistor due to its temperature dependence can be compensated and the period for a main element subjected to an overcurrent can be always sensed during its operation, with the sensing point thereof becoming nearly a fixed value.例文帳に追加

パワーICにおいて、過電流検出用トランジスタのVBE の温度依存性による影響を補償でき、動作中に主素子の過電流時を常にほぼ一定値の検出ポイントで検出でき、過電流保護回路を安定に働かせる。 - 特許庁

To provide a road surface protecting method that easily changes an automobile snow tire from a snowy surface travel state to a non-snowy surface travel state and vice versa with reduced labor, and an antiskid element capable of road surface protection.例文帳に追加

自動車の雪道走行用のタイヤにおいて、雪面走行状態から非雪面走行状態への変更、及びその逆変更が容易で、軽微な労力でなされる路面保護方法と、路面保護可能な滑り止め体を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, when an output voltage V2out of the boosting circuit 24 is decreased below a predetermined voltage V0, the protection circuit 25 determines the decrease by using the second comparator 27, and restores the switching operation of the switching element 24A by using the RS flip-flop 28.例文帳に追加

また、保護回路25は、昇圧回路24の出力電圧V2outが所定の電圧値V0よりも低下したときに、第2の比較器27を用いてこれを判定し、RSフリップフロップ28を用いてスイッチング素子24Aの切換動作を復帰させる。 - 特許庁

Without providing additional member, such as a protection glass plate or the like, the reflection light L3, which is obtained by that the light L2 output to the glass substrate 12 side from the organic EL element 34 is reflected by contact of a finger F on the back side of the glass substrate 12, can be detected by the light sensor.例文帳に追加

保護用のガラス板などの追加の部材を設けることなく、有機EL素子34からガラス基板12側へと出力した光L2をガラス基板12の背面側で指Fの接触によって反射した反射光L3を光センサで検出できる。 - 特許庁

To provide a chip-type overcurrent protection element, wherein the increase of its resistance value caused by its thermal deformation generated, when a temperature exceeding the melting point of its organic polymer is applied to it in the case of its reflow can be reduced, and it can be manufactured with a small number of processes.例文帳に追加

リフロー時に有機ポリマーの融点を越える温度の熱が加わった時に生じる熱変形により生じる抵抗値の上昇を低減することができ、かつ少ない工程で製造できるチップ型過電流保護素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a PTC material containing conducting particles obtained by using an ethylene-acrylic acid copolymer as a matrix, enables inking and improves a PTC characteristic and durability, and may be used for protection of a surface-shaped heating element, a circuit, and the like.例文帳に追加

エチレン-アクリル酸共重合体をマトリックスとする導電性粒子含有PTC材料であって、インク化を可能とし、PTC特性および耐久性を向上せしめ、面状発熱体、回路保護などとして用い得るものの製造法を提供する。 - 特許庁

This solar cell module comprises a laminated body in which a repellent and oil repellent stain-proofing layer is formed on the base film side of a surface protection film and a photovoltaic element is arranged on the light receiving surface.例文帳に追加

基材フィルム上に、撥水性および撥油性を持つ防汚層を設けてなる表面保護フィルムの該基材フィルム側と、光起電力素子を配置した受光面ととの積層体より構成されたことを特徴とする太陽電池モジュールである。 - 特許庁

In the method of manufacturing the electrostatic discharge protection element, a material which includes ZnO as a main component and consists of Mn or Co is mixed, a composition of Bi, Sb, Si, Ca, Ba, Ti or Al or compounds thereof are mixed and heat-treated to form composite powder of those compositions.例文帳に追加

ZnOを主成分とし、MnまたはCoから成る材料を混合し、Bi・Sb・Si・Ca・Ba・TiまたはAlからなる組成物或いはそれらの化合物を混合し、熱処理してこれらの組成物の合成粉を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit protection element which is further miniaturized than a conventional article, secures quickness in fusing, also improves mass-productivity and packaging property and is also capable of dealing with breaking capacity from a low voltage to a high voltage, and a manufacture thereof.例文帳に追加

従来品よりも小型化され、溶断における速断性が確保され、量産性及び実装性も優れ、低い電圧から高い電圧までの遮断容量にも対応可能である回路保護素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the protection film 20, a p-type semiconductor layer 21 and an n-type semiconductor layer 22 are laminated in this order from a side of the magnet element assembly 10, and a pn junction is formed between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

保護膜20はp型半導体層21とn型半導体層22とを磁石素体10の側からこの順に積層しており、p型半導体層21とn型半導体層22との間にはpn接合が形成されている。 - 特許庁

By forming a protection layer 30 of a material having a threshold energy of photoelectron emission higher than Si, a degree at which the optical element 40 produces photoelectrons according to the incident light can be reduced than the case that a multilayer film 20 is exposed.例文帳に追加

光電子放出の閾値エネルギーがSiよりも高い材料で保護層30を作製することにより、光学素子40が入射光に応じて光電子を発生させる度合いを多層膜20が露出する場合よりも小さくすることができる。 - 特許庁

It is possible to prevent an overcurrent from passing through a switching element 1 during overcurrent protection and reduce power consumption during standby while detecting an output voltage immediately after power-on and achieving soft start control without being restricted by time.例文帳に追加

電源起動直後からの出力電圧検出を可能にして時間制約を受けないソフトスタート制御を実現しつつ、過負荷保護時にスイッチング素子1に過電流が流れることを防止し、かつ待機時の消費電力削減を可能にする。 - 特許庁

To provide a protection film or an interlayer insulating film for a display element or a touch panel, which has excellent transparency, surface hardness, scratch resistance, heat crack resistance, crack resistance and adhesiveness to an ITO transparent conductive film, and further has sufficient sensitivity.例文帳に追加

透明性、表面硬度、耐擦傷性、耐熱クラック性、耐クラック性及びITO透明導電膜に対する密着性に優れ、さらに十分な感度をも有する表示素子用又はタッチパネル用の保護膜又は層間絶縁膜の提供。 - 特許庁

The light emitting diode package 100 includes a base 60, a light emitting diode 20 mounted in a depressed portion of the base 60, and a driving chip 10 to drive the light emitting diode 20 and an ESD protection element 30 which are mounted inside the base 60.例文帳に追加

発光ダイオードパッケージ100は、ベース60と、ベース60の陥没した部分に実装された発光ダイオード20と、ベース60の内部に実装され、発光ダイオード20を駆動する駆動チップ10、及びESD保護素子30とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a p-type semiconductor layer 17 which is formed adjacent to an n-type drain layer 15 so as to be electrically short-circuited with the drain layer 15 by a drain electrode 20, and which functions as a part of an ESD protection element upon electrostatic discharge.例文帳に追加

n型ドレイン層15に隣接し且つドレイン電極20によりドレイン層15と電気的に短絡されるように形成され静電放電時にESD保護素子の一部として機能するp型の半導体層17が形成される。 - 特許庁

The protection circuit 1 for the secondary battery includes a discharging PTC element 3, that cuts off the discharge current when the discharge current flowing through the secondary battery 2 becomes larger than the discharge current limiting value; and a discharging PTC element 5 that cuts off the charge current, when the charge current flowing through the secondary battery 2 becomes larger than the charge current limiting value.例文帳に追加

本発明の二次電池用保護回路1は、二次電池2に流れる放電電流が放電電流限界値よりも大きくなると放電電流を遮断する放電用PTC素子3と、二次電池2に流れる充電電流が充電電流限界値よりも大きくなると充電電流を遮断する充電用PTC素子5とを有する。 - 特許庁

In the high-frequency protection circuit 7, a switching element 9 is installed for on/off controlling of connection between a first capacitor 8 for attenuating a high-frequency signal having a predetermined level or higher and a ground 10, and when a high-frequency signal of the predetermined level or higher has been inputted to the input terminal 4, a detection means 13 turns on the switching element 9.例文帳に追加

高周波保護回路7においては、所定のレベル以上の高周波信号を減衰させる第1のキャパシタ8とグランド10との接続をオン・オフに制御するスイッチング素子9が配設されており、所定のレベル以上の高周波信号が入力端子4に入力されたときに検波手段13スイッチング素子9をオンにする。 - 特許庁

To provide an overvoltage-limiting-element deterioration detection circuit and its structure, which is connected with a heat-generation detection circuit to detect a signal and to output the signal outside when heat is generated in a lightning protection circuit, in which an overvoltage limiting element and a thermal fuse are thermally connected between commercial power supply terminals, or between the commercial power supply terminals and a grounding terminal.例文帳に追加

商用電源端子間または商用電源端子とアース端子間に過電圧制限素子と温度ヒューズとが熱結合された雷防護回路が発熱した場合に信号を検出するとともに外部に信号を出力する発熱検出回路を接続した過電圧制限素子劣化検出回路ならびにその構造を提供すること。 - 特許庁

To solve the following problem: fail processing is performed erroneously due to the influence of noise in an overcurrent protection circuit which, when current flowing in a switching element SW is determined to be a threshold or more based on detection of an electrical state amount (sense voltage) correlated with the above current, generates a fail signal indicating that the overcurrent flows in the switching element SW.例文帳に追加

スイッチング素子SWを流れる電流と相関を有する電気的な状態量(センス電圧)の検出に基づき、上記電流が閾値以上であると判断される場合に、スイッチング素子SWに過度の電流が流れる旨のフェール信号を生成するものにあって、ノイズの影響により誤ってフェール処理がなされること。 - 特許庁

To provide a protection circuit for a voltage-conversion circuit capable of preventing mostly the damage to an element and a part, or a bad influence to the surrounding quickly coping with an abnormal condition caused by not only a defect of a load but also a defect of a circuit element, an electronic part and the like that constitute the voltage-conversion circuit.例文帳に追加

この発明は、負荷の不具合による異常状態だけでなく、電圧変換回路を構成する回路素子や電子部品等の不具合によって発生した異常状態にも速やかに対処して、素子や部品の破損や周囲への悪影響を極力防止することを可能とした電圧変換回路の保護回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the static electricity protection circuit, the gate of the first transistor is directly or indirectly connected to the first control line; either of the source and drain of the first transistor is connected to one signal line and one end of the capacitance element; the other of the source and drain is connected to another wiring; and the other end of the capacitance element is connected to the gate of the first transistor.例文帳に追加

静電気保護回路では、第1トランジスタのゲートが、第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、一の信号線および容量素子の一端に接続されると共に、他方が他の一の配線に接続され、容量素子の他端が、第1トランジスタのゲートに接続されている。 - 特許庁

To provide a particle shield effective in a mask handler or a plate projector where contamination particles are prevented from reaching a mask or other element requiring protection against contamination and a projection beam is prevented from attenuating more than an allowable level.例文帳に追加

本発明はマスクあるいは汚染からの保護を要するその他の要素に汚染粒子が到来しないようするマスクハンドリング装置あるいは平板投影装置において効果的であり、一方投影ビームの許容し得ない減衰を阻止する粒子遮蔽体を提供する。 - 特許庁

An input protection circuit 2 disclosed herein for a differential amplifier circuit 1 includes a nonlinear element 22 and a buffer 21 whose amplification factor is the unity, which are connected in series between a noninverting input terminal IN (+) and an inverting input terminal IN (-) of the differential amplifier circuit 1.例文帳に追加

差動増幅回路1の入力保護回路2であって、前記差動増幅回路1の一方の正入力端子IN(+)と他方の負入力端子IN(−)との間で、それぞれが直列に接続される非線形素子22と1倍バッファ21とを備える - 特許庁

To provide a method of detecting the abnormality of an AC-AC converter which enables the protection of a switching element, etc. by accurately detecting that an input output terminal is connected reversely without needing a dedicated detecting circuit thereby facilitating the cause investigation at abnormality.例文帳に追加

専用の検出回路を要することなく入出力端子が逆接続されていることを正確に検出して異常時の原因究明を容易にし、スイッチング素子等の保護を可能にした交流交流変換器の異常検出方法を提供する。 - 特許庁

The ground fault protection circuit 4 prevents breakage of an internal element even if the terminal Pvcc causes a ground fault by turning off the NchDMOS transistor NDT2 so that a node N5 connected to the terminal Pvcc is disconnected from a node N3 to which an internal generation voltage Vcc is applied.例文帳に追加

地絡保護回路4は、端子Pvccが地絡した場合、NchDMOSトランジスタNDT2がオフし、端子Pvccに接続されるノードN5と内部生成電圧Vccが印加されるノードN3の間を遮断して内部素子の破壊を防止する。 - 特許庁

A security management countermeasure selection unit 123 selects from a security management countermeasure-protection model corresponding table 113 a security management countermeasure (for example, installation of a virus countermeasure gateway and introduction of a virus countermeasure software) corresponding to a combination of the threat and the selected element.例文帳に追加

セキュリティ管理策選定部123は、セキュリティ管理策−防御モデル対応テーブル113から、当該脅威と、選定された要素との組み合わせに対応するセキュリティ管理策(例えば、ウィルス対策ゲートウェイの設置やウィルス対策ソフトウェアの導入)を選定する。 - 特許庁

To make a contact resistance low by excluding etching damage and mixture of carbon, etc., and then by forming a metal silicide layer, in a semiconductor device having an electrostatic discharge protection element between a dopant diffused layer connected to an external I/O terminal and an input/ output MOS transistor.例文帳に追加

外部入出力端子に接続された不純物拡散層、入出力MOSトランジスタ間に静電破壊保護素子を有する半導体装置において、エッチングダメージや炭素等の混入を排除して金属シリサイド層を形成しコンタクトの低抵抗化を図る。 - 特許庁

The electrostatic discharge protection element has electrode patterns 16 and 18 which are formed on an insulating substrate 14 and have ends opposite each other across a predetermined gap 19 and connect with a pair of end electrodes 26, and a continuous static electricity absorber 12 straddling between the electrode patterns 16 and 18.例文帳に追加

絶縁基板14上に形成され互いに端部が所定間隔19を空けて対向し一対の端部電極26につながった電極パターン16,18と、電極パターン16,18間にまたがる一連の静電気吸収体12を有する。 - 特許庁

In a heater for heating semiconductor product where a heating element is formed on one side face or in a planar body of nitride ceramic or carbide ceramic, a protection layer is formed on at least a part of the surface of the planar body.例文帳に追加

窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の片面または内部に発熱体が形成されてなる半導体製品加熱用ヒータであって、板状体表面の少なくとも一部に保護層が形成されてなる半導体製品加熱用ヒータ。 - 特許庁

(3) The protection conferred by a patent to the product, containing genetic information or consisting of genetic information, shall apply also to the whole material, except the human body or the element thereof, in which the product has been included and which contains genetic information and performs its function. (Section 10, Paragraph four).例文帳に追加

(3) 遺伝情報を含むか又は遺伝情報から成る製品に対して特許により与えられる保護は,当該製品を包含し,かつ,遺伝情報を含みその機能を果たす材料全体(人体又はその要素を除く)にも適用される。(第10条(4)) - 特許庁

To achieve a static electricity damage protection element that can be used even if power supply potential at a high-potential side decreases as compared with the potential of a signal terminal by the forward voltage of a diode or larger, has a small area and parasitic capacitance, and does not prevent the high-speed operation of the internal circuit.例文帳に追加

高電位側の電源電位が信号端子の電位よりダイオードの順方向電圧分以上下がった場合でも使用でき、面積が小さく、かつ寄生容量が小さくて内部回路の高速動作を妨げない静電破壊保護素子を実現する。 - 特許庁

The protection layer 4 is composed of a metal layer 14 formed so as to cover the surface of the magnet element assembly 2, a metal simple substance scattered on and adhered to a surface of the metal layer 14, and particulates 24 composed of a metal oxide or a metal hydroxide.例文帳に追加

保護層4は、磁石素体2の表面を覆うように形成された金属層14と、この金属層14の表面上に分散して付着した金属単体、金属酸化物又は金属水酸化物からなる微粒子24とから構成されている。 - 特許庁

In the communication antenna, the each antenna element is formed of a conductive paint applied on an installation face, and the antenna elements are formed of the line structure coated with a protection layer made of nonconductive paint having an insulation resistance value higher than that of the conductive paint.例文帳に追加

また、通信アンテナは、そのアンテナ素子が設置面に塗布される導電性塗料で形成され、そのアンテナ素子が導電性塗料より絶縁抵抗値の大きな非導電性塗料製の保護層により被覆されたライン構造体で形成されている。 - 特許庁

The polarizer outside surface protection film provided on the outer surface of the liquid crystal display element, includes: a transparent substrate layer made of a synthetic resin; and a hydrophilic resin layer laminated on the inner surface of the substrate layer.例文帳に追加

本発明は、液晶表示素子の外面側に配設される偏光子外面保護フィルムであって、透明な合成樹脂製の基材層と、この基材層の内面側に積層される親水性樹脂層とを備えることを特徴とする偏光子外面保護フィルムである。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 1 has excitation electrodes 2 respectively provided with comb-like electrode fingers, pad electrode parts 4 respectively connected to each excitation electrode 2 via a conductive metal, a protection film 3 formed on the excitation electrodes 2 and the pad electrode parts 4.例文帳に追加

弾性表面波素子1は、櫛歯状の電極指を有する励振電極2と、導電性金属を介して、励振電極2に接続されているパッド電極部4と、励振電極2及びパッド電極部4の上に形成された保護膜3とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured with ease, and further enhancing the density compared with a conventional art while ensuring desired characteristics, in a semiconductor device having an LDMOS transistor and an ESD protection element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

LDMOSトランジスタとESD保護素子とを有する半導体装置において、製造工程が簡単であるとともに、所望の特性を確保しつつ従来に比べてより一層の高密度化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then an optical path groove through which the photodetection light guided to the photodetecting element passes and a first protection groove formed at a periphery of the optical path groove and blocking the adhesive resin entering the optical path groove are formed.例文帳に追加

そして、前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と;前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第1の保護溝とが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A positive electrode tab 4 and a negative electrode tab 3 which are drawn out from a lithium ion battery 1 through a protection element 6 or directly are connected respectively to a positive electrode lead wire and a negative electrode lead wire through an insulating relay member 7 having a housing portion of the lead wire on both sides.例文帳に追加

リチウムイオン電池1から保護素子6を介し、もしくは直接引き出された正極タブ4と負極タブ3を表裏面にリード線の収納部を有する絶縁中継部材7を介してそれぞれ正極側リード線と負極側リード線に接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of lithium polymer battery in which evolved gas from the power generation element housed in a sheath case is made to finish to come out fully and in which an inert protection film is formed on a surface of negative electrode material, and provide a method superior in the later gas generation inhibition, battery characteristics, and reliability.例文帳に追加

外装ケースに収容した発電要素から発生するガスを出し切らせるとともに、負極材料表面に不活性保護膜を形成して、その後のガス発生の抑制と電池特性、信頼性に優れたリチウムポリマー電池の製造法を提供する。 - 特許庁

例文

Further, a lightning protection element is connected between the electric wires of the power distribution line at a previous stage and between the electric wire and the grounding wire of the power distribution line, so that it may absorb the lightning surge entering from the electric wire and the grounding wire of the power distribution line and the lightning surge reflected by the reactor.例文帳に追加

また、リアクトルの前段の配電線の電線間及び配電線の電線と接地線との間に雷サージ保護素子を接続し、配電線の電線や接地線から侵入した雷サージ及びリアクトルで反射された雷サージを吸収する。 - 特許庁




  
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