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「concentration on」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索
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該当件数 : 5672



例文

An ultraviolet laser beam is radiated on a silicon-germanium thin film which contains carbon, nitrogen and oxygen of concentrations, each of which has a concentration lower than 5×1010 cm-3, to fuse the thin film, and after that the fused thin film is recrystallized and a semiconductor thin film is obtained by enabling the Raman shift of a Raman peak to be set into a wave number larger than 515 cm-1.例文帳に追加

本発明によると、炭素、窒素および酸素の濃度がいずれも5×10^^19cm^-3以下であるシリコン−ゲルマニウム薄膜に紫外線レーザ光を照射して、溶融させた後に再結晶化し、ラマン・ピークのラマンシフトが515cm^-1以上の波数にせしめることによって得られることを特徴とする半導体薄膜が提供される。 - 特許庁

Based on an output of the power generation unit and the obtained power generation efficiency rate, a fuel consumption amount to be consumed by the generation of the power generation unit and a fuel equivalent to a sum of a calculated fuel shortage and a consumed fuel amount is supplemented to a mixing tank 28 by a supply unit and the fuel concentration supplied to the power generation unit is controlled.例文帳に追加

起電部の出力と求められた発電効率とから、起電部により発電で消費される燃料の消費量を算出し、算出された燃料不足量と算出された燃料の消費量との合計に相当する燃料を、供給部により混合タンク28に補充し、起電部に供給される燃料の濃度を制御する。 - 特許庁

In this crucible used for manufacturing, in particular, the silicon nitride powder, a covering film formed of a silicon carbide layer and a silicon nitride layer in this order from a graphite crucible body to a surface layer is formed on the surface of the graphite crucible body, and the silicon nitride layer includes an inclined composition having the concentration of the silicon nitride gradually reduced toward the graphite crucible body from the surface layer side.例文帳に追加

黒鉛坩堝本体の表面に、黒鉛坩堝本体から表層に向かって順に炭化ケイ素層及び窒化ケイ素層からなる被覆膜を有し、前記窒化ケイ素層は、表層側から黒鉛坩堝本体に向かって窒化ケイ素の濃度が漸次低下する傾斜組成を有する、特に窒化ケイ素粉末製造のために用いる坩堝。 - 特許庁

As a result, a part having high rigidity in the block 18 is inclined in a tire peripheral direction, that is, the part is dispersed in the tire width direction, and thereby concentration of inputs causing noise when the block 18 grounds on a road surface can be dispersed to the whole of the block 18, exciting force to the tire is weakened, and a noise level during traveling can be reduced.例文帳に追加

これにより、ブロック18の中で高い剛性を有する部分がタイヤ周方向に対して傾斜、即ち、タイヤ幅方向に分散することになり、ブロック18が路面に接地した際の騒音の原因となる入力の集中をブロック全体へ分散でき、タイヤへの加振力を弱め、走行時の騒音レベルを低減することができる。 - 特許庁

例文

Relating to the image forming device that a system to simultaneously execute developing and cleaning is applied and the toner concentration in developer is detected and controlled by the toner density of the toner patch formed on the image carrier, developing bias at a developing means is provided so as to be switched, and the developing bias lower than that at formation of an ordinary image is applied at the time of forming the toner patch.例文帳に追加

現像同時クリーニングシステムを採用し、像担持体上に形成されたトナーパッチの濃度により現像剤中のトナー濃度を検知・制御する画像形成装置において、現像手段における現像バイアスを切り替え可能に設け、当該トナーパッチ形成時は通常画像形成時より低い現像バイアスを印加する。 - 特許庁


例文

The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusion layer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33.例文帳に追加

アスペクト比が1以上の微小な溝1を多数形成し、この溝1内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層31を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層32を形成し、シリコン柱4を除去することでトレンチ101、102を形成し、このトレンチ101、102内を絶縁膜33で埋める。 - 特許庁

Water is sprinkled on wastes 1 of the covered type final disposal site by using a sprinkler 2, and a Ca component is removed from a leachate 3 containing salt water of high concentration thus produced and then an intermediary treated water after the removal of the Ca component is desalted by a crystallizing process, thereby circulating a part of the desalted water as a sprinkling water for the disposal site.例文帳に追加

被覆型最終処分場の廃棄物1に対して散水装置2により散水し、これによって生じた高濃度の塩を含む浸出水3からCa成分を除去し、Ca成分除去後の中間処理水を晶析方法によって脱塩し、脱塩水の一部を処分場内の散水用水として循再利使用する。 - 特許庁

The compound containing the thiol group or sulfide group in the sample is adsorbed/immobilized/enriched on an electrode surface to be followed by reductive elimination, a current therein or a time integration value i.e. an elimination electric quantity therein, and a potential in the elimination are measured to identify and detect a chemical species of the compound, and the concentration thereof is found further in addition thereto.例文帳に追加

試料内のチオール基あるいはスルフィド基含有化合物を電極表面上に吸着・固定・濃縮し、これを還元的に脱離させ、その電流値、あるいはその時間積分値すなわち脱離電気量、及び脱離時の電位を計測することにより、上記化合物の化学種を識別、検出し、かつその濃度を求める。 - 特許庁

This method for growing the plant by using the ozone gas comprises arranging an ozone gas generator (10) in a closed space (6), measuring temperature and humidity of environmental air in the closed space at a prescribed time interval, generating the ozone gas in a low concentration from the environmental air based on the measured value for a prescribed time, and diffusing the generated ozone gas in the closed space.例文帳に追加

オゾンガスを用いた植物の育成方法は、閉鎖空間(6)内にオゾンガス発生機(10)を配置すること、所定の時間周期で閉鎖空間内の環境空気の温度および湿度を測定すること、測定値にもとづいて環境空気から低濃度のオゾンガスを一定時間発生させること、閉鎖空間内にオゾンガスを拡散させることからなる。 - 特許庁

例文

To provide a water treatment method for a circulation type cooling water system which saves water by carrying out a high concentration operation of the circulation type cooling water system and decreasing the volume of blow water and suppressing the adverse influence on the environment by reducing the discharge rate of chemicals as far as possible while preventing the obstacle by corrosion and scale adhesion.例文帳に追加

循環式冷却水系の高濃縮運転を実施して、ブロー水量を低減することにより節水を図ると共に、腐食およびスケール付着による障害を防止しつつ、薬剤の排出量をできるだけ低減して、環境への悪影響を抑制した循環式冷却水系の水処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

例文

The gas sensor device 100 comprises a first radiation source 102 for emitting radiation 116, a second radiation source 102 for emitting radiation 116, a gas measuring chamber 104 to be filled with a gas sample 110 containing a sample to be measured, and a detector device 108 that detects the radiation and generates an output signal depending on the existence and concentration of the sample.例文帳に追加

ガスセンサ装置100は、放射116を放出する第1放射源102、放射116を放出する第2放射源102、計測される試料を含むガス試料110で充填されるガス計測室104、及び放射を検出すると共に試料の存在、濃度に依存して出力信号を発生する検出器デバイス108を具備する。 - 特許庁

The positive-electrode active material is used with a composition such that at least one of sulfur (S), phosphorus (P), and fluorine (F) exists in the aggregate on the surface of a complex-oxide particle containing transition metal and metallic element M; and that the metallic element M has concentration gradient getting concentrated toward the surface from the center of the complex-oxide particle.例文帳に追加

遷移金属と金属元素Mとを含む複合酸化物粒子の表面に硫黄(S)、リン(P)およびフッ素(F)のうちの少なくとも一種が、複合酸化物粒子表面に凝集した形態で存在し、金属元素Mが、複合酸化物粒子の中心から表面に向けて濃くなる濃度勾配を有している正極活物質を用いる。 - 特許庁

The fatty acids may contain further 0 to 80 mol% of one kind or ≥2 kinds selected from the group consisting of a 2 to 22C linear saturated fatty acid, 6 to 30C linear or branched unsaturated fatty acid, 6 to 30C cyclic saturated or unsaturated fatty acid and 4 to 11C branched saturated fatty acid, based on the whole concentration of fatty acids.例文帳に追加

脂肪酸は、さらに、炭素数2〜22の直鎖飽和脂肪酸、炭素数6〜30の直鎖又は分岐の不飽和脂肪酸、炭素数6〜30の環状の飽和又は不飽和脂肪酸及び炭素数4〜11の分岐飽和脂肪酸よりなる群から選ばれる1種又は2種以上を全脂肪酸に対して0mol%〜80mol%を含有していてもよい。 - 特許庁

The electrolytic electrode material made of an alloy, which is composed of platinum and silver in which the concentration of silver is in the range of 1 wt.% to 50 wt.%, is used as a surface layer formed on the surface of a base, thereby efficiently producing active oxygen species such as ozone and OH radical at a low current density in the electrodialysis using the electrolytic electrode.例文帳に追加

白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が1wt%以上50wt%以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやOHラジカル等の活性酸素種を生成する。 - 特許庁

(c) The semiconductor substrate is then fused in a range narrower than the depth of narrowest peak position from the first surface out of the positions where the impurity concentration has a peak, and the first surface of the semiconductor substrate is irradiated with a laser beam on condition that the deepest position from the first surface has a temperature equal to or higher than the target temperature.例文帳に追加

(c)不純物の濃度がピークとなる位置のうち、第1の表面から最も浅いピーク位置の深さよりも浅い範囲で半導体基板を溶融させ、かつ、不純物が添加されている、第1の表面から最も深い位置を、目標温度以上の温度とする条件で、半導体基板の第1の表面にレーザビームを照射する。 - 特許庁

The ultraviolet absorbance measuring instrument includes an operation part 34 for calculating the concentration of an organic turbidity substance in the sample solution by subtracting the absorbance of visible light from that of ultraviolet rays, and the ultraviolet ray source 10 housed in a light source part 36 is arranged on the light path formed by a visible light source 12 and a visible light detection element 30.例文帳に追加

紫外線吸光度計測器は、紫外線吸光度から可視光吸光度を差し引くことにより、試料液中の有機汚濁物質濃度を算出する演算部34を備え、光源部36の内部に収容された紫外線光源10は、可視光光源12と可視光受光素子30とにより形成される光路上に配置されている。 - 特許庁

An impurity adjustment region 119 with P-type impurities introduced in the heavily doped part 115b is formed in a collector region 116 side part, and carrier (electron) concentration of the part is reduced, whereby the efficiency of minority carrier injection into the buffer region 115 and the drift region 104 from the collector region 116 is improved, and the on-voltage is reduced.例文帳に追加

一方、高不純物濃度部分115b中にP型不純物を導入した不純物調整領域119をコレクタ領域116側部に設け、この部分のキャリア(電子)濃度を低減させることで、コレクタ領域116からバッファ領域115、ドリフト領域104への少数キャリア注入効率を向上させ、オン電圧を低減させる。 - 特許庁

The malonylisoflavone, the group A saponin and the group B saponin are obtained by a series of steps by causing an extract liquid from a soybean raw material which has no thermal history exceeding 50°C to adsorb on an adsorbent exhibiting a hydrophobic interaction, followed by three-stage elution where ethanol concentration and a pH are controlled.例文帳に追加

50℃を超える熱履歴を有していない大豆原料を使用し、当該大豆原料からの抽出液を疎水的相互作用を有する吸着剤へ吸着させた後、エタノール濃度及びpHを制御した、3段階の溶出を行うことにより、マロニル体イソフラボン、グループAサポニン及びグループBサポニンを一連の工程で取得する。 - 特許庁

The coating apparatus is provided with an application part which applies a liquid body including the metal that is easily oxidized on a substrate, a chamber which surrounds an application space for the liquid body to be applied by the application part and a transferring space after the application of the substrate that the liquid body has been applied, and an adjustment part which adjusts at least one of the oxygen concentration and humidity within the chamber.例文帳に追加

易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバと、前記チャンバ内の酸素濃度及び湿度のうち少なくとも一方を調整する調整部とを備える。 - 特許庁

In the method of heat treating the silicon wafer obtained by slicing a silicon monocrystalline ingot manufactured by Czochralski method, a rapid heating and rapid cooling heat treatment is performed on the silicon wafer which is at least 1.4×10^18 atoms/cm^3 in oxygen concentration under an oxygen-containing atmosphere and at a highest end-point temperature which is at least 1,325°C and not more than the melting point of the silicon.例文帳に追加

チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が1.4×10^18atoms/cm^3以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を1325℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 - 特許庁

(1) The full grain or suede leather-like sheet is made of an entangled nonwoven fabric, and a base material, the inside of which is impregnated with a polymeric elastic body; (2) the full grain or suede leather-like sheet is superposed on the core material by sewing; and (3) the concentration of dimethylformamide (DMF) existing in the leather-like flooring material is 10 ppm or less.例文帳に追加

(1)銀付調またはスエード調皮革様シートが絡合不織布およびその内部に高分子弾性体が含浸された基材からなる、(2)芯材に銀付調またはスエード調皮革様シートを縫い付けにより積層してなる、及び(3)皮革調床材中に存在するジメチルホルムアミド(DMF)濃度が10ppm以下である。 - 特許庁

To provide a ball guide device of a game machine and a prize device using the same, imparting a further diversity according to a flow-down mode of a game ball entering a prize device, giving a further concentration to a player on whether or not the game ball entering the prize device enters a winning pocket, thereby improving excitement and enjoyment of a game.例文帳に追加

入賞装置内に入球した遊技球の流下態様により一層の多様性を与え、入賞装置内に入球した遊技球が入賞口へ入賞するか否かについて、遊技者に一層の緊張感を与え、もって遊技の興趣を高めることのできる球誘導装置及び球誘導装置を用いた入賞装置を提供する。 - 特許庁

The conductive particles 8b includes: core particles 11; a palladium layer 12 which covers the core particles 11 and of which phosphorus concentration is 1 wt.% or more and 10 wt.% or less, and the thickness is 20 nm or more and 130 nm or less; and insulating particles 1 which are arranged on a surface of the palladium layer 12 and of which the particle diameter is 20 nm or more and 500 nm or less.例文帳に追加

コア粒子11と、コア粒子11を被覆し、リン濃度が1重量%以上10重量%以下で、厚さが20nm以上130nm以下であるパラジウム層12と、パラジウム層12の表面に配置され、粒径が20nm以上500nm以下の絶縁性粒子1と、を備える導電粒子8b。 - 特許庁

To reduce the number of processes and to raise the heat tolerance by performing dephosphorization with only a converter, in a method for assuming the P concentration in molten steel after blowing with sufficient accuracy, in a converter blowing for controlling the molten steel temperature after stopping the blowing and C and P concentrations into the targeted values by deciding the used amounts of O_2 and coolant based on intermediate measured result information at the blowing time.例文帳に追加

吹錬時の中間測定結果情報に基づいてO_2使用量と冷却材使用量を決定し、吹止後の溶鋼温度と、C及びP濃度を目標値に制御する転炉吹錬において、吹止後の溶鋼中のP濃度を精度よく推定する方法であって、脱Pを転炉のみで行って工程数を少なくし、熱裕度を向上させる。 - 特許庁

The method is a continuous method for producing nitrobenzene by adiabatically nitrating benzene with a sulfuric acid/nitric acid mixture, wherein the total of the concentration of metal ions which form a slightly soluble metal sulfate in the reaction zone is below 900 mg/L based on the volume of the water phase containing sulfuric acid.例文帳に追加

ニトロベンゼンの連続的な製造法において、硫酸と硝酸との混合物によりベンゼンを断熱的にニトロ化し、その際、わずかに可溶性の金属硫酸塩を形成する金属イオンの反応帯域中での濃度の合計が、硫酸を含有する水相の体積に対して900mg/l未満であることを特徴とする方法。 - 特許庁

An SiH concentration in the silica particles of the ultraviolet ray reflecting film is25 wtppm in the excimer lamp having the ultraviolet ray reflecting film 18, formed by ultraviolet ray dispersion particles comprising the silica particles and alumina particles on the inner surface of the discharge container 11 comprising silica glass.例文帳に追加

シリカガラスよりなる放電容器の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子よりなる紫外線散乱粒子により形成された紫外線反射膜を有するとともに、キセノンを含むガスを封入した放電ランプにおいて、前記紫外線反射膜のシリカ粒子中のSiH濃度は25wtppm以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new azomethine compound having a hue which is preferable on reproducibility of color, having an optimal molecular absorption characteristic, good light resistance, large molar absorption coefficient and good maximum concentration, a mixture of the azomethine compound with a metal ion- containing compound, a heat-sensitive transfer material and a color toner.例文帳に追加

色再現性上好ましい色相を有し、最適な分子吸光特性を有し、耐光性が良好であり、モル吸光係数が大きく、画像の最大濃度が良好な新規なアゾメチン化合物及び該アゾメチン化合物と金属イオン含有化合物との混合物、並びにそれらを含有する感熱転写記録材料及びカラートナーを提供すること。 - 特許庁

This polyester monofilament consists of a polyester composition containing80 wt.% saturated polyester (A), 0.2-15 wt.% random copolymer (B) of styrene.acrylonitrile.2-isopropenyl-2-oxazoline, and ≥0.02 wt.% un-reacted monocarbodiimide compound (C), and having ≤7 equivalent terminal carboxyl group concentration based on 10^6 g monofilament.例文帳に追加

飽和ポリエステル(A)80重量%以上と、スチレン・アクリロニトリル・2−イソプロペニル−2−オキサゾリンランダム共重合体(B)0.2〜15重量%と、未反応のモノカルボジイミド化合物(C)0.02重量%以上とを含有するポリエステル組成物からなり、かつモノフィラメント10^6 gあたりの末端カルボキシル基濃度が7当量以下であるポリエステルモノフィラメント。 - 特許庁

Thus, the total of energy consumed by all the pixels on one scanning line in one selection period is a total of energy consumption I when displaying only R signal, energy consumption II when displaying only R signal, and energy consumption III when displaying only B signal, and concentration of the energy consumption in rising of the selection period is prevented.例文帳に追加

これにより、1本の走査線上の全画素で1選択期間で消費されるエネルギーの総和は、R信号のみ表示のときの消費エネルギーIと、G信号のみ表示のときの消費エネルギーIIと、B信号のみ表示のときの消費エネルギーIIIとの合計となり、選択期間の立ち上がり時の消費エネルギーの集中を防止できる。 - 特許庁

The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層10の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層11と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層12と、絶縁膜13とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。 - 特許庁

This lean pre-evaporation premix combustor has a fuel injection valve 12 for injecting high carbon ratio liquid fuel into an air flow, a preevaporation premix pipe 14 for mixing the liquid fuel with air in the uniform lean combustion concentration by evaporating the liquid fuel, and a combustor liner 16 arranged on the downstream side of the pre-evaporation premix pipe, and burning a mixed lean air-fuel mixture.例文帳に追加

高炭素比液体燃料を空気流中に噴射する燃料噴射弁12と、液体燃料を蒸発させ空気と均一な希薄燃焼濃度に混合する予蒸発予混合管14と、予蒸発予混合管の下流側に設けられ混合された希薄混合気を燃焼させる燃焼器ライナー16とを備える。 - 特許庁

Further, the reduction, vaporization and separation of zinc is smoothly executed by blowing steam 2 corresponding to the oxygen concentration in the high temp. discharged gas 1 to cause water gas reaction to prevent the excess temp. rising on the surface of the coke and to induce the reduction of dust from a lower temp. by the generated hydrogen and eliminating the generation of a fused liquid and the damage thereby.例文帳に追加

また、高温排出ガスの酸素濃度に合わせて、水蒸気を吹き込み、水性ガス反応により、コ−クス表面の過度な温度上昇を防ぐとともに発生する水素によって、より低温からダストの還元を生起せしめ、融液の発生及びその障害を解消することによって亜鉛の還元気化分離をスム−ズにおこなう。 - 特許庁

Estimation values of gas quantity and oxygen concentration on the assumption that normal control different from excessive temperature rise inhibition control is continued are calculated, and it is determined that change over to excessive temperature rise inhibition control is necessary since over temperature rise of DPF occurs if the normal control is continued as it is when combination of the estimation values is in an excessive temperature rise zone.例文帳に追加

過昇温抑制制御ではない通常制御を続けたと仮定した場合のガス量と酸素濃度の予測値を算出して、同予測値の組が過昇温発生領域内に入るならば、このまま通常制御を続けるとDPFの過昇温が発生するので、過昇温抑制制御に切り替えることが必要であると判定する。 - 特許庁

To provide a fixing structure by which a trouble such as chip cracking can be prevented by making a plate spring press the center of the resin case of a semiconductor device to prevent the concentration of mechanical stress on one side of the semiconductor device, and by which the semiconductor device can be mounted only by simple work such as pushing a bar-like mounting member into an insertion hole at mounting.例文帳に追加

板バネが半導体装置の樹脂ケース中央部を押圧するので、半導体装置の片側に機械的ストレスが集中することがなく、チップクラック等のトラブルを防止することができ、また、取り付けに際しては、棒状取り付け部材を挿入孔に押し込むなどの単純な動作だけで取り付けられる固定構造を提供する。 - 特許庁

To provide a concentrated nitric acid storage container comprising high silicon austenite cast iron at least on its internal side for receiving concentrated nitric acid, which prevents a concentration of chromium (Cr) in the concentrated nitric acid during storage and thus is excellent in storage of the concentrated nitric acid as a high purity reagent for use in semiconductor manufacturing.例文帳に追加

容器の少なくとも内側が高シリコンオーステナイト系鋳鋼からなる濃硝酸を収納する容器であって、収納中における濃硝酸中のクロム(Cr)濃度の上昇を防止し、よって特に半導体製造用の高純度試薬としての濃硝酸の収納に優れるという特徴を有する濃硝酸収納用容器を提供する。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度N型半導体層202の表面には、N型半導体領域204の表面の一部が露出するように絶縁膜205が形成され、N型半導体領域204の露出部分を覆う第1電極206と、N型半導体基板201の裏面を覆う第2電極207とが形成されている。 - 特許庁

To provide a method for reinforcing a concrete structure or a structure such as a steel structure in which the reinforcement of the concrete structure based on a tensile bonding construction method, in which end-section stress concentration can be reduced remarkably by displacing the end sections of a plurality of bonded reinforced fiber sheets, can be executed with extremely excellent workability.例文帳に追加

接着された複数枚の強化繊維シートの端部をずらすことにより端部応力集中を著しく低減することのできる緊張接着工法に基づくコンクリート構造物の補強を、極めて作業性良く実施することのできる、コンクリート構造物或いは鋼構造物のような構造物の補強方法を提供する。 - 特許庁

The paste composition comprises an insulating inorganic filler, a conductive nonmetallic filler, a resin and a solvent in which the content of the insulating inorganic filler is40 vol.% and ≤90 vol.% based on the solid concentration of the paste composition and the content of the conductive nonmetallic filler is ≥0.1 vol.% and ≤15 vol.%.例文帳に追加

絶縁性無機フィラー、導電性非金属フィラー、樹脂、および溶剤を含有するペースト組成物であって、絶縁性無機フィラーの含有量がペースト組成物の固形分濃度の40体積%以上90体積%以下、導電性非金属フィラーの含有量が0.1体積%以上15体積%以下であることを特徴とするペースト組成物。 - 特許庁

This moisture meter is equipped with a sample cell 11, into which a measuring object gas is introduced, an optical chamber 19, a background signal control means for changing the influence of the background signal, by adjusting a pressure in the optical chamber; and an operation control part 34 for determining a moisture concentration value, based on a detection value from a photodetector.例文帳に追加

本発明の水分計は、測定対象ガスが導入されるサンプルセル11と、オプティカルチャンバ19と、オプティカルチャンバ内の圧力を調整することにより、バックグラウンド信号の影響を変化させるバックグラウンド信号制御手段と、光検出器の検出値に基づいて水分濃度値を求める演算制御部34とを備えている。 - 特許庁

By using the high-concentration liquid developer 21 and forming electric field by which toner particles in the liquid developer 21 between the carrier 24 and the supply body 25 receive force toward the supply body 25, the desired low-density liquid developer 21 layer is formed on the surface of the carrier 24 and carried to the image carrier 11.例文帳に追加

高濃度液体現像剤21を用い、現像剤担持体24と現像剤供給体25の間の液体現像剤21中のトナー粒子が現像剤供給体25の方に力を受けるような電界を形成することで、現像剤担持体24表面上に所望の低濃度液体現像剤21層を形成し、潜像担持体11に搬送する。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス20は、半絶縁性基板1上に、n型クラッド層2、3、i型吸収層4及びp型クラッド層6とからなるpin型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記i型吸収層における不純物濃度が10^16cm^−3以下である。 - 特許庁

To provide a physical ability improvement tool which can encourage improvement of the maximum muscular strength, a cardiopulmonary function and concentration simply by contacting by mixing and stirring vibration information recording water on which vibration information is recorded for the improvement of a person's physical abilities and a prescribed substance and changing the mixture to a vibration information recording material.例文帳に追加

本発明は、人の身体能力を高めることを目的とする振動情報が記録された振動情報記録水と所定の物質とを混合攪拌した後、振動情報記録素材に変え、触れているだけで最大筋力、心肺機能および集中力の向上を促すことが出来る身体能力向上具を提供する。 - 特許庁

To provide an exhaust device for an engine capable of suppressing variation in detection accuracy of oxygen concentration among cylinders even if an O_2 sensor is mounted on an exhaust manifold in an offset manner for higher manufacturability or the like, in the exhaust device for the engine having a branch pipe part of the exhaust manifold shaped in a flat shape.例文帳に追加

本発明は、排気マニホールドの分岐管部を偏平形状としたエンジンの排気装置において、生産性等の要求により、排気マニホールドへO_2センサをオフセットして取り付けた場合であっても、各気筒間における酸素濃度の検出精度のばらつきを抑えることができるエンジンの排気装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The developing device Y is equipped with a magnetic sensor S for detecting the toner concentration of the developer stored in the developer storing chamber 81, magnetic sensor is fixedly supported on the bottom part of the developer storing chamber by a bracket B, and the bracket is formed, by hollowing out a surface equivalent to the detection surface Saa of the magnetic sensor.例文帳に追加

現像剤収容室81内に収容された現像剤のトナー濃度を検出する磁気センサSを備えた現像装置Yであって、 上記磁気センサは、ブラケットBで該現像剤収容室の底部に固定支持されており、該ブラケットは、上記磁気センサの検出面Saaに相当する面を刳り貫いて形成されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

The ECU 10 finds the produced amount and the consumed amount of the fuel gas based on the hydrogen concentration signals Ds, De, compares these values, and when the produced amount transiently exceeds the consumed amount, the fuel gas is stored in the gas storage tank 66, and when the consumed amount exceeds the produced amount, the fuel gas is exhausted from the gas storage tank 66.例文帳に追加

ECU10は水素濃度信号Ds,Deに基づいて燃料ガスの生成量と消費量を求め、これらを互いに比較した結果、過渡的に生成量の方が多くなった場合はガス貯蔵タンク66に燃料ガスを貯蔵させる一方、生成量の方が少なくなった場合はガス貯蔵タンク66から燃料ガスを排出させる。 - 特許庁

To provide a utility opening for passing wiring/piping for equipment with reinforcing a peripheral member around the opening by alleviating the concentration of load occurring on the peripheral member around the opening or including the bearing force of the peripheral member into a wall member provided above or below the opening.例文帳に追加

通路等の開口を備える耐震壁において、開口周辺の周辺部材に生じる集中荷重を低減することにより、又は開口上方又は下方に設けた壁部材に周辺部材の耐力を見込むことで、開口周辺の周辺部材を補強しつつ、設備配線・配管等を通す設備開口を設けることを目的とする。 - 特許庁

A short channel effect can be effectively restrained by the use of the impurity concentration of a steep gradient which can be accurately improved in shape and arranged at a proper position, and on the other hand, impurities are injected into a polysilicon seed adjacent to the conduction channel of a transistor and diffused into the conduction channel from the polysilicon seed to relax the allowance of a process.例文帳に追加

短チャネル効果を、場所および形状の精度を改善して配置できる急峻な勾配の不純物濃度を用いて効果的に抑制でき、一方で、トランジスタの導通チャネルに隣接したポリシリコン・シードに不純物を注入し、ポリシリコン・シードから導通チャネルへ不純物を拡散することによりプロセスの許容度を緩和する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n−低濃度不純物領域106を形成する。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

SOI基板上に設定した濃度のGeを含むSiGeエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

例文

A photocatalyst material such as n-type semiconductor 1 is adhered on metal parent material 2 such as stainless steel and welding material, inconnel, hydrogen concentration in rector water is raised if necessary, and current is caused in the metal parent material from the optical catalyst material by irradiation with light and radiation existing in the reactor to lower corrosion current.例文帳に追加

光触媒物質であるn型半導体1のような光触媒物質をステンレスや溶接材であるインコネルなどの金属母材2に付着させ、必要に応じて炉水中の水素濃度を高めて、原子炉内に存在する光や放射線の照射により光触媒物質から金属母材に電流を流して腐食電流を低減させる。 - 特許庁




  
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