「argon ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ii. Krypton ion laser oscillators or argon ion laser oscillators the average output or continuous wave rated output of which exceeds 50 watts 例文帳に追加

２　平均出力又は持続波の定格出力が五〇ワットを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

By using a high-frequency power source device for plasma generation, argon gas is dissociated into argon plus ion (Ar^+) and electron.例文帳に追加

プラズマ発生用高周波電源装置を用い、アルゴンガスをアルゴンプラスイオン（Ａｒ^＋）と電子に解離させる。 - 特許庁

Also a method for ion implantation of germanium or argon can be used.例文帳に追加

又、ゲルマニウムとかアルゴンをイオン注入する方法を使用できる。 - 特許庁

The surface of the surface acoustic wave element is ion-beam-etched by argon.例文帳に追加

弾性表面波素子の表面をアルゴンでイオンビームエッチングする。 - 特許庁

6. Krypton ion laser oscillators or argon ion laser oscillators which fall under any of the following 例文帳に追加

（六）　クリプトンイオンレーザー発振器又はアルゴンイオンレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The ion gun 20 emits argon ions and irradiates argon ions to the back surface of the processing sample gripped by the holder 50.例文帳に追加

また、イオン銃２０は、アルゴンイオンを放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の裏面に、アルゴンイオンを照射する。 - 特許庁

The silicon oxide thin film is formed by introducing argon added oxygen, while performing argon-ion sputtering.例文帳に追加

酸素ガスにアルゴンガスが添加されて導入され、アルゴンイオンによるスパッタリングを行いながら、酸化珪素薄膜が作成される。 - 特許庁

Moreover, under this atmosphere, stabilizing gas such as nitrogen, hydrogen, argon, or the like is introduced ion advance.例文帳に追加

また、この雰囲気中には、窒素、水素、アルゴン等の安定ガスを導入しておく。 - 特許庁

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

i. Krypton ion laser oscillators or argon ion laser oscillators which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse and the pulse peak output of which exceeds 50 watts 例文帳に追加

１　一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、パルスのピーク出力が五〇ワットを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

An ion source 2 projects a beam 2a (for instance, Argon (Ar) ion beam) to a target material 3 to sputter the target material 3.例文帳に追加

イオン源２は、ターゲット材３に向けてイオンビーム２ａ（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射し、ターゲット材３をスパッタする。 - 特許庁

When the ion flow and the plasma stream are joined, a plasma stream containing the argon ion Ar+ with a given energy is obtained.例文帳に追加

このイオン流とプラズマ流とを合流させたときに、所定のエネルギー有するアルゴンイオンAr+を含むプラズマ流が得られる。 - 特許庁

The surface of the mask 12 is obliquely irradiated with, for example, an ion beam such as helium and argon.例文帳に追加

そのマスク１２の上から、たとえばヘリウムまたはアルゴン等のイオンビームで斜方照射を行なう。 - 特許庁

After the drying by a hot blast, an argon ion bombardment process is preferably carried out to the surface of the undercoat.例文帳に追加

前記熱風乾燥の後に、アンダーコートの表面に、アルゴンイオンボンバードを行うことが好ましい。 - 特許庁

Before the deposition of the oxidation preventing film, ion bombardment by gaseous argon may be executed in a vacuum.例文帳に追加

前記酸化防止膜を形成する前に、真空中でアルゴンガスによるイオンボンバードを行ってもよい。 - 特許庁

Alternatively, the surface of the diamondlike carbon film is treated by an ion beam containing the similar gas and gaseous argon.例文帳に追加

あるいは同様のガスとアルゴンガスとを含むイオンビームにより、ダイヤモンド状炭素膜の表面を処理する。 - 特許庁

A residual gallium layer 3 on the surface of the thin piece 6 cut by the focused ion beam apparatus is removed by sputtering a gas cluster ion beam 1 such as argon.例文帳に追加

アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。 - 特許庁

Microwaves are oscillated by a microwave oscillator 101, and at the same time, argon gas Ar is guided in from a gas guide-in port 102 to generate plasma consisting of argon ion Ar^+ and electron e^-.例文帳に追加

マイクロ波発振器１０１でマイクロ波を発振すると共に、ガス導入口１０２からアルゴンガスArを導入して、アルゴンイオンAr^+と電子e^−から成るプラズマを生成する。 - 特許庁

A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加

質量分離型のイオン照射装置１ａは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２、引き出し電極３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６、基板７から構成される。 - 特許庁

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁

In the small collision chamber 36, since its interior pressure is raised without introducing additional gas, argon ion is neutralized by collision/recombination of ion and electron, so that the ion density of the plasma is reduced.例文帳に追加

当該小衝突室３６では、追加のガスを導入することなく、その内部の圧力が高められるので、イオンと電子の衝突・再結合によってアルゴンイオンが中和されプラズマのイオン密度が低減される。 - 特許庁

The method in which an argon/hydrogen reactive-ion etching is used for removing the tantalum/fluorine byproduct is provided.例文帳に追加

本発明はタンタル/フッ素副生成物を除去するためアルゴン/水素反応性イオンエッチングを使用する方法を提供するものである。 - 特許庁

The oxidation preventing film is formed as the silicide film through heat treatment under the atmosphere not including oxygen or through radiation of argon ion.例文帳に追加

酸化防止膜は、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を施すことにより、あるいはアルゴンイオン照射によりシリサイド化する。 - 特許庁

With the He-Cd laser, the shallow region of the strong field drift layer is excited, and with argon ion laser, a deeper region is excited.例文帳に追加

Ｈｅ−Ｃｄレーザでは強電界ドリフト層の浅い領域が励起され、アルゴンイオンレーザではより深い領域まで励起される。 - 特許庁

In this way, plasma is generated and the argon ion in this plasma is emitted against the surface of a treating material 36 to wash that surface.例文帳に追加

これによって、プラズマが発生し、このプラズマ中のアルゴンイオンが被処理物３６の表面に照射され、当該表面が洗浄される。 - 特許庁

After etching by gallium ion beam, when the sample is irradiated with argon ions at a low angle, the damaged layer at a time of etching is removed to enable observation of higher resolving power.例文帳に追加

ガリウムイオンビームによるエッチング後、アルゴンイオンを低角度で照射すると、エッチングの際のダメージ層が除去され、更に高分解能の観察が可能になる。 - 特許庁

Disclosed is a method for forming an SiO_x film where argon plasma generated by an end hole type ion source and a part of electrons used for generating the plasma are acted on a hexamethyldisiloxane or a mixed gas of hexamethyldisiloxane and oxygen, and, simultaneously, low energy argon ions generated from the ion source are emitted to the surface of a substrate.例文帳に追加

エンドホール型イオン源で発生したアルゴンプラズマと、このプラズマを発生させるに用いる電子の一部をヘキサメチルジシロキサンガス又はヘキサメチルシロキサンと酸素の混合ガスに作用させると同時に、イオン源から発生された低エネルギーアルゴンイオンを基板上に照射することを特徴とするＳｉＯ_ｘ膜を形成する方法。 - 特許庁

An amorphous silicon film 2 containing argon element or phosphorus ion and boron ion is formed on a glass substrate 1, and an amorphous silicon film 4 is formed on the amorphous silicon film 2 through an insulation film 3.例文帳に追加

ガラス基板１上に、アルゴン元素あるいは、リンイオン及びホウ素イオンを含有する非晶質シリコン膜２を形成し、この非晶質シリコン膜２上に、絶縁膜３を介して非晶質のシリコン膜４を形成する。 - 特許庁

The ions to be irradiated are generated in the argon-ion sputtering ion source 2 and the ions thus generated are pulled out of the ion source 2 by the pullout electrodes 3 and then passed through the magnetic field of the electromagnet 4 for mass separation so that only ions of the same mass are taken out.例文帳に追加

照射されるイオンは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２より発生させ、発生したイオンは引き出し電極３によりイオン源２から引き出され、その後質量分離用電磁石４の磁場を通過することにより、同一質量のイオンのみが取り出される。 - 特許庁

(b) Argon ion laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 400 nanometers and less than 515 nanometers, with an average output exceeding 40 watts 例文帳に追加

ロ　四〇〇ナノメートル超五一五ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアルゴンイオンレーザー発振器であって、平均出力が四〇ワットを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

A level difference 30 between the upper surface of the silicon oxide film 44 and the upper surface of the tungsten plug 48 produced at this time is smoothed by performing sputter etching using an argon ion.例文帳に追加

その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。 - 特許庁

In one example of the optical article, argon peak is present at the surface area in a spectrum obtained by analyzing the first layer from the surface toward the deep side with secondary ion mass spectrometry.例文帳に追加

この光学物品の一例は、第１の層を表面から深さ方向に二次イオン質量分析した際のスペクトルにおいてアルゴンのピークが表層域にあるものである。 - 特許庁

A microcomputer 30 controls the current density of the argon ions emitted by the ion gun 20, based on the current density of transmitted electrons measured by a current detector 40.例文帳に追加

また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 - 特許庁

Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加

その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板１の表面を平坦化する。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.例文帳に追加

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁

During the filming of both the partial films 43a, 43b, washing for removing fine particles stuck to the surface of the lower partial film 43a is performed by ion milling using argon oil.例文帳に追加

そして、両部分膜４３ａ，４３ｂの成膜の合間に、アルゴンイオンを用いたイオンミリングによって、下側の部分膜４３ａ上に付着した微細なパーティクルを除去する洗浄を行う。 - 特許庁

Thereby, the dipoles 14 are aligned by the electric field produced between the argon ion and the lower electrode 16, which develops nonlinear optical characteristics in the SiO2-GeO2 thin film 12.例文帳に追加

以上により、アルゴンイオンと下部電極１６との間に生じる電界により、ダイポール１４が配向され、ＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２に非線形光学特性が発現される。 - 特許庁

Then, the surface of the metallic fittings after buffing is irradiated with the argon plus ion (Ar^+) accelerated by applying a high voltage to remove the buffing compound (buffing grouts) made of silicon or the like.例文帳に追加

そして、高電圧をかけることによって加速したアルゴンプラスイオン（Ａｒ^＋）をバフ研磨後の金属製建具の表面に照射してシリコン等からなるバフ研磨剤（バフかす）を除去する。 - 特許庁

This method comprises employing a gas obtained by means of gasifying hexamethyldisilane as a material gas, and spraying the gas on a substrate in a film forming chamber, while generating an ion beam of argon from an ion source, and irradiating the substrate with the ion beam at 300 eV or less while simultaneously spraying the material gas, to form the SiC thin-film at 300°C or lower.例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴンのイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、３００℃以下でＳｉＣ薄膜を形成する。 - 特許庁

Then, the deterioration and the deformation can be prevented by setting the pressure of the argon gas ion, the cathode electric power Ec, the anode voltage Va and cathode bias voltage Vcb so that the current made to flow in the treating material 36 with the ion emission becomes ≤5.6 mA/cm^2.例文帳に追加

ここで、イオン照射により被処理物３６に流れる電流が５．６ｍＡ／ｃｍ^２以下となるように、アルゴンガスイオンの圧力、カソード電力Ｅｃ、アノード電圧Ｖａおよびカソードバイアス電圧Ｖｃｂを設定すれば、変質および変形を防止できる。 - 特許庁

A surface of a resin member constituted of a polymeric compound having carbon or a resin composition containing the polymeric compound is exposed to an ion beam under reduced pressure in the presence of a mixed gas of argon and hydrogen to thereby implant the ion beam in the resin member.例文帳に追加

炭素を有する高分子化合物又は該高分子化合物を含有する樹脂組成物で構成された樹脂製部材の表面を、アルゴンと水素の混合ガスが存在する減圧下でイオンビームに暴露すると、樹脂製部材にイオンビームが注入される。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it.例文帳に追加

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。 - 特許庁

Prior to cladding metal with a high melt point, a natural silicon oxide film that is formed on a polycrystalline silicon layer is removed by sputter etching of an argon gas ion with low energy of 5 to 50 eV.例文帳に追加

高融点金属の被着に先立ち、多結晶シリコン層上に形成された自然のシリコン酸化膜の除去を、５〜５０ｅＶの範囲のエネルギを持った低エネルギーのアルゴンガスイオンのスパッタエッチングにより行う。 - 特許庁

Also disclosed is a SiO_x film forming device at least comprising: an exhaust mechanism; an argon gas introduction mechanism; preferably, a hexamethyldisiloxane gas introduction mechanism; an end hole type ion source; and a substrate holder.例文帳に追加

装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置 - 特許庁