「proximity-effect correction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide: a generation method of pattern data for electron beam drawing, which can draw an excellent minute pattern without using a trial-and-error method by test drawing, in drawing a minute pattern using an electron beam drawing device; a proximity effect correction method used for it; and a pattern formation method using the data.例文帳に追加

電子線描画装置を用いて極小なパターンを描画する際、テスト描画による試行錯誤無しに、良好な極小パターンが描画できる電子線描画用パターンデータの作成方法及びそれに用いる近接効果補正方法、そのデータを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To increase contrast, and resolution, and enlarge the margin of the quantity of exposure, by adjusting the quantity of auxiliary exposure, according to the density of patterns, in a scattering angle limitating system of an electron beam exposure method which performs the proximity effect correction by a ghost method at the same time with pattern exposure.例文帳に追加

ゴースト法による近接効果補正をパターン露光と同時に行う散乱角制限方式電子線露光方法において、パターン密度に応じて補助露光量を調整することにより、コントラストを増大させ、解像度を向上し、露光量マージンを大きくすることにある。 - 特許庁

In the method for the electron beam exposure, exposure is repeated on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask by using an electron beam exposure mask having proximity effect correction openings arranged such that the size of the openings varies periodically at a predetermined ratio in the order of arrangement.例文帳に追加

開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。 - 特許庁

To obtain a method for correcting mask patterns by which the CAD processing time for performing light proximity effect correction of inputted design patterns is reduced, the increase in number of basic figures, when the corrected data is converted into EB data is suppressed and the generation of false defects during the step for inspecting photo masks is suppressed.例文帳に追加

入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のＣＡＤ処理時間を短縮し、補正後のデータをＥＢデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

In writing a field F5, not only electron beam irradiation data to the field F5, but also electron beam irradiation data to eight fields (F1-F4 and F6-F9) adjoining the field F5 are supplied from a control CPU to a data transfer circuit for proximity effect correction and stored in a data memory incorporated in the transfer circuit.例文帳に追加

フィールドＦ５の描画を行う場合には、制御ＣＰＵから近接効果補正用データ転送回路には、フィールドＦ５への電子ビーム照射データのみならず、フィールドＦ５に隣接する８つのフィールド（Ｆ１〜Ｆ４，Ｆ６〜Ｆ９）の電子ビーム照射データが供給され、内部のデータメモリ内に格納される。 - 特許庁