「concentration type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The concentration distribution of p-type impurity remaining active in the p^+ region 12 is almost fixed.例文帳に追加

ただし、Ｐ＋領域１２におけるＰ型不純物のうち活性なものの濃度分布がほぼ一定である。 - 特許庁

Carrier concentration of the p-type GaAs contact layer 17 is specified to be 1.0×10^19 cm^-3.例文帳に追加

このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０^19ｃｍ^-3に設定されている。 - 特許庁

METHOD OF PREVENTING CRYSTALLIZATION OF ABSORBENT OF HIGH CONCENTRATION IN LOW-TEMPERATURE HEAT EXCHANGER IN ABSORPTION TYPE REFRIGERATING MACHINE例文帳に追加

吸収式冷凍機における低温熱交換器での高濃度吸収液結晶化防止方法 - 特許庁

The drift layer 21 is configured by a first region 21A having an N type impurity concentration peak region P1, and a second region 21B being adjacent to the first region 21A and having an N type impurity concentration peak region P2 at a position deeper than that of the N type impurity concentration peak region P1.例文帳に追加

このドリフト層２１は、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１を有した第１の領域２１Ａと、この第１の領域２１Ａに隣接し、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１よりも深い位置にＮ型不純物濃度のピーク領域Ｐ２を有した第２の領域２１Ｂとにより構成されている。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In a high breakdown voltage MOS transistor 101, a peak p1 in concentration distribution in a depthwise direction of p-type impurity in the drain offset region 4, and a peak p2 in concentration distribution in a depthwise direction of n-type impurity having higher concentration than p-type impurity, are positioned in same depth just below the gate electrode 9.例文帳に追加

本発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ１０１は、ゲート電極９の直下では、ドレインオフセット領域４中のＰ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ１と、Ｐ型不純物よりも高濃度のＮ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ２とを互いに同じ深さ位置にしている。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

Additionally, in order to realize the difference in a concentration, Zn is used as the dopant material in the P-type clad layer 2, and Te is used as the dopant material in the N-type clad layer 4.例文帳に追加

さらに、この濃度差を実現するため、Ｐ型クラッド層２の添加材をＺｎとし、Ｎ型クラッド層４の添加材をＴｅとする。 - 特許庁

The n-type diffused layer 6 has an impurity concentration higher than that of a heavily-doped n-type diffused layer used in a normal MOSFET.例文帳に追加

ｎ型拡散層６は、通常のＭＯＳＦＥＴで用いられる高不純物濃度ｎ型拡散層１６よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

Accordingly, since oxygen is supplied to the catalytic combustion type gas sensor in a necessary sufficient concentration, even if the concentration of oxygen in the gas to be measured is insufficient to measure the concentration of the combustible gas, the concentration of the combustible gas in the gas to be measured can be measured.例文帳に追加

従って、接触燃焼式ガスセンサに、必要十分な酸素濃度が供給されるので、被測定ガス中に酸素濃度が、可燃性ガスの濃度を測定するのに足りない場合であっても、被測定ガス中の可燃性ガスの濃度を測定することができる。 - 特許庁

This makes uniform the doping concentration of Zn or Mg in the layer thickness direction, and hence a satisfactory surface carrier concentration is obtained for forming an ohmic contact with a p-type electrode 10, without raising the carrier concentration at an initial growth stage.例文帳に追加

ＺｎまたはＭｇのドーピング濃度を層厚方向に均一にできるので、成長開始時のキャリア濃度を高くしなくても、ｐ型電極１０とオーミックコンタクトを取るために十分な表面キャリア濃度が得られる。 - 特許庁

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method.例文帳に追加

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。 - 特許庁

The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.例文帳に追加

ガードバンド領域３４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３と同じ導電型（Ｎ型）であり、かつ不純物濃度がＮ型拡散層３３の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁

The number of peaks of impurity concentration of the n-type pillar regions 15 formed in the n-type epitaxial layer 13 is larger than that of the p-type pillar regions formed in the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｎ型ピラー領域１５の不純物濃度のピークの数は、ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｐ型ピラー領域の不純物濃度のピークの数よりも多い。 - 特許庁

A p-type well 2 has a higher impurity concentration than that of the p-type RESURF layer 18, and is formed in contact with the p-type RESURF layer 18 on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２はＰ型リサーフ層１８よりも高い不純物濃度を有しており、かつＮ型不純物領域１内の基板５０上面においてＰ型リサーフ層１８と接触して形成されている。 - 特許庁

An n well region 6 whose concentration is higher than that of the n^--type epitaxial growth layer 2, and lower than that of the p^+-type emitter region 5 is formed at the periphery of the p^+-type emitter region 5.例文帳に追加

Ｐ＋型エミッタ領域５の周囲に、Ｎ−型エピタキシャル成長層２よりも高濃度で、且つＰ＋型エミッタ領域５よりも低濃度のＮウェル領域６が形成されている。 - 特許庁

The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.例文帳に追加

第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.例文帳に追加

トレンチ７の側面から所定距離離れた位置に、ｎ^+型ソース領域４よりも深く、かつ、ｐ型ベース領域３よりも高濃度となるｐ^+型ボデー層６を備える。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

The p-type GaN-based semiconductor layer 6 has an impurity concentration of ≤1×10^20 cm^-3, and the first n-type GaN-based semiconductor layer 4 has an impurity concentration of ≤1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層６の不純物濃度は、１×１０^２０ ｃｍ^−３以下であり、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４の不純物濃度は１×１０^１８ｃｍ^−３以下に構成される。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

The second conduction type doping concentration of the second upper clad layer 109 is lower than the second conduction type doping concentration of the first upper clad layer 108 and third upper clad layer 111, i.e. is 1×10^17 cm^-3 or lower.例文帳に追加

第二上クラッド層１０９の第２導電型のドーピング濃度が、第一上クラッド層１０８および第三上クラッド層１１１の第２導電型のドーピング濃度よりも低く、１×１０^17ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁

The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁

A first portion 2 of the third layer CLa has the second conductivity type, has a high peak value of the impurity concentration as compared to the peak value of the impurity concentration of the second layer 1, and a second portion 16 has the first conductivity type.例文帳に追加

第３の層ＣＬａの第１の部分２は第２導電型を有し第２の層１の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有し、第２の部分１６は第１導電型を有する。 - 特許庁

This base leading-out electrode 13 has a bilayer structure in which a p-type polycrystalline silicon film 13b in which boron is doped in a medium concentration is laminated on a p-type polycrystalline silicon film 13a in which boron is doped in a high concentration.例文帳に追加

ベース引き出し電極１３は、高濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ａの上に中濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ｂを積層した２層構造になっている。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

Thus, the n-type impurity region is formed, which is constituted by putting a high concentration n-type impurity region 211 into which the n-type first impurities and the n-type second impurities are introduced into a state adjacent to the lightly-doped n-type impurity region 212 into which only the n-type second impurities are introduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型第１不純物とｎ型第２不純物とを導入した高濃度ｎ型不純物領域２１１と、ｎ型第２不純物のみを導入した低濃度ｎ型不純物領域２１２とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

To prevent an erroneous use of formed water and to obtain the desired modified water of a low concentration to a high concentration with a water reforming device of a diaphragm-less type.例文帳に追加

無隔膜方式の水改質装置において、生成水の誤使用を防止するとともに低濃度から高濃度まで所望の改質水の取水を可能とする。 - 特許庁

The first conductivity type layer has: a first contact layer; a window layer having the impurity concentration lower than the impurity concentration of the first contact layer; and a first clad layer.例文帳に追加

前記第１導電形層は、第１コンタクト層、前記第１コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第１クラッド層、を有する。 - 特許庁

Within a range wherein the cathode region comes into contact with the insulating film, a high-concentration region is formed, which has a higher n-type impurity concentration than the cathode region at the periphery thereof.例文帳に追加

カソード領域の絶縁膜に接する範囲内には、その周囲のカソード領域よりもｎ型不純物濃度が高い高濃度領域が形成されている。 - 特許庁

To provide a foam type high-concentration alcohol preparation, which contains alcohol in a high concentration, has excellent foaming property and can maintain stable foams.例文帳に追加

本発明は、アルコールを高濃度に含有し、起泡性に優れ、かつ安定な泡を維持することができるフォーム型高濃度アルコール製剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then a light emitting element 1, wherein the first p-type contact layer 106 is so formed that the growth temperature is the critical growth temperature and the Mg concentration is the critical Mg concentration, is manufactured.例文帳に追加

次に、成長温度を臨界成長温度とし、Ｍｇ濃度が臨界Ｍｇ濃度となるように第１ｐ型コンタクト層１０６を形成した発光素子１を作製する。 - 特許庁

An engine 10 includes: a fuel temperature sensor 42 for detecting the temperature of fuel; and an electrostatic capacity type alcohol concentration sensor 44 for detecting alcohol concentration in the fuel.例文帳に追加

エンジン１０は、燃料の温度を検出する燃温センサ４２と、燃料中のアルコール濃度を検出する静電容量型のアルコール濃度センサ４４とを備える。 - 特許庁

To provide an ultrasonic concentration meter capable of measuring a concentration of a fluid accurately without using a temperature sensor by using the principle of a time difference type ultrasonic flowmeter.例文帳に追加

時間差式の超音波流量計の原理を利用して、温度センサを用いることなく、流体の濃度を精度良く測定可能な超音波式濃度計を得る。 - 特許庁

Further, chlorine ion concentration and bromine ion concentration in the acidic aqueous solution are made to lie in prescribed ranges, and an acidic chelate-extractant can be used as a cation exchanging type extractant.例文帳に追加

さらに、酸性水溶液中の塩素イオン濃度と臭素イオン濃度を所定範囲し、陽イオン交換型抽出剤として酸性キレート抽出剤を用いることができる。 - 特許庁

A P-type impurity layer 13 is formed on a surface of a substrate between the gate electrode 7 and the drain layer 12 with high concentration so as to surround the drain layer 12 with high concentration.例文帳に追加

そして、ゲート電極７と高濃度のドレイン層１２との間の基板表面に、高濃度のドレイン層１２を囲むようにしてＰ型不純物層１３を形成する。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁