「sio2」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the gate length is prescribed by the opening width of the SiO2.例文帳に追加

この時ゲート長はＳｉＯ_2の開口幅で規定される。 - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

Two kinds of sintered ores are produced and their chemical compositions (CaO/SiO2, SiO2, Al2O3, MgO) are regulated within an appropriate range.例文帳に追加

２種類の焼結鉱を製造し、それぞれの化学組成（ＣａＯ／ＳｉＯ__2，ＳｉＯ_2，Ａｌ_2Ｏ_3，ＭｇＯ）を適正な範囲に維持する。 - 特許庁

The protective layer has a construction including SiO2 film or SiN film.例文帳に追加

保護層は、ＳｉＯ_2膜またはＳｉＮ膜を含む構成とする。 - 特許庁

It is more desirable for the glass to contain Al2O3 and SiO2.例文帳に追加

さらにはＡｌ_2Ｏ_3およびＳｉＯ_2を含有することが望ましい。 - 特許庁

The width of the upper end of the SiO2 film 3 is made 4.8 μm or less.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜３の上端の幅は４．８μｍ以下とする。 - 特許庁

EXTREMELY LOW SIO2 HIGH STRENGTH SINTERED ORE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

極低ＳｉＯ２高強度焼結鉱およびその製造方法 - 特許庁

The SiO2 layer 2 exposed as the result of this etching is removed.例文帳に追加

このエッチングによって露出したＳｉＯ_2 層２を除去する。 - 特許庁

SiO2 or CrO2 can be used instead of resin.例文帳に追加

また、樹脂の代わりに、ＳiＯ2又はＣrＯ2を用いることができる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING INTERNALLY VITRIFIED SiO2 CRUCIBLE FREE FROM CRACK例文帳に追加

亀裂のない内面ガラス化されたＳｉＯ２坩堝の製造方法 - 特許庁

The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加

SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする（図３（b））。 - 特許庁

DLC FILM OR SiO2 FILM, VESSEL AND CVD FILM DEPOSITION SYSTEM例文帳に追加

ＤＬＣ膜又はＳｉＯ２膜、容器及びＣＶＤ成膜装置 - 特許庁

ACID GRINDING SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF SiO2 SEPARATION LAYER例文帳に追加

ＳｉＯ２分離層の化学機械研磨用の酸性研磨スラリー - 特許庁

An SiO2 insulation layer 35 is formed on the insulation layer 34.例文帳に追加

絶縁層３４上にＳｉＯ_2 絶縁層３５を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH QUALITY AND LOW SiO2 SINTERED ORE FOR BLAST FURNACE例文帳に追加

高炉用高品質低ＳｉＯ２焼結鉱の製造方法 - 特許庁

Then, an SiO2 film 14 is formed and the pattern of lines and spaces is formed with the interval of about 24 μm so as to leave the SiO2 film 14 of the width of 16 μm.例文帳に追加

次に、SiO_2膜14を形成し、幅16μmのSiO_2膜14が残るように、24μm程度の間隔でラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION例文帳に追加

レーザーアブレーションを利用したＳｉＯ２膜の形成法及び装置 - 特許庁

After the SiN film 21, the mask 19 and the Si film 20 are removed, a SiO2 film 23 is formed on the entire surface, and the SiO2 film 23 is removed only in the upper part of the cylinder.例文帳に追加

SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO_2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO_2膜23を除去する。 - 特許庁

According to this reaction, H2 gas and nonvolatile SiO2 are generated.例文帳に追加

この反応により、Ｈ_2ガスと不揮発性であるＳｉＯ_2が発生する。 - 特許庁

MoSi2-2WT%SiO2/B ADDED Mo5Si3-5WT%SIO2/Mo-Nb-Si THREE-ELEMENT ALLOY THREE-LAYER COVERED Nb-BASED ALLOY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭｏＳｉ２−２ｗｔ％ＳｉＯ２／Ｂ添加Ｍｏ５Ｓｉ３−５ｗｔ％ＳｉＯ２／Ｍｏ−Ｎｂ−Ｓｉ三元系合金三層被覆Ｎｂ基合金及びその作製方法 - 特許庁

The surface roughness of the porous SiO2 film 22 is controlled to ≥2 nm.例文帳に追加

多孔質ＳｉＯ_２膜２２の表面粗さを２ｎｍ以上にする。 - 特許庁

The sheath filler 15 is constituted of a SiO2 powder.例文帳に追加

シース充填材１５は、ＳｉＯ_2粉末より構成されるものである。 - 特許庁

Then, a second SiO2 film 4 is formed on the Al film 3.例文帳に追加

その後、Ａｌ膜３上に第２のＳｉＯ_2膜４を形成する。 - 特許庁

A resist pattern having an opening is made on the SiO2 film 3.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜３上に開口を有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

OXIDE PHOSPHOR BASED ON Al2O3-SiO2-BASED OXIDE例文帳に追加

Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系酸化物を母体とする酸化物蛍光体 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Li2O-Al2O3-SiO2-BASED CRYSTALLIZED GLASS例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラスの製造方法 - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 CRYSTALLIZABLE GLASS AND CRYSTALLIZED Li2O-Al2O3-SiO2 GLASS PREPARED BY HEAT-TREATING THE SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶性ガラスおよびそれを熱処理してなるＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラス - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 CRYSTALLINE GLASS AND Li2O-Al2O3-SiO2 CRYSTALLIZED GLASS OBTAINED BY CRYSTALLIZING THE SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶性ガラスおよびそれを結晶化させてなるＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラス - 特許庁

A Ni/SiO2 catalyst is arranged on a Pd-Ag film in a reactors A and B.例文帳に追加

反応器A、BにはNi/SiO_2触媒がPd-Ag膜上に配置されている。 - 特許庁

An insulating film 12 of SiO2 or the like is formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上にＳｉＯ２などの絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

DISCHARGE METHOD OF SIO2-CONTAINING AMMONIUM FLUORIDE WASTE LIQUID AND A DISCHARGE DEVICE THEREFOR例文帳に追加

ＳｉＯ２含有フッ化アンモニウム廃液の廃水方法及びその装置 - 特許庁

AQUEOUS COATING SOLUTION FOR ABRASION RESISTANT SiO2 ANTI- REFLECTIVE LAYER例文帳に追加

磨耗耐性のあるＳｉＯ２反射防止層用の水性コーティング溶液 - 特許庁

The SiO2 film 20 is removed and the n-InGaP etching barrier layer 17 on a groove bottom face is etched.例文帳に追加

SiO_2膜20を除去し、溝底面のn-InGaPエッチング阻止層17をエッチングする。 - 特許庁

ZnS-SiO2 SPUTTERING TARGET AND OPTICAL RECORDING MEDIUM FORMED WITH ZnS-SiO2 PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM USING THIS TARGET例文帳に追加

ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用してＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

The sand is a mineral contg. both SiO2 and Al2 O3 as main ingredients.例文帳に追加

砂は、ＳｉＯ_2 とＡｌ_2 Ｏ_3 を共に主成分として含む鉱物である。 - 特許庁

NaAlO2, SiO2 and halides of fission products are mixed.例文帳に追加

ＮａＡｌＯ_2、ＳｉＯ_2及び核分裂生成物のハロゲン化物を混合する。 - 特許庁

SiO2-GeO2 glass is irradiated with electrons to form a SiO2-GeO2 thin film 12 by electron beam vapor deposition on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2ガラスに電子を照射し、基板１０の表面に電子ビーム蒸着によりＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２を形成する。 - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 BASE CRYSTALLIZED GLASS WITH STRENGTHENED SURFACE例文帳に追加

表面強化したＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラス - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2-BASED CRYSTALLINE GLASS AND Li2O-Al2O3-SiO2-BASED TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS FORMED BY HEAT-TREATING THE SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶性ガラスおよびそれを熱処理してなるＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系透明結晶化ガラス - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2-BASED CRYSTALLIZED GLASS AND CRYSTALLINE GLASS例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラス及び結晶性ガラス - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 CRYSTALLINE GLASS AND CRYSTALLIZED GLASS AND MANUFACTURING METHOD OF Li2O-Al2O3-SiO2 CRYSTALLIZED GLASS例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶性ガラス及び結晶化ガラス並びにＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系結晶化ガラスの製造方法。 - 特許庁

K2O-CaO-SiO2 CRYSTAL MATERIAL AND SLOW RELEASABLE POTASH FERTILIZER例文帳に追加

Ｋ２Ｏ−ＣａＯ−ＳｉＯ２系結晶物質および緩効性カリ肥料 - 特許庁

An SiO2 pattern layer is formed on an Si wafer which constitutes a substrate W.例文帳に追加

基板を構成するＳｉウェハ上にＳｉＯ_2パターン層を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 103, an Si3N4 film 104 and an SiO2 film 105 are then sequentially deposited thereon, and a through-hole 106 and a wring groove 107 are made therein.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2 膜１０３、Ｓｉ_3 Ｎ_4 膜１０４、ＳｉＯ_2 膜１０５を順に堆積し、スルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING MIXED FILM OF METAL AND SiO2 AND FILM DEPOSITION SYSTEM THEREFOR例文帳に追加

金属とＳｉＯ２の混合膜の成膜方法及びその成膜装置 - 特許庁