「proximity-effect correction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD例文帳に追加

光近接効果を補正する方法 - 特許庁

On proximity effect correction, a proximity effect correction pattern X1, a proximity effect correction pattern X1', and a proximity effect correction pattern X1" are added to a circuit pattern.例文帳に追加

近接効果補正時に、回路パターンに、近接効果補正パターンＸ１、近接効果補正パターンＸ１´、近接効果補正パターンＸ１´´を付加する。 - 特許庁

PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD AND EB MASK例文帳に追加

近接効果補正方法及びＥＢマスク - 特許庁

PROCESS FOR CONTROLLING PROXIMITY EFFECT CORRECTION例文帳に追加

近接効果補正を制御するためのプロセス - 特許庁

MANUFACTURE OF OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION MASK例文帳に追加

光近接効果補正マスクの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR VERIFYING PROXIMITY EFFECT CORRECTION OF MODEL BASE例文帳に追加

モデルベースの近接効果補正の検証方法 - 特許庁

OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

光近接効果補正方法およびその装置 - 特許庁

OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION DEVICE, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION PROGRAM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PATTERN DESIGN RESTRICTION DEVELOPING METHOD AND CALCULATION METHOD OF OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION CONDITION例文帳に追加

光近接効果補正方法、光近接効果補正装置、光近接効果補正プログラム、半導体装置の製造方法、パターン設計制約策定方法および光近接効果補正条件算出方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING PROXIMITY EFFECT CORRECTION RATE例文帳に追加

近接効果補正量の補正方法及び装置 - 特許庁

VERIFICATION APPARATUS FOR ACCURACY OF PROXIMITY EFFECT CORRECTION, VERIFICATION METHOD FOR ACCURACY OF PROXIMITY EFFECT CORRECTION, AND PROGRAM THEREOF例文帳に追加

近接効果補正精度検証装置及び近接効果補正精度検証方法並びにそのプログラム - 特許庁

OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD AND DEVICE, OPTICAL PROXIMITY EFFECT VERIFICATION METHOD AND DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK, AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION PROGRAM AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT VERIFICATION PROGRAM例文帳に追加

光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム - 特許庁

METHOD FOR VERIFYING PROXIMITY EFFECT CORRECTION AND VERIFICATION APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

近接効果補正の検証方法及び検証装置 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK DATA, PROGRAM, PROXIMITY EFFECT CORRECTION MASK例文帳に追加

マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク - 特許庁

PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, RETICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

近接効果補正方法、レチクル及びデバイス製造方法 - 特許庁

To provide a light proximity effect correction method which can carry out light proximity effect correction in a short time.例文帳に追加

短時間で光近接効果補正を行うことができる光近接効果補正方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To shorten the processing time of optical proximity effect correction (OPC).例文帳に追加

光近接効果補正（ＯＰＣ）の処理時間を短縮する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EXPOSURE, AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD例文帳に追加

露光装置、露光方法、及び光近接効果補正方法 - 特許庁

The correction of the mask patterns is preferably performed by the correction of an optical proximity effect.例文帳に追加

マスクパターンの補正は、光近接効果補正により行うことが好ましい。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION例文帳に追加

光近接効果補正方法及び光近接効果補正システム - 特許庁

VERIFICATION METHOD OF PROXIMITY EFFECT CORRECTION IN ELECTRON BEAM DRAWING例文帳に追加

電子ビーム描画における近接効果補正の検証方法 - 特許庁

In S4, a 2nd correction pattern is generated by using the table of proximity effect correction values.例文帳に追加

Ｓ_４ で近接効果補正値のテーブルを使って第２の補正パターンを作成する。 - 特許庁

A proximity effect amount calculating section 25 obtains a proximity effect amount, and a loading effect correction amount calculating section 26 computes a loading effect amount correction amount.例文帳に追加

そして、近接効果影響値算出部２５が近接効果影響値を算出し、ローディング効果補正量算出部２６がローディング効果補正量を算出する。 - 特許庁

A proximity effect corrector 14 performs a proximity effect correction by using the value of the parameter, and creates exposure data.例文帳に追加

近接効果補正部１４は、そのパラメータの値を用いて近接効果補正を行い、露光データを作成する。 - 特許庁

The amount of irradiation for proximity effect correction which corrects a proximity effect in the charged particle beam plotting is computed.例文帳に追加

荷電粒子ビーム描画における近接効果を補正する近接効果補正照射量を算出する。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING PHASE SHIFT MASK, PROXIMITY EFFECT CORRECTION DEVICE AND PROGRAM例文帳に追加

位相シフトマスクの製造方法、近接効果補正装置およびプログラム - 特許庁

In S3, a table of proximity effect correction values when a proximity effect correction method for a rule base is applied is generated based upon the transfer simulation result.例文帳に追加

Ｓ_３ でルールベースの近接効果補正法を適用する際の近接効果補正値のテーブルを転写シミュレーション結果に基づいて作成する。 - 特許庁

To provide a proximity effect correction method for decreasing the number of times of proximity effect correction which induces defects in judging the accuracy of proximity effect correction and thereby, for decreasing works in conventional defect judgment inspection.例文帳に追加

近接効果補正の精度判定において、欠陥となる近接効果補正の回数を低減し、これにより従来の欠陥判定検査における作業を軽減することができる近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the load of calculation of proximity effect correction irradiation amount in a fringe region around a block frame for proximity effect correction irradiation amount calculation.例文帳に追加

近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減する。 - 特許庁

Since the proximity effect correction is carried out using the corrected mask bias amount taking the beam blur caused by a Coulomb effect into consideration, the accuracy of the proximity effect correction can be improved.例文帳に追加

クーロン効果によるビームぼけを考慮した補正マスクバイアス量を用いて近接効果補正を行うことで、近接効果補正精度を向上することが可能になる。 - 特許庁

PHOTOMASK AND METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING DATA FOR OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION例文帳に追加

ホトマスク並びに光近接効果補正用データの処理方法及び装置 - 特許庁

MASK PATTERN MANUFACTURING METHOD USING OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD BASED ON YIELD例文帳に追加

歩留りベースの光近接効果補正法を用いたマスク・パターン生成方法 - 特許庁

PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD AND ELECTRON BEAM DRAWING DEVICE USING THE METHOD例文帳に追加

近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置 - 特許庁

To provide a pattern correction method for a photomask in which edge correction is carried out by dividing an edge, imparting evaluation points and calculating the proximity effect by use of OPC (optical proximity correction) techniques, and to provide a photomask.例文帳に追加

エッジ分割、評価点を付与し、OPC(Optical Proximity Correction)の技術を用いて近接効果を計算し、エッジ補正を行うようにしたフォトマスクのパターン補正方法及びフォトマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING PROCESS PROXIMITY EFFECT, AND RECORDING MEDIUM STORING PATTERN CORRECTION PROGRAM FOR PROCESS PROXIMITY EFFECT例文帳に追加

プロセス近接効果の補正方法、プロセス近接効果の補正装置及びプロセス近接効果のパターン補正プログラムを格納した記録媒体 - 特許庁

To produce an etching proximity effect correction model correcting a mask pattern with respect to an etching proximity effect with high accuracy.例文帳に追加

エッチング近接効果に対するマスクパターンの補正を非常に高精度で行うことができるエッチング近接効果補正モデルを作成する。 - 特許庁

OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD UTILIZING PHASE-EDGE AS SUB-RESOLUTION ASSIST FEATURE例文帳に追加

位相エッジをサブ解像度アシスト・フィーチャとして用いる光近接効果補正方法 - 特許庁

To improve precision of a fine resist pattern by carrying out proximity effect correction and effecting correction on a rule basis for dimensional variation caused by the influence other than the proximity effect.例文帳に追加

近接効果補正を行うとともに、近接効果以外の影響による寸法変化に対しルールベースで補正することにより、微細なレジストパターンの精度を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR VERIFYING OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION USING LAYOUT-TO-LAYOUT INSPECTION METHOD例文帳に追加

レイアウト対レイアウト検査方法を用いた光学近接効果補正の検証方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, PHOTOMASK, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング近接効果補正モデルの作成方法、エッチング近接効果補正モデル、マスクパターンの補正方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD例文帳に追加

フォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法 - 特許庁

To provide a proximity effect correction mask required for correcting proximity effect occurring on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask precisely by a partial collective exposure method, to provide a proximity effect correction method employing that mask, and to provide an electron beam exposure device performing proximity effect correction.例文帳に追加

部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に生ずる近接効果を、部分一括露光法によって精度良く補正するために必要な近接効果補正用のマスク、そのマスクを用いた近接効果の補正方法及び近接効果の補正を行う電子ビーム露光装置を提供すること。 - 特許庁

When the proximity effect correction is needed, the suitable proximity effect correcting pattern small region is superposed on the device pattern small region and exposed.例文帳に追加

そして、近接効果補正の必要がある場合には、適当な近接効果補正パターン小領域をデバイスパターン小領域に重ねて露光する。 - 特許庁

By using the mask for proximity effect correction, each section of the mask for pattern transfer is subjected to correction exposure, in response to the region of the opening of the section corresponding to the mask for proximity effect correction.例文帳に追加

この近接効果補正用マスクを用いて、パターン転写用マスクの各区画に、近接効果補正用マスクの対応する各区画の開口面積に応じた光量の補正露光を行う。 - 特許庁

To reduce the calculation time required for optical proximity effect correction and to improve pattern precision.例文帳に追加

近接効果補正のための計算時間の短縮及びパターン精度の向上をはかる。 - 特許庁

To carry out an optical proximity effect correction of a simulation base in consideration of etching characteristics.例文帳に追加

エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正を行う。 - 特許庁