「argon ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

The silicon oxide thin film is formed in the presence of oxygen at ≤300°C by spraying a material gas obtained by vaporizing hexamethyldisilane onto a substrate placed inside a film-forming chamber while simultaneously applying an ion beam such as argon generated by an ion source onto the substrate at ≤300 eV .例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴン等のイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、酸素の存在下、３００℃以下で、酸化ケイ素薄膜を形成する。 - 特許庁

In mass spectrometry by introducing a sample to an ion source and ionizing it by electron ionization, the sample and at least one kind of inert gas such as helium, nitrogen, argon, neon, krypton and xenon are simultaneously introduced to the ion source when determining concentration of a stable isotope of a specific element in the sample.例文帳に追加

試料をイオン源に導入して電子イオン化法によりイオン化して質量分析することにより、前記試料中の特定の元素の安定同位体の濃度を求める際に、前記イオン源に前記試料と共に不活性ガス、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴン、ネオン、クリプトン及びキセノンの少なくとも１種を同時に導入する。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。 - 特許庁

The generated plasma (ion) is carried by the argon gas from an exhaust port 11b through a gas flow path 21a, approximately uniformly emitted from a surface of a transfer shape part 21 and shed to (blown against) the grindstone 22.例文帳に追加

発生したプラズマ（イオン）は、アルゴンガスに搬送されて、排出口１１ｂからガス流路２１ａを介して搬送され、転写形状部２１の表面からほぼ均一に放出されて砥石２２に照射される（吹き付けられる）。 - 特許庁

Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like.例文帳に追加

被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。 - 特許庁

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁

The carbon system conducting auxiliary used in the lithium ion battery 1 has a peak intensity ratio I_G/I_D which is a ratio of peak intensity I_D of 1360 cm^-1 and peak intensity I_G of 1580 cm^-1 by Raman spectroscopy using an argon laser of 0.80-1.5.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池１に用いられる前記炭素系導電助材は、アルゴンレーザを用いたラマンスペクトルによる、１５８０ｃｍ^-1のピーク強度Ｉ_Gに対する１３６０ｃｍ^-1のピーク強度Ｉ_Dであるピーク強度比Ｉ_G／Ｉ_Dが、０．８０以上、かつ１．５以下である。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

A thermal type air flow rate sensor is configured to carry out ion implanting by using at least any one atom or molecule from among inactive elements such as silicon, oxygen, argon, or nitrogen to a silicon oxide film 4 formed most closely to the surface (in the uppermost layer), and to make the density of the atom contained in the silicon oxide film 4 higher than that before carrying out ion implanting.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明の熱式空気流量センサは、表面の最も近く（最上層）に形成されるシリコン酸化膜４に、シリコン，酸素又はアルゴンや窒素等の不活性元素の中から少なくともいずれか一つの原子又は分子を用いてイオン打ち込みを行い、シリコン酸化膜４に含まれる原子の濃度をイオン打ち込みを行う前よりも高める。 - 特許庁

Butadiene on the surface is removed by etching a molded article molded with an ABS resin or an ABS/PC based polymer alloy in chromic acid, argon ion bombardment is performed and the electromagnetic wave shield film of one or more kinds selected from a group composed of copper, nickel, aluminum, chromium, tin and silver is formed.例文帳に追加

ＡＢＳ樹脂またはＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイで成形された成形品を、クロム酸中でエッチングすることにより表面のブタジェンを除去し、アルゴンイオンボンバードを行い、銅、ニッケル、アルミニウム、クロム、錫および銀からなる群から選ばれる１種以上の電磁波シールド膜を成膜する。 - 特許庁

Thereafter, at the time point when the target 13 is heated to a prescribed temperature, a prescribed bias voltage is impressed to the target 13 with an electric source 14 and ion contained in the argon gas in the treating vessel 11, formed to plasma with the electric beam, is accelerated and collided to this target 13.例文帳に追加

その後、ターゲット１３が所定の温度まで加熱された時点で、電源１４によりターゲット１３に所定のバイアス電圧を印加し、電子ビームによってプラズマ化された処理容器１１内のアルゴンガスに含まれるイオンを加速して当該ターゲット１３に衝突させる。 - 特許庁

At least the molding face 1a of the die for an optical element is subjected to ion implantation with argon ions 10 progressing in the direction at 70° to 110° angle θ from the tangential plane (A) in the center of the molding face 1a to form a film having minute crystal grains on the surface of the molding die face 1a.例文帳に追加

光学素子成形用型の少なくとも成形面１ａに対し、この成形面１ａの中心における接平面Ａとのなす角度θが７０°〜１１０°である方向から進行するアルゴンイオン１０によってイオン注入を施こし、成形面１ａの表面に微細な結晶粒が存在する膜を形成する。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

The monolayer film and the multilayer film include a layer made of at least zirconium oxide, and the layer made of zirconium oxide is formed on the substrate according to an ion-assist deposition while introducing nitrogen gas, argon gas or a mixed gas thereof.例文帳に追加

基板の上に薄層を形成してなる耐擦傷性物品の製造方法であって、前記薄層は単層膜または多層膜からなり、前記単層膜および多層膜は、少なくとも酸化ジルコニウムからなる層を含み、前記酸化ジルコニウムからなる層を、窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスを導入しながらイオンアシスト蒸着により前記基板上に形成する。 - 特許庁

A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター８、１／２波長板９、走査用Ｘ−Ｙスキャナー７、集光レンズ１０を経た後、偏光面調整された照射光１となり、シリコンウェーハ試料３表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁

The above problem can be solved by comprising a process for forming a first optical transmissive film forming a column-like projection by spacing a prescribed interval on a semiconductor substrate, a process for forming a second optical transmissive film of the same material of the first optical transmissive film on the first optical transmissive film, and a process for irradiating argon ion toward the second optical transmissive film.例文帳に追加

半導体基板上に所定の間隔を隔てて柱状の突起部が形成された第１の光透過膜を形成する工程と、第１の光透過膜上に第１の光透過膜と同一の材料の第２の光透過膜を形成する工程と、第２の光透過膜に向けてアルゴンイオンを照射する工程と、を備えることで上記課題を解決することができる。 - 特許庁

The method of substrate treatment on an SOI substrate includes a step of processing the surface of the SOI substrate by a PACE method using plasma or a GCIB method using a gas cluster ion beam, and a step of annealing the SOI substrate subjected to the above processing by heat treating the SOI substrate in an argon atmosphere or in an inert gas atmosphere containing hydrogen of 4 vol% or less.例文帳に追加

少なくとも、ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程と、前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを有する、ＳＯＩ基板の表面処理方法。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

7. Excimer laser oscillators, copper laser oscillators, metal laser oscillators, sodium laser oscillators, barium laser oscillators, carbon monoxide laser oscillators, carbon dioxide laser oscillators, hydrogen fluoride laser oscillators, deuterium fluoride oscillators, and laser oscillators designed to be excited by excitation transfer from oxygen, krypton ion laser oscillators, argon laser oscillators and gas laser oscillators other nitrogen laser oscillators which fall under any of the following 例文帳に追加

（七）　エキシマーレーザー発振器、銅レーザー発振器、金レーザー発振器、ナトリウムレーザー発振器、バリウムレーザー発振器、一酸化炭素レーザー発振器、二酸化炭素レーザー発振器、ふっ化水素レーザー発振器、ふっ化重水素レーザー発振器、酸素からの励起移動によって励起するように設計したよう素レーザー発振器、クリプトンイオンレーザー発振器、アルゴンイオンレーザー発振器又は窒素レーザー発振器以外のガスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

(4) the tapping specific gravity is 1.0-1.3, and (5) the peak intensity ratio R at 1360 cm^-1 to the peak intensity at 1580 cm^-1 in the argon ion laser Raman spectrum is more than 0.5, while the half band width of the 1580 cm^-1 peak is more than 26 cm^-1.例文帳に追加

（１） 平均粒子径が１０〜４０μｍ 、比表面積が１０^２／ｇ 以下（２） Ｘ線回折法による黒鉛結晶子の（００２） 面の面間隔ｄ００２ が０．３３７ｎｍ 未満、Ｃ軸方向の結晶子の大きさＬｃが１００ｎｍ 以上（３） 真比重が２．１８〜２．２５（４） タッピング比重が１．０ 〜１．３（５） アルゴンイオンレーザーラマンスペクトルにおける１５８０ｃｍ^−１のピーク強度に対する１３６０ｃｍ^−１のピーク強度比Ｒの値が０．５ 超、かつ、１５８０ｃｍ^−１ピークの半値幅が２６ｃｍ^−１超 - 特許庁