「source region」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

A terminal is connected to a p-type pad region 10b formed continuously in the source electrode 7s, the drain electrode 7d and the gate region 9b, and electric characteristics are measured.例文帳に追加

ソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ、ゲート領域９ｂに連続して形成されたｐ型のパッド領域１０ｂに端子を接続させ電気的特性を測定する。 - 特許庁

The ESD protective element is provided with an annular gate electrode 202, an n^+-type drain region 201 formed inside the electrode 202, and an n^+-type source region 203 formed outside the electrode 202.例文帳に追加

保護素子は、リング状のゲート電極２０２、その内側のＮ^＋ドレイン領域２０１、外側のＮ^＋ソース領域２０３、そして、シールド・プレート電極２０４を備えている。 - 特許庁

A conductivity type is applied to the semiconductor layer overlapped with the lower electrode by an electric potential (electric field) of the lower electrode, and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。 - 特許庁

A p-type substrate region 3 and a high-concentration n-type source region 8 are successively formed on n-type drain regions 1 and 2 in a semiconductor substrate S.例文帳に追加

半導体基板Ｓ内におけるＮ型ドレイン領域１及び２の上にＰ型基板領域３及び高濃度Ｎ型ソース領域８が順次形成されている。 - 特許庁

The thin film may also be supplied with irradiating light from the light source emitting light in a visible-light region except an ultraviolet wavelength region when reforming the thin film.例文帳に追加

前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。 - 特許庁

A gate of the switch device 305 is connected with the scan signal line region, a drain is connected with the data signal line region and the pixel electrode is connected with a source of the switch device.例文帳に追加

このスイッチデバイス３０５のゲートはスキャン信号ライン区域に連接し、ドレインは資料信号ライン区域に連接し、画素電極はこのスイッチデバイスのソースに連接する。 - 特許庁

A light source part 3 is arranged at the side of the finger insertion region 5 configured to emit the rays of light transmitted through the finger of the finger insertion region 5, and passing through the lower opening 6.例文帳に追加

光源部３は、指挿入領域５の指を透過し下部開口部６を通過する光を発するような指挿入領域５の側方に配置されている。 - 特許庁

Parasitic capacity between the other terminals B and source potential (VSS) can be reduced, because the region 12 and region 11 are to become a low concentration P-N juction.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１２とＰ型ウェル領域１１とが低濃度ＰＮ接合となるので、他方の端子Ｂとソース電位（ＶＳＳ）間の寄生容量を低減できる。 - 特許庁

The numeric quantity of the capacity cell 5 to be arranged in the block region is determined according to the voltage drop value of the power source trunk line 3 per the divided block region.例文帳に追加

また、ブロック領域に配置する容量セル５の数量を分割したブロック領域毎の電源幹線３の電圧降下値に応じて決定するようにした。 - 特許庁

A second conductive film 20 for forming the source region or the drain region of a plurality of field-effect transistors is formed while the same film is separated into a plurality of regions.例文帳に追加

複数の電界トランジスタのソース領域またはドレイン領域をなす第２の導電性膜２０は、同一の膜を複数の領域に分離して形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises: forming a trench in an insulation layer; adding an impurity to an oxide semiconductor film contacting a top edge corner of the trench; and forming a source region and a drain region.例文帳に追加

絶縁層にトレンチを形成し、トレンチの上端コーナー部と接する酸化物半導体膜に不純物を添加し、ソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In an audio source signal extraction device, a frequency region conversion part converts an audio signal collected by microphone array aligned on two-dimensional plane or one-dimensional straight line into a frequency region signal.例文帳に追加

周波数領域変換部が、二次元平面上又は一次元直線上に配置されたマイクアレーで収音した信号を周波数領域信号に変換する。 - 特許庁

After a body region 320 and a source region 322 are formed, a BPSG film 326 is formed on the gates 308A, 308B followed by formation of a metal film 324.例文帳に追加

ボディ領域３２０とソース領域３２２とが形成された後、ゲート３０８Ａ、３０８Ｂ上にＢＰＳＧ膜３２６が形成され、金属膜３２４が形成される。 - 特許庁

In addition, simultaneously as the drain/source regions 40, 41 of the P-MOS transistor, an emitter region 49 and an electrode extraction part 48 of a collector region of the bipolar transistor are formed.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳトランジスタのドレイン／ソース領域４０，４１と同時に、バイポーラトランジスタのエミッタ領域４９及びコレクタ領域の電極取り出し部４８が形成される。 - 特許庁

The n-type drain region 21 is arranged at the center part of the semiconductor layer 13, and the p-type source region 31 is arranged (expanded) toward an edge of the semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域２１は、半導体層１３の中央部に配置されており、ｐ型ソース領域３１は、半導体層１３の端縁部にまで配置（延設）されている。 - 特許庁

On the semiconductor film 13, a conductive film is formed which covers the channel protective layer 14 in plan view and overlaps the source region 13s and drain region 13d in plan view.例文帳に追加

次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。 - 特許庁

A conductor film 8 and the source/drain diffusion layer 14 are connected electrically together through the intermediary of a contact region formed on the upper sidewall of the trench region 6.例文帳に追加

導電体膜８およびソース・ドレイン拡散層１４は、トレンチ領域６の側壁上部に形成されたコンタクト領域を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

An SiC film 20 whose thermal conductivity is higher than that of the silicon oxide film is formed, just above the MOS transistor over a part between the drain region 14 and the source region 13.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ直上には、シリコン酸化膜より熱伝導率の高いＳｉＣ膜２０が、ドレイン領域１４とソース領域１３の間にまたがって形成される。 - 特許庁

P-type base regions 14 are formed in the surface region of the drift region 13, and further, N^+-type source regions 5 are formed in the surface regions of the base regions 14.例文帳に追加

ドリフト領域１３の表面領域にＰ型のベース領域１４を形成し、さらに、ベース領域１４の表面領域にＮ^＋型のソース領域１５を形成する。 - 特許庁

The first low-concentration doped region having the second conductivity is formed in the first conductive substrate, and between the gate and the second conductive source region.例文帳に追加

前記第二導電性を持つ第一の低濃度ドープ領域は前記第一導電性の基板中、前記ゲートと前記第二導電性のソース領域との間に形成される。 - 特許庁

In this light source apparatus, a cutoff wavelength of the color demultiplexer is a wavelength in the fluorescence wavelength region of the phosphor, and is shorter than the red wavelength region.例文帳に追加

この光源装置において、前記色分離手段のカットオフ波長は、前記蛍光体波長域の波長であると共に、前記赤色の波長域よりも短波長である。 - 特許庁

A source region 3 and a drain region 4 formed on a semiconductor substrate 2 and a gate electrode 6 formed on the semiconductor substrate 2 constitute an MOSFET.例文帳に追加

半導体基板２に形成されたソース領域３およびドレイン領域４と、半導体基板２上に形成されたゲート電極６とは、ＭＯＳＦＥＴを構成する。 - 特許庁

An impurity region 28 of a source-drain region is formed on the semiconductor substrate 11 on both sides of the gate electrode 24 by use of the ion implantation mask 20.例文帳に追加

そのイオン注入マスク２０を用いてゲート電極２４の両側の半導体基板１１にソース・ドレイン領域の不純物領域２８を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A source-drain region 108 is formed by forming an n+high concentration impurity region 107 by the ion implantation using the gate electrode side wall 104 as the ion implantation mask.例文帳に追加

このゲート電極側壁１０４等をイオン注入マスクとして、ｎ＋高濃度不純物領域１０７をイオン注入で形成し、ソース・ドレイン領域１０８を形成する。 - 特許庁

It is preferable that an oxygen-excess oxide semiconductor layer is used as a semiconductor layer and an oxygen-deficient oxide semiconductor layer is used as a source region and a drain region.例文帳に追加

好ましくは、半導体層として酸素過剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。 - 特許庁

By utilizing the optical filter island 222, a source region 214 and a drain region 218 are formed self-aligningly in a semiconductor structure 200 by applying laser doping technique.例文帳に追加

この光学フィルタアイランド２２２を利用して、レーザドーピング法を用いて、半導体構造２００にソース領域２１４とドレイン領域２１８を自己整合的に形成する。 - 特許庁

The source region 8 and the drain region 9 do not overlap with the gate electrode 5, and are formed away from the end part of the gate electrode 5 by several μm or more (3 μm, for instance).例文帳に追加

ソース領域８及びドレイン領域９はゲート電極５とオーバーラップせず、ゲート電極５の端部から数μｍ以上（例えば、３μｍ）離間して形成されている。 - 特許庁

In the well region 11, an N- type source/drain region 151 is stretched from below the N+ type parts 131 on both sides of the gate electrode 13 to below a side wall insulating film 14.例文帳に追加

ウェル領域１１においてゲート電極１３両端のＮ^+ 型部分１３１下から側壁絶縁膜１４下に亘ってＮ^- ソース，ドレイン領域１５１が延在している。 - 特許庁

To enable a source region, a drain region, and other impurity diffusion regions to be reduced in resistance by applying a quick means in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。 - 特許庁

The source/drain regions of the first MIS transistor are not in contact with the element separation region 2 positioned at the edge in the lengthwise direction of the gate in the first active region 21a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタのソース／ドレイン領域は、第１の活性領域２１ａにおけるゲート長方向の端部に位置する素子分離領域２に接していない。 - 特許庁

A gate electrode 39 consisting of polysilicon is formed on the base region 35 between the silicon layer 33 and source region 37 via a thin silicon oxide 38.例文帳に追加

シリコン層３３とソース領域３７との間のベース領域３５上に薄いシリコン酸化膜３８を介してポリシリコンからなるゲート電極３９が形成される。 - 特許庁

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed.例文帳に追加

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。 - 特許庁

A source/drain region and a doping layer with high concentration are separated to weaken the electric field of pn-junction by locally forming the doping layer only in the trench region.例文帳に追加

ドーピング層をトレンチ領域にのみ局部的に形成することにより、ソース／ドレーン領域と高濃度のドーピング層とを互いに分離してｐｎ接合の電界を弱化させる。 - 特許庁

An insulating layer 16 arranged between a source region 17 and a drain region 18 is an oxynitride formed by oxidizing the coating layer 15 covering the GaN layer 14.例文帳に追加

ソース領域１７とドレイン領域１８の間に位置する絶縁層１６は、ＧａＮ層１４を被覆する被覆層１５を酸化して形成された酸窒化物である。 - 特許庁

A dummy conductive layer DC is formed on the insulation layer FO between the field plate FP and the drift region DR and electrically connected to the source region.例文帳に追加

ダミー導電層ＤＣは、フィールドプレートＦＰとドリフト領域ＤＲとの間において絶縁層ＦＯ上に形成され、かつソース領域に電気的に接続されている。 - 特許庁

Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加

また、ソース、ドレイン領域１１２の積み上げ拡散層１１２１の幅がゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁

Subsequently, an impurity implanting process is performed, and the source region S and the drain region D of the thin film transistor are formed by selectively implanting impurities.例文帳に追加

続いて注入工程を行い、半導体薄膜２に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する。 - 特許庁

The source region 12 of the first semiconductor element 1 and the drain region 21 of the second semiconductor element 2 are commonly connected to a terminal 44 of output Vout.例文帳に追加

また、第１の半導体素子１のソース領域１２と、第２の半導体素子２のドレイン領域２１とが共通に、出力Ｖｏｕｔ の端子４４に接続される。 - 特許庁

A metallic plasma chamber 100 used along with a toroidal low-electric-field plasma source includes a first dielectric region 108 and a second dielectric region 110.例文帳に追加

トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。 - 特許庁

On a first source-drain region 113 and a first gate electrode 117 of a first transistor 114 in the DRAM region 104, a cobalt silicide layer 115 is prepared.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域１０４中の第一トランジスタ１１４の第一ソース・ドレイン領域１１３および第一ゲート電極１１７上にコバルトシリサイド層１１５が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a gate electrode 1, gate insulation film 2, sidewall insulation film 3, source region 4, drain region 5, air gap 6, silicide 7 and semiconductor 8.例文帳に追加

半導体装置はゲート電極１、ゲート絶縁膜２、サイドウォール絶縁膜３、ソース領域４、ドレイン領域５、エアギャップ６、シリサイド７、半導体８を備えている。 - 特許庁

By implanting ions (e.g. arsenic) from above the silicon nitride film 10, upper surfaces of the gate electrode 4, the source region 6 and the drain region 7 are made an amorphous state.例文帳に追加

更に、このシリコン窒化膜１０の上方からイオン（例えばヒ素）を注入することで、これらゲート電極４や、ソース領域６、ドレイン領域７上面をアモルファス化する。 - 特許庁

On the electron supply layer, a protection film (35) is formed which covers a region between the source electrode and the gate electrode as well as a region between the drain electrode and the gate electrode.例文帳に追加

電子供給層の上に、ソース電極とゲート電極との間の領域、及びドレイン電極とゲート電極との間の領域を覆う保護膜(35)が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 5 of the thin film transistor is formed on the polysilicon film 4 having the source region 4a and the drain region 4b of the thin film transistor inside.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを内部に有するポリシリコン膜４上には、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

A first spacer layer 26 is formed between the source and the gate above the active region, and a second spacer layer 28 is formed between the drain and the gate above the active region.例文帳に追加

第１のスペーサ層２６が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第２のスペーサ層２８が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。 - 特許庁