「sio2」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目)

ＴＰＡ（テトラプロピルアンモニウムイオン）／ＳｉＯ_2のモル比が、０．０１５以上０．０８以下であり、且つ完全に結晶化したゼオライト又は、ＴＰＡ（テトラプロピルアンモニウムイオン）／ＳｉＯ_2のモル比が、０．０２以上０．１２以下であり、且つ結晶化途上のゼオライトからなる多孔質基体である。 - 特許庁

This functionally gradient body 1 used as a sealing material of the bulb such as a metal halide lamp L is molded in a state that a volume ratio of SiO2 to a conductive material is increased in the axial direction, and the volume ratio of SiO2 at an end part is 97.5-99.5%.例文帳に追加

メタルハライドランプＬなどの管球の封止材として用いられる傾斜機能体１は、ＳｉＯ2と導電性物質の容積比を軸方向に増加させるように成形した傾斜機能体でありこの端部のＳｉｏ２の容積比は９７．５〜９９．５％である。 - 特許庁

A GaN layer is formed on a sapphire substrate, an SiO2 film is formed on the GaN layer, and then a GaN semiconductor layer 18 that includes an MQW light emitting layer 8 is grown on the GaN layer and the SiO2 layer through a lateral growth technique.例文帳に追加

サファイア基板上にＧａＮ層を成長させ、ＧａＮ層上にＳｉＯ_2膜を形成した後、横方向成長技術を用いてＧａＮ層上およびＳｉＯ_2膜上にＭＱＷ発光層８を含むＧａＮ系半導体層１８を成長させる。 - 特許庁

In a reaction apparatus, the formed soln. 5' of the substance to be detoxified (solvent 5 having adsorbed SiHCl3) and a specific liquid (H2O) are reacted (SiHCl3+2H2O→3HCl+SiO2+H2) to form a harmless solid substance (SiO2).例文帳に追加

そしてつぎに反応装置３において、上記生成された被除害物質の溶液５′（ＳiＨＣｌ3を吸収した溶媒５）と特定の液体（Ｈ2Ｏ）とが反応（ＳiＨＣｌ3＋２Ｈ2Ｏ→３ＨＣｌ＋ＳiＯ2＋Ｈ2）することにより、無害の固体物質４２（ＳiＯ2）が生成される。 - 特許庁

At least the dipping part for dipping into the molten iron for stainless steel in the castable coated layer, has the composition containing 1-10 wt.% ZrO2, 50-85 wt.% Al2O3 and 10-30 wt.% SiO2 as Al2O3-SiO2-ZrO2 ternal system.例文帳に追加

キャスタブル被覆層のうち少なくともステンレス溶銑に浸漬される浸漬部は、Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2−ＺｒＯ_2の三元系であり、ＺｒＯ_2が１〜１０重量％、Ａｌ_2Ｏ_3が５０〜８５重量％、ＳｉＯ_2が１０〜３０重量％含まれている組成を有する。 - 特許庁

The first slag containing CaF2, Al2O3, CaO and SiO2 and the second slag containing more Al2O3 than the first slag, furthermore containing CaO and SiO2 are mixed, and the mixed slag is crushed to pieces, and the ground metal in the mixed slag is separated from the slag.例文帳に追加

ＣａＦ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、ＣａＯおよびＳｉＯ_2を含む第１スラグと、第１スラグよりもＡｌ_2Ｏ_3を多く含み、さらにＣａＯおよびＳｉＯ_2を含む第２スラグとを混合し、混合した混合スラグを粉砕し、粉砕した混合スラグ中の地金をスラグから分離する。 - 特許庁

The composition for forming a thick film conductor comprises a conductive powder, an oxide powder and an organic vehicle and contains a SiO2-CaO based glass powder in which a CaO/SiO2 ratio by weight is 0.14-0.90 as a oxide powder, an Al2O3 powder and a softening point glass powder.例文帳に追加

導電粉末と酸化物粉末と有機ビヒクルとからなる厚膜導体形成用組成物で、酸化物粉末として、ＣａＯ／ＳｉＯ_2重量比が０.１４〜０.９０であるＳｉＯ_2−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ_2Ｏ_3粉末と、軟化点ガラス粉末とを含んでいる。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

The prescribed temperature in the cleaning process is set to 450°C or lower, at which the selection ratio between Poly-Si and SiO2 (quartz) varies greatly.例文帳に追加

このクリーニング工程時の所定温度は、Ｐｏｌｙ−ＳｉとＳｉＯ_2（石英）の選択比が大きく変化する４５０℃以下とする。 - 特許庁

The mold powder is composed of CaO, SiO2 and MgO as major components so that the main crystal at its solidification after melting becomes CaMgSi2O6.例文帳に追加

鋼の連続鋳造用モ−ルドパウダ−を、CaＯ，SiＯ_2 及びMgＯを主成分とし、溶融凝固時の主結晶が CaMgSi_2Ｏ_6 となる構成とする。 - 特許庁

The optical glass includes space glass comprising, in percent by weight, the following components: SiO_2 5-65, B_2O_3 0-40, Al_2O_3 0-12, PbO 25-50, Na_2O 0-8 and K_2O 0-20.例文帳に追加

光学ガラスは、重量パーセントでの次の成分：SiO2 5−65、B2O3 0−40、Al2O3 0−12、PbO 25−50、Na2O 0−8、K2O 0−20を含む宇宙ガラスによって解決される。 - 特許庁

Inside the SiO2 layer 12, there is generated a stress 111A reverse to the direction of a stress 102A in the high polymer optical waveguide 13.例文帳に追加

ＳｉＯ２層１２内には、高分子光導波路１３内の応力１０２Ａとは逆向きの応力１１１Ａが発生する。 - 特許庁

The SiO2 film 7 is removed from the part except the opening of the SiN film 3 and the inside of the trench 5, and a trench element isolation region is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３の開口およびトレンチ５の内部以外の部分をＳｉＯ_2 膜７を除去し、溝素子分離領域を形成する。 - 特許庁

SiO2 17 in the resin binder phase 14 is substantially spherical, and the size of the particles is arranged to form a single diffusion system.例文帳に追加

樹脂結合相中１４中のＳｉＯ_2１７は略球状とし、その粒子の大きさを揃えて単分散系を形成した。 - 特許庁

Opening parts are formed in the SiO2 layer 3 and a metal thin film 4, where the boron nitride film 2 is exposed.例文帳に追加

そして、SiＯ_2層３と金属薄膜４には開口部が形成されており、開口部においては窒化硼素膜２が剥き出しになっている。 - 特許庁

It is then heat treated in an oxidizing atmosphere in order to convert the Si rich silicon oxide film 106 into an SiO2 film while extinguishing internal voids.例文帳に追加

次いで、酸化性の雰囲気で熱処理をして、Siリッチなシリコン酸化膜１０６を内部のボイドを消滅させつつSiO_2膜に変化させる。 - 特許庁

For wiring structure, a trench 14 is made at the surface, and also an SiO2 film 16 is made on a surface 12 and the trench 14.例文帳に追加

表面１２に溝部１４が形成されているとともに、表面１２と溝部１４とにはＳｉＯ_2膜１６が形成されている。 - 特許庁

The rice hull ash is used in a proportion of 10 to 100 mass% as a SiO2 raw material in a cement clinker raw material to be fed to a kiln.例文帳に追加

籾殻灰は、セメントクリンカ送窯原料中のＳｉＯ２原料として１０〜１００質量％の割合で用いられる。 - 特許庁

A via hole 7 which reaches the Al film 3 is shaped in the TiN film 6, the first Ti film 5 and the second SiO2 film 4.例文帳に追加

次いで、ＴｉＮ膜６、第１のＴｉ膜５及び第２のＳｉＯ_2膜４にＡｌ膜３まで達するビアホール７を開口する。 - 特許庁

A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極を形成する。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

Thus, a minute SiO2 thin film 16 protecting Cu wiring 14 can selectively be formed on the surface of Cu wiring 14.例文帳に追加

その結果、Ｃｕ配線１４を保護できる緻密なＳｉＯ_2 薄膜１６をＣｕ配線１４の表面に選択的に形成できる。 - 特許庁

As the substituted zeolite has higher heat resistance in comparison with general zeolite comprising SiO2 and Al2O3, the durability of a catalyst using it is improved.例文帳に追加

置換ゼオライトは、SiO_2とAl_2O_3とからなる一般のゼオライトに比べて耐熱性が高いので、それを用いた触媒の耐久性が向上する。 - 特許庁

A first filler such as SiO2 17 and a second filler such as CaF2 18 are diffused in the resin binder phase 14.例文帳に追加

樹脂結合相１４中には第一のフィラーとしてＳｉＯ_2１７と、第二のフィラーとして例えばＣａＦ_2１８とを分散配置した。 - 特許庁

This alkali-removed water glass solution has an SiO2 concentration of ≥1 wt.%, an SiO2/X2O molar ratio of ≥6 (X is an alkali metal) and pH 7-12, and is preferably obtained by subjecting water glass to an electrodialysis treatment using an ion exchange membrane as a diaphragm to remove alkali components.例文帳に追加

水ガラスをイオン交換膜を隔膜として電気透析して、アルカリ成分を脱アルカリ処理して得られる、ＳｉＯ_2 濃度が１ｗｔ％以上、ＳｉＯ_2 ／Ｘ_2 Ｏ（Ｘ：アルカリ金属）のモル比が６以上、かつｐＨが７〜１２の範囲である脱アルカリ水ガラス溶液である。 - 特許庁

The specific aluminum silicate powder has an average particle size of 0.1-25 μm and contains 40-99 wt.% of SiO2 and 1-40 wt.% of Al2O3, provided that the total of the content of SiO2 and that of Al2O3 is not more than 100 wt.%.例文帳に追加

特定の珪酸アルミニウム粉末とは、その平均粒子径が０．１〜２５μｍであり、且つ、ＳｉＯ_2の含有割合が４０〜９９重量％でＡｌ_2Ｏ_3の含有割合が１〜４０重量％（但し、ＳｉＯ_2の含有割合とＡｌ_2Ｏ_3の含有割合の和は、１００重量％以下）のものである。 - 特許庁

In the formation method for the dielectric thin film which is formed on a substrate layer 4 after the substrate layer 4 is laminated on an SiO2 layer 2, the SiO2 layer 2 is formed by using a mixed gas of tetraethoxysilane and O2 by a plasma CVD method and by setting a gas pressure at 0.4 Torr or less.例文帳に追加

ＳｉＯ_2層２上に下地層４を積層した後、この下地層４上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、ＳｉＯ_2層２をプラズマＣＶＤ法により、テトラエトキシシランとＯ_2との混合ガスを用い、ガス圧を０．４Ｔｏｒｒ以下にして形成する。 - 特許庁

The concentrations of ≥4 components of a dehydrated cake including at least moisture, crude fat, crude protein and SiO2 among moisture, crude fat, polysaccharide, crude protein, crude fiber, ignition loss and SiO2 are measured to prepare a multiple-regression expression exhibiting the relation between the average evaporation rate and components of the dehydrated cake.例文帳に追加

脱水ケーキの水分、粗脂肪、多糖類、粗蛋白、粗繊維、強熱減量、ＳｉＯ_2のうち、少なくとも水分、粗脂肪、粗蛋白、ＳｉＯ_2を含む４成分以上の濃度を測定して、脱水ケーキの平均蒸発速度と成分の関係を示す多重回帰式を作成しておく。 - 特許庁

Namely, SiO2 dissolves in HF aqueous solution, but since Si nitride has resistance to the solution, the mask layer formed of SiO2 is selectively etched, the barrier layer formed of Si nitride and the field oxide film 2 immediately below the barrier layer are protected from wet etching.例文帳に追加

すなわち、ＨＦ水溶液に対してＳｉＯ_2は溶解するが、Ｓｉ窒化物は耐性を有するので、ＳｉＯ_2からなるマスク層は選択的にエッチングされるが、Ｓｉ窒化物からなるバリア層１２及びこれの直下のフィールド酸化膜２はウエットエッチングから保護されることとなる。 - 特許庁

In the fusion splicing of two coated optical fibers 1, after the fusion splicing by arc discharge, a glass coating layer 4 consisting of SiO2-based glass is formed on a prescribed exposed part 11 including a fusion splicing part 21 in an exposed part 10 of the glass part 2 of the optical fiber made of SiO2-based glass.例文帳に追加

２本の被覆光ファイバ１の融着接続において、アーク放電による融着接続後に、ＳｉＯ_2系ガラスからなる光ファイバのガラス部２の露出部分１０のうち融着接続部２１を含む所定の露出部分１１に対して、ＳｉＯ_2系ガラスからなるガラス被覆層４を形成する。 - 特許庁

For example, a solution of a metal alkoxide essentially consisting of SiO2, ZrO2, SiO2-ZrO2, Al2O3, TiO2 or the like is filled in the inside of the alloy pipe joint, and then the solution is discharged, dryed and heated to form an amorphous ceramics film on the inner surface.例文帳に追加

例えばＳｉＯ_2、ＺｒＯ_2、ＳｉＯ_2・ＺｒＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3及びＴｉＯ_2等を主成分とする金属アルコキシド系の重合体の溶液を、前記銅又は銅合金管継手の内部に満たした後、溶液を排出し、乾燥及び加熱処理を行い、内表面に非晶質セラミックス皮膜を形成する。 - 特許庁

The crystallized glass contains SiO2, Li2O, Al2O3, K2O, ZnO, P2O5, ZrO2, and Sb2O3 and has thermal expansion coefficient of 10-13 ppm/°C.例文帳に追加

結晶化ガラスは、例えば、ＳｉＯ_2、Ｌｉ_2Ｏ、Ａｌ_2Ｏ_3、Ｋ_2Ｏ、ＺｎＯ、Ｐ_2Ｏ_5、ＺｒＯ_2、Ｓｂ__2Ｏ_3を含み、１０〜１３ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有する。 - 特許庁

Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished.例文帳に追加

続いてＳｉＯ_2 膜４上およびＧａＮ層３上にアンドープのＧａＮ層６を再成長させた後、ＧａＮ層６の表面を研磨する。 - 特許庁

A lamination layer film consisting of eight layers of Al films 42 and seven layers of SiO2 films 43 is formed on a Si substrate 41 whose surface is washed (b).例文帳に追加

表面を洗浄したＳｉ基板４１上に、８層のＡｌ膜４２と７層のＳｉＯ_2膜４３から成る積層膜を形成する(b)。 - 特許庁

To provide a dielectric film as well as its forming method which comprises a CeO2 film of high crystallinity without formation of an SiO2 layer double domain.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層の形成やダブルドメインのない、結晶性の高いＣｅＯ_2 膜を有する誘電体膜及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

This zirconia sintered body for a medical material essentially consists of Y2O3-stabilized cubic zirconia and contains SiO2 and TiO2.例文帳に追加

Ｙ_2Ｏ_3により安定化された正方晶系ジルコニアを主成分とする医療材料用ジルコニア焼結体であり、ＳｉＯ_2とＴｉＯ_2とを含有する。 - 特許庁

A part used for a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 1 is etched up to a SiO2 layer 2 used as an etching stopper layer.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層２をエッチングストッパ層としてｎ型単結晶Ｓｉ層１の感圧領域に相当する部分をＳｉＯ_2 層２までエッチングする。 - 特許庁

It is also recommended that a composite metal oxide-silicon oxide (MO2-SiO2) layer having a high dielectric constant be deposited by the use of a precursor containing metal tetrasiloxane.例文帳に追加

複合金属酸化物・酸化シリコン（ＭＯ_2−ＳｉＯ_2）高誘電率層を、金属テトラシロキサンを含む前駆物質を用いて堆積させても良い。 - 特許庁

例文

A gate insulating film 17 provided in the output electrode 11 and reset electrode 12 of a charge transfer device is formed of SiO2 films 19-1 to 19-4.例文帳に追加

電荷転送装置の出力電極１１とリセット電極１２のゲート絶縁膜１７をＳｉＯ_２膜１９−１〜４で形成する。 - 特許庁

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