「y ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion implantation device is composed of an extraction electrode of an iron source 2 which is divided in a plurality of extraction electrode pieces in a Y direction.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。 - 特許庁

The generated sample ion is accelerated by an accelerating electrode in a y-axial direction in Fig. 1, and sequentially mass analyzed by an MS disposed at its rear stage.例文帳に追加

生成した試料イオンは、加速電極によって図１中ｙ軸方向に加速され、その後段に配置されたＭＳによって順次質量分析される。 - 特許庁

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁

The compound has antiviral activity and is expressed by general formula (I): Z^-Z^-X-Y-X (I) (X is a heterocyclic cation containing at least one hetero-atom selected from free nitrogen, sulfur and oxygen; Y is (CH_2)_n; n is an integer of 2-9; and Z^- is a halide ion, hexafluorophosphate ion or tetrafluoroborate ion).例文帳に追加

抗ウイルス活性を有し、かつ一般式(I)： Ｚ^- Ｚ^- Ｘ−Ｙ−Ｘ (I)（式中、 Ｘは遊離窒素、硫黄及び酸素からなる群から選ばれた少なくとも一つのヘテロ原子を含む、複素環陽イオンを表し、 Ｙは-(CH_2)_n-であり、 ｎは２から９までの範囲の整数であり、かつ Ｚ^-はハロゲン化物イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン又はテトラフルオロホウ酸イオンである）を有する化合物。 - 特許庁

This ion implanting method carries out implanting of an ion on the entire face of the substrate 2 by using concurrently a reciprocating scan of an ion beam 4 in the X direction by an electric field or a magnetic field and the substrate 2 of a reciprocating drive mechanically in the Y direction orthogonally crossing to the X direction.例文帳に追加

このイオン注入方法は、イオンビーム４を電界または磁界によってＸ方向に往復走査することと、基板２をＸ方向と直交するＹ方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板２の全面にイオン注入を行うものである。 - 特許庁

An electrolyte such as sodium chloride and sodium bicarbonate added in water is electrolyzed to produce the alkaline water A at the site of the cathode 22, which can be heated with the added oil and fat Y to manufacture the soap because the water A contains sodium ion and the other ion such as hydroxide ion.例文帳に追加

水に食塩や重曹といった電解質を加えて、電気分解すると、陰極電極２２側にアルカリ性水Ａができるが、このアルカリ性水Ａは、ナトリウムイオンと水酸イオン等によって形成されるため、このアルカリ性水Ａに油脂Ｙを加えて加熱すれば、石鹸Ｓを作ることができる。 - 特許庁

An ion beam 1 in which only a specified ion species is extracted by a filter Y is made to get incident into a beam irradiation point 2a in the sample in a vacuum container, and the scattered ions are passed through a uniform magnetic field area 26a of a substantial sector shape to be detected by a one-dimensional ion detector 8.例文帳に追加

真空容器３内試料２のビーム照射点２ａに，フィルタＹで特定イオン種のみ抽出したイオンビーム１を入射させ，散乱イオンを略扇形状の一様な磁場領域２６ａに通過させた後に１次元のイオン検出器８で検出する。 - 特許庁

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position.例文帳に追加

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 - 特許庁

This etching agent for the silicongermanium comprises an aqueous solution containing an oxo-acid ion represented by general formula (X_mO_n)-Y (wherein, X is Br or I; m is 1 or 2; n is 1, 3, 4, 6 or 9; and Y is 1, 4 or 5) and a hydrofluoric acid.例文帳に追加

一般式（ＸｍＯｎ）−Ｙ （ＸはＢｒまたはＩ、ｍは１または２、ｎは１、３、４、６または９、Ｙは１、４または５）で表されるオキソ酸イオンとフッ化水素酸を含む水溶液からなる、シリコンゲルマニウムのエッチング剤。 - 特許庁

Afterwards, the time-focused ion beam is space-focused by a triple-convergence TOFMS spectral part 7 in two directions (x, y-axis) directions) rectangular with the optical axis direction, and eventually space focusing in the x, y, z-axis direction is attained.例文帳に追加

その後、この時間収束されたイオンビームは３重収束のTOFMS分光部７で光軸方向と直交する２方向（ｘ,ｙ軸方向）の空間収束され、最終的にｘ,ｙ,ｚ軸方向の空間収束が達成される。 - 特許庁

The ion implantation device is provided with first/second permanent magnet rows 40, 42 that are respectively provided on the further upstream side than a target so as to face each other in the Y-direction across a path of an ion beam 4.例文帳に追加

このイオン注入装置は、ターゲットよりも上流側に設けられていて、イオンビーム４の経路を挟んでＹ方向において相対向するように配置された第１および第２の永久磁石列４０、４２を備えている。 - 特許庁

In the general formula (Y), Ms are each independently hydrogen or cation, and M when being cation, is Li^+, Na^+, K^+ or NH_4^+ ion and further, at least one M is a K^+ ion.例文帳に追加

一般式（Ｙ）： 一般式（Ｙ）において、Ｍは各々独立して水素原子又はカチオンを表し、Ｍがカチオンを表す場合はＬｉ^＋イオン、Ｎａ^＋イオン、Ｋ^＋イオン、又はＮＨ_４^＋イオンを表し、少なくとも１つのＭがＫ^＋イオンである。 - 特許庁

To provide an ion source in which control of plasma density distribution in Y direction of a plasma generation container is easy, and bending of an ion beam orbit caused by a magnetic field generated in the plasma generation container can be prevented.例文帳に追加

プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度分布の制御が容易であり、しかもプラズマ生成容器内に発生させる磁界によってイオンビームの軌道が曲げられるのを防止することができるイオン源を提供する。 - 特許庁

Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加

(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁

A set battery consists of a series connection of three (Y) assemblies 2A, 2B, 2C, each consisting of a parallel connection of two (X) lithium ion secondary batteries (1A1 and 1A2), two others (1B1 and 1B2) and two others (1C1 and 1C2), respectively.例文帳に追加

Ｘ＝２個のリチウムイオン二次電池（１Ａ1 ，１Ａ2 ）と、（１Ｂ1 ，１Ｂ2 ）と、（１Ｃ1 ，１Ｃ2 ）を並列接続した集合体２Ａ，２Ｂ，２ＣをＹ＝３個直列接続して構成する。 - 特許庁

To provide a measuring method measuring in a simple way an advance angle in an X-direction of ribbon-shaped ion beams at a plurality of positions in a Y-direction (a length direction).例文帳に追加

リボン状のイオンビームのＸ方向における進行角を、Ｙ方向（長手方向）における複数位置において簡単な方法で測定する測定方法を提供する。 - 特許庁

An X-axis stage 14, a Y-axis stage 15 and a swinging stage 13 move the surface position of the free curved face forming mold 12 irradiated with the gas cluster ion beam 10.例文帳に追加

Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。 - 特許庁

The synthetic phlogopite powder is prepared by substituting 5-50 mol% of sodium in a synthetic sodium phlogopite powder with a monovalent cation Y having an ion radius of 1.20 Å or more.例文帳に追加

合成ナトリウム金雲母粉体中のナトリウムのうち５〜５０モル％がイオン半径１．２０Å以上の１価陽イオンＹで置換された合成金雲母粉体。 - 特許庁

In the formula, X^+ and Y^- represent a combination of a counter cation and a counter anion which may form an ion pair, R represents a hydrogen atom or a methyl group, and A represents a linking group.例文帳に追加

（式中、Ｘ^＋とＹ^−は、イオン対を形成し得る対カチオンと対アニオンの組み合わせを表し、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、Ａは連結基を表す。） - 特許庁

Since velocity components in the (z) direction perpendicularly crossing to the (y) axis are not present at the point when ions are incoming to the ion reservoir 3, resolution can be enhanced.例文帳に追加

従って、イオンがイオン溜３に入射する時点で、ｙ軸と直交するｚ軸方向の速度成分を持たないので、分解能を向上させることができる。 - 特許庁

A disk 3 with a plurality of semiconductor substrates placed thereon is arranged in a state where an angle formed by the X-Y plane perpendicular to an ion beam 1 and the straight line orthogonal to the Y-axis in the rotation plane 32 of the disk 3 becomes a first angle β_1.例文帳に追加

複数の半導体基板が載置されたディスク３が、イオンビーム１と垂直なＸ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第１の角度β_1となる状態で配置される。 - 特許庁

The ion implantation apparatus is provided with a plurality of gas introducing parts 38 introducing raw material gas 34 into an ion source 2 generating a ribbon-shape ion beam 4 and arranged in the Y-direction, and a plurality of flow regulators 36 controlling the flow of the introducing raw material gas 34.例文帳に追加

このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。 - 特許庁

The porcelain composition is an oxide ion mixed conductor porcelain composition substantially having a perovskite crystal structure, the oxide ion mixed conductor porcelain composition contains at least 1) Ba, 2) Co and/or Fe and 3) In and/or Sn and/or Y, and the component 3) has been disposed at the B site of the perovskite structure.例文帳に追加

実質的にペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物イオン混合伝導体磁器組成物であって、該酸化物イオン混合伝導体磁器組成物が少なくとも１）Ba、２）Co、及び／又はFe、３）In、及び／又はSn、及び／又はY、の１）から３）を同時に含み、３）の成分がペロブスカイト型構造のBサイトに配置されている事を特徴とする磁器組成物である。 - 特許庁

A pair of two lithium ion battery cells 15 arrayed in a Y direction are sequentially connected in series by a connecting line L1, and the lithium ion battery cells 15 adjacent to each other in a lamination direction (X direction) are sequentially connected in series by the connecting line L1.例文帳に追加

Ｙ方向に２個配置されたリチウムイオン電池セル１５間が順次、接続ラインＬ１により直列接続され、また、積層方向（Ｘ方向）に隣接するリチウムイオン電池セル１５間が順次、接続ラインＬ１により直列接続されている。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device, capable of widely supplying low-energy electrons to ion beams having large dimensions in the Y direction than the dimensions in the X direction, thereby uniformly controlling charges of a substrate.例文帳に追加

Ｘ方向の寸法よりもＹ方向の寸法が大きいイオンビームに対して低エネルギーの電子を広範囲に供給することができ、それによって基板の帯電を均一性良く抑制することができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

By this manufacturing method of the positive electrode material for the lithium-ion battery, the positive electrode material for the lithium-ion battery is manufactured as expressed in a formula: Li_xA_yPO_4 (0.8<x<2, 0<Y<1.5, here, A is a kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr.)例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極材料の製造方法は、一般式Ｌｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４（０．８＜ｘ＜２、０＜Ｙ＜１．５、ただし、ＡはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた１種）で表されるリチウムイオン電池用正極材料を製造するものである。 - 特許庁

A pair of positive ion discharge needle 31 and a negative ion discharge needle 32 are supported in each holder 40 by each pair, and this holder 40 can be attached and detached along a direction (mounting direction y) crossing the row direction (longitudinal direction x) of the discharge needles 30.例文帳に追加

正イオン用放電針３１及び負イオン用放電針３２を１対ずつ各ホルダ４０に保持させ、このホルダ４０が放電針４０の並び方向（長手方向ｘ）に直交する方向（装着方向ｙ）に沿って着脱できる。 - 特許庁

Formerly, as the space convergence conditions, (x|x), (α|α), (y|y), (β|β), all were needed to be ±1, but the conditions are greatly eased, so that degrees of freedom of parameters for deciding shapes or the like of electrodes constituting the ion optical system are widened.例文帳に追加

従来、空間収束条件として、（ｘ｜ｘ）、（α｜α）、（ｙ｜ｙ）、（β、β）がいずれも±１である必要があったのに対し条件が大幅に緩和されることで、イオン光学系を構成する電極の形状等を決めるパラメータの自由度が広がる。 - 特許庁

Since a perovskite compound expressed by general formula (Ln_1-xAe_x)(Ti_yAl_zM_1-y-z)O_3 has a high oxygen permeable performance and a low reduction expansion coefficient due to containing both of Ti and Al in the B site, the oxygen separating film high in oxygen ion conductibility and superior in reduction durability is obtained.例文帳に追加

一般式(Ln_1-xAe_x)(Ti_yAl_zM_1-y-z)O_3で表されるペロブスカイト化合物はＢサイトにTiおよびAlを共に含むことから、高い酸素透過性能と低い還元膨張率とを有するので、酸素イオン伝導性が高く且つ還元耐久性の優れた酸素分離膜が得られる。 - 特許庁

The both main coils 206, 212 are saddle-form coils having main body parts 208, 214 each of which covers half or more of one side of Y direction of the ribbon-shaped ion beam 50 respectively, and collaborates mutually to generate the main magnetic field that bends the ion beam 50 to X direction.例文帳に追加

両主コイル２０６、２１２は、それぞれ、リボン状のイオンビーム５０のＹ方向の一方側の半分以上ずつをカバーする本体部２０８、２１４を有する鞍型のコイルであって、互いに協働してイオンビーム５０をＸ方向に曲げる主磁界を発生させる。 - 特許庁

A driving means 31, a driving means 32 and a driving means 33 by which the angle of irradiation of an ion beam emitted from an ion gun 23 is fixed and by which a stage 3 used to hold a sample 4 is moved along the vertical direction (Z-direction) and the horizontal direction (X-direction and Y-direction) are installed.例文帳に追加

イオン銃２３から照射されるイオンビームの照射角を固定するとともに、鉛直方向（Ｚ方向）および水平方向（ＸおよびＹ方向）に沿って、試料４を保持するステージ３を移動させる駆動手段３１、３２、３３を設ける。 - 特許庁

The method for producing the alkene sulfide by reacting an alkene with hydrogen sulfide and sulfur in the presence of the catalyst is characterized by the use of a type X or Y zeolite containing a hydrogen ion and an alkali metal ion as the catalyst.例文帳に追加

アルケン、硫化水素および硫黄を触媒の存在下で反応させる硫化アルケンの製造方法において、前記触媒として、水素イオンと、アルカリ金属イオンとを含有するＸ型またはＹ型ゼオライトを用いることを特徴とする硫化アルケンの製造方法。 - 特許庁

An electrostatic deflector 30 in which a pair of electrodes 32 interposing a passage in X direction are arranged in a plurality of stages in Y direction is installed at the passage of ribbon-shape ion beams 2.例文帳に追加

リボン状のイオンビーム２の経路に、当該経路をＸ方向において挟む電極対３２をＹ方向に複数段に配置して成る静電偏向器３０を設けておく。 - 特許庁

In the general formula (Y), Ms are each independently hydrogen or cation, and M when being cation, is Li^+, Na^+, K^+ or NH_4^+ ion.例文帳に追加

一般式（Ｙ）（一般式（Ｙ）中、Ｍはそれぞれ独立に水素原子またはカチオンを表し、Ｍがカチオンを表す場合はＬｉ^＋イオン、Ｎａ^＋イオン、Ｋ^＋イオンまたはＮＨ_４^＋イオンを表す。） - 特許庁

A joining part of the two beam application areas is positioned in the line-forming division band 22, and a Y-directional end part of the ion beam 4 is shaped in parallel to an X-direction, by a mask.例文帳に追加

しかも二つのビーム照射領域の連ね部を行形成分割帯２２に位置させ、かつイオンビーム４のＹ方向の端部をマスクでＸ方向に平行に整形する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus which is installed between a beam scanner and a beam collimator, and capable of electrically correcting a deviation of an orbit in an XZ plane of the ion beam caused by an assembling error and a production error of an electrode constituting a unipotential lens to converge the ion beam in Y-direction in the unipotential lens.例文帳に追加

ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition contains a photobase generating agent and a polyimide precursor as specified compounds which are constituted of an anthracene skeleton or a thioxantone skeleton and have a substituted group of CH_22-Y^+X^- as a base-producing part (here, Y^+ denotes specified quaternary ammonio group and X^- denotes its counter ion).例文帳に追加

アントラセン骨格もしくはチオキサントン骨格を有し、塩基発生部位としてＣＨ_２２−Ｙ^＋Ｘ^−（ここでＹ^＋は特定の第４級アンモニオ基、Ｘ^−はそのカウンターイオン）が置換された特定の化合物である光塩基発生剤、及びポリイミド前駆体を含有する感光性樹脂組成物。 - 特許庁

In the general formula (1), Za^1 to Za^2 each denotes an atom group forming an acid nucleus, Ma^1 to Ma^3 each denotes a methine group, ka denotes an integer of 0 to 3, Q denotes a neutralization ion and y denotes the number required for neutralization.例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｚａ^1〜Ｚａ^2は酸性核を形成する原子群。Ｍａ^1〜Ｍａ^3はメチン基。ｋａは０〜３までの整数。Ｑは中和するイオン、ｙは中和に必要な数。） - 特許庁

Thickness T of the cluster protective layer satisfies a following relation, when the dosage of the gas cluster ion beam is n, and the etching efficiency of the cluster protective layer is the etching volume Y per cluster (a and b are constants).例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、を満たす。 - 特許庁

In the manufacturing method of the lithium-containing nickel oxyhydroxide, a solution containing lithium ion and a multi-cyclic aromatic compound and NiOOH_1-YLi_Y(0<y≤1) are made in contact with each other.例文帳に追加

リチウム含有オキシ水酸化ニッケルの製造方法において、リチウムイオンと多環芳香族化合物とを含む溶液とＮｉＯＯＨ_１−ｙＬｉ_ｙ（０＜ｙ≦１）とを接触させることを特徴とする。 - 特許庁

The crystalline aqueous coloring material is composed of a polyion complex in which an anion (Y) of a salt composed of a polymer (X) having a cationic hydrophilic segment (X1) and the anion (Y) having a fluorine atom, a nitrogen atom or an oxygen atom is ion-exchanged with a coloring compound (Z) having an anionic functional group.例文帳に追加

カチオン性の親水性セグメント（Ｘ１）を有するポリマー（Ｘ）とフッ素原子、窒素原子、又は酸素原子を有するアニオン（Ｙ）とからなる塩における該アニオンが、アニオン性の官能基を有する着色性化合物（Ｚ）でイオン交換されたポリイオンコンプレックスからなる結晶性水性着色材料。 - 特許庁

The ion air fed with the feed tube 22 is blown off from the downstream side of the transfer direction of a paper conveyance belt 6 to each transcription nip part on which toner in the first to third colors (M, C, Y) are transcribed.例文帳に追加

送給チューブ２２にて送給されてきたイオンエアーは、１色目〜３色目のトナー（Ｍ，Ｃ，Ｙ）が転写される各転写ニップ部に対し、用紙搬送ベルト６の移動方向の下流側から噴出される。 - 特許庁

The oxide ion conductor is represented by the formula (1): La_10±_d(Si_6-xM_x)O_27 (wherein Ms are each identical to or different from each other and each represents Mg, Al, Sc, Ga, Y or In; d is 0.5; and 0<x≤0.9).例文帳に追加

下記一般式（１）；Ｌａ_10±_d（Ｓｉ_6-xＭ_x）Ｏ_27（１）（式中、Ｍは、同一若しくは異なって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ又はＩｎを表す。ｄは、０．５である。）で表され、０＜ｘ≦０．９の関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

Then, lengths L1, L2 in the ion beam advancing direction Z of the respective magnetic electrodes 22, 32 constituting the both magnetic electrode pairs 20, 30 are made to be larger as they go away outside from the center of the beam path in the Y direction.例文帳に追加

かつ両磁極対２０、３０を構成する各磁極２２、３２のイオンビーム進行方向Ｚにおける長さＬ_1 、Ｌ_2 を、Ｙ方向においてビーム経路の中心から外側に離れるに従って大きくしている。 - 特許庁

The surfaces of metallic base materials 31, 34 are provided with an ion implantation layer 32 of one or more kinds of metallic elements selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y reacted with F_2 gas and fluoride gas, but in which the vapor pressure of the resultant reaction product is low by using an ion implantation method or a plasma implantation method.例文帳に追加

金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。 - 特許庁