「source region」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

The high-voltage transistor having a low ON-state resistance and keeping a high voltage in an OFF state is equipped with one or more source regions arranged near to a multilayered extended drain structure, and the multilayered extended drain structure contains an extended drift region separated from a field plate member by one or more dielectric layers.例文帳に追加

低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。 - 特許庁

Probe light from a monochromatic light source 1 is incident to a transient lattice generated in a substance 10 to be measured so as to satisfy Bragg conditions, and hence signal light diffracted by the substance to be measured is spectrally resolved by a spectroscope 4, and the wide wavelength region is simultaneously measured by a detector 5.例文帳に追加

そして、被測定物質１０中で生じた過渡格子に単色光源１からのプローブ光をブラッグ条件を満足するように入射することにより、分光器４で被測定物質により回折された信号光をスペクトル分解し、検出器５により広い波長領域を同時に測定する。 - 特許庁

This field-effect transistor includes a source 43 formed in the sidewall of a trench, a drain 42 formed in the semiconductor main body and provided with a surface in common with the upper face of the semiconductor main body, a channel region including both vertical and horizontal parts, and a polycrystalline silicon gate at the upper part of the trench.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、トレンチの側壁内に形成されたソース４３、半導体本体内に形成された、そして半導体本体の上面と共通の表面を有するドレイン４２、及び垂直と水平の両方の部分を含むチャネル領域、及びトレンチの上部の多結晶シリコンゲートとを含んでいる。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

In the laser light source having an active layer and a two-dimensional photonic crystal layer, a different refractive index region assembly 25 comprised of a first hole 251 and a second hole 252 smaller in area and thickness than the first hole 251 is arranged in a tetragonal lattice to form the two-dimensional photonic crystal layer 24.例文帳に追加

活性層と２次元フォトニック結晶層を有するレーザ光源において、第１空孔２５１と、第１空孔２５１よりも面積が小さく厚さが薄い第２空孔２５２と、から成る異屈折率領域集合体２５を正方格子状に配置することにより２次元フォトニック結晶層２４を形成する。 - 特許庁

The radiation source, which comprises pn junction arranged on a substrate, used for lithography can discharge UV or DUV radiation in such a way that avalanche breakdown is generated by reversely biasing the pn junction, and electrons accelerated in n-type region of the pn junction is decelerated.例文帳に追加

基板上に配置されたｐｎ接合を備えた放射源であって、前記ｐｎ接合を逆バイアスしてなだれ降伏を生じさせ、前記ｐｎ接合のｎ型領域中に加速された電子の減速によってＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射を放出させることができる、リソグラフィに使用するための放射源である。 - 特許庁

While forming a sidewall 107 for covering the sidewall of the gate electrode 105 by etching back the insulating film, an almost horizontal engraved surface is formed to the element formation surface in a region for forming the source and drain regions 109 of the side of the sidewall 107 by carrying out the etching removal of the element formation side of the silicon substrate 101.例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１０５の側壁を覆うサイドウォール１０７を形成するとともに、サイドウォール１０７の側方のソース・ドレイン領域１０９が形成される領域において、シリコン基板１０１の素子形成面をエッチング除去し、素子形成面に略水平な掘り下げ面を形成する。 - 特許庁

Since the power source voltage Vdd is impressed to the n-type semiconductor substrate 11 via an electrode 22, a current easily flows to the leak path due to the rectifying action of diode when an external input is applied and thereby breakdown of the second easy breakdown region 17b for the purpose other than the programming can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１１には電極２２を介して電源電圧Ｖｄｄが印加されているため、外部入力があった場合ダイオードの整流作用からリークパス部を電流が流れやすくなり、プログラミング目的以外で第２易破壊領域１７ｂが破壊されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

A first TFT 43 and a second TFT 44, adjacent to each other in a first direction A1 in which signal wiring 35 extends, share a source region 23 integral with one semiconductor piece 22 and electrically connected to the signal wiring 35, and are formed symmetrically with respect to a reference plane P1.例文帳に追加

信号配線３５の延びる第１方向Ａ１に隣接する２つの第１ＴＦＴ４３および第２ＴＦＴ４４が、１つの半導体片２２に一体にして、信号配線３５に電気的に接続されるソース領域２３を共有するとともに、基準平面Ｐ１に関して対称な形状に形成される。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition for exposure with far UV adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source in production of a semiconductor device, ensuring improved dimensional uniformity of a resist pattern and excellent also in various properties as a resist, such as resolving power, focal depth and development defects.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、レジストパターンの寸法均一性が改善され、さらに解像力、焦点深度、現像欠陥などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

The illumination device uses an oscillation laser as a light source to illuminate a specified illumination region with a luminus flux at ≤180 nm wavelength and is equipped with an optical member made of a magnesium fluoride crystal which generates a different polarization state of the beam with respect to the plane perpendicular to the optical axis.例文帳に追加

本発明の一側面としての照明装置は、発振レーザーを光源として波長１８０ｎｍ以下の光束を用いて所定の照明領域を照明する照明装置であって、弗化マグネシウム結晶より成形され、光軸と垂直な面内に関し前記光束の偏光状態を異ならせる光学部材を有する。 - 特許庁

In a TFT section of one pixel region 115 partitioned by a gate line 125 and a source line 127 of the substrate for the display device, a gate insulating film 3 and a first semiconductor film 4 are formed so as to be contained in the first metal film 2 of the gate electrode formed on the substrate 1.例文帳に追加

表示装置用基板のゲート線１２５およびソース線１２７で区画された１つの画素領域１１５のＴＦＴ部において、基板１上に形成されたゲート電極たる第１の金属膜２内に収まるようにゲート絶縁膜３および第１の半導体膜４が形成されたものである。 - 特許庁

To provide a positive type silicone-containing photosensitive composition adaptable to exposure in the far UV region with ArF or KrF as a light source in the production of a semiconductor device, having high resolving power and giving a resist pattern excellent in density dependency and margin for exposure particularly in a fine pattern of ≤0.18 μm.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、更に、特に０．１８μｍ以下の微細パターンにおける疎密依存性、および露光マージンに優れたレジストパターンを与えるポジ型シリコーン含有感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

Since total auxiliary capacitance can be increased by a capacitance portion formed between the source region and the auxiliary capacitance lines in addition to auxiliary capacitance formed between the auxiliary capacitance lines and the pixel electrodes, the area of the auxiliary capacitance lines can be reduced by that portion, and the aperture ratio is improved.例文帳に追加

補助容量線と画素電極との間に形成される補助容量に加え、ソース領域と補助容量線との間で形成される容量分だけ総補助容量を増加させることが可能となるため、その分だけ補助容量線の面積を縮小することができ、開口率が向上する。 - 特許庁

A plurality of trenches T reaching the N-type drain region 2a through the low-concentration P-type body regions 3 from the upper surfaces of the N-type source regions 4 and the high-concentration P-type body regions 5, and extending in the same direction while repeating recesses and projections in top view are formed, and the gate electrodes 7 are embedded in the trenches T.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域４および高濃度Ｐ型ボディ領域５の上面から低濃度Ｐ型ボディ領域３を貫通してＮ型ドレイン領域２ａに達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチＴが形成されており、ゲート電極７はトレンチＴに埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a positive type silicon-containing photosensitive composition adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source and having high resolving power in the production of semiconductor device and giving a resist pattern excellent in density dependency particularly in a fine pattern of ≤0.18 μm and in margin for exposure.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、更に、特に０．１８μｍ以下の微細パターンにおける疎密依存性、および露光マージンに優れたレジストパターンを与えるポジ型シリコン含有感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: second-conductive-type drift regions that are formed in a first-conductive-type well region formed in a semiconductor substrate 100 so as to be spaced apart from each other; vertical regions 320 that are protruded from the drift regions 310; and second-conductive-type source/drain regions 600 that are formed on the vertical regions.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１００に形成された第１導電型ウェル領域に相互離隔して形成される第２導電型ドリフト領域、ドリフト領域３１０上に突起されるバーティカル領域３２０、及びバーティカル領域上に形成される第２導電型ソース／ドレイン領域６００を含む。 - 特許庁

A laser beam emitted from a laser source 101 is transformed into a linear laser beam with a cylindrical lens 104 or the like, the intensity and the focal point of the laser beam are adjusted to adjust the temperature of a region irradiated with the laser beam, thus the lump processing of coat removing, cutting and fusion connection of coated optical fiber 106 is performed.例文帳に追加

レーザ光源１０１からのレーザビームをシリンドリカルレンズ１０４等により一直線状のレーザビームとし、このレーザビームの強度と焦点を調整して、レーザビームの照射領域の温度調節を行うことにより、テープ心線１０６の被覆除去、切断、融着接続を多心一括で行う。 - 特許庁

To provide a CMOS integrated circuit, which that has a plurality of row region portions 2 arranged longitudinally and laterally and includes a plurality of wiring layers and in which interlayer wiring lines are connected via a via, capable of having higher wiring efficiency, a smaller chip size, and improved working speed by improving the patterns of a power source and a ground.例文帳に追加

複数のロウ領域部２が縦横に配置され、複数の配線層を備え、層間配線がヴィアを介して接続されたＣＭＯＳ集積回路において、電源、接地のパターンを改良し、配線効率を上げ、チップサイズを小さくでき、動作速度を向上できる集積回路を提供する。 - 特許庁

A channel region 8, in which a distance between a source electrode 6 and a drain electrode 7 is defined as a channel length L and a direction orthogonal to the direction of the channel length L is defined as a channel width W, is disposed in an organic semiconductor layer 5 and a direction parallel with the direction of the channel length L is defined as a strain detection direction to detect a strain.例文帳に追加

ソース電極６とドレイン電極７との間の距離をチャネル長Ｌ、このチャネル長Ｌの方向と直交する方向をチャネル幅Ｗとするチャネル領域８を有機半導体層５内に設け、チャネル長Ｌの方向と平行方向を歪検出方向として、歪みを検知することを特徴とする。 - 特許庁

A lens for illumination or an auxiliary light source is installed only in a region outside the image focusing system visual field of the component recognition camera and a corresponding range to a surface inclination angle (lead tip inclination angle) of an observation object is expanded by guiding illumination light of an angle which does not reach the component surface in a conventional optical system.例文帳に追加

部品認識カメラの結像系視野外の領域にのみ照明用のレンズ、もしくは補助光源を設置し、従来光学系では部品表面まで到達しなかった角度の照明光を部品表面に導くことにより、観察対象の表面傾き角（リード先端傾き角）への対応範囲を拡大する。 - 特許庁

Consequently, even if an amount of sinking of an upper surface of the vertical gate electrode 19 or an upper surface of a buried insulating film 20 from a surface of the source region 21 varies in a manufacturing process, it is possible that the threshold voltage does not vary, and the impurity concentration can be reduced to easily obtain the low threshold voltage.例文帳に追加

これによって、縦型ゲート電極１９の上面または埋め込み絶縁膜２０の上面の、ソース領域２１表面からの落ち込み量が製造工程でばらついても閾値電圧が変動しないようにでき、また不純物濃度を低減させて容易に低閾値電圧を得ることができる。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition for exposure with far UV adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source, ensuring improved line edge roughness and excellent also in various characteristics as a resist such as resolving power, resist shape and the depth of a focus when a semiconductor device is produced.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、ラインエッジラフネスが改善され、さらに解像力、レジスト形状、焦点深度などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

As nucleic acid strand (111) passes through opening (118) which serves as the gate electrode region, the charge representative of a nucleic acid base (adenine, thymine, guanine, or cytosine) modifies the current flowing between source (106) and drain (104) via channel (119) by modifying the electric field therebetween and is measured by ammeter (114).例文帳に追加

核酸鎖（１１１）がゲート電極領域となる開口部（１１８）を通過すると、核酸塩基（アデニン、チミン、グアニン、またはシトシン）を表す電荷が、チャネル（１１９）を介してソース（１０６）およびドレイン（１０４）間を流れる電流をその間の電界を変えることによって変え、電流計（１１４）によって測定される。 - 特許庁

To provide a plasma light source and a plasma light generating method which can shorten the radiation cooling time of the excitation level to emit EUV light of a valid wavelength region (in the vicinity of 13.5 nm) and to radiate input power as EUV light in a shorter time, and which can enhance utilization efficiency of EUV light.例文帳に追加

有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発する励起準位の輻射冷却時間を短縮して、入力パワーをより短時間でＥＵＶ光として放射させることができ、かつＥＵＶ光の利用効率を高めることができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

The device for visualizing an electromagnetic wave generation source includes four antennas arranged in two pairs on an X-axis and a Y-axis perpendicular to each other or three antennas one of which is shared by the others; an image camera for photographing scenery of a measurement target region; a detection part for detecting an antenna signal; a signal-processing and analyzing part; and a display part.例文帳に追加

本発明は、直交するＸ軸及びＹ軸上に配置した２対の４つのアンテナ、或いは１つのアンテナを共用した３つのアンテナと、測定対象領域の風景を写す画像カメラと、アンテナ信号を検出する検出部と、信号処理及び解析部と、表示部とを有する。 - 特許庁

A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) device, having a metal silicide contact which is durable against high-temperature annealing used for activating the source-drain region of the device is provided by adding at least an alloy element to an initial metal layer used for forming the silicide.例文帳に追加

デバイスのソース・ドレイン領域を活性化するのに使用される高温アニールに耐える金属シリサイド・コンタクトを有する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスが、シリサイドを形成するのに使用される初期の金属層に対して少なくとも１つの合金元素を追加することによって提供される。 - 特許庁

Then impurities are introduced in source-drain regions 12 and 13, and annealing processing for activating those impurities is used to diffuse aluminum contained in the aluminum-containing titanium nitride film 8 up to an interface between the silicon oxide nitride film 5 and hafnium nitride silicate film 7 in the pMOS region R_pMOS.例文帳に追加

次に、ソース・ドレイン領域１２及び１３に不純物を導入し、これらの不純物を活性化させるアニール処理を利用して、アルミニウム含有窒化チタン膜８中に含まれるアルミニウムを、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳにおけるシリコン酸窒化膜５と窒化ハフニウムシリケイト膜７との界面まで拡散させる。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

To provide a positive-type photosensitive composition for exposure with far-UV, adaptable to exposure in the far UV region with ArF or KrF as a light source in the production of a semiconductor device, ensuring improved line edge roughness and excellent in various characteristics as a resist, such as resolving power, resist shape and the depth of a focus.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、ラインエッジラフネスが改善され、さらに解像力、レジスト形状、焦点深度などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

The inspection apparatus comprises: a light source 105 for emitting the sensed light; a light-receiving element 111 for receiving the sensed light reflected by the sensor region 211 and sensing its intensity; and a linear guide 103 for making the sensing element 111 move in a direction orthogonal to the optical axis of the sensed light entering the prism 202.例文帳に追加

検出光を出射する光源１０５と、センサ部位２１１によって反射された検出光を受光してその強度を検出する受光素子１１１と、検出素子１１１をプリズム２０２に入射する検出光の光軸に対して直交する方向に移動させるリニアガイド１０３とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

The latch circuit includes a transistor 10 having a channel region formed of an oxide semiconductor (OS), and holds data at a node 11 electrically connected to an output terminal (Q terminal) and to one of the source and drain of the transistor 10 and brought to a floating state when the transistor 10 is turned off.例文帳に追加

ラッチ回路は、酸化物半導体（ＯＳ）によってチャネル領域が形成されるトランジスタ１０を有し、出力端子（Ｑ端子）並びにトランジスタ１０のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、且つトランジスタ１０がオフ状態となることによって浮遊状態となるノード１１においてデータを保持する。 - 特許庁

To provide a light source device for an endoscope which is capable of obtaining an image of high precision without reducing the quantity of light of a specific wavelength region of white illumination light during both of special light observation and usual observation, and capable of brightening the whole of the image to thereby enable high-degree diagnosis.例文帳に追加

特殊光観察及び通常観察の両方の観察の際に、白色照明光の特定波長域の光量が低減することなく、高精度な画像を得ることができ、かつ画像全体を明るくすることができ、これにより、高度な診断を可能にする内視鏡用光源装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of semiconductor particles or metal particles is equipped with a crucible in which at least a region near the nozzle hole is made of zirconia or stabilized zirconia and with a gas source which supplies the pressurizing gas consisting of at least one kind selected from a group comprising He, Ne, Ar, Kr and Xe.例文帳に追加

少なくともノズル孔付近が、ジルコニアおよび安定化ジルコニアのうちの少なくとも一種の材料からなる坩堝、ならびに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群より選ばれた少なくとも一種からなる加圧用ガスを供給するガス源を有する半導体粒子または金属粒子の製造装置。 - 特許庁

This active substrate is provided with a semiconductor layer projection part 12A, projected from an extension part 12 by extending a semiconductor layer constituting the drain region of a TFT 4 and a gate metal projection part 7 formed by the same metal layer and in the same process as that of a gate busline 1 so that it is connected to a source busline 2 via a contact hole part 2A.例文帳に追加

ＴＦＴ４のドレイン領域を構成する半導体層を延在させた延在部１２から突出した半導体層突出部１２Ａを設け、ソースバスライン２にコンタクトホール部２Ａを介して接続されるようにゲートバスライン１と同じ金属層で同一工程で形成されたゲートメタル突出部７を設ける。 - 特許庁

In the method for determining a drive current value for a laser light source, first, light for data erasing having a light intensity, which is larger than a power level of a first light intensity and smaller than a power level of a third light intensity, is continuously projected onto a region where trial writing for determining an optimum value of the third light intensity is performed.例文帳に追加

本発明のレーザ光源駆動電流値決定方法では、先ず第３の光量の最適値を決定するための試し書きを行う領域に対して第１の光量のパワーレベルよりは大きく、第３の光量のパワーレベルよりは小さい情報消去用の光量を連続的に照射する。 - 特許庁

An irradiated range on a surface of a workpiece is modulated by modulating an irradiation state of a pulse laser beam from a light source, thereby a region to be machined which has a continuous part in a first direction and in which a state of a cross section vertical to the first direction changes in the first direction is formed.例文帳に追加

光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。 - 特許庁

A light sensitive section composed of a single thin-film transistor is formed in a region defined by a scan line transmitting a scan signal swinging at a specified level, a power source line to which a bias voltage is applied and a readout line and outputs a light sensing signal on the basis of the scan signal and bias voltage by incidence of an external light.例文帳に追加

１つの薄膜トランジスタで構成される光感知部は、一定レベルでスウィングするスキャン信号を伝達するスキャンライン、バイアス電圧が印加される電源ライン、読み出しラインにより定義される領域に形成され、外部光の入射によりスキャン信号とバイアス電圧に基づいて光感知信号を出力する。 - 特許庁

This transparent member is positioned between a light source and a script in an image reader which optically reads a delivered script, and a transparent electroconductive film is formed on the opposite side of the surface on which the script is in contact (paper passing surface), and there is a region having different surface resistance in the transparent electroconductive film.例文帳に追加

搬送原稿を光学的に読み取る画像読取装置の、光源と原稿との間に位置する透明部材であって、透明部材の原稿と接する面（通紙面）と反対の面に透明導電膜が形成されており、かつ、透明導電膜に表面抵抗が異なる領域が存在することを特徴とする透明部材。 - 特許庁

To prevent formation of a void in a trench and to simultaneously realize a low ON resistance and a high withstand voltage, in a trench lateral power MOSFET (TLPM) having a gate electrode formed in the trench of two layers, a drain electrode and a source electrode formed in the upper and lower parts of the trench and an extended drain region formed in the lateral wall part of the trench.例文帳に追加

２段のトレンチ内に形成されたゲート電極と、トレンチの上下に形成されたドレイン電極、ソース電極と、トレンチの側壁部に形成された拡張ドレイン領域を有するトレンチラテラルパワーＭＯＳＦＥＴ（ＴＬＰＭ）において、トレンチ内のボイドの形成を防止し、低オン抵抗化、高耐圧を同時に実現する。 - 特許庁

In the reflecting surface 24a of a reflector 24, a part of a reflective region 24a1 contributing to formation of the opposing lane side horizontal cutoff line of a light distribution pattern for the low beam is formed as a reflecting surface 24e for condensation to reflect light from a light source 22a toward the vicinity of the rear side focus F of a projection lens 28.例文帳に追加

リフレクタ２４の反射面２４ａにおいて、ロービーム用配光パターンの対向車線側の水平カットオフラインの形成に寄与する反射領域２４ａ１の一部を、光源２２ａからの光を投影レンズ２８の後側焦点Ｆ近傍へ向けて反射させる集光用反射面２４ｅとして構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ultra-violet light polarizing light source device wherein a polarizing film including materials showing dicroism in an ultra violet region, an optical filter for cutting the ultra-violet light of a short wavelength and an ultra-violet light irradiation device are combined together, is provided with a light shielding slit between the polarizing film and the ultra-violet light irradiation device.例文帳に追加

紫外領域において二色性を示す物質を含有する偏光フィルムと、短波長の紫外線をカットする光学フィルターと、紫外線照射装置とを組合せた紫外線偏光光源装置であって、前記偏光フィルムと紫外線照射装置との間に遮光スリットを備えている紫外線偏光光源装置。 - 特許庁

The distribution of concentration of first conductivity-type impurities in the depth direction contained in the high-concentration n-type source region 8 located by the side of the trench T is that a first peak concentration point is located by the surface of a substrate, and a second peak concentration point higher in concentration than the first concentration point is located deeper than the first peak concentration point.例文帳に追加

トレンチＴの側方に位置する高濃度Ｎ型ソース領域８の深さ方向における第１導電型（Ｎ型）不純物の濃度分布は、基板表面側に第１のピーク濃度を有すると共に前記第１のピーク濃度よりも深い位置に第１のピーク濃度よりも高濃度の第２のピーク濃度を有する。 - 特許庁