意味 | 例文 (999件) |
source regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4512件
In each light-emitting region, the backlight driving section 12 further allows the shutter section 110 to guide the light of the light-emitting region and controls the light source in the same light-emitting region as the light-emitting region of the light passed by the shutter section 110.例文帳に追加
ここでバックライト駆動部12は更に、発光領域のそれぞれについて、シャッター部110に発光領域の光を導光させ、シャッター部110が通過させる光の発光領域と同一の発光領域の光源を制御する。 - 特許庁
The thin-film semiconductor device comprises a semiconductor film which contains a channel region, a source region, and a drain region, and has an insular flat pattern, a gate insulating film laminated on or under the semiconductor film, and a gate electrode which is arranged facing the channel region via the gate insulating film.例文帳に追加
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。 - 特許庁
A gate oxide film is formed on a part of the N drift region of the N+ source region 46, the P well region 44, and outer peripheral part of the N drift region 3, and a gate electrode is formed on the gate oxide film.例文帳に追加
n^+ ソース領域46のnドリフト領域側の一部上、pウエル領域44上およびnドリフト領域3の外周側上には図示しないゲート酸化膜が形成され、このゲート酸化膜上に図示しないゲート電極が形成される。 - 特許庁
A semiconductor film comprises a channel region and a source region as well as a drain region, into both of which impurity is doped and which are provided with an island-type plane pattern, and a gate electrode arranged so as to be opposed to the channel region through a gate insulating film.例文帳に追加
チャネル領域と不純物がドープされたソース領域及びドレイン領域とを含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極とを備える。 - 特許庁
The first transistor and the second transistor are formed in a first active region and a second active region which are separated from each other, and the source region of the first transistor is electrically connected to the drain region of the second transistor through an interconnection composed of a conductive layer.例文帳に追加
第1トランジスタ及び第2トランジスタは各々互いに分離された第1及び第2活性領域に形成され、第1トランジスタのソース領域は導電層から成った配線を通じて第2トランジスタのドレイン領域と電気的に接続される。 - 特許庁
In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加
SOI層30内において、P型ボディ領域3に隣接してソース側にN^+型ソース拡散領域9が形成されるとともに、P型ボディ領域突出部3aに隣接してP^+型ボディコンタクト拡散領域7B(7A)が形成される。 - 特許庁
If the two bottom corner portions are called as source transition portions, the electrode width at each source transition portion (bottom corner portion) gradually widens from the source interconnect toward the formed region of the semiconductor layer 16.例文帳に追加
上記2つの底角部のことを、ソース移行部と呼ぶとすれば、各ソース移行部(底角部)における電極幅は、ソース配線から半導体層16の形成領域に向かって徐々に広がっている。 - 特許庁
To provide a method for improving the efficiency in a full load region in a PFC power source of an active filter method, by controlling a switch circuit of the PFC power source, accompanying an output power of the PFC power source.例文帳に追加
PFC電源の出力電力に伴ってPFC電源のスイッチ回路を制御することで、アクティブフィルタ方式のPFC電源における全負荷領域での効率の改善方法を提供する。 - 特許庁
Common source line electrode layers 14 extend perpendicular to the diffusion layer forming region F on the plurality of n+ type source diffusion layers 8 and are in contact with the respective n+ type source diffusion layers 8.例文帳に追加
そして、複数のn+型ソース拡散層8上には、拡散層形成領域Fに直交して、共通ソースライン電極層14が延びており、各n+型ソース拡散層8にコンタクトしている。 - 特許庁
To synthesize light from a second light source while not reducing the volume of light emitted from a first light source, relating to a light irradiation device which guides the light of the second light source into a region where no light from a first light source is present, and synthesizes it with the light from the first light source.例文帳に追加
第2の光源の光を、第1の光源からの光が存在しない領域に導入し、第1の光源からの光と合成する光照射装置において、第1の光源から出射した光の量を減らさないように、第2の光源からの光を合成すること。 - 特許庁
A flat panel display device includes drive power source supply lines which provide a driving power source for a display region; and one or more auxiliary driving power source supply lines, in which the driving power source supply line layers electrically communicate with the drive power source supply lines alternately.例文帳に追加
ディスプレイ領域に駆動電源を供給するための駆動電源供給ラインと、駆動電源供給ライン層が相違し駆動電源供給ラインと電気的な疎通をなす1つ以上の補助駆動電源供給ラインとを備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置である。 - 特許庁
A method of fabricating a raised source/drain CMOS device, includes preparing a silicon substrate; depositing a layer of gate oxide; forming a gate placeholder; forming a raised source/drain region; implanting, activating and diffusing ions in the raised source/drain region to form a source region and a drain region; and replacing the gate placeholder with gate material.例文帳に追加
積み上げソース/ドレインCMOSデバイスを製造する方法は、シリコン基板を準備する工程と、ゲート酸化物層を堆積させる工程と、ゲートプレースホルダーを形成する工程と、積み上げソース/ドレイン領域を形成する工程と、上記積み上げソース/ドレイン領域中でイオンの注入、活性化および拡散を行なって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と;上記ゲートプレースホルダーとゲート材料とを取り換える工程とを含む。 - 特許庁
The semiconductor device has a channel region of a transistor which is formed in the predetermined region of a silicon layer 103 formed on an insulating film 102, a gate electrode 116 formed on the channel region via a gate insulating film, and a source region S/drain region D positioned on the outside of the channel region and formed in the silicon layer whose film thickness is larger than the film thickness of the channel region.例文帳に追加
半導体装置は、絶縁膜102上に形成されたシリコン層103の所定領域に形成されたトランジスタのチャネル領域と、このチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極116と、前記チャネル領域の外側に位置し、前記チャネル領域よりも膜厚の厚いシリコン層に形成されたソース領域S・ドレイン領域Dとを備える。 - 特許庁
A region detection part 132 detects a region comprising pixels, included in the region of higher luminance compared to an adjacent region among the regions sectioned by the position detected by the luminance change detection part 131 and the end part of the input image as the light source or the region, where the regular reflected light of the light from the light source is projected.例文帳に追加
領域検出部132は、輝度変化検出部131により検出された位置および入力画像の端部により区分される領域のうち、隣接する領域と比較して輝度が高い領域に含まれる画素により構成される領域を、光源、または、光源からの光の正反射光が入力画像に写っている領域として検出する。 - 特許庁
An impurity region containing a source and a drain is formed of an ultra-low concentration impurity region formed on the epitaxial layer, a low concentration impurity region formed on the silicon wafer, and a high concentration impurity region (source and drain region).例文帳に追加
モストランジスタ及びその製造方法に関し、本発明では、シリコンウエハーとゲート電極間にエピタキシャル層を配設し、ソース及びドレーンを含む不純物領域を、エピタキシャル層に形成する極低濃度不純物領域、シリコンウエハーに形成する低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域(ソース及びドレーン領域)の3領域から形成するモストランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The field effect transistor comprises a source region and a drain region, a channel layer extending between the source region and the drain region comprising an organic semiconductor material, an electric insulating layer comprising an organic/inorganic mixed material arranged adjacently to the channel layer, and a gate region adjacent to the opposite side of the channel layer of the electric insulating layer.例文帳に追加
本発明はソース領域およびドレーン領域と、有機半導体材料からなる前記ソース領域と前記ドレーン領域の間を延びるチャネル層と、前記チャネル層に隣接するように配備された有機/無機混成材料からなる電気絶縁層と、ゲート領域が前記電気絶縁体層の前記チャネル層と反対側に隣接するように配備された電界効果トランジスタである。 - 特許庁
The memory-cell array 4000 has a plurality of element separating regions 900, and each of the plurality of memory cells 410 has a source region, a drain region, a channel region interposed between the source and drain regions, a selecting gate 411 and a word gate 412 provided oppositely to the channel region, and a nonvolatile memory element 413 formed between the word gate 412 and the channel region.例文帳に追加
メモリセルアレイ4000は、複数の素子分離領域900を有し、複数のメモリセル410の各々は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域間のチャネル領域と、チャネル領域と対向して配置されたセレクトゲート411及びワードゲート412と、ワードゲート412とチャネル領域との間に形成された不揮発性メモリ素子413とを有する。 - 特許庁
A silicon layer 22(22s and 22d) wherein a single crystal silicon is crystal-grown by touching a silicon-contained metal molten liquid is provided on a p-well region 13 where one component (source region, drain region of silicon of a semiconductor element (MOS transistor 1) formed on a silicon substrate 11 is formed, with a source region 17 and a drain region 18 formed thick.例文帳に追加
シリコン基板11に形成した半導体素子(MOSトランジスタ1)のシリコンからなる一構成部品(ソース領域、ドレイン領域)が形成されるpウエル領域13上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで単結晶シリコンを結晶成長させたシリコン層22(22s、22d)を設け、ソース領域17、ドレイン領域18を厚く形成したものである。 - 特許庁
The cell transistors 18 are arranged in matrix shape where the adjacent cell transistors 18 are arranged in a first direction X so as to share the drain region 16 and the source region 17, and the adjacent cell transistors 18 sandwiching element separation region 27 are arranged in a second direction Y so that the drain region 16 and the source region 17 face each other.例文帳に追加
セルトランジスタ18がマトリックス状に配置され、第1の方向Xには、隣接するセルトランジスタ18同士でドレイン領域16およびソース領域17を共用するように配列され、第2の方向Yには、素子分離領域27を挟んで隣り合うセルトランジスタ18がドレイン領域16とソース領域17とが互いに対向するように配列されている。 - 特許庁
In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加
本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域150の上面にゲート絶縁膜2aを介してゲート電極3aが形成され、また第一のソース・ドレイン領域5が形成され、またスクライブ領域160表面内に第一のソース・ドレイン領域5と同等の不純物濃度を有する不純物領域5pが形成された、半導体基板1を用意する。 - 特許庁
The first reflecting region is suitable for reflecting light emitted from the light source to the light entering surface.例文帳に追加
第1の反射域は、光源から光入射面まで発射される光の一部を反射するのに適している。 - 特許庁
A source 16c of one drive transistor and the well contact region 16d share one contact part 80.例文帳に追加
一方の駆動トランジスタのソース16cと、ウエルコンタクト領域16dとは、一つのコンタクト部80を共用している。 - 特許庁
The alignment accuracy of a mask is enhanced using an oxide film provided on a source-drain region when the mask of an FET is aligned.例文帳に追加
FETのマスク合わせに、ソースドレイン領域上に設けた酸化膜を用い、マスク合わせ精度を向上する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of black smear, by suppressing the current flow in the leakage current path to the source region.例文帳に追加
ソース領域へのリーク電流経路に電流が流れることを抑制して黒スミアの発生を防止する。 - 特許庁
Thus, as for the linear light source bodies, it is not necessary to form light intensity distribution in the whole detection region 10R.例文帳に追加
このため、線状光源体は、検出領域10R全体に光強度分布を形成しなくてもよい。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that enables increase in area of contact between a source region and a contact plug.例文帳に追加
ソース領域とコンタクトプラグとの接触面積を増大させることのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
A second trench 8 is formed to be in contact with the n^+-type source region 7, and reach the n^--type drift layer 3.例文帳に追加
第2トレンチ8は、n^+型ソース領域7に接し、n^-型ドリフト層3に達するように設けられている。 - 特許庁
Subsequently, a source/drain region 21, a silicide film 22, an interlayer insulation film 23, metal wiring 24 and the like are formed (g).例文帳に追加
以下、ソース・ドレイン領域21、シリサイド膜22、層間絶縁膜23及びメタル配線24等を形成する(g)。 - 特許庁
The P-type wells 16 are located above the bottom N-type well 8, made to serve as source/drain regions, and designate a channel region.例文帳に追加
pウェル16はボトムnウェル8上にあり、pウェル16がソース/ドレインとなりチャネル領域を規定する。 - 特許庁
The endoscope processor 40 includes a light source unit 50, a light receiving region extract part 60 and a system controller 43.例文帳に追加
内視鏡プロセッサ40は光源ユニット50、受光領域抽出部60、システムコントローラ43を有する。 - 特許庁
Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region by using the liquid form impurity source.例文帳に追加
これにより、液状不純物源を使用してn形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁
A recess 12 is formed by removing a part being the source-drain region of the P-type transistor.例文帳に追加
本発明では、P型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分を除去することにより、リセス部12を形成する。 - 特許庁
A source/drain region 106 is formed at both sides of a gate electrode 103 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加
半導体基板100におけるゲート電極103の両側にソース/ドレイン領域106が形成されている。 - 特許庁
The projecting part is formed by avoiding a tangent line in the back-channel portion drawn from a source or a drain to a channel formation region.例文帳に追加
該凸部は、ソースまたはドレインからチャネル形成領域まで引いたバックチャネル部の接線を避けて設けられる。 - 特許庁
An inter-layer insulating layer 9 is formed which has a contact hole 9a reaching the n-type source/drain region 4.例文帳に追加
このn型ソース/ドレイン領域4に達するコンタクトホール9aを有する層間絶縁層9が形成される。 - 特許庁
The protective oxide film formed on the recessed portion protects the low-concentration source/drain region and prevents the concentration of an electric field.例文帳に追加
凹部上に形成された保護酸化膜は低濃度ソース/ドレイン領域を保護し、電界の集中を防止する。 - 特許庁
Trade in Aoso became the most important source of funding for the Nagao clan and financially supported Kenshin's expedition to the Kanto region. 例文帳に追加
青苧による取引は、長尾氏の重要な資金源となり、謙信の関東遠征を資金面で支えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A light source for emitting light of ultraviolet region can be provided in the compartment where the liquefied ozone is stored.例文帳に追加
前記液体オゾンが貯留される区画には紫外線領域の光を照射する光源を備えるとよい。 - 特許庁
The source/drain forming processing of a p channel MOS transistor is used to form a base contact region 92.例文帳に追加
PチャンネルMOS型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してベースコンタクト領域92を形成する。 - 特許庁
The surface of the body layer 63 between the second drift layer 64 and the source layer 55 becomes a channel region CH2.例文帳に追加
この第2のドリフト層64とソース層55との間のボディ層63の表面がチャネル領域CH2となる。 - 特許庁
This storage system comprises a cache memory, a side file as a storage region prepared in the memory, and a copy source storage device.例文帳に追加
ストレージシステムは、キャッシュメモリと、メモリに用意された記憶域であるサイドファイルと、コピー元記憶装置とを備える。 - 特許庁
Further, the silicon mixed crystal layer 120 to serve as a second source drain region 114B is formed thereafter in the recess portion 109.例文帳に追加
その後、リセス部109内に、第2のソースドレイン領域114Bとなるシリコン混晶層120を形成する。 - 特許庁
The alignment accuracy of a mask is enhanced by using an oxide film formed on a source-drain region for aligning the mask of the FET.例文帳に追加
FETのマスク合わせに、ソースドレイン領域上に設けた酸化膜を用い、マスク合わせ精度を向上する。 - 特許庁
Also, by forming the n-type source region from a trench side wall part, the short-circuit permissible amount is improved further.例文帳に追加
また、n型ソース領域をトレンチ側壁部分から形成することにより、短絡耐量は更に向上する。 - 特許庁
On the compound semiconductor region 2, a gate electrode 6, a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed.例文帳に追加
化合物半導体領域2上に、ゲート電極6、ソース電極4及びドレイン電極5が形成されている。 - 特許庁
A resist pattern 2 for forming a source/drain electrode region 3 is formed on a n-type gallium nitride substrate 1.例文帳に追加
n型窒化ガリウム基板1上に、ソース/ドレイン電極領域3を形成するためのレジストパターン2を形成する。 - 特許庁
To provide an infrared light source in which the infrared emissivity of a filament is stable, irrespective of a wavelength region.例文帳に追加
フィラメントの赤外線放射率が波長の領域によらず安定している赤外線光源を提供すること。 - 特許庁
NEGATIVE ION SOURCE FORMING NEGATIVE ION OF HIGH CURRENT DENSITY IN HIGH EFFICIENCY BY REDUCING GAS PRESSURE OF BEAM PASSAGE REGION例文帳に追加
ビーム通過領域のガス圧を低減し、高い電流密度の負イオンを高効率で生成する負イオン源 - 特許庁
This lower layer electrode film dA has an extension part dA' protruding on the forming region side of an electron source.例文帳に追加
この下層電極膜dAは電子源の形成領域側に突出した延長部dA'を有している。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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