「self diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming a channel diffusion layer 11 self-alignedly with respect to the field relaxation oxide film 17 (e), an anti-oxidation film 53 is formed and then heat treatment is conducted to form a field oxide film 7 (f).例文帳に追加

電界緩和用酸化膜１７に対して自己整合的にチャネル拡散層１１を形成した後（ｅ）、耐酸化膜５３を形成し、熱処理を施してフィールド酸化膜７を形成する（ｆ）。 - 特許庁

When the user depresses a release button, in a state where the diffusion plate 4 descends in front of the auxiliary LED 3, the auxiliary LED starts flickering, and after the lapse of a prescribed time by a self timer, the switch lever 1 is lowered, then, at photographing, photographing is performed in a state where the diffusion plate 4 is not present in front of the auxiliary LED 3.例文帳に追加

拡散板４が、補助光用ＬＥＤ３の前面に降りた状態で、ユーザがレリーズボタンを押下すると、補助光用ＬＥＤが点滅を始め、セルフタイマによる所定時間が経過すると、切り替えレバー１が下がり、撮影時には補助光ＬＥＤ３の前面に拡散板４がない状態で撮影される。 - 特許庁

The catalyst fine particles and PTFE(polytetrafluoroethylene) fine particles which are reaction layer materials of the gas diffusion electrode, are coagulated and self-organized by adding an alcohol and an electrolyte to a dispersed liquid of the reaction layer materials containing at least the catalyst particles and PTFE dispersion and by stirring the same to manufacture a reaction layer raw material of the gas diffusion electrode.例文帳に追加

少なくとも触媒粒子とＰＴＦＥディスパージョンを含むガス拡散電極の反応層材料の分散液に、アルコールと電解質を添加して攪拌することにより反応層材料の触媒微粒子とＰＴＦＥ微粒子を凝集、自己組織化させてガス拡散電極の反応層原料を製造する。 - 特許庁

To provide a method for connecting at least two metal layers by means of diffusion soldering process, wherein the metal layers are self-matched without using an external force imparted to the metal layers.例文帳に追加

拡散はんだ付けプロセスを用いて少なくとも２つの金属層を接続させる金属層の接続方法であって、金属層に加えられる外部力を用いずに、金属層が自己整合する接続方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The lead-out electrode 3, which is formed in a self-aligned manner for forming a P+-type diffusion layer and composed of P+-type polycrystalline silicon, is laid out so that the lengths of the electrode 3 from the four sides of the opening 4 of the electrode 3 become equal to each other.例文帳に追加

Ｐ^+型拡散層を形成するためのＰ^+型多結晶シリコンからなる引き出し電極３の長さを、セルフアラインで形成した引き出し電極３の開口部４の四辺から等しくなるようにレイアウトする。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure, where a silicon diffusion layer 3 having a silicide layer 6 on its surface and a polysilicon doped with impurities are connected together, wherein only a part of the silicide layer 6 directly under a contact hole is removed in a self-aligned manner.例文帳に追加

シリサイド層６を表面に持つシリコンの拡散層３と不純物がドープされたポリシリコンとを接続した構造を有する半導体装置において、シリサイド層６のコンタクト孔１２の直下のみが自己整合的に除去される。 - 特許庁

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a source region, drain region and selective oxide film of a MOSFET in a self-aligned manner, and at the same time to perform drive diffusion for forming the source region and the drain region of a MOSFET and the base region of an npn transistor.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域および選択酸化膜をセルフアライン（自己整合）で形成し、且つ、ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域とｎｐｎトランジスタのベース領域を形成するためのドライブを同時に行う。 - 特許庁

The copper alloy wire for the semiconductor contains 0.05 to 5 wt.% of Mn, has the total amount of one or two or more elements selected from Sb, Zr, Ti, Cr, Ag, Au, Cd, In and As of 10 wt.ppm or more, contains the balance being Cu, and has a self diffusion suppression function.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層６及びゲート電極であるゲートシリコン膜４が形成されたＭＯＳトランジスタ１０のシリコン基板１を加熱しながら第１Ｃｏ膜７ａ及び第２Ｃｏ膜７ｂを間欠的に堆積して、拡散層６及びゲートシリコン膜４上にＣｏ_xＳｉ_y（ｘ≧ｙ）の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

The addition element is such that the oxide forming free energy is smaller than Cu, the diffusion coefficient in Cu is larger than the self-diffusion coefficient of Cu, the percentage increase in electric resistance based on 1 at.% in Cu is not more than 5 μΩcm, and the activity coefficient γ in Cu satisfies a relationship represented by activity coefficient γ>1.例文帳に追加

この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 - 特許庁

To make accurately estimable permeability even if the chemical composition of a geological layer is unknown by measuring the self-diffusion coefficient of a hydrogen-containing fluid such as pore water in a porous geological layer by using a nuclear magnetic resonance method.例文帳に追加

本発明は、核磁気共鳴法を用いて多孔質な地層中の間隙水などの含水素流体の自己拡散係数を計測することにより、地層の化学組成がわからくても正確な浸透率を推定可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and by which desirable structure of carbon black and PTFE can be self-organized.例文帳に追加

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、更にカーボンブラックとＰＴＦＥの望ましい構造を自己組織化できる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

An improved n-channel integrated lateral DMOS (10), in which an embedded main body region (30) placed beneath a source (18) and a normal main body diffusion part, and being self-aligned to them, provides a low impedance path for holes emitted at a drain region (16).例文帳に追加

ソース（１８）及び通常の本体拡散部の下方にあって、それに対してセルフアラインである埋込み本体領域（３０）が、ドレイン領域（１６）で放出された正孔に対する低インピーダンス通路となる改良されたｎチャンネル集積横形ＤＭＯＳ（１０）。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction.例文帳に追加

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。 - 特許庁

While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a.例文帳に追加

あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。 - 特許庁

In a memory cell region 10A, for electric connection between a diffusion region 171A formed between a pair of gate structures and a wiring pattern 222 formed in a BPSG film 182, a polysilicon plug 191 is preliminarily formed at a state that it is self-aligned to a gate electrode 142.例文帳に追加

メモリセル領域１０Ａにおいては一対のゲート構造間に形成された拡散領域１７１ＡとＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気接続のため、予めポリシリコンプラグ１９１を、ゲート電極１４２に自己整合した状態で形成しておく。 - 特許庁

In an integrated circuit, a diffusion barrier layer 18 made of a high density material for protecting a copper structure 40 from oxidation in the presence of oxygen or water being apt to bring about defects such as pin-holes is modified on site by oxidation of a material self-restrictively capable of making a protective oxide.例文帳に追加

集積回路内で、酸素または水の存在下で酸化から銅構造４０を保護する高密度材料よりなる拡散バリア層１８は、ピンホールのような欠陥を生じやすいが、自己制限的に保護酸化物を形成できる材料の酸化によってその場修正される。 - 特許庁

To provide a voided polymeric optical diffuser film with multi-functionality that includes surface collimating and/or directional diffusion which can be placed adjacent to an optically transmissive self-supporting substrate, unattached to the substrate to provide the optical smoothing function of previous plate diffusers at a very low cost.例文帳に追加

超低コストで以前のディフューザプレートの光学的平滑化機能を提供するために、光透過性自己支持基板に結合されずに、該基板に隣接して設置され得る、平面コリメートおよび／または指向性拡散を含む多機能性を有するボイド形成ポリマー光学ディフューザフィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.例文帳に追加

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This self-luminous type sign structure comprises the light guide panel, a plurality of LEDs arrayed at least one side of the light guide panel, and a diffusion plate arranged on the light guide panel and including a glass fiber oriented orthogonally to an aligned direction of the LEDs.例文帳に追加

本件発明では、導光板と、導光板の少なくとも１辺に並んで配列される複数のＬＥＤと、導光板面上に配置され、ＬＥＤの並び方向に対して直交配向されたグラスファイバーを含む拡散板と、からなる自光式標識構体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

Preferably, when the internal combustion engine is operated in a predetermined operating region, compressed self-ignition diffusion combustion by using hydrogenated fuel as fuel is performed, and when the internal combustion engine is operated in a region with lower load compared to the predetermined operating region, spark ignition combustion by using dehydrogenated fuel and hydrogen as fuel is performed.例文帳に追加

好ましくは、内燃機関が所定の運転領域で運転されているときには、水素化燃料を燃料として圧縮自着火拡散燃焼による運転を行い、内燃機関が前記所定運転領域よりも低負荷域で運転されるときには、脱水素燃料と水素を燃料として火花点火燃焼による運転を行うようにする。 - 特許庁

Subsequently, heat treatment is carried out to make Mn in the alloy layer 17 react with the constituent of the porous film 20 to form a self-formation barrier film 19 composed of an Mn compound having copper diffusion barrier performance at the interface between the alloy layer 17 and the porous film 20.例文帳に追加

その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil.例文帳に追加

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。 - 特許庁

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.例文帳に追加

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

This semiconductor storage comprises field effect transistors formed on one surface side of a semiconductor substrate, the plurality of ferroelectric capacitors formed in proximity to each other above the field effect transistors, an insulating film for carrying out self-aligning planarization of the gaps between the adjacent ferroelectric capacitors upon the formation thereof by covering the plurality of ferroelectric capacitors, and the hydrogen diffusion preventing film formed on the insulating film.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の一面側に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの上方に互いに近接して形成された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを覆い隣接する前記強誘電体キャパシタ間の間隙をその形成時に自己整合的に平坦化する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された水素拡散防止膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁