「proximity-effect correction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Then correction figure data to modify the figure of a correction portion to correct the optical proximity effect are created based on the design pattern data, and the obtained correction figure data are compounded in the width-corrected pattern data by using the correction portion data (S12, S14).例文帳に追加

次いで、光近接効果を補正するために補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、設計パターンデータに基づいて生成し、この補正用形状データを、補正部分データを用いて、幅補正後パターンデータに合成する（Ｓ１２及びＳ１４）。 - 特許庁

A proximity effect correction unit 24 obtains an inclination amount in X and Y directions of a corrected value from the proximity effect corrected amount of a square itself to be shot and an area therearound, and prepare a signal to control the changing amount of a square size on the basis of the inclination amount.例文帳に追加

近接効果補正ユニット２４は、ショットすべき矩形自身およびその周辺の領域の近接効果補正量とから補正量のＸ，Ｙ方向の傾斜量を求め、この傾斜量に基づいて、矩形サイズの変化量を制御する信号を作成する。 - 特許庁

To provide a method for correcting optical proximity effect permitting to efficiently extract a mask pattern for OPC (Optical Proximity Effect Correction) within a short time and capable of subjecting the extracted mask pattern to the OPC processing at the time of forming a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体集積回路を形成する場合のＯＰＣの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くＯＰＣ処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting the mask data so as to correct the dimensional errors produced by the defocus state during exposure due to the difference in height of a base layer and by the proximity effect of the correction pattern.例文帳に追加

下地層の高さの差による露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正するマスクデータ補正方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for fracturing, mask data generation, or proximity effect correction in a semiconductor production field using shaped charged-particle beam lithography.例文帳に追加

成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、フラクチャリング、またはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To diagnose the presence or absence of abnormality, such as a correction calculation error in proximity effect, and to locate an abnormal place easily.例文帳に追加

近接効果の補正計算エラー等の異常の有無を自己診断するとともに、異常箇所の特定を容易にする電子線描画システムおよびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-column electron beam exposure device and an electron beam exposure method capable of correcting variation in the linewidth between column cells even when proximity effect correction is performed.例文帳に追加

近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。 - 特許庁

In order to obtain a resist pattern of a first exposure pattern in a proximity effect correction process 3, the proximity effect is corrected in respect with the first exposure pattern based on the distribution function of exposure intensity to obtain a second exposure pattern whose pattern size is further changed and to obtain exposure data.例文帳に追加

近接効果補正工程３では、該第１露光パターンのレジストパターンが得られるように、露光強度分布関数に基づき該第１露光パターンに対し近接効果補正して、パターンサイズをさらに変更した第２露光パターンを得るとともに露光量のデータを得る。 - 特許庁

In the case of any change in part of a plurality of unit processes (e.g. mass processes) constituting a unit process group, an OPC rule/model is newly set on the basis of proximity effect data before and after the change on the unit process subjected to the change and proximity effect correction of the pattern of a mask for exposure is carried out.例文帳に追加

ユニットプロセス群を構成する複数のユニットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターンの近接効果補正を行う。 - 特許庁

In a pattern correcting method to be executed by a computer, 1st correction for sides satisfying a prescribed condition out of sides constituting a designed pattern is performed by calculating correction values obtained considering an optical proximity effect.例文帳に追加

コンピュータにより実行されるパターン補正方法は、設計されたパターンを構成する辺のうち、所定の条件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補正値を算出して第１の補正を行う。 - 特許庁

RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern for exposure by which a high accuracy corrected shape can be obtained at a high speed in correction of the optical proximity effect of a mask pattern for exposure.例文帳に追加

露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。 - 特許庁

To highly accurately perform drawing of a fine pattern to be formed on a magnetic disk medium at high speed, to easily perform proximity effect correction and to perform writing at a fixed dose amount on the whole substrate.例文帳に追加

磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。 - 特許庁

To provide a mask data generating method for easily confirming whether an optical proximity effect correction pattern is automatically generated or not in the prescribed part of an arbitrary layer.例文帳に追加

任意のレイヤーの所定の箇所において、光学近接効果補正パターンが自動発生されたか否かを簡単に確認することができるマスクデータ作成方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for mask pattern capable of evaluating accurately a proximity-effect by considering a change in the amount of flare deteriorating the dimension of the circuit pattern, a pattern correction method and a mask pattern generator.例文帳に追加

パターン評価方法、パターン補正方法及びパターン発生装置に関し、回路パターン寸法を劣化させるフレア量変化を考慮して近接効果を精密に評価する。 - 特許庁

A plurality of patterns different in area density are drawn by changing a proximity effect correction coefficient for every reference emission amount of a charged particle beam, and dimensions of the patterns after the drawing are measured.例文帳に追加

面積密度の異なる複数のパターンを荷電粒子ビームの基準照射量毎に近接効果補正係数を変えて描画し、描画後のパターンの寸法を測定する。 - 特許庁

Then, optical proximity effect correction is made to each of the two rectangular aperture patterns 1, 2, which are each rotated by the prescribed angles, to form two corrected rectangular aperture patterns 3, 4.例文帳に追加

次に、所定の角度だけ回転させた２つの矩形の開口パターン１，２のそれぞれに光近接効果補正を行って、２つの矩形の補正開口パターン３，４を形成する。 - 特許庁

A mask defect inspecting machine obtains EB data 3 (after SUB) corresponding to OPC pattern parts by SUB-calculating the EB data 1 before OPC from the EB data 2 after optical proximity effect correction (OPC).例文帳に追加

光学近接効果補正（ＯＰＣ）後のＥＢデータ２からＯＰＣ前のＥＢデータ１をＳＵＢ演算して、ＯＰＣパターン部分に対応するＥＢデータ（ＳＵＢ後）３を得る。 - 特許庁

A pattern smaller than four times as large as the amount of fading of a charged particle beam used in a primary exposure process is extracted from the design patterns, and a pattern shape correction for correcting a proximity effect is calculated.例文帳に追加

この設計パターンの内、一次露光を行う際の荷電粒子ビームのボケ量の４倍より小さいパターンを抽出し、近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する。 - 特許庁

To shorten the processing time for photo proximity effect correction and to suppress an increase of TATs in formation of pattern data even if the variations in the line widths and base widths of photomask patterns increase.例文帳に追加

光近接効果補正の処理時間の短縮を図り、フォトマスクパターンの線幅やスペース幅のバリエーションが増加しても、パターンデータの作成におけるＴＡＴの増加を抑制する。 - 特許庁

To provide electronic beam lithography method and apparatus capable of performing a proximity effect correction with higher accuracy as charged particle beam method and apparatus.例文帳に追加

本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、より高精度に近接効果補正が実施できる電子ビーム描画方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The trim exposure dose can be regulated, and/or the trim width used on the trim mask can be optimized, to compensate for iso-dense bias so as to achieve optical proximity effect correction.例文帳に追加

光学近接効果補正を実現するように等密度バイアスを補償するために、トリム露光線量を調整したり、トリムマスク上で使用するトリム幅を最適化したりすることができる。 - 特許庁

Since the reflection mask 1 is used as a mask for proximity effect correction, high-accuracy correction exposure can be performed reading, because the occurrence of the thermal deformations of the mask and the formation of a doughnut shape pattern in a stencil mask is prevented, as compared with the case where a transmissive mask is used.例文帳に追加

近接効果補正用マスクとして反射マスクを用いるので、透過形のマスクを用いる場合と比べて、マスクの熱変形の問題やステンシルマスクのドーナッツパターン問題がなく、容易に高精度の補正露光を行うことができる。 - 特許庁

It obtains a reference image 2' corresponding to the optical proximity effect correction mask and a reference image 3' corresponding to the OPC pattern after converting a format of the EB data 2 (after OPC) and the EB data 3 (after SUB).例文帳に追加

ＥＢデータ（ＯＰＣ後）２とＥＢデータ（ＳＵＢ後）３のフォーマット変換を行った後、光学近接効果補正マスクに対応する参照画像２’と、ＯＰＣパターンに対応する参照画像３’を得る。 - 特許庁

In performing the correction of proximity effect to a design pattern with which the structural layer of a semiconductor device can be designed, first, a plurality of divided areas DA are formed by dividing the whole area of a design pattern.例文帳に追加

半導体装置の構成層を設計する設計パターンに近接効果の補正をするにあたって、まず、設計パターンの領域全体を等分して複数の分割領域ＤＡを生成する。 - 特許庁

The one parameter file 31 stored in the same holder as the folder of the pattern files 30 is applied to the plural pattern files 30 stored in the folder, by which the optical proximity effect correction is executed.例文帳に追加

このフォルダに格納された複数のパターンファイル３０に対して、このパターンファイル３０と同じフォルダに格納された１つのパラメータファイル３１を適用することにより、光近接効果補正を行う。 - 特許庁

By this way, the value of a parameter is made to update within proper limits so that an error may be eliminated and the exposure data which performed the proximity effect correction by using the value of a parameter after updating may be made to re-create.例文帳に追加

それにより、適正とする範囲内で、エラー箇所が無くなるようにパラメータの値を更新させ、更新後のパラメータの値を用いて近接効果補正を行った露光データを再作成させる。 - 特許庁

To securely and easily perform proximity effect correction while making an LSI fine as desired when a circuit design pattern having a plurality of overlapping design patterns is evaluated.例文帳に追加

互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価において、ＬＳＩに対して所望の微細化を図りながら近接効果補正を確実且つ簡単に行なえるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by the electron beam exposure whereby the graphic deformation due to the proximity effect can be avoided, without needing the dimensional correction of an exposure graphic accompanying complicated simulation calculations.例文帳に追加

煩雑なシミュレーション計算を伴う露光図形の寸法補正を必要とせずに近接効果による図形の歪みを防ぐことができる電子ビーム露光によるパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask by which not only correction for the light proximity effect caused in a region within several μm range but correction for the density of a pattern in a larger region can be carried out to correct the pattern profile of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクのパターン形状を補正する際に、数μｍの領域内で生じる光近接効果などに対する補正だけでなく、より広い領域内で生じるパターンの疎密に対する補正も行うことができるフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide validation and correction methods and the like for mask data for ensuring the process spec after OPC or process proximity effect correction (PPC) in a short period of time without reproducing a mask by preliminarily extracting a pattern which becomes critical in a process and correcting the pattern.例文帳に追加

プロセスにクリティカルとなるパターンを事前に抽出し、修正することにより、マスクの再作成をすることなく、短期間にＯＰＣ又はプロセス近接効果補正（ＰＰＣ）後にプロセススペックを達成できるマスクデータの検証、補正方法等を提供する。 - 特許庁

In S6, it is judged that the model and algorithm of the proximity effect correction method for the model base have no error when the pattern separation quantity of a line part of the 2nd correction pattern which corresponds to a line part of the 1st correction pattern is smaller than a permissible deviation value and have errors when larger.例文帳に追加

Ｓ_６ で第１の補正パターンのライン部に対する第２の補正パターンの対応するライン部のパターン乖離量が許容ずれ値以下であれば、モデルベースの近接効果補正法のモデル及びアルゴリズムに誤りが無いと判定し、許容ずれ値以上であれば、近接効果補正法のモデル及びアルゴリズムに誤りがあると判定する。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of proper optical proximity effect correction for an entire circuit pattern in which exposure deviation caused by inhomogeneous pattern density in a local region of a photomask is not taken into consideration.例文帳に追加

フォトマスクの局部領域における不均等なパターン密度によって起こされる露光偏差を考えていない全体の回路パターンに対して、適切な光近接効果補正の方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The pseudo-pattern data are added to actual pattern data, and the pseudo-pattern is also used for calculating a correction for a proximity effect, and in fact, a specific command is annexed to the pseudo-pattern data so as not to be shot.例文帳に追加

この擬似パターンデータは、実パターンデータに追加されるが、この擬似パターンは、近接効果補正量の計算のために使用され、実際にはショットされないように擬似パターンデータには特殊なコマンドが付加されている。 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE, METHOD AND PROGRAM FOR CREATING CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DATA, SHOT NUMBER CALCULATION PROGRAM OF CHARGED PARTICLE BEAM, PROXIMITY EFFECT CORRECTION PROGRAM OF CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE, FOGGING CORRECTION PROGRAM OF CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE, AND SHOT DIVISION PROGRAM OF CHARGED PARTICLE BEAM例文帳に追加

荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画データ作成方法およびプログラム、荷電粒子ビームのショット数算出プログラム、荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラム、荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラム、並びに、荷電粒子ビームのショット分割プログラム - 特許庁

A second amount of dimensional fluctuation which is the total of the first amount of dimensional fluctuation and an amount of dimensional fluctuation caused by the loading effect depending upon the pattern distribution of a second area smaller than the first area is obtained in accordance with the amount of irradiation for proximity effect correction, the first amount of dimensional fluctuation, and the ratio.例文帳に追加

近接効果補正照射量、第１の寸法変動量及び比率に応じて、第１の寸法変動量と、第１の領域よりも小さい第２の領域のパターン分布に依存するローディング効果による寸法変動量との和である第２の寸法変動量を取得する。 - 特許庁

The microphone device 1 discriminates a distance (d) from a signal level of a voice signal Smic outputted from a voice input unit 10, and corrects a frequency characteristic so as to cancel the influence of the proximity effect in a frequency characteristic correction unit 30 regarding to the influence of the proximity effect generated according to a distance (d) between the microphone of the voice input unit 10 and a voice generating source.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るマイクロフォン装置１は、音声入力部１０のマイクロフォンと発音源との距離ｄに応じて発生する近接効果の影響について、周波数特性補正部３０において、音声入力部１０から出力される音声信号Ｓｍｉｃの信号レベルから距離ｄを判断して、近接効果の影響を打ち消すような周波数特性の補正することができる。 - 特許庁

In turn, the correction of proximity effect is performed every area DA in response to the area density of the design pattern in each area DA by processing graphically the area of display patterns (D1 to D5) each of which is generated in each area DA.例文帳に追加

次に、各分割領域ＤＡ内に生成された表示パターン（Ｄ１〜Ｄ５）の面積を図形的に処理して、各分割領域ＤＡ内の設計パターンの面積密度に応じて、各分割領域ＤＡ毎に近接効果の補正を行う。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a mask defect by which delay caused by pseudo-error occurrence can be prevented and decrease in the accuracy of defect inspection can be prevented in the process of inspecting a mask defect carried out for the pattern obtained by optical proximity effect correction of a designed pattern.例文帳に追加

設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法の提供。 - 特許庁

However, each width of relatively loosely formed patterns 30h and 30i and the patterns 30a and 30g positioned near both ends of the densely formed pattern group 30a-30g and the like is formed larger than the one before the correction for correcting a proximity effect.例文帳に追加

しかし、比較的疎に形成されたパターン３０ｈ、３０ｉや密に形成されているパターン群３０ａ〜３０ｇの両端付近に位置するパターン３０ａ、３０ｇ等の幅は、近接効果を補正するための分だけ補正前と比べて太く形成されている。 - 特許庁

To provide a correcting method of a design pattern which performs the correction of proximity effect to a design pattern by converting the area density of the design pattern into figure data so that the area density of the design pattern can be inputted into a general-purpose figure operating tool as a parameter.例文帳に追加

設計パターンの面積密度を汎用的な図形演算ツールにパラメータとして入力できるように、設計パターンの面積密度を図形データに変換し、設計パターンに対して近接効果の補正を行う設計パターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

After a processing objective pattern MP1 is subjected to rule-based correction so as to obtain an etching pattern EP corresponding to the processing objective pattern MP1 by referring an etching pattern EP, the rule-base corrected processing objective pattern MP3 is subjected to simulation-based correction to generate an optical proximity effect corrected mask pattern MP4 by considering the etching process.例文帳に追加

エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。 - 特許庁

This correction method is comprised of a master pattern classifying step 100 classifying the master pattern according to a positional relationship between each master pattern form and mask patterns located in the neighborhood of each mask pattern, and OPC executing steps 101, 102 for executing the optical proximity effect correction to the mask pattern forms classified by the mask pattern classifying step 100.例文帳に追加

各々のマスクパターンの形状、および各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップ１００と、このマスクパターン分類ステップ１００で分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正（以下、ＯＰＣ）を実施するＯＰＣ実施ステップ１０１，１０２とから構成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for correcting a proximity effect correction rate which improve a rate of operation without suspending a charged particle beam drawing apparatus as much as possible even at error detection.例文帳に追加

本発明は近接効果補正量の補正方法及び及び装置に関し、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる近接効果補正量の補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁