意味 | 例文 (457件) |
contact protectionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 457件
A protection layer 7 obstructing the contact of the forming material of the second electrode 3 with the first electrode 1 and the semiconductor layer 5 in the forming of the second electrode 3 is formed in the porous layer 2 before the second electrode 3 is formed by the deposition of the forming material of the second electrode 3 on the porous layer 2 after the porous layer 2 is formed on the first electrode 1 by lamination.例文帳に追加
第一電極1に多孔質層2を積層して形成した後、この多孔質層2に第二電極3の形成材料を成膜して第二電極3を形成する前に、第二電極3形成時の第二電極3の形成材料と第一電極1及び半導体層5との接触を阻止する保護層7を前記多孔質層2に形成する。 - 特許庁
When the external equipment, for example, a house information panel 2, is connected to a composite type alarm 1, a predetermined signal is given to a voltage output line from a contact circuit (switch) SW2 of the house information panel 2 by utilizing conventional voltage output function and short circuit protection function to receive a signal from the house information panel 2 by the composite type alarm 1.例文帳に追加
複合型警報器1に外部機器として例えば住宅情報盤2を接続する場合、従来からある有電圧出力機能および短絡保護機能とを利用して、有電圧出力線に住宅情報盤2の接点回路(スイッチ)SW2から所定の信号を与えることにより、住宅情報盤2からの信号を複合型警報器1で受信できるようにする。 - 特許庁
To provide a light shielding water soluble resin composition which can be effectively used as a light shielding protection film arranged between an organic semiconductor film and an interlayer insulating film to prevent crystallity from being reduced and the organic semiconductor film from being optically oxidized when the interlayer insulating film is irradiated with light in the case of forming the organic semiconductor film of an organic electric element so as to contact with the interlayer insulating film.例文帳に追加
有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
In this ultrasonic probe, which is provided with: a pair of electrodes 1a, 1b; the ultrasonic oscillator 2 to be held between the electrodes 1a, 1b; and a protection member 3 to be held between an object 11 to be inspected and the electrode 1b, a flowable contact medium 4 mainly consisting of glass is interposed between the electrodes 1a, 1b and the ultrasonic oscillator 2.例文帳に追加
一対の電極1a、1bと、該電極1a、1b間に狭持される超音波振動子2と、被検査物11と前記電極1bの間に狭持される保護部材3とを備える高温用超音波探触子において、前記電極1a、1bと前記超音波振動子2との間にガラスを主成分とする流動性の接触媒質4を介在させる。 - 特許庁
A plurality of kinds of transistor bulks having different a gate length and gate width, and different interval between a gate electrode and the contact of a source electrode or a drain electrode are arranged freely in an I/O buffer region and electrostatic protection capability and output drive capability are optimized by connecting transistor bulks, corresponding in number to requested functions or performances, arbitrarily through aluminum interconnect.例文帳に追加
入出力バッファ領域に、ゲート長やゲート幅、さらに、ソース電極やドレイン電極のコンタクトとゲート電極の間隔がそれぞれ異なるトランジスタのバルクを複数種類用意して自由に配置し、要求される機能や性能に応じた数のトランジスタのバルクを任意にアルミ配線により接続して静電保護能力や出力駆動能力の最適化を行う。 - 特許庁
In the elution suppression method for the heavy metal, a protection film containing titanium oxide insoluble in acidic water and/or silicon oxide on a surface of the metal compound by bringing a solution containing a complexing agent capable of forming a complex with titanium and/or silicon or and its complex with titanium and/or silicon in contact with the soils.例文帳に追加
上記土壌類に、チタン及び/又はケイ素と錯体を形成しうる錯化剤、またはそれとチタン及び/又はケイ素との錯体を含む溶液を接触させて、該金属化合物表面上に酸性水に不溶なチタン酸化物及び/又はケイ素酸化物を含む保護膜を形成させることを特徴とする重金属の溶出抑制方法などによって提供する。 - 特許庁
A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加
ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁
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