「activation rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A control unit 60 of a vehicle 1 includes: an active state determination part 70 for determining the active state of a catalyst 13 installed on an exhaust path 11 of an engine 10; and a threshold changing part 80 for, when the catalyst 13 is prior to activation, changing a power generation start SOC threshold based on the SOC deterioration rate of a battery 30.例文帳に追加

車輌１の制御装置６０は、エンジン１０の排気路１１に設けられた触媒１３の活性状態を判定する活性状態判定部７０と、触媒１３が活性前である場合にバッテリ３０のＳＯＣ低下率に基づいて、発電開始ＳＯＣ閾値を変更する閾値変更部８０と、を備えている。 - 特許庁

The invention relates to the ethylene copolymer for foam molding under pressure comprising a monomer unit based on ethylene and a monomer unit based on a 3-20C α-olefin, wherein the copolymer has a 0.5-0.8 g/10 min of melt flow rate and a ≥ 40 kJ/mol of activation energy.例文帳に追加

エチレンに基づく単量体単位と炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位とを有するエチレン系共重合体であって、メルトフローレートが０．０５〜０．８ｇ／１０分であり、流動の活性化エネルギーが４０ｋＪ／ｍｏｌ以上である加圧発泡成形用エチレン系共重合体。 - 特許庁

In the initial activation of the battery in which charges and discharges are conducted repetitively, the rate of magnetization of the hydrogen occluding alloy is enhanced by subjecting the battery charged at least one time to an aging at a temperature of 60-70°C in the condition that the charging electric amount per charging run does not exceed 130% of the rated capacity.例文帳に追加

充電放電を繰り返し行うニッケル水素蓄電池の初期活性化方法において、充電操作１回当たりの充電電気量が定格容量の１３０％を超えず、少なくとも１回、充電後の電池を温度６０〜７０℃においてエージングすることによって水素吸蔵合金の磁化率を高める。 - 特許庁

The component (A) is an ethylenic copolymer containing an ethylenic monomer unit and a monomer unit derived from a 3-20C α-olefin, and having a melt flow rate (MFR) of 0.01-5 g/10 min, a molecular weight distribution (Mw/Mn), measured by gel permeation chromatography (GPC), of ≥5 and a flow activation energy of ≥40 kJ/mol.例文帳に追加

（Ａ）：エチレンに基づく単量体単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位とを有し、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．０１〜５ｇ／１０分であり、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が５以上であり、流動の活性化エネルギーが４０ｋＪ／ｍｏｌ以上であるエチレン系共重合体。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

(A): an ethylenic copolymer comprising a monomer unit based on ethylene and a monomer unit based on a 3-20C α-olefin, and having 0.01-5 g/10min melt flow rate (MFR), ≥5 molecular weight distribution (Mw/Mn) measured by gel permeation chromatography (GPC) and ≥40 kJ/mol activation energy of fluidization.例文帳に追加

（Ａ）：エチレンに基づく単量体単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位とを有し、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．０１〜５ｇ／１０分であり、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が５以上であり、流動の活性化エネルギーが４０ｋＪ／ｍｏｌ以上であるエチレン系共重合体。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

For this, heat is robbed by the cylinder 12c having a higher heat absorption and radiation rate than gas, whereby temperature is lowered with the combustion gas suppressed in activation, during which premixing with air and an elementary reaction are securely achieved, and stable blue fire combustion is achieved without permitting an intermediate product in an unstable state where oxidization and thermal decomposition are not relatively promoted to directly flow into the combustion section 14.例文帳に追加

このため、気体に比し熱の吸収・輻射率の高い筒体１２ｃに熱を奪われて温度が下がり燃焼気の活性化を押えられ、その間に空気との予混合及び素反応を確実に踏ませ、不安定状態にある比較的酸化・熱分解の進んでいない中間生成物が直接燃焼部１４に流れ込むことがなく、安定した青火燃焼を行わせ得る。 - 特許庁

Provided that, the component (A): An ethylene-α-olefin copolymer containing a constituting unit derived from ethylene and a constituting unit derived from a 3-20C α-olefin, and having 0.01 to 5 g/10 min melt flow rate and ≥35 kJ/mol activation free energy of flow, (B): An ethylene-vinyl acetate copolymer and (C): A nonionic surfactant.例文帳に追加

成分（Ａ）：エチレンから誘導される構成単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィンから誘導される構成単位を含むエチレン・α−オレフィン共重合体であって、メルトフローレートが０．０１〜５ｇ／１０分であり、流動の活性化エネルギーが３５ｋＪ／ｍｏｌ以上であるエチレン・α−オレフィン共重合体成分（Ｂ）：エチレン・酢酸ビニル共重合体成分（Ｃ）：非イオン系界面活性剤 - 特許庁

To provide an ink for a fuel cell catalyst layer and its manufacturing method, and furthermore, a membrane electrode assembly formed by using the ink and the manufacturing method wherein in a solid polymer fuel cell, the surface area of the catalyst layer is increased, and it is possible that the feed rate of oxygen to a reaction site is improved, and that the catalyst layer of a small activation overvoltage is fabricated.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池において、触媒層の表面積を大きくし、反応サイトへの酸素の供給速度を向上させ、活性化過電圧の小さな触媒層を作製することが可能な燃料電池触媒層用インク及びその製造方法、さらに該インク及び製造方法を用いて形成した燃料電池用膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for a heterobipolar transistor, including a collector layer 3, a base layer 4, and an emitter layer 5 on a semi insulating InP substrate 1, hydrogen atoms contained into the base layer 4 are consumed and the activation rate of carbon impurity is improved by using an organic phosphorous compound, such as trimethylphosphate as the raw material for epitaxial growth of all or a part of the emitter layer 5.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板１上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含むヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、エミッタ層５のすべてまたは一部のエピタキシャル成長の原料として、トリメチルリン等の有機リン化合物を用いることにより、ベース層４に取り込まれた水素原子を消費し、炭素不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

Since the magnetic activation of the fluid is performed by the fluid transfer pipe itself as shown in Fig. 1, it is necessary to attach the magnet to the fluid transfer pipe and form the magnetic force capable of passing the fluid at a flow rate faster than a predetermined rate and perpendicularly.例文帳に追加

「解決手段」流体の磁気活性化を流体移送管自体が行なうので流体移送管に磁石を装着することと流体移送管内部に流体が一定以上の流速で直角に通過できる磁界形成が必要であるので流体移送管の一部分を長方形の流路として使用し、その長方形の平担部にその内部を通過する流体が直角に通過できるように磁石を組込み内蔵し、流体の流速をその長方形流路で加速させることを特徴とする流体流路一部分長方形の流体磁気活性化流体移送管である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁