「source region」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

The projection type picture display device is equipped with: the display part having a light emitting layer constituted by carrying phosphor particulates having ≤380 nm average particle size and including the phosphor excited by ultraviolet rays and emitting fluorescence in a visible region on transparent base material; and a light source part equipped with an ultraviolet ray generation part and projecting the ultraviolet rays to the display part.例文帳に追加

平均粒径が３８０ｎｍ以下の、紫外光により励起されて可視域の蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体粒子が透明基材に担持されてなる発光層を有する表示部と、紫外光発生部を備えた、前記表示部に紫外光を投射するための光源部とを備えた投射型画像表示装置により、上記課題は解決される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises wirings 9 disposed on an insulating film 12 covering a gate electrode 1 and a semiconductor substrate 50 to electrically connect the gate electrode, and a dummy transistor 10 formed on the substrate and having no wiring as a transistor in such a manner that the wiring 9 is electrically connected to the source/drain region 14 of the transistor 10.例文帳に追加

この半導体装置は、ゲート電極１と半導体基板５０とを被覆する絶縁膜１２上に配置され、ゲート電極と電気的に接続された配線９と、半導体基板上に形成され、トランジスタとしての配線がなされていないダミートランジスタ１０とを備え、配線９がダミートランジスタ１０のソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。 - 特許庁

In manufacturing the highly precise power management semiconductor device or analog semiconductor device including the MOS transistor such as the CMOS semiconductor integrated circuit, a concentration of impurities is reduced in the vicinity of a silicon surface of a source drain region with a low impurity concentration, thereby reducing the impact ionization taking place in the operation of the MOS transistor and reducing the variation in characteristics of the MOS transistor.例文帳に追加

CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の製造において、低不純物濃度であるソースドレイン部のシリコン表面近傍の不純物濃度を低くすることにより、MOSトランジスタの動作において発生するインパクトイオン化現象を低減させ、MOSトランジスタの特性変動を低減する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film.例文帳に追加

本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer 14 including at least a silicon, a gate insulating layer 26 formed on the semiconductor layer 14, a gate electrode 28 formed on the gate insulating layer 16, impurity layers 22, 24 formed on the semiconductor layer 14 and constituting a source/drain region, and silicide layers 32, 34 formed on the impurity layers 22, 24.例文帳に追加

半導体装置１００は、少なくともシリコンを含む半導体層１４と、前記半導体層１４上に形成されたゲート絶縁層２６と、前記ゲート絶縁層１６上に形成されたゲート電極２８と、前記半導体層１４に形成された、ソース／ドレイン領域を構成する不純物層２２，２４と、前記不純物層２２，２４上に形成されたシリサイド層３２，３４と、を含む。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a silicon layer containing an amorphous silicon on a substrate 10, doping a dopant to form a source/drain region, performing heat treatment under H_2O atmosphere and a constant temperature to crystallize the amorphous silicon, simultaneously activating the dopant to form a semiconductor layer 24, and preventing the substrate 10 from damaging by heat, by reducing the heat treatment processes.例文帳に追加

基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To prevent a conductive member from peeling off from a semiconductor device when using a conductive adhesive for connecting the conductive member to a metal region in the semiconductor device, where metal and non-metal regions are formed on the surface of the semiconductor device; and to maintain large power and large current in a source electrode.例文帳に追加

半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、導電性接着剤を使用して、導電部材とメタル領域とを接続する場合に、半導体装置から導電部材が剥離することを防止し、ソース電極における大電力、大電流を維持することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a refractive index modulation is formed in the optical waveguide region of an optical fiber 90, the distribution of the irradiating quantity of refractive index change inducing light to a phase grating 15 is set by adjusting the intensity of the refractive index change inducing light which is outputted from a laser beam source 11 and is made incident on the phase grating 15, according to respective incident positions on the phase grating 15.例文帳に追加

光ファイバ９０の光導波領域に屈折率変調を形成するに際して、レーザ光源１１から出力され位相格子１５に入射される屈折率変化誘起光の強度を位相格子１５上の各入射位置に応じて調整することで、位相格子１５に対する屈折率変化誘起光の照射量の分布が設定される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線２２０とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン４３２ａを含む。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.例文帳に追加

１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁

In the liquid crystal device, which is provided with a liquid crystal panel having at least a plurality of scanning electrodes for display, a light guide member lighting the liquid crystal panel and a light source arranged by the light guide member, the light guide member is composed of a light dispersion type liquid crystal panel which has a scanning electrode for lighting and has a projection surface capable of controlling a light projection region.例文帳に追加

少なくとも複数の表示用走査電極を有する液晶パネルと、前記液晶パネルを照明する導光部材と、前記導光部材の側方に配設される光源とを有する液晶装置において、前記導光部材は照明用走査電極を有し、光出射領域を制御可能な出射面を有する光分散型液晶パネルよりなる。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

To be more precise, the semiconductor device includes the SiC substrate, an Si epitaxial layer formed in the surface of the SiC substrate, the Si oxide film formed on the Si epitaxial layer, a gate electrode formed on the Si oxide film, a source region formed in the Si epitaxial layer, and a drain electrode connected to the SiC substrate.例文帳に追加

具体的には、本発明に係る半導体デバイスは、ＳｉＣ基板と；前記ＳｉＣ基板の表面に形成されたＳｉエピタキシャル層と；前記Ｓｉエピタキシャル層上に形成されたＳｉ酸化膜と；前記Ｓｉ酸化膜上に形成されたゲート電極と；前記Ｓｉエピタキシャル層内に形成されたソース領域と；前記ＳｉＣ基板に接続されたドレイン電極とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a pair of electrodes 11, 12 whose tips face each other and a power source 18 supplying voltage between the electrodes 11, 12 to form discharge plasma at a discharge region between the electrodes 11, 12, where at least one of the electrodes 11, 12 is made of a porous carbon material.例文帳に追加

少なくとも、最先端部が対向する２つの電極１１，１２と、電極１１，１２間の放電領域に放電プラズマを生成するべく電極１１，１２間に電圧を印加する電源１８とからなり、対向する２つの電極１１，１２のうち少なくとも一方が、多孔性炭素材料からなることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置および製造方法である。 - 特許庁

A field-effect transistor 10 includes a source 18s and a drain 18d formed in a surface region of a semiconductor active layer 13 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 15 formed on the semiconductor active layer 13 through a gate oxide film 14, and a passivation film 20 formed on the semiconductor active layer 13 between the gate electrode 15 and the drain 18d.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１３の表面領域に形成されたソース１８ｓ及びドレイン１８ｄと、半導体活性層１３上にゲート酸化膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン１８ｄの間の半導体活性層１３上に形成されたパッシべーション膜２０とを備える。 - 特許庁

The NAND type magnetic resistance RAM reduces a non-active region by connecting two or more transistors sharing source and drain regions in an NAND type in series and improves integration degree by reducing an effective area per cell by improving read-out performance by sharing one read-out node connected to a bit line with a plurality of transistors.例文帳に追加

本発明に係るＮＡＮＤ型磁気抵抗ラムは、ソース及びドレイン領域を共有する２つ以上のトランジスタをＮＡＮＤ型に直列連結して非活性領域を減少させ、ビットラインと連結された１つの読出しノードを複数のトランジスタと共有して読出し動作を改善することにより、セル当りの有効面積を減少させて集積度を向上させることができるようにする。 - 特許庁

A plurality of kinds of transistor bulks having different a gate length and gate width, and different interval between a gate electrode and the contact of a source electrode or a drain electrode are arranged freely in an I/O buffer region and electrostatic protection capability and output drive capability are optimized by connecting transistor bulks, corresponding in number to requested functions or performances, arbitrarily through aluminum interconnect.例文帳に追加

入出力バッファ領域に、ゲート長やゲート幅、さらに、ソース電極やドレイン電極のコンタクトとゲート電極の間隔がそれぞれ異なるトランジスタのバルクを複数種類用意して自由に配置し、要求される機能や性能に応じた数のトランジスタのバルクを任意にアルミ配線により接続して静電保護能力や出力駆動能力の最適化を行う。 - 特許庁

An audience rating survey system 100 transmits audience rating source information from home survey facilities 1 installed at an viewer's home, mobile survey facilities 2, and on-vehicle survey facilities 3 to an audience history gathering device 7 through a communications satellite 4 without any audience's operation, even in a region in which the communication state of a mobile phone is not proper by installing an antenna.例文帳に追加

視聴率調査システム１００では、視聴者の操作を必要とせず、携帯電話の通信状態がよくない地域であっても、アンテナを設置することによって、視聴者のもとにある家庭内調査設備１、モバイル調査設備２および車載調査設備３から通信衛星４を通して視聴履歴収集装置７に、視聴率元情報を送信する。 - 特許庁

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。 - 特許庁

The brightness value of the image data generated by an image generating device is adjusted according to at least one of image generation history information that at least contains the emission information of an auxiliary light source when the image data are generated and is related to the image data and the size of a region, where pixels having brightness that is a specified brightness value or higher in the image data are connected.例文帳に追加

画像生成装置で生成された画像データの輝度値調整を、前記画像データ生成時における補助光源の発光情報を少なくとも含むとともに前記画像データに関連付けられた画像生成履歴情報と、前記画像データにおける所定の輝度値以上の輝度を有する画素が連結した領域の大きさとの少なくとも一方に応じて実行する。 - 特許庁

The invention particularly relates to a fluoroscopic X-ray apparatus 1 having an X-ray source 2 and an X-ray detector 3 disposed in invariable positions to form X-ray images of a patient 5 in succession, and also having indicator means 10, 11, 15, 17 for essentially illuminating and/or monitoring a radiation region on the patient 5 crossed by an X-ray 62.例文帳に追加

本発明は、不変な位置にあり、患者（５）のＸ線画像を連続的に形成するＸ線源（２）及びＸ線検出器（３）と、Ｘ線（６２）によって横切られる患者（５）の上にある放射線領域を本質的に照明及び／又はモニタリングするインジケータ手段（１０、１１；１５、１７）とを有する、とりわけＸ線蛍光透視用のＸ線装置（１）に関わる。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a semiconductor substrate, having a source/drain region, a gate electrode formed on the semiconductor substrate, a first IMD formed on the semiconductor substrate and having a first damascine pattern, a first barrier layer formed inside the damascine pattern, a first metal wiring formed on the first barrier layer, and a first metal cap layer formed inside the first damascine pattern.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、ソース／ドレーン領域を有する半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート電極、前記半導体基板上に形成されて，第１ダマシンパターンを有する第１のＩＭＤ、前記ダマシンパターン内に形成される第１バリア層、前記第１バリア層上に形成される第１金属配線、前記第１ダマシンパターン内に形成される第１メタルキャップ層、が含まれる。 - 特許庁

To emit electrons from only the region in the vicinity of an extraction electrode of an electron emission member in an electron emission element having the electron emission member containing carbon as the main component and the extraction electrode arranged in the vicinity of the electron emission member, and to reduce uneven brightness and abnormal lighting in an image forming device having the electron emission element as an electron source.例文帳に追加

炭素を主成分とする電子放出部材と、この電子放出部材の近傍に配置された引き出し電極を有する電子放出素子において、電子放出部材のうち引き出し電極近傍の領域からのみ電子を放出させることを可能とし、かかる電子放出素子を電子源として構成した画像形成装置においては、輝度ムラ、異常点燈が低減させ得るようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a pseudo film on a semiconductor substrate, forming a gate electrode spanning the pseudo film, removing the pseudo film, forming a gate insulating film having metal atoms in a gap once formed by the pseudo film, and forming a source/drain region on the surface of the semiconductor substrate with the gate electrode disposed therebetween.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に疑似膜を形成する工程と、疑似膜を跨ぐゲート電極を形成する工程と、疑似膜を除去する工程と、疑似膜の形成していた空隙に金属原子を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を挟む半導体基板表面にソース／ドレイン領域を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The trench bottom corners are each formed in an arcuate shape having a radius of curvature of 200 nm or more, a doped polysilicon layer is deposited thick enough to be used as an ion implanting mask for forming the source region, and then the doped layer is thinned to be a gate electrode at a TLPM only so that the gate electrode end contacts an oxide film on the arcuate part of the trench bottom corner.例文帳に追加

トレンチ底部角部を、曲率半径が２００ｎｍ以上の円弧形状にし、ドープトポリシリコン層を、ソース領域の形成のためのイオン注入マスクとして充分使用できる程度に厚く被覆した後に、ＴＬＰＭ部のみゲート電極となるドープトポリシリコン層を薄くして、トレンチ底部角部の円弧上の酸化膜に前記ゲート電極端部が接する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

This device comprises: a laser source; a moving mechanism for performing relative movement between a laser beam and the DUT; a signal collecting mechanism including a photo detector for collecting modulated laser beams reflected from the DUT and a suitable electronic circuit; and a display mechanism for displaying spatial modulation map formed by modulates laser beams collected on the selected region of an IC within a selected period.例文帳に追加

この装置は、レーザー源、レーザービームとＤＵＴとの間の相対移動を行う移動メカニズム、ＤＵＴから反射した変調レーザー光を集光するための光検出器及び適切な電子回路を含む信号捕集メカニズム、及び選択した時間中にＩＣの選択領域上で集光した変調レーザー光から成る空間変調マップを表示するための表示メカニズムを具えている。 - 特許庁

The manufacturing method is to attach contiguous film-shaped or sheet-shaped dielectrics 103 as they run to a substrate 3 with electrodes formed on it, where at least a given region of the film-shaped or the sheet-shaped dielectrics 103 formed on a base film 102 is removed with the use of carbon dioxide laser light 110 generated from a laser light source 109 to form it into a given shape.例文帳に追加

電極が形成された基板３上に、連続したフィルム状あるいはシート状の誘電体１０３を走行させながら貼り付ける製造方法であり、少なくともベースフィルム１０２上に形成されたフィルム状あるいはシート状の誘電体１０３の所定領域を、レーザー光源１０９より発生した炭酸ガスレーザー光１１０を用いて除去し所定形状に加工する。 - 特許庁

Each of the first access transistor and the first transistor includes a semiconductor post which is formed on a substrate and extends vertically to the substrate surface, a gate electrode which is so formed as to enclose the semiconductor post in the direction parallel to the substrate surface, to form a channel region at the semiconductor post, and a source and drain connected respectively to a lower end or upper end of the semiconductor post.例文帳に追加

前記第１アクセストランジスタ及び前記第１トランジスタのそれぞれは、基板上に形成され、前記基板面に対して垂直に延びる半導体柱と、前記半導体柱を前記基板面に平行な方向で取り囲むように形成され、前記半導体柱にチャネル領域を形成させる、ゲート電極と、前記半導体柱の下端部又は上端部にそれぞれ接続されるソース及びドレインとを備える。 - 特許庁

In the provided method, an InGaP layer is formed on a substrate, a gate electrode with a Ti layer and an Au layer is deposited through the evaporation on the InGaP layer; a GaAs layer is formed in an area on the InGaP layer, in a region different from where the gate electrode is formed; and a source electrode and a drain electrode are further formed on the GaAs layer.例文帳に追加

基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor storage device, having an element isolation film formed in a silicon substrate 101 and a plurality of semiconductor memory cells formed between the element isolation films, there are provided conductive films 116a, 116b which are formed on the plane of the silicon substrate 101, and connect a source diffusion region 112 of at least two semiconductor memory cells.例文帳に追加

シリコン基板１０１中に形成された素子分離膜と、素子分離膜の間に形成された複数の半導体メモリセルとを有する半導体記憶装置であって、シリコン基板１０１の面上に形成されると共に少なくとも二つの半導体メモリセルのソース拡散領域１１２を接続する導電性膜１１６ａ，１１６ｂを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a nonvolatile memory such as an EEPROM for writing/erasing data electrically, each memory cell constituting the memory has source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b formed on a semiconductor substrate, a gate electrode 27 formed on the channel region of the semiconductor substrate, and a gate insulating film 26 of three layers including a silicon nitride film formed between the semiconductor substrate and the gate electrode 27.例文帳に追加

データを電気的に書き込み・消去可能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリにおいて、前記メモリを構成する各メモリセルが、半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂと、前記半導体基板のチャネル領域上に形成されるゲート電極２７と、前記半導体基板と前記ゲート電極２７との間に形成されるシリコン窒化膜を含む３層のゲート絶縁膜２６とを備えている。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a dummy gate on a semiconductor substrate, a process for forming a source/drain diffusion region by introducing impurities in the semiconductor substrate using the dummy gate as a mask, a process for forming an insulating film around the dummy gate, a process for forming an opening by removing the dummy gate, and a process for forming a gate electrode in the opening via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板上にダミーゲートを形成する工程、前記ダミーゲートをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して、ソース・ドレイン拡散領域を形成する工程、前記ダミーゲートの周囲に絶縁膜を形成する工程、前記ダミーゲートを除去して開口部を形成する工程、及び前記開口部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を具備する方法である。 - 特許庁

The radio operation pendants 2 and 3 transmits push button data and a stored ID number together by radio as operation data, and the cargo handling device body 1 stores the ID number in the operation data received first in a provisional storage region when the push button data showing that two buttons set in advance are pushed is included in the operation data received first after a power source is turned on.例文帳に追加

無線操作ペンダント２、３は押下ボタンデータと、記憶されたＩＤ番号とを一緒に操作データとして無線送信し、荷役装置本体１は電源が投入された後、最初に受信した操作データ中に、予め設定された二個のボタンが押下されたことを示す押下ボタンデータが含まれている場合に、当該最初に受信した操作データ中のＩＤ番号を、仮記憶領域に記憶するようになっている。 - 特許庁

In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。 - 特許庁

The movement-amount moving spectrum is entirely captured by disposing a collimator device between the inspection region and the detector, which has a plurality of thin plates that are disposed on mutually crossing surfaces at a focus of the radiation source and separate the fan beam into several segments, and by irradiating detecting elements in an array parallel with the rotation shaft with primary radiation from the same segment and the scattered radiation.例文帳に追加

運動量移動スペクトルの完全な捕捉は、放射線源の焦点で互いと交差する面におかれファンビームを幾つかのセグメントに細分化する複数の薄板を有するコリメータ装置が検査域と検出装置の間に配置され、回転軸に対して平行な列の検出素子が同じセグメントからの一次放射線又は散乱された放射線によって当てられることで実現される。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device includes a first pad 101 provided at an outer periphery of a semiconductor substrate 100, a plurality of block circuits 103 provided in a region inside the first pad 101 of the semiconductor substrate 100, and adapted to perform predetermined functions, and a second pad 104 connected to an external power source of the semiconductor substrate 100 and at least one of the plurality of block circuits.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板１００の外周に設けられる第１パッド１０１と、前記半導体基板１００の前記第１パッド１０１より内側の領域に設けられ、所定の機能を実行するための複数のブロック回路１０３と、前記半導体基板１００の外部の電源及び前記複数のブロック回路の少なくとも１つに接続される第２パッド１０４と、を備えている。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

In the cold cathode electron source, in which a cathode electrode including the emitter causing field electron emission and gate electrodes controlling the electron emission from the emitter are spaced apart from each other by interposing an insulating region, an electrode width ratio Wk/Wg between both of the electrodes satisfies an expression of Wk/Wg≤1, wherein Wk represents the electrode width of the cathode electrode and Wg represents that of the gate electrode.例文帳に追加

電界電子放出するエミッタを備えたカソード電極と該エミッタからの電子放出を制御するゲート電極とを絶縁領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、カソード電極の電極幅をＷｋ、ゲート電極の電極幅をＷｇとして、上記両電極の電極幅比Ｗｋ／ＷｇがＷｋ／Ｗｇ≦１の式を満たした構成とする。 - 特許庁

This lithography system projects a patterned radiation beam on the target of a substrate containing a radiation photosensitive layer by a radiation source, a patterning structure and a projection system is provided with a gas flashing system for supplying air from a region between the projection system and the substrate in order to remove gas spread from the target section while the target section is exposed by the patterned radiation beam.例文帳に追加

放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction.例文帳に追加

六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 - 特許庁