「"activation rate"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A resin substrate is treated with a first ozone solution having the high activation rate, and after that, the resin substrate is treated with a second ozone solution having the activation rate lower than that of the first ozone solution.例文帳に追加

樹脂基板を活性化速度の大きい第１のオゾン溶液で処理した後に、第１のオゾン溶液より活性化速度の小さい第２のオゾン溶液で処理する。 - 特許庁

The activation rate becomes about 2% at the ion implantation temperature of 400°C and becomes about 5% at 500°C, so that a higher activation rate can be obtained than the activation rate of about 1.8% when performing electric furnace annealing of one hour at 400°C after the ion implantation at room temperature.例文帳に追加

活性化率はイオン注入温度４００℃で約２％、５００℃で約５％となり、室温でのイオン注入後に４００℃で１時間の電気炉アニールを行ったときの活性化率約１．８％に比べ高い活性化率が得られるようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride based semiconductor device with an improved magnesium activation rate.例文帳に追加

マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。 - 特許庁

In such insert molding, the sheet metal and the thermoactive tape are stuck to each other by heating the sheet metal to be set at a predetermined activation rate, and the sheet metal, a resin and the thermoactive tape are stuck to one another by injecting the resin at a temperature for setting the activation rate higher than the predetermined activation rate in a die in which the sheet metal is inserted.例文帳に追加

かかるインサート成形では、所定の活性率となるように板金が加熱されることで該板金と熱活性テープが接着され、板金が入れられた型に所定の活性率よりも高くなる温度の樹脂が注入されることで板金、樹脂及び熱活性テープが接着される。 - 特許庁

To provide a method which further enhances an activation rate without increasing an impurity diffusion length.例文帳に追加

不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。 - 特許庁

To suppress the migration of silicon germanium films in depositing the silicon germanium film with a high activation rate of dopant.例文帳に追加

ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。 - 特許庁

To provide a semi-insulating GaAs single crystal substrate having both of high specific resistance and high activation rate.例文帳に追加

高い比抵抗と高い活性化率とを兼ね備えた、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The quality of the prepared test pattern is verified, based on the calculated stress activation rate.例文帳に追加

このように算出したストレス活性化率に基づいて、作成したテストパターンの良否を検証することができる。 - 特許庁

Annealing is applied to the n type ZnO-based compound semiconductor layer, and the activation rate of the n type impurity is improved.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ系化合物半導体層にアニール処理を施し、ｎ型不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

Also, in the inactive region 21, an electrical activation rate X or injected ions is 1%≤X≤30%.例文帳に追加

また、不活性領域２１において、注入されたイオンの電気的な活性化率Ｘは１％≦Ｘ≦３０％である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor layer capable of improving an electric activation rate of carriers of a semiconductor layer having a p-type conductivity.例文帳に追加

導電型がＰ型の半導体層のキャリアの電気的活性化率を高くできる半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably improve the activation rate of p-type impurities of a nitride semiconductor into which the p-type impurities are introduced.例文帳に追加

ｐ型不純物が導入された窒化物半導体におけるｐ型不純物の活性化率を安定して向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the electric activation rate of impurities and uses an impurity-doped layer deterring impurities from being diffused.例文帳に追加

不純物の電気的活性化率を向上させ、不純物の拡散を抑制した不純物ドープ層を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The injection time and the injection amount of the expansion process injection F1 at this time are set based on the activation rate of the oxidation catalyst 28a.例文帳に追加

この時の膨張行程噴射Ｆ１の噴射時期及び噴射量は、酸化触媒２８ａの活性化率に基づいて設定されている。 - 特許庁

Accordingly, a higher activation rate can be achieved, and crystal defects can be prevented due to the reduced amount of C implanted.例文帳に追加

このため、さらなる高活性率化を図ることができると共に、Ｃの注入量低減により結晶欠陥抑制を図ることも可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The activation rate (a) is defined by 'the concentration of the activated n-type impurities obtained by SR analysis/the concentration of the n-type impurities obtained by SIMS analysis'.例文帳に追加

活性化率ａは（ＳＲ分析にて得られた活性化したｎ型不純物の濃度）／（ＳＩＭＳ分析にて得られたｎ型不純物の濃度）で定義される。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero bipolar transistor, in which the activation rate of carbon added to a base layer as a p-type impurity is high.例文帳に追加

ベース層へｐ型不純物として添加した炭素の活性化率の高いヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ZnO-based light-emitting device containing ZnO crystal having a high activation rate or ZnO-based semiconductor compound crystal.例文帳に追加

活性化率の高いＺｎＯ結晶、またはＺｎＯ系半導体化合物結晶を含むＺｎＯ系発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To further enhance an activation rate without increasing an impurity diffusion length for a material having a small thermal resistance such as SiGe or the like also in a millisecond anneal.例文帳に追加

ミリセカンドアニールにおいて、ＳｉＧｅなどの熱的耐性の小さい材料に対しても、不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to increase an activation rate of impurities in a field stop layer formed in a region ≥1 μm deep from a backside surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏側の表面から深さ１μｍ以上の深い領域に形成されるフィールドストップ層の不純物の活性化率を高めることが困難である。 - 特許庁

The terminal activation rate of the polyoxyalkylene derivative with the molecular weight of 1,000-100,000, which has a terminal active group at its terminal bonding chemically to a physiologically active substance, is analyzed.例文帳に追加

末端に生理活性物質と化学結合する末端活性基を有し、分子量が１０００〜１０００００でポリオキシアルキレン誘導体の末端活性化率を分析する。 - 特許庁

To obtain a burn-in circuit which improves the activation rate of an internal circuit without making a microcomputer itself in a stopped state and can remove an initial failure.例文帳に追加

マイクロコンピュータ自身を停止状態にすることがなく、内部回路の活性化率を向上し、初期故障を取り除くことが可能なバーンイン回路を得ることである。 - 特許庁

To shorten largely a test time by improving an activation rate of a word line only at the time of a test of a row system without changing constitution of DRAM cores, in a DRAM-mixed logic LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載ロジックＬＳＩにおいて、ＤＲＡＭコアの構成を変えることなく、ロウ系のテスト時のみワード線の活性化率を上げてテスト時間を大幅に短縮化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device eliminating an occurrence of a surface roughness of a bunching step or the like to sufficiently improve an activation rate of an impurity-injection layer.例文帳に追加

バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To activate carbon contained in a semiconductor layer at high activation rate and to form a tunnel-junction of high tunnel current peak density, so as to manufacture a multi-junction solar cell of high efficiency.例文帳に追加

半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。 - 特許庁

To provide the crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor by which the activation rate of a p-type dopant can be improved and high carrier concentration exceeding 10^18 cm^-3 order be obtained.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの活性化率を向上させ、１０^18ｃｍ^-3のオーダーを超える高キャリア濃度を得ることの可能なｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which comprises an ohmic electrode having a high impurity activation rate and high electron mobility and having small contact resistance and small parasitic resistance in a contact layer.例文帳に追加

コンタクト層における不純物活性化率及び電子の移動度が高く、コンタクト抵抗及び寄生抵抗が小さいオーミック電極を備えた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To carry out an accurate and precise measurement by using an analyzing method for obtaining a terminal activation rate of a polyoxyalkylene derivative, even in the case the polyoxyalkylene derivative has a large molecular weight.例文帳に追加

ポリオキシアルキレン誘導体の末端活性化率を求める分析方法において、ポリオキシアルキレン誘導体が高分子量であっても正確かつ高精度で測定できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device in which impurities, such as Li etc., with a high activation rate, are restrained from being diffused into an active layer whose main component elements are Zn and O so as to improve the active layer in characteristics.例文帳に追加

Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To surely apply a predetermined voltage between terminals in all transistors for composing a cell during a predetermined time, and improve a transistor activation rate without inspecting a logical value e.g. a toggle rate such as a wiring voltage between the cells.例文帳に追加

トグル率のようにセル間の配線電圧のように論理値で検査するのではなく、セルを構成する全ての各トランジスタの各端子間に所定電圧を所定時間だけより確実に印加して、トランジスタ活性化率をより向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor device, with which a thin-film semiconductor device of superior characteristics can be manufactured, by enhancing the activation rate of an impurity in impurity doped regions without causing strain of the substrate.例文帳に追加

基板の歪を生ずることなく、不純物領域の不純物の活性化率を向上させ、優れた特性の薄膜半導体装置を製造することを可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the impurity can be replaced surely at the lattice positions when the surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 doped with the impurity, activation rate of impurities can be enhanced.例文帳に追加

このように、不純物がドーピングされたアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has a p-type group III nitride-based compound semiconductor layer of low resistance with an improved activation rate of p-type dopant and is superior in stability and durability of operation, and to provide its manufacturing method at a low cost.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの活性化率が向上した低抵抗のｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する、動作の安定性と耐久性とに優れた、半導体素子及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a ZnO-based compound semiconductor that is improved in both of an activation rate and crystalline properties, in order to manufacture a semiconductor light-emitting element suitable as a light-emitting device.例文帳に追加

発光デバイスとして適した半導体発光素子を作製するため、活性化率と結晶性の双方を向上させるＺｎＯ系化合物半導体、それを用いた半導体発光素子及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film (Poly SiGe film) containing germanium can contain boron in a high concentration as compared with a polysilicon film and furthermore is a material that is easily set to be low resistance since the activation rate of the boron at a low temperature is high.例文帳に追加

ゲルマニウムを含むポリシリコン膜（ポリＳｉＧｅ膜）はポリシリコン膜に比べてホウ素を高濃度に含有することができ、さらに低温におけるホウ素の活性化率が高いことから低抵抗にすることが容易な材料である。 - 特許庁

After making the terminal active group labeled by using a labeling reagent having an ionic functional group, the analysis is carried out by using a liquid chromatography employing an ion-exchange column, and the terminal activation rate is calculated from an area percentage in a chromatogram obtained by an RI detector.例文帳に追加

イオン性官能基を持つラベル化試薬にて末端活性基をラベル化した後、イオン交換カラムを用いた液体クロマトグラフィーで分析を行い、ＲＩ検出器で得られるクロマトグラムにおける面積百分率より、末端活性化率を求める。 - 特許庁

In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region.例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層１８は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのｐ型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。 - 特許庁

The activation rate is inferred based on the exhaust gas flow rate of exhaust gas passing through the oxidation catalyst 28a, the temperature of exhaust gas flowing into the oxidation catalyst 28a, and the injection time and the injection amount of the expansion process injection F1 injected immediately before it.例文帳に追加

そして、活性化率は、酸化触媒２８ａ内を通過する排気ガスの排気ガス流速、酸化触媒２８ａに流入する排気ガスの温度、及び直前に噴射された膨張行程噴射Ｆ１の噴射時期及び噴射量とに基づいて、推定される。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

Since the relation 0.75×D≤C≤D holds, where C is the hole density of the p-type clad layer 7 and D is activation rate of the holes and further a relations 1.5×1017 cm-3≤C≤9.5×1017 cm-3 is valid, the semiconductor LD1 shows a high optical output.例文帳に追加

このｐ型クラッド層７の正孔濃度Ｃと正孔の活性化率Ｄとの間に０．７５×Ｄ≦Ｃ≦Ｄの関係があり、且つ、１．５×１０^17ｃｍ^-3≦Ｃ≦９．５×１０^17ｃｍ^-3の関係があるため、半導体ＬＤ１は高い光出力を示す。 - 特許庁

To provide a growth method of a semiconductor layer which can raise the doping amount (activation rate of Zn) at a saturation point of Zn when a p-type AlGaInP semiconductor layer is made to grow, and a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the growth method of the semiconductor layer is used.例文帳に追加

ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させるときのＺｎの飽和点におけるドーピング量（Ｚｎの活性化率）を上げることができる半導体層の成長方法と、この半導体層の成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the impurity layer is continuously irradiated with the pulses 10a and 10b so that effects similar to those to be obtained when the impurity layer is irradiated with a simple pulse whose half width is long can be obtained, and that high activation rate can be realized from the shallow region to deep region of the impurity layer.例文帳に追加

このようにパルス１０ａ，１０ｂを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor in which a metal salicide layer is suitably formed on the surface of a gate electrode to realize low resistance of the gate electrode, related to the semiconductor device in which Ge is introduced to the gate electrode of a PMOS transistor to improve activation rate of B.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極中にＧｅを導入してＢの活性化率を高めた半導体装置において、ゲート電極の表面に金属サリサイド層を好適に形成してゲート電極の低抵抗化を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁