「vapor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion prevention film is made of a vapor-permeable resin film.例文帳に追加

拡散防止膜は、水蒸気透過性を有した樹脂フィルムで作られている。 - 特許庁

DESIGN OF GAS DIFFUSION SHOWER HEAD FOR LARGE-AREA PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

大面積プラズマ増強化学気相堆積のためのガス拡散シャワーヘッド設計 - 特許庁

The vapor from the vapor outlet 36 is received in the vapor diffusion box 60 through the through hole 64, and then discharged from each discharge openings 73 while being diffused.例文帳に追加

排気口３６からの蒸気は、通孔６４を通って蒸気拡散箱６０内に受けられたのち、各吐出口７３から分散して吐出される。 - 特許庁

Then, vapor-phase Zn diffusion is performed on the whole surface of the substrate from the surface of the cap layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層上から基板全面に気相Ｚｎ拡散を行う。 - 特許庁

A vapor outlet 36 is formed on an upper face 10A of a refrigerator main body 10, and a vapor diffusion box 60 is mounted in a state of covering the same.例文帳に追加

冷蔵庫本体１０の上面１０Ａに蒸気の排気口３６が開口され、これを覆って蒸気拡散箱６０が取り付けられる。 - 特許庁

An organic vapor deposition apparatus has a planar vapor releasing device 10 in which a horizontal diffusion section 10H and a vertical diffusion section 10V where vapors of a host material and a dopant material being evaporation materials are successively diffused, are provided.例文帳に追加

面蒸気放出器１０に、蒸発材料であるホスト材料及びドーパント材料の蒸気が順次拡散される水平方向拡散部１０Ｈ及び鉛直方向拡散部１０Ｖを有する。 - 特許庁

Carbon or nitrogen is vapor-phase vapor-deposited on a surface of a base material at high temperature to form a niobium carbide or niobium nitride diffusion layer, and silicon is vapor-phase vapor-deposited thereon to manufacture a nano composite coated layer by the solid phase substitution reaction.例文帳に追加

高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。 - 特許庁

The fuel cell is equipped with the diffusion medium having a fluorocarbon polymer vapor-deposited on a conductive substrate.例文帳に追加

燃料電池は、導電性基板上に蒸着されたフルオロカーボンポリマーを有する拡散媒体を備える。 - 特許庁

In one method, the organic solvent is substituted by water-vapor diffusion in a vessel kept in high humidity.例文帳に追加

１つの方法において、有機溶媒は、高い湿度で維持された容器内の水蒸気拡散によって置換される。 - 特許庁

The air-impermeable, water vapor permeable layer 40 allows for continuous diffusion of water vapor, reducing the moisture in the enclosure when the heat source is de-energized.例文帳に追加

空気不透過性で且つ水蒸気透過性の層（４０）は、水蒸気の連続的な拡散を考慮し、熱源が電源を切っているときに、筐体中の水分を減少させる。 - 特許庁

The flame arrestor 2000 suppresses diffusion of vapor phase fuel up to the resonator 1400 and diffusion of back fire flame up to the resonator part 1400.例文帳に追加

フレームアレスタ２０００は、気相の燃料がレゾネータ部１４００にまで拡散することと、バックファイヤの火炎がレゾネータ部１４００にまで拡散することとを抑制する。 - 特許庁

To prevent diffusion into the atmosphere of the fuel vapor generated in an intake system of an internal combustion engine while the engine is stopped.例文帳に追加

機関停止中に内燃機関の吸気系にて発生する燃料蒸気の大気中への拡散を防止する。 - 特許庁

In the solid polymer fuel cell formed by stacking an anode side gas diffusion layer, an anode catalyst layer, a polymer electrolyte membrane, a cathode catalyst layer, and a cathode side gas diffusion layer in this order, the water vapor permeability ratio of the cathode side gas diffusion layer to that of the anode side gas diffusion layer is prescribed to 1.1-1.5.例文帳に追加

アノード側ガス拡散層、アノード触媒層、高分子電解質膜、カソード触媒層、カソード側ガス拡散層がこの順に積層された固体高分子型燃料電池において、アノード側ガス拡散層に対するカソード側ガス拡散層の水蒸気透過性比を１．１〜１．５とする。 - 特許庁

The separated vapor phase is discharged to the outside of the system (sewage, a septic tank or the like) through a discharge pipe 108 by a vapor phase flow caused by the air supplied from the diffusion pipe 112.例文帳に追加

分離された気相は散気管１１２から供給されるエアーに起因する気相流によって排出管１０８を通じて系外（下水道、浄化槽等）へ排出される。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A protein crystallization vessel is efficiently manufactured thereby by the vapor diffusion method using the sitting drop system.例文帳に追加

これにより、シッティングドロップ方式を用いた蒸気拡散法による蛋白質結晶化容器を効率よく作製することができる。 - 特許庁

The vessel 1 stores a water retention member 2, and its upper opening is covered with a water vapor diffusion adjusting member 4.例文帳に追加

容器１は、保水性部材２を収容しており、その上部開口が水蒸気拡散調整部材４で覆われている。 - 特許庁

To provide a method of forming an outwardly grown aluminide diffusion coating on a superalloy substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＣＶＤにより、超合金基材の上に、外方に向けて成長するアルミナイド拡散コーティングを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device which conveniently enables the crystallization with a vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加

蒸気拡散法により簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁

This device 500 is used for allowing a crystal of protein to grow from the solution 512 containing the protein by means of the vapor diffusion method.例文帳に追加

蒸気拡散法によりタンパク質を含む溶液５１２から該タンパク質の結晶を成長させるための装置５００が提供される。 - 特許庁

The adsorbent layer 51 absorbs minute amount of fuel vapor flowing out from adsorbent 44 in a second storage chamber 42 by diffusion.例文帳に追加

吸着剤層５１は、第二収容室４２の吸着剤４４から拡散により流出する微量の燃料蒸気を吸着する。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The steam diffusion in a direction parallel to the substrate 1 is suppressed by providing the vertical plate 3, and the vapor concentration in the end of the coating region 2 approaches a vapor concentration in the center of the substrate 1.例文帳に追加

立て板３を設けることにより、基板１と平行な方向への蒸気の拡散が抑制され、塗布領域２端部の蒸気濃度が基板１中央部の蒸気濃度に近づいていく。 - 特許庁

The gas diffusion layer 100 for a fuel cell is formed by stacking a gas diffusion substrate layer 110, a water vapor condensing layer 121, and a water evaporation layer 122.例文帳に追加

本発明は、ガス拡散基材層１１０と、水蒸気凝縮層１２１と、水分蒸発層１２２とが、積層されてなる燃料電池用ガス拡散層１００により上記課題を解決する。 - 特許庁

The third diffusion chamber 131 of the final stage is connected to a vapor mixing chamber 141 through a plurality of fourth communication holes 142.例文帳に追加

最終段の第３の拡散室１３１は、複数の第４連通口１４２を介してそれぞれ蒸気混合室１４１に接続されている。 - 特許庁

To provide an electron absorber which is adaptable to continuous vapor deposition on a film base material of a large area as well by solving a problem that electrons heat other parts than a vapor deposition material by the reflection phenomenon or diffusion phenomenon, and an electron beam heating type vapor deposition apparatus using the same.例文帳に追加

電子が反射現象または拡散現象によって蒸着材料以外の箇所を加熱してしまう問題を解消し、大面積のフィルム基材への連続蒸着にも対応できる電子吸収体およびそれを用いた電子線加熱蒸着装置を提供する。 - 特許庁

When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7.例文帳に追加

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。 - 特許庁

In a vapor diffusion method, the device 500 for keeping a droplet 505 including a biopolymer to be crystallized apart from a precipitant 504 is provided.例文帳に追加

蒸気拡散法において、結晶化すべき生体高分子を含む液滴５０５を沈殿剤５０４から離して保持するための装置５００が提供される。 - 特許庁

The inhibiting effect of the diffusion is obtained by selecting a height of the vertical plate 3, and the highly uniform vapor concentration distribution can be achieved in the coating region 2.例文帳に追加

立て板３の高さの選択により拡散の抑制効果を得られ、塗布領域２上で均一性の高い蒸気濃度分布を実現できる。 - 特許庁

Particularly, the vicinity of the spraying position is surrounded by a diffusion preventing plate 8, and the vapor or mist is recovered or discharged by a suction nozzle 9.例文帳に追加

特には、吹き付け箇所の近傍を拡散防止板８で囲むとともに、吸引ノズル９により、蒸気またはミストを、回収または排出する。 - 特許庁

To provide a crystal growing device capable of controlling the evaporation speed of a solvent in the crystallization of protein due to a vapor diffusion method even if the kind or concentration of a precipitating medium is not changed.例文帳に追加

蒸気拡散法による蛋白質の結晶化において、沈殿剤の種類や濃度を変えなくても、溶媒の蒸発速度を制御できる装置を提供する。 - 特許庁

When the external cover 10 is in a blocked condition 24, the first desiccant 18 of the external cover 10 acts on the internal of the magazine 22 through communication which makes the diffusion of water vapor possible.例文帳に追加

外装１０が閉鎖状態２４では、外装１０の第１の乾燥剤１８が水蒸気の拡散を可能にする連絡を介してマガジン２２の内部に作用する。 - 特許庁

To provide a device which conveniently enables the crystallization by using a well plate used in the conventional vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加

従来の蒸気拡散法に使用されるウェルプレートを使用して簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁

This hole shape reduces the maximum stress generated by diffusion of the generated stresses in a vicinity of the hole, and the pressure-proof service life of the vapor-liquid separator is improved thereby.例文帳に追加

この孔形状によれば、孔周辺の発生応力が分散して最大発生応力を低減できるので、気液分離器の耐圧寿命を向上できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a backside hole, when forming a current diffusion layer using hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To satisfactorily prevent such a state that waterdrops produced by dew condensation adhere to a recording medium and to avoid diffusion of water vapor with simple and inexpensive constitution.例文帳に追加

簡易で安価な構成により、結露した水滴が記録媒体へ付着するような事態を良好に防ぐとともに水蒸気の拡散を回避することを可能とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the silicon epitaxial wafer, a silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7 and the silicon epitaxial wafer 10 is manufactured.例文帳に追加

拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

A chemical vapor sterilization method is improved by controlling the temperature of the diffusion path between a vaporizer and a sterilization chamber so as to condense and liquefy and then re-vaporize at least a part of the vapor.例文帳に追加

一定の化学的な蒸気滅菌処理が一定の気化装置と滅菌チャンバーとの間における一定の拡散通路の温度を調整して蒸気の少なくとも一部分を液化し、さらに、その後に、これを再気化することにより改善されている。 - 特許庁

A fixed chemical vapor sterilization process is improved by controlling the temperature of a particular diffusion path between a particular vaporizer and a sterilization chamber so as to condense and then re-vaporize at least part of the vapor.例文帳に追加

一定の化学的な蒸気滅菌処理が一定の気化装置と滅菌チャンバーとの間における一定の拡散通路の温度を調整して蒸気の少なくとも一部分を液化し、さらに、その後に、これを再気化することにより改善されている。 - 特許庁

Even if the CO converter 810 and the CO selective oxidation apparatus 830 are not heated with an electric heater, it is possible to prevent the catalyst from getting wet to be deteriorated by storing the water which is obtained, for example, by condensing the water vapor in a gas diffusion region 812 and a diffusion region.例文帳に追加

電気ヒーターにてＣＯ変成器810およびＣＯ選択酸化器830を加熱しなくても、仮に水蒸気が凝縮した水はガス拡散領域812および拡散領域で貯留させ、触媒が濡れて劣化することを防止できる。 - 特許庁

For this phosphorus diffusion method, at vapor-diffusion of phosphorus P to a polysilicon film 12 which is a base film, the upper limit of a temperature is the relatively low temperature of 850°C capable of P density control and the upper limit of a pressure is 5000 Pa capable of the P density control.例文帳に追加

下地膜であるｐｏｌｙＳｉ膜１２にリン（Ｐ）を気相拡散するに際し、温度はＰ濃度制御が可能で比較的低温の８５０℃を上限とし、かつ圧力はＰ濃度制御可能な５０００Ｐａを上限とする。 - 特許庁

The method for depositing a multi-layered film on a surface (44) of a nickel-base superalloy substrate (30) includes a step of depositing a diffusion aluminide coating (42) onto the substrate (30) by the vapor phase aluminiding method, and a step of roughening a surface of the diffusion aluminide coating (42).例文帳に追加

ニッケル基超合金基体（３０）の表面（４４）上に多層皮膜を堆積させる方法は、気相アルミナイド法によって基体（３０）上に拡散アルミナイド皮膜（４２）を堆積させるステップと、拡散アルミナイド皮膜（４２）の表面を粗面加工するステップとを含む。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁