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「proximity-effect correction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
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proximity-effect correctionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 156



例文

Further, the mask includes auxiliary fixtures 21, 26, 29, 30, 32, and 34 for proximity effect correction.例文帳に追加

また、マスクは近接効果補正用補助フィーチャー21、26、29、30、32、34を含む。 - 特許庁

METHOD OF CALCULATING BLUR IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD例文帳に追加

荷電粒子線露光装置におけるボケ量の計算方法、及び近接効果補正方法 - 特許庁

To reduce the calculation time required for optical proximity effect correction and to improve pattern accuracy.例文帳に追加

近接効果補正のための計算時間の短縮及びパターン精度の向上をはかる。 - 特許庁

An amount of irradiation for loading effect correction which corrects the obtained second amount of dimensional fluctuation is combined with the amount of irradiation for proximity effect correction.例文帳に追加

取得した第2の寸法変動量を補正するローディング効果補正照射量と、近接効果補正照射量とを合成する。 - 特許庁

例文

Then, at least one of proximity effect correction and fogging correction is performed based on the area value and the centroid position.例文帳に追加

その後、面積値と重心位置から近接効果補正およびかぶり補正の少なくとも一方を行う。 - 特許庁


例文

The proximity effect correction (% value) in each small region r in proximity effect correction memory 32 is supplied to a comparison circuit 34 while being supplied to an FIFO 33 one by one.例文帳に追加

近接効果補正メモリー32内の各小領域rにおける近接効果補正値(%値)は、順々にFIFO33に供給されると共に、比較回路34に供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for surely controlling variation in gate length due to optical proximity effect without increment of correction processing time due to OPC (Optical Proximity effect Correction).例文帳に追加

OPCによる補正処理時間の増大を招くことなく、光近接効果によるゲート長のばらつきを確実に抑制することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a photomask and semiconductor device by which optical proximity effect correction can be carried out without deforming a mask pattern, and to provide an optical proximity effect correction method.例文帳に追加

マスクパターンを変形させることなく光近接効果補正を行える新規なフォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法の提供。 - 特許庁

Then, an optimum proximity effect correction coefficient and deviations of the patterns from design dimensions when drawn by using the proximity effect correction coefficient are calculated for every reference emission amount.例文帳に追加

次いで、基準照射量毎に、最適な近接効果補正係数と、この近接効果補正係数を用いて描画したときのパターンの設計寸法からのずれとを算出する。 - 特許庁

例文

A ratio, to the amount of irradiation for proximity effect correction in an area including a beam irradiation position, of the amount of irradiation for proximity effect correction in an area apart from this area by a predetermined distance is computed.例文帳に追加

ビーム照射位置を含む領域の近接効果補正照射量に対する、この領域から所定距離離れた領域の近接効果補正照射量の比率を算出する。 - 特許庁

例文

To provide a proximity effect correction method capable of reducing processing time for correction of a proximity effect while maintaining high drawing precision of a drawing pattern in a proximity effect correction method in fine pattern drawing using an electron beam drawing device of high acceleration voltage.例文帳に追加

高加速電圧の電子線描画装置を用いた微細パターン描画における近接効果補正方法において、描画パターンの高い描画精度を維持しながら、近接効果補正のための処理時間を低減させることができる近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method or the like for correcting the proximity effect which facilitates the manufacture of a reticle for correction exposure and easily conducting correction of the exposure works.例文帳に追加

補正露光用レチクルの製作や補正露光作業を楽に行える近接効果補正方法等を提供する。 - 特許庁

A GDS II stream file 36 is formed by collecting the plural pattern files 33 after the correction subjected to the proximity effect correction.例文帳に追加

近接効果補正が行われた、複数の補正後のパターンファイル33をまとめて、これらを含むGDS IIストリームファイル36を作成する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a proximity effect which can improve the accuracy of a proximity effect correction by taking differences in the quantity of out-of-focused light between meshes corresponding to divisions of a mask pattern into consideration.例文帳に追加

マスクパターンを分割したメッシュ毎のビームぼけ量の違いを考慮することで近接効果補正の精度う改善した近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern drawing system capable of accurate proximity effect correction under no influence of a coverage wider than a range that proximity effect reaches.例文帳に追加

近接効果の及ぶ範囲よりも広い範囲の被覆率に影響されることなく、正確に近接効果補正することを可能とするパターン描画システムを提供する。 - 特許庁

To provide a data correction device for lithography, which suppresses increase in an amount of data due to proximity effect correction.例文帳に追加

近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize optical proximity effect correction(OPC) with higher accuracy by eliminating the correction drop-out for layout patterns regardless of the presence or absence of level differences.例文帳に追加

段差の有無にかかわらずレイアウトパターンに対する補正抜けをなくし、より高精度な光近接効果補正(OPC)を実現する。 - 特許庁

Since the cut-out data amount to correction amount used in proximity effect correction when actual image drawing is performed, the cut-out data are displayed on an image plate of a display unit 15 via a proximity effect correction verifying unit, being overlapped with a corresponding image drawing pattern.例文帳に追加

この切り出されたデータは、実際に描画時の近接効果補正に使用された補正量であるので、これを近接効果補正検証ユニット14を介して表示装置15の画面上に該当する描画パターンに重ね合わせて表示させる。 - 特許庁

To provide a verification apparatus for the accuracy of proximity effect correction, the apparatus which can easily decide whether a circuit pattern on a wafer exposed, by using a photomask manufactured by a circuit pattern subjected to proximity effect correction exhibits a prescribed effect.例文帳に追加

近接効果補正を行なった回路パターンによって製造されるフォトマスクを用いて露光させたウェハ上の回路パターンが、所定の効果を発揮するか否かを簡便に判定することができる、近接効果補正精度検証装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting optical proximity effect and an apparatus therefor for carrying out optical proximity effect correction in a layout design pattern having a minute level difference without degrading the accuracy.例文帳に追加

微小段差を有するレイアウト設計パターンについて精度を劣化させることなく光近接効果補正を行える光近接効果補正方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In S2, transfer to the test pattern is simulated by using a model used for the proximity effect correction method for the model base.例文帳に追加

S_2 でモデルベースの近接効果補正法に使用するモデルを使ってテストパターンに転写シミュレーションを行う。 - 特許庁

To provide a proximity effect correction method which is capable of realizing a pattern of high dimensional accuracy.例文帳に追加

高いパターン寸法精度を達成することができる近接効果補正方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

An arbitrary region where proximity effect correction is to be verified is designated on a window display of an image drawing control unit 5.例文帳に追加

近接効果補正を検証したい任意の領域を描画制御ユニット5のウインドウ表示上で指定する。 - 特許庁

To provide a forming method for an exposure pattern by rule base proximity effect correction applied with graphic arithmetic processing.例文帳に追加

図形演算処理を適用したルールベース近接効果補正による露光パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical proximity effect correction capable of providing desired electric characteristics and, moreover, reducing a calculation load than heretofore.例文帳に追加

所望の電気特性が得られ、しかも計算負荷を従来よりも軽減できる光近接効果補正を提供する。 - 特許庁

The selected process model is used to perform optical proximity effect correction for the mask pattern for exposure.例文帳に追加

そして、選択したプロセスモデルを用いて、露光用マスクのマスクパターンに対する光近接効果補正を行うようにする。 - 特許庁

To detect a minute real defect on an optical proximity effect correction mask while suppressing the occurrence of a pseudo-defect.例文帳に追加

擬似欠陥の発生を最大限抑えながら、光学近接効果補正マスク上の微細な実欠陥を検出する。 - 特許庁

Because of such a controlling operation, the proximity effect can be corrected in a high accuracy even if the correction amount is greatly changed.例文帳に追加

このような制御により、補正量が急峻な部分であっても高い精度で近接効果の補正を可能とする。 - 特許庁

The proximity effect correction coefficient and the deviation from the design dimension are interpolated and/or extrapolated using the fitting result.例文帳に追加

フィッティングした結果を用いて、近接効果補正係数と設計寸法からのずれを補間および/または外挿する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of applying an OPC (Optical Proximity effect Correction) to cells without necessitating a dummy wiring pattern.例文帳に追加

ダミー配線パターンを必要とすることなく、セルに対するOPCを可能とする半導体集積回路等を提供する。 - 特許庁

To obtain an electron beam lithography method by which the operation that is performed for finding proximity effect correction data can be performed at a high speed.例文帳に追加

近接効果補正データを求めるための演算を高速に行うことができる電子ビーム描画方法を実現するにある。 - 特許庁

To realize a verification method of proximity effect correction data in electron beam drawing which divides a drawing region virtually into small regions, and can perform verification of the normality of proximity effect correction of each partition region beforehand or in the middle of real drawing.例文帳に追加

描画領域を仮想的に小領域に分割し、各分割領域の近接効果補正値の正常性の検証を事前に、あるいは、実描画の途中で行なうことができる電子ビーム描画における近接効果補正データの検証方法を実現する。 - 特許庁

To provide a data correcting device for lithography performing proximity effect correction according to a layout environment and suppressing an increase in data amount due to the proximity effect correction.例文帳に追加

レイアウト環境に応じた近接効果補正を行なうことが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第一の目的とし、近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第二の目的とする。 - 特許庁

To provide an exposure method comprising an exposure correction method for correcting variations in dimensions caused by a density difference of a pattern which occurs during processing in addition to a proximity effect correction and fogging exposure correction.例文帳に追加

近接効果補正及びかぶり露光補正に加えて、プロセス上で生じるパターンの疎密差に起因した寸法ばらつきを補正する露光量の補正手法を備えた露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine pattern measuring method which can efficiently measure a large number of light proximity effect correction patterns by an easy method.例文帳に追加

簡便な方法で大量の光近接効果補正パターンを効率よく測定することができる微細パターン測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for verifying a proximity effect correction method for a model base which makes it possible to detect an error inherent in a model or algorithm.例文帳に追加

モデルやアルゴリズムに内在するエラーを検出できるようにしたモデルベースの近接効果補正法の検証方法を提供する。 - 特許庁

GENERATION METHOD OF PATTERN DATA FOR ELECTRON BEAM DRAWING, PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD USED FOR THE SAME, AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE DATA例文帳に追加

電子線描画用パターンデータの作成方法及びそれに用いる近接効果補正方法、そのデータを用いたパターン形成方法 - 特許庁

To provide a method of calculating a resist pattern line width on the basis of which a pattern line width is calculated for optical proximity effect correction.例文帳に追加

光近接効果補正のためのマスクパターン・ライン幅を算出する前提となるレジストパターン・ライン幅を算出する方法を提供する。 - 特許庁

A first correction component (an amount of OPC correction) of the optical proximity effect is determined from an amount of deviation ΔP from the ideal (design) pattern of the prediction pattern and the amount of the correction is calculated by adding a second correction component (ΔF/MEEF) meeting the simulation error to the first correction component.例文帳に追加

予測パターンの理想(設計)パターンからのずれ量ΔPから光近接効果の第1補正成分(OPC補正量)を求め、当該第1補正成分にシミュレーション誤差に応じた第2補正成分(ΔF/MEEF)を付加して補正量を算出する。 - 特許庁

To provide a method for verifying optical proximity effect correction using a layout-to-layout inspection method that enables accurate and precise inspection of differences between an original design of a semiconductor device and a revised design of the semiconductor device and verification of accuracy of the optical proximity effect correction by considering exposure conditions.例文帳に追加

露光条件を考慮することで、半導体の原デザインと半導体の修正デザインとの間の差異点及び光学近接効果補正の正確度を正確かつ精密に検査できるレイアウト対レイアウト検査方法を用いた光学近接効果補正の検証方法を提供する。 - 特許庁

Next, from the continuous value obtained by fitting the discrete value of the dimension and the amount of irradiation, the relation of a proximity effect correction coefficient and the dimension is found for every plural patterns with different area densities, the proximity effect correction coefficient in which the dimensional difference between the patterns becomes the minimum is found from this relation.例文帳に追加

次に、寸法と照射量の離散値をフィッティングして得られる連続的な値から、面積密度の異なる複数のパターン毎に近接効果補正係数と寸法との関係を求め、この関係からパターン間における寸法の差が最小となる近接効果補正係数を求める。 - 特許庁

To realize a verification method of proximity effect correction in electron beam image drawing wherein verification by a real image drawing member is omitted and accurate verification can be performed, by fetching and verifying correction quantity of a proximity effect operating unit which is prepared for preventing proximity effect which exerts influence upon mutual patterns by pattern density at the time of real image drawing, in the course of real image drawing.例文帳に追加

実描画時のパターン密度により図形相互に影響を与える近接効果を防止するために準備される近接効果演算ユニットの補正量を実描画途中で取りだし、検証することにより、実描画材料による検証を省略して正確な検証を行うことができる電子ビーム描画における近接効果補正の検証方法を実現する。 - 特許庁

To realize a drawing method which uses a charged particle beam and is capable of making a correction for a proximity effect and furthermore coping with a micronization of a pattern to draw.例文帳に追加

近接効果補正にプラスして、パターン描画の更なる微小化に対応することができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する。 - 特許庁

To make it possible to surely execute the proximity effect correction capable of forming a circuit pattern to enable operation while subjecting an LSI(large-scale integrated circuit) to desired fining.例文帳に追加

LSIに所望の微細化を図りながら動作可能な回路パターンを形成できる近接効果補正を確実に施せるようにする。 - 特許庁

Grayscale optical proximity effect correction device features are added to a mask pattern by convoluting the device features with a two-dimensional correction kernel or two one-dimensional correction kernels to generate grayscale OPC features (S11).例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと2次元補正カーネル又は2つの1次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのOPCフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

Correction portion data are created (S4, S6) to specify a correction portion in a layout pattern where a figure is to be modified to correct an optical proximity effect based on design pattern data.例文帳に追加

設計パターンデータに基づいて、レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する(S4及びS6)。 - 特許庁

An inspection device 10 regarding to this invention inspects a main pattern printed on an imaging surface and the photomask having the correction pattern which performs optical proximity effect correction to the main pattern.例文帳に追加

本発明に係る検査装置10は、結像面に転写される主パターンと、主パターンに対して光学近接効果補正を行う補正パターンとを有するフォトマスクを検査する。 - 特許庁

Pattern writing by the electron beam lithography system is controlled by single proximity effect control function and fogging effect control function coupled in one data processing step using the same algorithm as that being executed in a standard proximity correction unit.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィーシステムによるパターン描画は、標準の近接補正装置で実行される同じアルゴリズムを用いて、1データ処理ステップで、結合した単一の近接効果制御関数及びかぶり効果制御関数によって制御される。 - 特許庁

To provide a light proximity effect correcting device for a semiconductor production process, capable of performing the sufficient light proximity effect correction even under various conditions in the size and shape of a design pattern and the space width and positioning relationship between the design patterns.例文帳に追加

設計パターンの大きさ・形状や、設計パターン同士のスペース幅や位置関係が多様な状況下においても、十分な光近接効果補正を行うことのできる、半導体製造プロセスの光近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

例文

At formation of a mask for pattern transfer after the step of electron beam exposure, an overcorrection is performed by adding the proximity effect produced at electron beam transfer exposure, using the mask for pattern transfer to the proximity effect correction produced at the formation of the mask for pattern transfer.例文帳に追加

電子線露光工程を経てパターン転写用マスクを作製する際に、パターン転写用マスク作製時の近接効果補正分に、該パターン転写用マスクを使用した電子線転写露光時の近接効果分を上乗せして過剰に補正する。 - 特許庁




  
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