「concentration type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, the high-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask the first spacer film 15 as to form a high-concentration drain region 14b.例文帳に追加

そして、この第１のスペーサ膜１５をマスクとしてｎ型不純物を高濃度にイオン注入することで、高濃度のドレイン領域１４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide an electrochemical type hydrogen gas sensor capable of detecting even the concentration of a hydrogen gas of which the concentration is considerably lower than 4.1% being the explosion lower limit of the hydrogen gas.例文帳に追加

水素ガスの爆発下限界である４．１％よりもかなり低濃度の水素ガス濃度でも検知可能な、電気化学式水素ガスセンサを提供する。 - 特許庁

Even if the connection electrode 308 is applied, the Hall concentration of the pixel separation region 306 is ensured by the high-concentration p-type impurity region 310.例文帳に追加

接続電極３０８が印加されても、高濃度Ｐ型不純物領域３１０によって、画素分離領域３０６のホール濃度が確保される。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 22 (a heavily-doped p-type substrate 23, whereon a high concentration n-type epitaxial layer 24 and a hightly-doped n-type epitaxial layer 25 are deposited), a p-type channel layer 26 is formed and trenches 29 are formed shallow.例文帳に追加

半導体基板２２（高濃度ｐ型基板２３に高濃度ｎ型エピタキシャル層２４，低濃度ｎ型エピタキシャル層２５を有する）にｐ型チャネル層２６を形成し、トレンチ２９を浅く形成する。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

The doping concentration of the second p-type region 6 is lower than that of the first p-type region 5, and the lower end of the second p-type region 6 is located lower than the lower end of the first p-type region 5.例文帳に追加

第２のｐ型領域６のドーピング濃度は、第１のｐ型領域５のドーピング濃度より低く、第２のｐ型領域６の下端は、第１のｐ型領域５の下端よりも下方に位置する。 - 特許庁

The discrete device is equipped with one conductivity-type semiconductor substrate which is doped as high in concentration as prescribed, a one conductivity-type epitaxial layer lower in concentration than the one conductivity-type semiconductor substrate, a one conductivity-type diffusion layer which is higher in concentration than the one conductivity-type epitaxial layer, and electrodes which are all formed on the same side.例文帳に追加

所定の濃度を有する一導電型の半導体基板と、前記一導電型の半導体基板よりは濃度の低い前記一導電型のエピタキシャル層と前記一導電型のエピタキシャル層を貫通し、前記一導電型のエピタキシャル層よりは濃度の高い前記一導電型の拡散層とを備え、ディスクリートデバイスの電極を同一面に形成したディスクリートデバイス。 - 特許庁

The signal processing part 3 calculates the reduced type hemoglobin concentration (a change with passage of time) from the signal of the photo-detectable quantity, and further calculates the output S (a change with passage of time) depending on the change with passage of reduced type hemoglobin concentration.例文帳に追加

信号処理部３は、受光量の信号から還元型ヘモグロビン濃度（経時変化）を計算し、さらに還元型ヘモグロビン濃度の経時変化に応じた出力Ｓ（経時変化）を計算する。 - 特許庁

To improve the breakdown voltage of a diode and contract the area of an input protective circuit unit while securing a low-concentration n-type semiconductor region and a low-concentration p-type semiconductor region through self alignment.例文帳に追加

セルフアライメントにて低濃度Ｎ型半導体領域および低濃度Ｐ型半導体領域を確保しつつ、ダイオードの耐圧を向上させると共に、入力保護回路部の面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a method for accurately performing concentration adjustment of a regeneration liquid of an anion exchange body in a dry type exhaust gas treatment apparatus or concentration adjustment of a treatment liquid in a wet type exhaust gas treatment apparatus.例文帳に追加

乾式排ガス処理装置におけるアニオン交換体の再生液の濃度調整または湿式排ガス処理装置における処理液の濃度調整を正確に行う方法を提供する。 - 特許庁

In the P type well 202, a P type dark charge capturing region 211 capturing dark charge and having a third impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed near the well contact 26.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２０２内において、ウェルコンタクト２６の近傍に、第１の不純物濃度よりも高い第３の不純物濃度を有する、暗電荷を捕獲するＰ型の暗電荷捕獲領域２１１を形成した。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

The p-type base layer Tr1B of the multi-collector type npn transistor has a dopant concentration profile which is inclined so that the concentration may be high on the emitter layer Tr1E side while being low on the collector layer Tr1C side.例文帳に追加

マルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタのＰ型ベース層Ｔｒ１Ｂは、エミッタ層Ｔｒ１Ｅ側で高く、かつコレクタ層Ｔｒ１Ｃ側で低くなるように傾斜した不純物濃度プロファイルを持つ。 - 特許庁

Impurity surface concentration of the first p-type region 6a is 1.8×10^13 to 4×10^13cm^-2, and impurity surface concentration of the second p-type region 6b is 1×10^13 to 2.5×10^13cm^-2.例文帳に追加

第１のｐ型領域６ａの不純物面濃度は、１．８×１０^13〜４×１０^13ｃｍ^-2であり、第２のｐ型領域６ｂの不純物面濃度は、１×１０^13〜２．５×１０^13ｃｍ^-2である。 - 特許庁

The semiconductor layer is also provided with first and second Si body regions 22 and 23, an SiGe body region 24 containing p-type impurities of high concentration, and an Si channel layer 25 containing p-type impurities of low concentration.例文帳に追加

また、第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、高濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅボディ領域２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

Although the n-type impurities are implanted with high concentration into the source-drain regions 39b of a PMOS thin-film transistor via contact holes 47 too, since p-type higher-concentration impurities than the n-type impurities are already implanted into the regions 39b, the source-drain regions 39b are maintained as p-type high-concentration impurity regions.例文帳に追加

ところで、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域３９ｂにもコンタクトホール４７を介してｎ型不純物が高濃度に注入されるが、当該ソース・ドレイン領域３９ｂにはすでにそれよりも高濃度でｐ型不純物が注入されているため、当該ソース・ドレイン領域３９ｂはそのままｐ型不純高濃度物領域を維持する。 - 特許庁

In the channel region 108, each on a surface of the substrate 102 and in a bottom portion of the trench 162, there are formed a second high-concentration region 132 and a first high-concentration region 130, and the impurity concentration of the second conductivity type is higher than the impurity concentration of the second conductivity type in portions sideward from the trench 162.例文帳に追加

チャネル領域１０８において、基板１０２表面およびトレンチ１６２の底部には、それぞれ第２の高濃度領域１３２および第１の高濃度領域１３０が形成されており、第２導電型の不純物濃度がトレンチ１６２側方における第２導電型の不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

Since the buried second-conductivity-type region 53 has the peak concentration in the second conductivity-type region 30, the concentration distribution nearby the interface between the buried second-conductivity-type region 53 and the second conductivity-type region 30 can be steeply changed.例文帳に追加

これによれば、埋込第２導電型領域５３が第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する構成とされているため、埋込第２導電型領域５３と第２導電型領域３０との界面近傍での濃度分布を急峻に変化させることができる。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

In a second conductivity-type region 30, a buried second-conductivity-type region 53 is formed, which projects inside of a channel layer 40, contacts a contact second-conductivity-type region 52, has a higher impurity concentration than the channel layer 40, and has a peak concentration in the second conductivity-type region 30.例文帳に追加

第２導電型領域３０に、チャネル層４０に突出すると共にコンタクト第２導電型領域５２に接し、チャネル層４０よりも不純物濃度が高いと共に第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する埋込第２導電型領域５３を形成する。 - 特許庁

The deep n-type well is further provided with a second deep n-type well 103 provided at the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 more than the first deep n-type well 105, and has n-type impurity concentration different from that of the firs deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、第一のディープｎ型ウェル１０５と異なるｎ型の不純物濃度を有する第二のディープｎ型ウェル１０３を備える。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region.例文帳に追加

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

A body region 4 is provided on a part of the drift layer 3, has a channel 41 switched by a gate electrode 93, and has an impurity concentration N_1b of the first conductivity type and an impurity concentration N_2b of a second conductivity type larger than the impurity concentration N_1b.例文帳に追加

ボディ領域４は、ドリフト層３の一部の上に設けられ、ゲート電極９３によってスイッチングされるチャネル４１を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1bと、不純物濃度Ｎ_1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2bとを有する。 - 特許庁

On a region of the high-concentration p-type GaN layer 106 which is exposed in an opening 107a formed in the n-type AlGaN layer 107, a gate electrode 112 having an ohmic contact with the high-concentration p-type GaN layer 106 is formed.例文帳に追加

高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６におけるｎ型ＡｌＧａＮ層１０７に形成された開口部１０７ａからの露出領域の上には、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接触するゲート電極１１２が形成されている。 - 特許庁

PUSH PIN TYPE HANGER AND DEVICE INCLUDING CONCENTRATION MEANS AND DISPERSING MEANS FOR THE SAME例文帳に追加

押しピン式吊り下げ用具、及び、押しピン式吊り下げ用具の結束手段と分散手段を具備した器具。 - 特許庁

A first conductivity type high concentration diffusion layer 111 is formed all over a contact region 120.例文帳に追加

コンタクト領域１２０の全域に第１導電型の高濃度拡散層１１１が形成されている。 - 特許庁

The concentration in the CaCl_2-containing molten material dispersed with the Ti powder is increased by a wet-type cyclone.例文帳に追加

Ｔｉ粉が分散しているＣａＣｌ_2含有溶融物のＴｉ濃度を液体サイクロンによって高める。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system vertical transistor not using a p-type gallium nitride having higher carrier concentration.例文帳に追加

高いキャリア濃度を有するｐ型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁

This enables the n-type channel layer 5 to be formed to have a constant film thickness and a constant concentration.例文帳に追加

これにより、ｎ型チャネル層５を一定の膜厚かつ一定の濃度で形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a magnetic pressure type oxygen analyzer capable of measuring the concentration of oxygen with high accuracy.例文帳に追加

高い精度で酸素濃度を測定することができる磁気圧力式酸素分析計を提供する。 - 特許庁

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high.例文帳に追加

こうして、ｐ型クラッド層２５の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。 - 特許庁

To improve the precision of the concentration of the effective compo nent of electrolytic water obtained by a batch type apparatus for producing electrolytic water.例文帳に追加

バッチ式電解水生成装置により得られる電解水の有効成分濃度の精度を高める。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR FORMING IMAGE, AND DOT CONCENTRATION TYPE SCREEN TABLE USED FOR FORMING IMAGE例文帳に追加

画像形成装置及び画像形成方法並びに画像形成に用いるドット集中型のスクリーンテーブル - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

SYSTEM FOR AND METHOD OF DOWNLOADING REAL TIME INTERACTION DATA THROUGH MOBILE/BROADCAST CONCENTRATION TYPE NETWORK例文帳に追加

モバイル／放送集中型ネットワークを介してリアルタイムインタラクションデータをダウンロードするシステムおよびその方法 - 特許庁

Gaseous ozone of a prescribed concentration is generated from a simple type sterilizing device 10 (portable ozone generating means).例文帳に追加

簡易式殺菌装置１０（携帯用オゾン発生手段）から所定濃度のオゾンガスを発生させる。 - 特許庁

To prevent Cu ion concentration in chemical of a chemical circulation type substrate cleaning treatment apparatus from increasing.例文帳に追加

薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。 - 特許庁

The half- tone processing of a dot concentration type can be conduct with the spread weighting coefficients.例文帳に追加

このような拡散重み付け係数によってドット集中型のハーフトーン処理を行なうことができる。 - 特許庁

To provide a honeycomb rotor type gas adsorption concentration apparatus with a simple and economical structure.例文帳に追加

構造が簡単で安価なハニカムロータ式ガス吸着濃縮装置を提供しようとするものである。 - 特許庁