「selective diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion layer 4 of the selective transistor is connected to a bit line or capacitor through a third contact C3.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層４は第３コンタクトＣ３を介してビット線あるいはキャパシタに接続される。 - 特許庁

In a CO selective oxidation apparatus 830, there are provided a diffusion region 832 into which a reformed gas after CO conversion and a CO selective oxidation reaction region filled with a CO selective oxidation catalyst in communication with each other.例文帳に追加

ＣＯ選択酸化器830の内部に、ＣＯ変成後の改質ガスが流入する拡散領域832およびＣＯ選択酸化触媒を充填するＣＯ選択酸化反応領域をそれぞれ連通して設ける。 - 特許庁

The diffusion bit line 20, the forward diode, and the source of the selective transistor 25 are electrically connected mutually.例文帳に追加

拡散ビット線２０、順方向ダイオード及び選択トランジスタ２５のソースが互いに電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a method of applying a diffusion aluminide coating partially to a selective region more simply and conveniently.例文帳に追加

本発明は、より簡便に選択的領域に部分的にアルミニウムの拡散コーティングを施工する方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a diffusion layer for photovoltaics, easily forming the diffusion layer for photovoltaics using a selective emitter, and also to provide a method for manufacaturing of solar cell.例文帳に追加

選択エミッタを用いた太陽電池用拡散層を容易に形成することが可能な太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法を得る。 - 特許庁

The second clad layer 6 has a p-type impurity selective diffusion region 7 formed by selectively diffusing Zn.例文帳に追加

また、第２クラッド層６は、Ｚｎが選択拡散されることによって形成されたｐ型の不純物選択拡散領域７を有している。 - 特許庁

Reduced copper diffusion and improved electromigration lifetime result, and the use of selective metal capping techniques and their attendant yield problems are avoided.例文帳に追加

銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。 - 特許庁

To form micro protrusions in a part other than the lower part of a surface electrode and to form a structure similar to that formed by selective impurity diffusion.例文帳に追加

表面電極の下部以外の部分に微小な突起を生産性よく形成するとともに、選択的不純物拡散と同様な構造を形成する。 - 特許庁

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment.例文帳に追加

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。 - 特許庁

An optical signal inputted from an input terminal 10 is coupled with exciting light by a wavelength selective optical coupler 40 and made incident on a diffusion compensated fiber (DCF) 100.例文帳に追加

入力端１０から入力された信号光は、波長選択性光カプラ４０で励起光と結合されＤＣＦ１００に入射する。 - 特許庁

To provide an efficient method for applying diffusion aluminide coating on a selective area of a turbine engine component, which causes little camber or deformation of the component.例文帳に追加

エンジン部品の選択的領域に拡散アルミナイド皮膜を施工するための、部品の反り又は変形が少なく、無駄の少ない方法の提供。 - 特許庁

The solar cell comprises a selective donor element diffusion region 131A and an electrode 133 formed by using the paste composition for electrode formation.例文帳に追加

また、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成した選択的なドナー元素拡散領域１３１Ａ及び電極１３３を有する太陽電池セルである。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed, the film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method.例文帳に追加

また、フォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、その膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなう。 - 特許庁

To provide a method for surely selecting an optimum antenna from a plurality of receiving antennas in a short time in a selective diversity of a spectrum diffusion communication.例文帳に追加

スペクトル拡散通信の選択ダイバーシチにおいて、複数の受信アンテナの中から最適なアンテナを短時間で確実に選択する方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

PMOS contact holes 20 are formed on the source/drain diffusion layer in a silicon substrate 11 of a PMOS transistor having a selective growth layer 15 formed on the surface.例文帳に追加

選択成長層１５が表面に形成されたＰＭＯＳトランジスタのシリコン基板１１内のソース／ドレイン拡散層上に、ＰＭＯＳ用コンタクトホール２０を形成する。 - 特許庁

Even if the CO converter 810 and the CO selective oxidation apparatus 830 are not heated with an electric heater, it is possible to prevent the catalyst from getting wet to be deteriorated by storing the water which is obtained, for example, by condensing the water vapor in a gas diffusion region 812 and a diffusion region.例文帳に追加

電気ヒーターにてＣＯ変成器810およびＣＯ選択酸化器830を加熱しなくても、仮に水蒸気が凝縮した水はガス拡散領域812および拡散領域で貯留させ、触媒が濡れて劣化することを防止できる。 - 特許庁

To provide a solid imaging device and the manufacturing method thereof wherein the optical reflection caused by the difference between the refractive index of a wiring interlayer film and the one of a metal-diffusion preventing film is reduced, without the conventional selective removal of the metal-diffusion preventing film disposed above a sensor portion, and the diffusion of its metal wiring to its semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法（深さ）を十分に短縮し，且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁

The impurity selective diffusion region 7 is composed of a first region 7b formed to the lower section of a contact section 7a (a p-side electrode 11) and second regions 7c excepting the first region 7b.例文帳に追加

この不純物選択拡散領域７は、コンタクト部７ａ（ｐ側電極１１）の下方に形成された第１領域７ｂと、第１領域７ｂ以外の第２領域７ｃとから構成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing ELO (Epitaxial Lateral Over Growth) in which high breakdown voltage characteristics are realized by growing high purity GaN while suppressing diffusion of Si from a selective mask material.例文帳に追加

ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Over Growth）を用いる半導体装置において、選択マスク材料からＳｉの拡散を抑えつつ高純度のＧａＮを成長させて、高耐圧特性を有する半導体素子を実現する。 - 特許庁

A color reproducing range is more improved by ≥5% by using the diffusion film containing at least dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 440nm to 510nm and/or dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 570nm to 605nm at least in any one of a diffusion layer, base material and a back coat layer for the liquid crystal display device.例文帳に追加

少なくとも、４４０ｎｍから５１０ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素、及び／または５７０ｎｍから６０５ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素を、拡散層、基材及びバックコート層の少なくともいずれか１つに含有させた拡散フィルムを液晶表示装置表示装置に用いることにより、色再現範囲を５％以上向上することが可能である。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).例文帳に追加

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁

To obtain a photovoltaic device having a diffusion layer structure similar to a selective emitter structure capable of reducing connection resistance of a light reception face side electrode while increasing resistance of a light reception face, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

受光面を高抵抗化しつつ受光面側電極の接続抵抗を低減可能な選択エミッタ構造に類似の拡散層構造を有し、光電変換効率に優れた光起電力装置を得ること。 - 特許庁

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 - 特許庁

To form a source region, drain region and selective oxide film of a MOSFET in a self-aligned manner, and at the same time to perform drive diffusion for forming the source region and the drain region of a MOSFET and the base region of an npn transistor.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域および選択酸化膜をセルフアライン（自己整合）で形成し、且つ、ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域とｎｐｎトランジスタのベース領域を形成するためのドライブを同時に行う。 - 特許庁

A low resistant impurity including layer is formed by diffusion in the area to which a laser diode of a silicon substrate is fixed, thereafter the impurity including layer is removed by selective etching, and a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed.例文帳に追加

シリコン基板のレーザダイオードを固定する領域に低抵抗の不純物含有層を拡散により形成しておき、選択的エッチングで不純物含有層を除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a diffusion plate 11, a prism sheet 12, a retardation plate 13, a selective reflection polarizing plate 14, a first panel side polarizing plate 15, a liquid crystal panel 16 and a second panel side polarizing plate 17, in this order from the side nearest a light source 10.例文帳に追加

光源１０に近い側から順に、拡散板１１と、プリズムシート１２と、位相差板１３と、選択反射偏光板１４と、第１パネル側偏光板１５と、液晶パネル１６と、第２パネル側偏光板１７とを備えている。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加

酸素電極２０を、集電体２１上の拡散層２２および触媒層２３の積層構造とし、触媒層２３には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム（Ｐｄ）、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁

In addition to a method for delivering chemical therapeutic agents or bioactive substances to the tissue or organ of a mammal by means of a selective and protective diffusion mechanism through the surgically implanted device, a method for achieving sealability of the device is also provided.例文帳に追加

外科的に移殖された装置を介して選択的かつ保護的拡散機構により哺乳動物の臓器または組織に化学療法剤または生物活性物質を送達する新規方法に加えて、この装置の封鎖性を達成する方法も開示する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加

絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film composed of the silicon oxide film 111 and the silicon nitride film 112 is used as a mask, and an epitaxial layer 115 having doped boron is formed in a portion where the trench 114 is formed by a selective epitaxial growth, and simultaneously, boron is diffused through the epitaxial layer 115 to obtain a boron diffusion layer 116.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１１およびシリコン窒化膜１１２からなる絶縁膜をマスクにして、選択エピタキシャル成長により、トレンチ１１４を形成した部分に、ボロンをドープしたエピタキシャル層１１５を形成すると同時に、エピタキシャル層１１５を通じてボロンを拡散させてボロン拡散層１１６を得る。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁