「sio2」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Li2O-Al2O3-SiO2 TYPE TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS AND CRYSTALLIZABLE GLASS例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ—Ａｌ２Ｏ３—ＳｉＯ２系透明結晶化ガラス及び結晶性ガラス - 特許庁

Owing to the SiO2 grain film, a surface protection film having a low permittivity is obtained.例文帳に追加

このＳｉＯ_2 粒膜により、低誘電率の表面保護膜が得られる。 - 特許庁

SINTERED COMPACT CONSISTING OF SiO2, Al AND TiO2 AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ＳｉＯ２ とＡｌとＴｉＯ２ からなる焼結体及びその製造方法 - 特許庁

Then, the HF gas has a direct chemical reaction with an SiO2 film attaching to an inner wall or the like of the process chamber 2, decomposing and removing the SiO2 film.例文帳に追加

すると、プロセスチャンバー２の内壁等に付着したＳｉＯ_2膜に対してＨＦが直接化学反応を起こし、ＳｉＯ_2膜が分解除去される。 - 特許庁

The second face B of the quartz plate QP is polished while supplying the abrasive grain of SiO2 to manufacture the quartz plate QP of a thickness of 5-6 μm.例文帳に追加

SiO2の砥粒を供給しながら水晶素板ＱＰの第２面Ｂをポリッシング加工して、厚み５〜６μｍの水晶素板ＱＰを製造する。 - 特許庁

Since the granular film 6 is manufactured at the low temperature, the turbulence of the periodic structure of the (SiO2/Ta2 O5)n layer 4 and the (Ta2O5/SiO2)n layer 5 which may take place with the high- temperature heat treatment is not generated.例文帳に追加

グラニュラー膜６を低温で作製しており、高温の熱処理で起こり得る（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層４及び（Ta_2O_5 /SiO_2）^n 層５の周期構造の乱れを招かない。 - 特許庁

Further, an SiO2 30 is discretely formed on the board 10 to allow the GaN semiconductor layers 16 associate together on the SiO2 30, resulting is relaxed distortion.例文帳に追加

また、基板１０上に離散的にＳｉＯ_2３０を形成し、ＧａＮ半導体層１６同士をＳｉＯ_2３０上で会合させることでその歪みを緩和する。 - 特許庁

(3) Basicity (wt. ratio: CaO/SiO2) of the cover slag is made to be 0.4-1.5.例文帳に追加

（３）カバースラグの塩基度（重量比：ＣａＯ／ＳｉＯ_2 ）が０．４〜１．５である。 - 特許庁

LI2O-AL2O3-SIO2 BASED CRYSTALLIZED GLASS AND PRODUCTION METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラス及びその製造方法 - 特許庁

Moreover, the film can also be formed on either of the parts to be in contact with each other at high temperature by mixing SiO2 and ZrSiO4 so that the SiO2-to- ZrSiO4 ratio by volume becomes 0.2-1.例文帳に追加

また高温で接触する部品の一方に、SiO_2 がZrSiO_4 に対し０．２から１の体積比率となるように混合して被膜を形成しても良い。 - 特許庁

After a resist and the SiO2 film 14 are removed, the GaN layer 15 is selectively formed about 5 μm.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14を除去した後、GaN層15を５μｍ程度選択成長する。 - 特許庁

As an example, 0.5Ce2O3.(Mg0.5 Ba0.2Mn0.3)O.7Al2.SiO2 can be cited.例文帳に追加

例ば、０．５Ｃｅ_２Ｏ_３・（Ｍｇ_０．５Ｂａ_０．２Ｍｎ_０．３）Ｏ・７Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２である。 - 特許庁

NaOH, Al2O3, SiO2 and halides of fission products are mixed.例文帳に追加

ＮａＯＨ、Ａｌ_2Ｏ_3、ＳｉＯ_2及び核分裂生成物のハロゲン化物を混合する。 - 特許庁

By this method, dipoles 14 are generated in the SiO2-GeO2 thin film 12.例文帳に追加

これによりＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２中にダイポール１４が生成される。 - 特許庁

The thick film resistors 12 contains RuO2 and SiO2-B2O3-K2O glass.例文帳に追加

この厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ_2 とＳｉＯ_2−Ｂ_2 Ｏ_3 −Ｋ_2 Ｏガラスを含む。 - 特許庁

CONTAINER FOR FILLING ORGANIC SILANE COMPOUND AND PREVENTING METHOD FOR GENERATION OF SIO2 FINE POWDER例文帳に追加

有機シラン化合物の充填容器及びＳｉＯ２微粉の発生防止方法 - 特許庁

To obtain a fragility-resistant silicide target, which is suitable for forming ZrO2.SiO2 or HfO2.SiO2 film which can be used as a high dielectric gate insulating film provided with characteristic in stead of an SiO2 film, and a method for manufacturing the silicide target.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲット及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The heavy metal elution reducing agent is preferably contains 0-70 mass% CaO, 0-80 mass% Al2O3 and 0-99 mass% SiO2 expressed in terms of CaO, Al2O3 and SiO2.例文帳に追加

前記重金属溶出低減材は、CaO、Al_2O_3及びSiO_2の３成分換算で、CaO量が0〜70質量％、Al_2O_3量が0〜80質量％、SiO_2量が0〜99質量％であることが好ましい。 - 特許庁

An ITO(indium tin oxide) film 36 for the electrodeposition of a color filter is further formed on the SiO2 film 35.例文帳に追加

さらにこの上に、カラーフィルタ電着用ＩＴＯ膜３６が形成される。 - 特許庁

In a slag solidified body obtained by adding an SiO2-containing body to the reduced slag, a molar ratio of CaO/SiO2 in the slag solidified body is controlled to ≤2.1.例文帳に追加

還元スラグにＳｉＯ_２含有体を添加して得られるスラグ固化体であって、該スラグ固化体中の ＣａＯ／ＳｉＯ_２ のモル比を２．１以下としたことを特徴とする。 - 特許庁

The reflection film 33 is formed by laminating eight SiO2 films 31 and eight Si3N4 films 32 one by one and the SiO2 film 31 and the rear edge face 30 come into contact with each other.例文帳に追加

反射膜３３は、８つのＳｉＯ_2 膜３１と８つのＳｉ_3 Ｎ_4 膜３２とが順に積層されてなり、ＳｉＯ_2膜３１と後端面３０とが接触する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CoCrPt-SiO2 SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING MAGNETIC RECORDING FILM例文帳に追加

磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

Thereby, the SiO2 layer 2 is removed from the diaphragm 4 and the diaphragm edge 6.例文帳に追加

これにより、ダイアフラム４及びダイアフラムエッジ部６からＳｉＯ_2 層２を除去する。 - 特許庁

Next, after an SiO2 film 6 is formed on the plug 4 and the interlayer insulation film 2, a recess part 6a is formed on the SiO2 film 6 so as to expose the upper face of the plug 4.例文帳に追加

次に、プラグ４上および層間絶縁膜２上にＳiＯ_2膜６を形成した後、プラグ4の上面が露出するようにＳiＯ_2膜６に凹部６aを形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 6 is formed on one region on the bottom surface of the step part 40.例文帳に追加

段差部４０の底面上の一領域にはＳｉＯ_2 膜６が形成される。 - 特許庁

At this time, the components of the slag are contained in the weight ratio CaO/(SiO2+CaO) of 0.6-0.85 and in Fe/ FeOx+SiO2+CaO) of 0.5-0.6.例文帳に追加

このときスラグの成分は、重量比で、ＣａＯ／（ＳｉＯ_2＋ＣａＯ）が０．６〜０．８５の領域で、かつ重量比で、Ｆｅ／（ＦｅＯ_x＋ＳｉＯ_2＋ＣａＯ）が０．５〜０．６の領域にある。 - 特許庁

At this time, the components of the slag are contained in the weight ratio CaO/(SiO2+CaO) of 0.6-0.85 and in Fe/(FeOx+SiO2+CaO) of 0.5-0.65.例文帳に追加

このときスラグの成分は、重量比で、ＣａＯ／（ＳｉＯ_2＋ＣａＯ）が０．６〜０．８５の領域で、かつ重量比で、Ｆｅ／（ＦｅＯ_x＋ＳｉＯ_2＋ＣａＯ）が０．５〜０．６５の領域である。 - 特許庁

The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.例文帳に追加

スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁

The device has an SiO2 layer 12 as an intermediate layer on the upper face of a silicon substrate 11, and has a Y-branched high polymer optical waveguide 13 on this SiO2 layer 12.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に、中間層としてのＳｉＯ２層１２を有し、このＳｉＯ２層１２上にＹ分岐高分子光導波路１３を有する。 - 特許庁

Ag2O, SiO2, Al(OH)3 and halides of fission products are mixed.例文帳に追加

Ａｇ_2Ｏ、ＳｉＯ_2、Ａｌ(ＯＨ)_3及び核分裂生成物のハロゲン化物を混合する。 - 特許庁

A polysilicon layer made on a thin SiO2 layer is plasma-etched, using a chemical reaction based on HBr/HeO2, via a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

薄いＳｉＯ_2層の上に形成されたポリシリコン層を、パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して、ＨＢｒ／ＨｅＯ_2ベースの化学反応を用いてプラズマ・エッチングする。 - 特許庁

The SiO2 film 3 is etched with the resist pattern as a mask, and an opening 3a is made.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_2 膜３をエッチングし、開口３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film (SiO2 thin film), which can prevent oxidation of Cu wiring, can protect it and can suppress parasitic capacitance increase between wirings and which is mainly constituted of SiO2.例文帳に追加

Ｃｕ配線の酸化、保護および配線間の寄生容量の増大抑制を図れる、ＳｉＯ_2 を主成分とする薄膜（ＳｉＯ_2 薄膜）を形成すること。 - 特許庁

The total quantity of SiO2 17 is 5-25 vol.% of the abrasive grain layer 11 in volume ratio, and the grain size of SiO2 17 is 1/20 to 1/4 of the mean grain size of the superfine abrasive grains 15.例文帳に追加

ＳｉＯ_2１７の総量は砥粒層１１の体積比で５〜２５ｖｏｌ％とし、ＳｉＯ_2１７の粒子径は超砥粒１５の平均粒子径の１／２０〜１／４とした。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING TiN AND SiO2 MATERIALS AND FORMATION OF TERMINAL VIA例文帳に追加

ＴｉＮおよびＳｉＯ２材料のエッチング方法およびターミナル・ビアの形成方法 - 特許庁

To obtain a Li20-Al2O3-SiO2-based crystallized glass having clarity and glass characteristics equal to or higher than those of conventional Li2O-Al2 O3-SiO2-based crystallized glass even if the amount of As2O3 used is reduced.例文帳に追加

Ａｓ_2 Ｏ_3 使用量を削減しても、従来品と同等以上の清澄性やガラス特性を有するＬｉ_2 Ｏ−Ａｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系結晶化ガラスを提供する。 - 特許庁

An SiO2-GeO2 thin film 16 is formed by vapor deposition on a glass substrate 12.例文帳に追加

ガラス基板１２上にＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１６を蒸着で形成する。 - 特許庁

SiO2-BASE AMORPHOUS MATERIAL HAVING SECOND ORDER NONLINEARITY AND METHOD OF MANUFACTURING FOR THE SAME例文帳に追加

２次非線形性を有するＳｉＯ２系非晶質材料とその製造方法 - 特許庁

The dielectric layer contains an oxide such as SiO2, and the dopant contains Al, Co, etc.例文帳に追加

誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。 - 特許庁

A waveguide is formed by disposing a core (core polymer) between clads (SiO2 and low molecular weight polymer).例文帳に追加

クラッド（ＳｉＯ_２とローポリマー）間にコア（コアポリマー）を配してウェーブガイドを形成する。 - 特許庁

SiO2 COMPACT PARTIALLY OR PERFECTLY VITRIFIED AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

部分的にまたは完全にガラス化したＳｉＯ２成形体の製造方法および該成形体 - 特許庁

Finally, a metal film on the SiO2 film 105 is removed by chemical-mechanical polishing.例文帳に追加

最後にＳｉＯ_2 膜１０５上の金属膜を化学機械的研磨法により除去する。 - 特許庁

METHOD FOR SINTERING FUSED SILICA TO PRODUCE SHAPED BODY COMPRISING CRYSTALLINE SiO2例文帳に追加

結晶質ＳｉＯ２を含む成形体を製造するための溶融シリカの焼結方法 - 特許庁

MgO-SiO2 BASED OXIDE POWDER AND CERAMIC SINTERED COMPACT OBTAINED BY USING THE SAME AS RAW MATERIAL例文帳に追加

ＭｇＯ−ＳｉＯ２系酸化物粉末及びそれを原料とした磁器焼結体 - 特許庁

Lastly, the metal film on the SiO2 film 195 is removed by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

最後に、ＳｉＯ２膜１０５上の金属膜を化学機械的研磨法により除去する。 - 特許庁