「protection element」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of intermittence of regenerative current, the vibratory voltage caused by a resonance phenomenon developed by a regenerative reactor LCHP and a snubber capacitor CLCHP for regenerative diode is applied to a ripple voltage protection diode DKP through a snubber capacitor CSCHP for a regenerative switching element.例文帳に追加

回生電流断続時、回生リアクトルＬＣＨＰと回生ダイオード用スナバコンデンサＣＬＣＨＰで発生する共振現象に起因する振動電圧は、回生スイッチング素子用スナバコンデンサＣＳＣＨＰを介してリップル電圧防御ダイオードＤＫＰに印加される。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a lower electrode 20 formed above the substrate 10, the piezoelectric layer 30 formed above the lower electrode 20, an upper electrode 40 formed above the piezoelectric layer 30, a protection layer 60 formed on the lateral sides of the piezoelectric layer 30, and a self-organized monomolecular film 70 formed on the side of each of the protection layer 60 not facing the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された下部電極２０と、下部電極２０の上方に形成された圧電体層３０と、圧電体層３０の上方に形成された上部電極４０と、圧電体層３０の側面に形成された保護層６０と、保護層６０の圧電体層３０と反対側の面に形成された自己組織化単分子膜７０と、を含む。 - 特許庁

The light emitting device includes: a substrate 10; a plurality of light emitting elements 11 mounted on the substrate 10; a phosphor layer 12 covering each light emitting element 11 and containing phosphor; a translucent protection cover 13 for covering the phosphor layer 12; and an intermediate layer interposed between the phosphor layer 12 and the protection cover 13 without forming an air layer and having a translucency and elasticity.例文帳に追加

本発明は、基板１０と、この基板１０に実装された複数の発光素子１１と、各発光素子１１を覆うとともに蛍光体が含有された蛍光体層１２と、この蛍光体層１２を覆う透光性の保護カバー１３と、前記蛍光体層１２と保護カバー１３との間に、空気層を形成することなく介在された透光性を有し、かつ弾性を有する中間層とを備える発光装置である。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A secondary battery 100 includes a bare cell 110 having an electrode terminal on a surface thereof; a protective circuit module 120 located on top of the bare cell 110 to control charging and discharging; the fuse element 130 electrically connected to the bare cell 110 and the protection circuit module 120; and an upper tape 140, located between the fuse element 130 and the protective circuit module 120.例文帳に追加

二次電池１００は、一面に電極端子が具備されたベアセル１１０、ベアセル１１０の上部に位置し充電又は放電を制御する保護回路モジュール１２０、ベアセル１１０と保護回路モジュール１２０とに電気的に接続されるヒューズ素子１３０及びヒューズ素子１３０と保護回路モジュール１２０との間に位置する上部テープ１４０を含んで形成される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a connection target including at least one of an electrostatic protection element and an input/output circuit element, two or more elements selected from one or more power supply wire and one or more pad, a plurality of wires formed on the same layer, a first contact for electrically connecting at least one wire among the plurality of wires with the connection target.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、静電気保護素子及び入出力回路素子のうちの少なくとも１つを含む接続対象と、１以上の電源配線及びパッドから選択される２以上の要素と、同一層に形成された複数の配線と、複数の配線のうちのいずれか１つの配線と、接続対象とを電気的に接続する第１コンタクトと、を備える。 - 特許庁

In the semiconductor-protection circuit that electronically controls the overvoltage of a semiconductor power element and the rise speed of the voltage, a bypass effect is amplified using a control signal of a small- capacity snubber circuit or a clamp circuit by mounting a power amplifier, which amplifies the bypass effect of the snubber circuit or the clamp circuit, in parallel with the semiconductor power element.例文帳に追加

半導体電力素子の過電圧や電圧の立ち上がり速度を制限するために電子的に対処する半導体保護回路において、小容量のスナバー回路若しくはクランプ回路の制御信号を用いて増幅することにより、スナバー回路若しくはクランプ回路のバイパス効果を増幅させる電力増幅器を半導体電力素子に並設してバイパス効果を増幅する。 - 特許庁

In this case, conductive wires 201-203 are connected to an n-side electrode and p-side electrode on the upper surface of the light emitting element, and an electrode on an upper surface of the protection element, between a conductive member 132 on a first area 111 or a conductive member 133 on a second area 112 on upper surfaces of steps higher than those in its neighborhood.例文帳に追加

この場合、発光素子の上面のｎ側電極、ｐ側電極および保護素子の上面の電極に対して、その近傍でそれより高い段部の上面における第１の領域１１１上の導電部材１３２または第２の領域１１２上の導電部材１３３との間でそれぞれ導電性ワイヤ２０１〜２０３がボンディング接続されている。 - 特許庁

The protection device of a wire saw apparatus 5 includes at least one tube-assembly 11 equipped with at least one tube-element 12 which has a hold space 13 which extends along a longitudinal axis A for a saw wire 7, wherein at least one tube-element 12 has at least one axial opening 23, and the opening can be closed by a closing means.例文帳に追加

ワイヤ鋸装置５の保護装置であって、鋸ワイヤ７のための長手方向軸線Ａに沿って延びる収容空間１３を有する管素子１２を少なくとも１個備える管装置１１を少なくとも１個設けた該保護装置において、少なくとも１個の管素子１２は、軸線方向開孔２３を少なくとも１個有し、この開孔が閉鎖手段によって閉鎖可能な構成とする。 - 特許庁

The electrooptic device is provided in which a display element 20 having a pair of flexible substrates 3 and 5 holding an electrooptical substrate between them is sealed with the protection film and which is usable while curved along the length or width of the display element 20.例文帳に追加

本発明は、電気光学物質が挟持された一対の可撓性基板３，５を備える表示素子２０が防護膜によって封止され、表示素子２０の長手方向及び短手方向のいずれか一方に湾曲されて使用可能な電気光学装置１であって、表示素子２０の外周には、防護膜同士が接着剤を介して互いに固着された封止部２２が設けられている。 - 特許庁

The film formation composition is used to form a protection film to partially prevent the diffusion of impurities when the impurities are diffused to a silicon wafer, and it contains a high molecular silicon compound and a compound including a protective element that has eight valency electrons after the covalent bonding with an element as a diffusion source for the impurity diffusion.例文帳に追加

本発明の膜形成組成物は、シリコンウエハへの不純物拡散を行う際に、この不純物拡散を部分的に防止するための保護膜を構成する膜形成組成物であって、高分子ケイ素化合物と、前記不純物拡散の拡散源となる元素と共有結合して価電子が８個となる保護元素を含む化合物とを含有する膜形成組成物である。 - 特許庁

The driving circuit 3 sets off a semiconductor element when a cutoff circuit constituting the semiconductor device 4 with the overheat protection function cuts off input of the semiconductor element, changes the driving voltage to specified voltage so that the driving electric current exceeds the threshold value electric current and holds the driving voltage at the specified voltage while the detection signal is output from the electric current detection circuit 2.例文帳に追加

駆動回路３は、過熱保護機能付き半導体装置４を構成する遮断回路が半導体素子の入力を遮断した場合には、半導体素子をオフするとともに、駆動電流がしきい値電流を超えるように、駆動電圧を所定の電圧に変化させ、電流検知回路２から検知信号が出力されている間は、駆動電圧を所定の電圧に保持する。 - 特許庁

In the battery protection method for protecting the battery from the over discharge state by turning off the switching element 112 installed between the battery 111 and the load 101 depending on the voltage of the battery, it is detected that a charging voltage is applied, and when the charging voltage is detected, the switching element is tuned on to make it possible to charge the battery.例文帳に追加

電池の電圧に応じて該電池１１１と負荷１０１との間に設けられたスイッチング素子１１２をオフすることにより該電池を過放電状態から保護する電池保護方法において、充電電圧が印加されたことを検出し、充電電圧が検出されたときに、スイッチング素子をオンし、電池への充電を可能な状態とすることを特徴とする。 - 特許庁

The support plate section 9 is provided with a support member 11 for being wired to fix the element body 8, platinum fine wire 10, or lead wire 4 to the support plate section 9, and supporting the support plate section 9 by interposition between the support plate section 9 and the inner wall of the protection pipe section 7.例文帳に追加

支持板部９には、巻き付けられることで、素子本体８、温度測定用白金細線１０又はリード線４を支持板部９に固定すると共に支持板部９と保護管部７の内壁との間に介在して支持板部９を支持する支持部材１１を設けた。 - 特許庁

Because a point of application of a load from the battery unit 3 to the vehicle body 2 can shift along a through-hole 3c that serves as a rail element, the load can be suitably distributed, thereby further improving the protection performance of the vehicle body 2 or the battery unit 3.例文帳に追加

バッテリユニット３から車体２への荷重の作用点を、レール要素としての貫通孔３ｃに沿って移動させることができるので、荷重を適宜に分散させることができるようになり、車体２あるいはバッテリユニット３の保護性をより一層高めることができる。 - 特許庁

The organic EL element 11 has a first electrode 13, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 successively laminated on a glass substrate 12, and the part excluding the face where the first electrode, the organic EL layer, and the second electrode are jointed to each other is covered by a protection film 16.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１２の表面に第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５が順に積層され、第１電極１３、有機ＥＬ層１４及び第２電極１５の互いに隣接する面以外の部分が保護膜１６で被覆されている。 - 特許庁

For the protection element having a pair of lead members, a low-melting-point alloy connected between the lead members, and a flux covering the low-melting-point alloy; an outside part is shaped by coating in molding the surface of the flux and an inside end part of the lead part by molding resin.例文帳に追加

一対のリード部材とそのリード部材間に接続された低融点合金とその低融点合金を被覆するフラックスとを有する保護素子において、フラックスの表面とリード部材の内方向端を覆って成形用の樹脂を被覆成形して外郭部形状を形成する。 - 特許庁

An NMOS 9 diode-connected between a power supply terminal 1 and a ground terminal 2 in a reverse direction is provided as a protection element, and a bandwidth preventing filter 10 for preventing a frequency component of the ESD current from passing is provided between the power supply terminal 1 and an internal circuit 4.例文帳に追加

電源端子１と接地端子２の間に逆方向にダイオード接続されたＮＭＯＳ９を保護素子として設けると共に、この電源端子１と内部回路４の間に、ＥＳＤ電流の周波数成分の通過を阻止する帯域阻止型のフィルタ１０を設ける。 - 特許庁

To eliminate the need for selecting a switching element of a high-current level in a motor drive device, where current detection parts are installed in the switching elements of a low side, and to provide an inexpensive motor drive device having an optimum circuit structure and performing protection against excess current.例文帳に追加

ローサイドの各スイッチング素子それぞれに電流検出部を設けたモータ駆動装置において、スイッチング素子の電流レベルの高いものを選定する必要がなく、安価で、かつ最適な回路構成で過電流に対する保護を行うことができるモータ駆動装置を得る。 - 特許庁

While an imaging position on a chart pattern is moved by moving a measuring unit, reflected light reflected by a protection glass and the imaging element is made incident on a photoelectric sensor through a beam splitter and the incident light is detected to acquire a measurement waveform (100 to 106).例文帳に追加

測定ユニットを移動することによって、チャートパターンの結像位置を移動させながら、保護ガラス及び撮像素子によって反射された反射光をビームスプリッタを介して光電センサに入射され、該入射光を検出して測定波形を取得する（１００〜１０６）。 - 特許庁

The organic EL element comprises a positive electrode 11 formed on a substrate 1, an organic thin film layer 12 including a light emitting layer 12b formed on the positive electrode 11, a negative electrode 15 formed on the organic thin film layer 12, and a negative electrode protection layer 16 formed on the negative electrode 15a.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板１上に形成された陽極１１と、陽極１１上に形成され、発光層１２ｂを含む有機薄膜層１２と、有機薄膜層１２上に形成された陰極１５と、陰極１５ａ上に形成された陰極保護層１６とを有する。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.例文帳に追加

この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, an embedded N-type region comprising a silicon region including high N-type impurities is disposed at a lower portion of a channel region in the N-type MOS transistor for ESD protection for protecting the N-type MOS transistor of an internal element and the other internal elements from a breakdown due to ESD.例文帳に追加

内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタやその他の内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するためのＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の下部に、濃いＮ型の不純物を有するシリコン領域からなる埋め込みＮ型領域を配置した半導体装置とした。 - 特許庁

To prevent water etc., which enters an inter-layer insulating film on a fuse from an opening of a protection film on the fuse in a trimming element formation region surrounded with a guard ring made of metal from entering a device formation region through an opening for a fuse lead-out electrode formed in the guard ring.例文帳に追加

金属層からなるガードリングで囲まれたトリミング素子形成領域のヒューズ上の保護膜の開口からヒューズ上の層間絶縁膜に浸入した水分等がガードリングに形成されたヒューズ引き出し電極用の開口を通ってデバイス形成領域に浸入することを防止する。 - 特許庁

To provide a rear surface protective sheet for solar cell modules which is excellent in characteristics such as mechanical strength, weather resistance, heat resistance, and damp resistance, which controls the deterioration of electric insulating property under high temperature and high humidity condition, in particular, which is rich in durability, which is useful for the protection of a solar cell element, and the cost of which is lowered.例文帳に追加

機械的強度、耐候性、耐熱性、防湿性などの特性に優れ、特に、高温高湿条件下での電気絶縁性能劣化を抑え、耐久性に富み、太陽電池素子の保護に有用で、かつ、より低コストな太陽電池モジュール用裏面保護シ−トを提供する。 - 特許庁

By the above, as the carbon nano-tube 13 is protected by the protection film 15, the damage caused by arcing or residual gas is prevented, and the field emission element having stable field emission characteristics is realized.例文帳に追加

このように構成されることにより、炭素ナノチューブ１３を保護膜１５で保護するのでアーキングや残留ガスによる損傷を防止することができ、電界放出素子の電界放出特性及び電界放出性能の安定性が向上された、電界放出素子が具現される。 - 特許庁

The first power system is connected with a power supply wiring, a ground wiring and the signal wiring, and includes an input circuit into which a signal from the second power system is input, and a first protection element which is disposed between the power supply wiring and the ground wiring and does not directly form a signal wiring and a node.例文帳に追加

第１電源系は、電源配線と、接地配線と、信号配線が接続され、第２電源系からの信号が入力される入力回路と、電源配線と接地配線との間に配され、信号配線とノードを直接形成していない第１保護素子と、を有する。 - 特許庁

This fan protection device is composed of a temperature detecting element for detecting the overheat of a fan, a galvanoscope for detecting the overload of driving current of the fan, and a warning device for stopping the fan, thus protecting the fan from ignition or the like due to overheating or overloading.例文帳に追加

ファンのオーバーヒートを検出する測温体と、前記ファンの駆動電流のオーバーロードを検出する検流器と、事象が検出された時、前記ファンを停止する警報器とからなるので、ファンのオーバーヒート及びオーバーロードから生じる着火等から保護することができる。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 8 of the protection element 1 and an N-type diffusion layer 19 of the MOS transistor 15 are formed in the same process, while a diffusion width W3 of the N-type diffusion layer 8 is larger than a diffusion width W4 of the N-type diffusion layer 19.例文帳に追加

そして、保護素子１を構成するＮ型の拡散層８とＭＯＳトランジスタ１５を構成するＮ型の拡散層１９を同一工程で形成するが、Ｎ型の拡散層８の拡散幅Ｗ３が、Ｎ型の拡散層１９の拡散幅Ｗ４よりも広くなる。 - 特許庁

The ESD protection element has an n-type well region 19 superposed on the formation position of a contact hole 15a below an n-type drain region 15, and the MOS transistor has an n-type low concentration impurity region 17 superposed on the formation position of a contact hole 7a below an n-type drain region 7.例文帳に追加

静電保護素子はＮ型ドレイン領域１５の下にコンタクトホール１５ａの形成位置に重畳してＮ型ウェル領域１９を備え、ＭＯＳトランジスタはＮ型ドレイン領域７の下にコンタクトホール７ａの形成位置に重畳してＮ型低濃度不純物領域１７を備えている。 - 特許庁

The protection part is provided with a detector for detecting the predetermined voltage impressed to the laser device and a switch for short-circuiting the terminals of the laser element when the detected predetermined voltage value is within the predetermined range and canceling the short-circuit of the terminals when the detected voltage value is within the predetermined range.例文帳に追加

保護部は、レーザ装置に印加される所定の電圧を検出する検出部と、検出された所定の電圧の値が所定の範囲外であるときにはレーザ素子の端子同士を短絡させ、所定の範囲内であるときには端子同士の短絡を解除するスイッチ部とを備える。 - 特許庁

The protection element 6 protects an opening for transportation formed in the leg of the heat source machine from the forklift jaw, it is formed by a corrugate cardboard material such that it can be assembled with the material, and it is configured in an assembly structure fixed to the opening so as to allow insertion of the forklift jaw in an assembly completed state.例文帳に追加

保護部材６は、熱源機の脚部に形成された運搬用の開口部をフォークリフト爪から保護する保護部材６であって、ダンボール材により組立可能に形成され、組立完了状態でフォークリフト爪が挿入可能に開口部に固定される組立構造に構成されている。 - 特許庁

To optimize the ratio of maximum electric field strength at the time of an avalanche to the average electric field of a strong electric field area and the gradient of impurity concentration around the strong electric field area in order to reduce the operation resistance of an electrostatic protection diode, and to prevent the destruction of a semiconductor element due to negative resistance.例文帳に追加

静電気保護ダイオードの動作抵抗を低減すると共に負性抵抗による半導体素子の破壊を防止するため、アバランシェ時の最大電界強度と強電界領域の平均電界の比率や強電界領域周辺の不純物濃度勾配を最適化する。 - 特許庁

An erasing gate electrode 5 insulated from the control gate electrode 3 by a first protection insulation film 7 and a second gate insulating film 10 and tunnel-coupled to the floating gate electrode 4 through a tunnel insulation film 12 is formed on the element separating insulation film 2.例文帳に追加

素子分離絶縁膜２上には、コントロールゲート電極３とは第１の保護絶縁膜７及び第２のゲート絶縁膜１０によって絶縁され、且つフローティングゲート電極４とはトンネル絶縁膜１２を介してトンネル結合した消去ゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

To provide a protection circuit that protects a semiconductor integrated circuit from the eddy current noise of an ESD and eddy current noise in a latch-up test and can enhance the degree of flexibility in the arrangement of wiring from a power terminal to a protective element, and to prevent a chip area from increasing.例文帳に追加

半導体集積回路をＥＳＤの過電流ノイズ及びラッチアップ試験の過電流ノイズから保護する保護回路であって、電源端子から保護素子への配線の配置の自由度を高めることができ、チップ面積の増大とはならない、保護回路を提供する。 - 特許庁

Further, dry air or inert gas such as nitrogen gas and argon gas is charged in the internal space that a substrate 5 and the protection member 7 form and its end is sealed to stabilize the surface of the optical waveguide 3, thereby improving the reliability of the optical waveguide element.例文帳に追加

また、基板５と保護部材７とが形成する内部空間に乾燥空気、または窒素ガスやアルゴンガス等の不活性気体を封入し、その端部を封止することによって、光導波路３の表面が安定化され、光導波路素子の信頼性が向上する。 - 特許庁

The package structure of the semiconductor device comprises a semiconductor chip 1 having a semiconductor element and an electrode pad 2, and a protection layer 3 having a wiring 5 structuring an electric circuit on one surface and a plurality of interlayer connection bodies 4 penetrated from the specific position to the other surface.例文帳に追加

半導体素子及び電極パッド２を有する半導体チップ１と、一方の面に電気回路を構成する配線５を有してその所定の位置から他方の面に貫通する複数の層間接続体４を有する保護層３からなる半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁

The substrate for the organic semiconductor element is characterized in that it has a substrate, a transparent electrode formed on the substrate, and a frame-shaped partition wall part for organic transistor protection formed on the transparent electrode and having an opening part.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された透明電極と、上記透明電極上に形成され、開口部を有する枠状の有機トランジスタ保護用隔壁部とを有することを特徴とする有機半導体素子用基板を提供することにより上記課題を解決するものである。 - 特許庁

For semiconductor elements mounted on at least one side of the film substrate that has electrodes, insulation protection portions are formed on the desired surface to counter the electrodes, and the gap between the semiconductor element and the film substrate is set to be at least 10 μm or over.例文帳に追加

電極を有するフィルム基板の少なくとも一方の面に実装される半導体素子において、電極と対向する面の所望の位置に絶縁保護部が形成されており、半導体素子とフィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上に設定されている。 - 特許庁

To provide a cab protection structure of a working machine having a cab installed to a machine body frame with a traveling element and a working device installed to the machine body frame projecting in front of the cab with low costs and no installation space problem without blocking an operator's field of view.例文帳に追加

走行体を有する機体フレームに設けられた運転室と、運転室の前方に張り出して機体フレームに設けられた作業装置とを備える作業機械の運転室保護構造を、コストを安く、設置スペースに問題のない、またオペレータの視界を妨害しないものにする。 - 特許庁

A temperature compensation circuit 25 controls current supply to the diode 22 depending on the ambient temperature such that the gradient of forward voltage drop variation of the diode 22 due to temperature changes matches to the gradient of on drive voltage variation of the overcurrent protection switch element 21 due to the temperature changes.例文帳に追加

温度補正回路２５は、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧変化の傾きが、温度変化による過電流保護用スイッチ素子２１のオン駆動電圧変化の傾きに合うように、ダイオード２２への供給電流量を周囲温度に応じて制御する。 - 特許庁

The ridge optical waveguide element is deterred from deteriorating in optical characteristic by covering an exposed part of an optical waveguide 3 with a protection member 7 and then preventing the optical waveguide 3 from being stained with an operator's hand or owing to deposition of dust in air etc.例文帳に追加

リッジ型光導波路素子において、光導波路３の露出部分を保護部材７で覆うことにより、作業者の手による光導波路３の汚れや、空気中の埃の堆積などによる光導波路３の汚れが防止され、光学特性の劣化が抑止される。 - 特許庁

Thereby, current increase of a high voltage rectification circuit 8 caused by reduction of oscillation start voltage by a temperature rise of a magnetron 9 is estimated from the pulse width detected by the pulse width detection part 16, and the overheat of the protection target element can be certainly protected when the cooling is abnormal.例文帳に追加

これにより、マグネトロン９が温度上昇することによってその発振開始電圧が低下することに起因する高圧整流回路８の電流増加をパルス幅検出部１６の検出するパルス幅から推定し、冷却異常時には確実に保護対象素子の過熱保護ができる。 - 特許庁

The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁

Also, by improving the viscosity of the oil sample 3, measurement can be made without using any protection films as before, and the oil sample 3 that is heavier than medium-gravity oil such as a lubricant sample can be measured under vacuum atmosphere, thus measuring also the light element.例文帳に追加

また、油試料３の粘性の向上により、従来のように保護膜を使用することなく測定することができ、潤滑油試料のように中質油より重い油試料３については真空雰囲気下での測定が可能となるので、軽元素の測定も可能となる。 - 特許庁