s adの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 26件
A pulse generating circuit 20 generates a sample and hold pulse S/H1 and an AD request pulse ADREQ1 having a cycle at the time of regular APC operation and a sample and hold pulse S/H2 and an AD request pulse ADREQ2 having a cycle shorter than the cycle as to sample and hold pulses S/H and AD request pulses ADREQ.例文帳に追加
パルス発生回路20は、サンプルホールドパルスS/HとADリクエストパルスADREQについて、通常のAPC動作時の周期のパルスS/H1,AREQ1とそれより短い周期のパルスS/H2,AREQ2を生成している。 - 特許庁
Unfair AD tax based on this zeroing has been imposed on Japan‟s ball bearing industry since 1989.例文帳に追加
日本のベアリング業界は、1989 年よりこのゼロイングに基づく不当なAD 税を課せられている。 - 経済産業省
An AD converter 2 AD-converts a signal generated by adding an object signal S to be AD-converted and a test signal St together.例文帳に追加
AD変換器2が、AD変換対象信号Sとテスト信号Stとを加算した信号をAD変換する。 - 特許庁
This antineoplastic for melanoma or mastocarcinoma contains as an effective component at least one kind selected from the group consisting of N-β-alanyl-5-S-glutathionyl-3,4-dihydroxyphenylalanine (5-S-GAD), β-alanyl-3,4- dihydroxyphenylalanine (β-AD), 5-S-cysteinyl-3,4-dihydroxyphenylalanine (5-S-CD) and pharmaceutically permissible salts thereof.例文帳に追加
N−β−アラニル−5−S−グルタチオニル−3,4−ジヒドロキシフェニルアラニン(5-S-GAD)、β−アラニル−3,4−ジヒドロキシフェニルアラニン(β-AD)、5−S−システイニル−3,4−ジヒドロキシフェニルアラニン(5-S-CD)、及び薬学的に許容されるそれらの塩から成る群から選択される少なくとも1種を有効成分として含む、黒色腫または乳癌の治療に用いる抗腫瘍剤。 - 特許庁
A first address generator 30 successively generates a first address signal AD [8:0] according to the regulation of deinterleaving for successively received symbol data S.例文帳に追加
第1アドレス生成部30は、順次受信したシンボルデータSをデインターリーブの規則に従って第1アドレス信号AD[8:0]を順次生成する。 - 特許庁
The adhesive sheet S includes a base sheet B and an adhesive layer AD provided on one surface of the base sheet B.例文帳に追加
接着シートSは、基材シートBと、この基材シートBの一方の面に設けられた接着剤層ADとを含む。 - 特許庁
A transmission source terminal S, a relay terminal Y and a destination terminal A are radio ad hoc terminals to freely move around and to communicate.例文帳に追加
送信元端末S,中継端末Y,宛先端末Aは自由に動き回って通信する無線アドホック端末である。 - 特許庁
The subject agent is a medicament for treating and/or preventing osteopathy containing, as active ingredient, β-alanyl-3,4- dihydroxyphenylalanine(β-AD), a functional derivative thereof, or physiologically acceptable salt(s) thereof.例文帳に追加
β−アラニル−3,4−ジヒドロキシフェニルアラニン(β-AD)、その機能性誘導体、又は生理学的に許容されるそれらの塩を有効成分として含む骨疾患の治療及び/又は予防のための医薬。 - 特許庁
The raw sheet S is equipped with a base material sheet BS, and an adhesive layer AD laminated on one surface of the base material sheet BS.例文帳に追加
原シートSは、基材シートBSと、この基材シートBSの一方の面に積層された接着剤層ADとを備えている。 - 特許庁
A retention device 10 is provided with a sheet S which has an adhesive agent layer AD on one of the faces of a basic sheet BS so as to be retained.例文帳に追加
保持装置10は、基材シートBSの一方の面に接着剤層ADを有するシートSを保持可能に設けられる。 - 特許庁
On August 25 AD 758, during the Daijokan (Grand Council of State)'s conference amendment of official posts by Nakamaro, he was the only absent giseikan (legislative official). 例文帳に追加
同2年(758年)8月25日に開かれた仲麻呂による官号改易の際の太政官の会議に議政官で唯一欠席している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The sheet S2 is bonded to a position of the delivered adhesive sheet S where the adhesive layer AD is partially exposed by adhesion means 14.例文帳に追加
繰り出された接着シートSの接着剤層ADが部分的に表出する位置に、貼合手段14によって枚葉シートS2を貼合する。 - 特許庁
An adhesion sheet S is formed by layering an adhesive layer AD on one surface of a base material sheet BS and is applied to a position reaching the outer periphery of the semiconductor wafer W.例文帳に追加
接着シートSは、基材シートBSの一方の面に接着剤層ADが積層されてなり、半導体ウエハWの外縁に達する位置まで貼付される。 - 特許庁
The adhesive sheet laminator 10 is provided to allow the adhesive sheet S in which an adhesive layer AD is provided on one side of a base material sheet B, to be laminated sequentially.例文帳に追加
接着シート積層装置10は、基材シートBの一方の面に接着剤層ADが設けられた接着シートSを順次積層可能に設けられる。 - 特許庁
If a density Ls specified by a plotting instruction is identical to a density Ld written in Ad (S6; Y), logical operation SET (F (S, D)=S) is identical to D and an operation for reading the memory in As over the entire region, performing logical operation SET and writing in the memory in Ad can be saved.例文帳に追加
描画命令により指定された濃度Lsと、Ad内に描画されている濃度Ldが同一であれば(S6;Y)、論理演算SET(F(S、D)=S)がDと同一、すなわち全領域に対してAs内のメモリをreadし、論理演算SETを行い、Ad内のメモリにwriteするという動作が省略可能となる。 - 特許庁
To provide an ad-market system which enables all viewers who have approved uses of their own information to have advantages according to viewer' s approval of uses of their own information.例文帳に追加
自己情報の活用に対する視聴者個々による承諾に応じて、自己情報の活用を承諾した視聴者全員にメリットを享受することができるアドマーケット・システムの提供。 - 特許庁
Each contact means 13 is provided in a form having a relief part 23 which does not contact with the adhesive layer AD on the outer peripheral side of the adhesion sheet S applied to the semiconductor wafer W when each contact means 13 contacts with the outer periphery side of the semiconductor wafer W.例文帳に追加
当接手段13は、半導体ウエハWの外縁側に当接したとき、当該半導体ウエハWに貼付された接着シートS外縁側の接着剤層ADに非接触となる逃げ部23を備えた形状に設けられる。 - 特許庁
The sheet peeling device 10 includes a cutting unit 16 of cutting the base sheet B and adhesive layer AD, a feeding unit 12 of feeding the peeling tape PT, a sticking unit 14 of sticking the peeling tape PT on the adhesive sheet S, and a moving unit 15 capable of peeling the adhesive sheet S by relatively moving the wafer W and peeling tape PT.例文帳に追加
シート剥離装置10は、基材シートB及び接着剤層ADを切断する切断手段16と、剥離用テープPTを繰り出す繰出手段12と、接着シートSに剥離用テープPTを貼付する貼付手段14と、ウエハWと剥離用テープPTと相対移動させることで接着シートSを剥離可能な移動手段15とを備えている。 - 特許庁
The amplifiers 12a, 12b amplify the detection signal S of the sensor 11 to generate output signals Va, Vb, a signal switching circuit 13 switches the output signals Va, Vb, and an A/D converter 14 AD-converts the output signals Va, Vb to generates digital signals.例文帳に追加
増幅器12a,12bはセンサ11の検出信号Sを増幅して出力信号Va,Vbを生成し、信号切替回路13は出力信号Va,Vbを切り替え、AD変換器14は出力信号Va,VbをAD変換してデジタル信号を生成する。 - 特許庁
When the attachment 30 is fitted to an attachment fitting part 22 of a device body 21, both relay terminals 40a ad 40b are respectively brought into contact with a positive side feeding terminal 23 and a negative side feeding terminal 24, which are inserted into a prescribed gap S, so that they are sandwiched between both conduction parts 41a and 41b.例文帳に追加
両中継端子40a,40bは、当該アタッチメント30が装置本体21のアタッチメント取付部22に取り付けられるとき、上記所定の隙間Sにそれぞれ挿入する正側給電端子23および負側給電端子24に対して両導通部41a,41bの双方にて挟み込むように接触する。 - 特許庁
A DRAM 10 is provided with a sleep mode in which control of an internal circuit supplying a power source to a memory core including a memory cell and control of refreshing for a memory core are combined to a power down mode, ad refresh-stop mode (Nap mode), and a partial self-refresh mode (S-Ref mode), these modes are selected in a program mode Pro, PE.例文帳に追加
DRAM10は、パワーダウンモードにメモリセルを含むメモリコアに電源を供給する内部回路の制御と、メモリコアに対するリフレッシュの制御を組み合わせた「スリープモード」、「リフレッシュ停止モード(Napモード)」、「部分セルフリフレッシュモード(S−Refモード)」を備え、これらモードをプログラムモードPro,PEにおいて選択する。 - 特許庁
The light irradiation device 10 which irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD stuck to one surface of a semiconductor wafer W with an ultraviolet ray includes an ultraviolet lamp 12 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet ray passed by the semiconductor wafer W.例文帳に追加
半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬化型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ12と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した光の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。 - 特許庁
The light irradiation device 10 which irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD stuck to one surface of a semiconductor wafer W with an ultraviolet ray includes an ultraviolet lamp 19 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet ray passed by the semiconductor wafer W.例文帳に追加
半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬化型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ19と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した光の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。 - 特許庁
The light irradiation device 10 irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD layer stuck on one surface of a semiconductor wafer W with ultraviolet light, The light irradiation device 10 includes an ultraviolet lamp 12 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet light passed by the semiconductor wafer W.例文帳に追加
半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬化型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ12と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した紫外線の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。 - 特許庁
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