「concentration type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a particle measuring apparatus for quickly responding, and accurately measuring a concentration and a type of particles.例文帳に追加

高い応答性で、粒子の濃度および種類を高精度に測定することができる粒子計測装置を提供する。 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD AND MEASUREMENT DEVICE FOR EACH COMPONENT CONCENTRATION IN INSPECTION LIQUID TO BE USED FOR WET TYPE FLUORESCENT MAGNETIC POWDER FLAW DETECTION TEST例文帳に追加

湿式蛍光磁粉探傷試験に用いる検査液における各成分濃度の測定方法および測定装置 - 特許庁

Only the first nMOSFET is provided with, further, a p-type channel area 4 whose concentration is higher than the substrate area 1a.例文帳に追加

第１ｎＭＯＳＦＥＴのみ、基板領域１ａよりも高濃度のｐ型チャネル領域４をさらに備えている。 - 特許庁

The measurement of the relative concentration of the proteins is effective about an optional type isotope-labelled peptide out of the NHNR peptides.例文帳に追加

タンパク質の相対的濃度の測定は、ＮＨＮＲペプチドの任意の型のアイソトープ標識物について有効である。 - 特許庁

To provide a light emitting element which has a p-type MgZnO semiconductor layer of high carrier concentration, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高いキャリア濃度のｐ型ＭｇＺｎＯ半導体層を有する発光素子と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element that has a p-type gallium nitride-based semiconductor layer with reduced oxygen concentration.例文帳に追加

低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The iota type carrageenan has a concentration for accelerating the removal rate of tantalum, tantalum nitride, and other tantalum-containing materials.例文帳に追加

イオタ型カラギーナンは、タンタル、窒化タンタル、および他のタンタル含有材料の除去を促進するのに有用な濃度を有する。 - 特許庁

To provide a circulation-type producing method and apparatus of ozone water capable of always keeping the concentration of produced ozone water high and stable and making energy cost inexpensive.例文帳に追加

発生するオゾン水濃度が常に高濃度で安定であり、且つエネルギーコストを安価にすることが可能である。 - 特許庁

To provide a distribution type server system capable of reducing concentration of communication onto a database server even when many call processing servers simultaneously receiving an event exist.例文帳に追加

同時的にイベントを受付けた呼処理サーバが多数あっても、データベースサーバへの通信集中を低減する。 - 特許庁

The line average concentration read from the FIFO type memory S3 receiving the read command is inputted to an adder-subtracter S9.例文帳に追加

読出し指令を受けたＦＩＦＯ型メモリＳ３から読出されたライン平均濃度は、加減算器Ｓ９に入力される。 - 特許庁

To provide a direct type methanol fuel cell system which is capable of measuring the methanol concentration of a fuel in high precision.例文帳に追加

燃料のメタノール濃度を高精度で測定することが可能な直接型メタノール燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

To provide a catalytic combustion type gas sensor for sensing an alcohol or DME with high sensitivity from a low to high concentration.例文帳に追加

低濃度から高濃度までアルコールやＤＭＥを高感度で感知する接触燃焼式ガスセンサーを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、エピタキシャル層１２と、高濃度拡散領域１３と、Ｐ型半導体領域１４を備える。 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

To provide a stable oil-in-water type emulsion composition blended with magnesium ascorbic acid-2-phosphate in high concentration.例文帳に追加

高濃度のアスコルビン酸−２−リン酸エステルマグネシウム塩を配合した安定な水中油型乳化組成物を提供する。 - 特許庁

Silicon and oxygen are taken in during growth of the third nitride gallium layer 8 to raise the concentration of n-type impurities.例文帳に追加

第３の窒化ガリウム層８が成長するときにシリコンや酸素が取り込まれて、ｎ型不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

To provide a concentration cell type oxygen sensor capable of being miniaturized and excellent in measuring precision, and a temperature control method thereof.例文帳に追加

小型化が可能、かつ、測定精度に優れる濃淡電池式酸素センサおよびその温度制御方法を提供する。 - 特許庁

In this constitution, controllability of concentration profile is satisfactory due to its being a lateral type, and operation is enabled at a low threshold voltage.例文帳に追加

こうした構成では、横型のため濃度プロファイルの制御性がよく、低しきい値電圧で動作させることができる。 - 特許庁

The cover 14 includes a drive electrode 15 consisting of a p-type high concentration layer in a position opposite to the movable body 9.例文帳に追加

蓋体１４には、可動体９と対面した位置にｐ型高濃度層からなる駆動電極１５を設ける。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がＮ型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つＰ型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いＰ型第二埋込み拡散層１４を埋込み形成する。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

Between the first p-type embedded region 103A and the second p-type embedded region 103B in the extension drain region 101, a first n-type high-concentration impurity region 104A is formed while a second n-type high- concentration region 104B is formed on the upper side of the second p-type embedded region 103B in the extension drain region 101.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０１における第１のｐ型埋め込み領域１０３Ａと第２のｐ型埋め込み領域１０３Ｂとの間には、第１のｎ型高濃度不純物領域１０４Ａが形成されていると共に、延長ドレイン領域１０１における第２のｐ型埋め込み領域１０３Ｂの上側には第２のｎ型高濃度領域１０４Ｂが形成されている。 - 特許庁

Afterwards, pre-treatment with HF is applied while utilizing the difference of an etching rate between the N-type impurity high concentration layer 36 and an oxide film 26, to which the N-type impurity is not implanted.例文帳に追加

その後、Ｎ型不純物高濃度層３６とＮ型不純物が注入されていない酸化膜２６とのエッチングレートの差を利用して、ＨＦによる前処理を施す。 - 特許庁

The p-type high concentration layer has an identical potential electrode 16 consisting of an n-type region, and the identical potential electrode 16 is electrically connected to the movable body 9.例文帳に追加

また、ｐ型高濃度層にはｎ型領域からなる同電位電極１６を設けると共に、同電位電極１６は可動体９に電気的に接続する。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

The high concentration opposite conductivity type base layer 11 is fromed by reversing a part of the one conductivity type source layer 9 and hence a mask is not needed for forming the source layer 9.例文帳に追加

高濃度逆導電型ベース層１１は、一導電型ソース層９の一部を反転して形成されるため、ソース層９を形成するためのマスクが不要になる。 - 特許庁

An anode electrode 12 is formed on a p-type diffusion layer 4 and a cathode electrode 13 is formed on the n-type high concentration diffusion layer 10 at the outer side of the light-receiving region.例文帳に追加

受光領域の外側においては、ｐ型拡散層４上にアノード電極１２、ｎ型高濃度拡散層１０上にカソード電極１３が形成されている。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

The n-type source-drain region 8 in an NMIS region 130 contains n-type impurities at a relatively high concentration and it is connected with silicide 26.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０におけるＮ型ソースドレイン領域８は、比較的に高濃度のＮ型不純物を含んでおり、シリサイド２６と電気的に接続されている。 - 特許庁

After the heat treatment 25 is carried out, the raw material gas and the n-type dopant is supplied to the growth furnace 10, and the n-type concentration semiconductor layer 27 for tunnel junction is grown.例文帳に追加

熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばＩＧＢＴにおいて、ｎ型の低濃度基板１で形成されたチップの第１の主面中央部（紙面左側）には、ｐ型ベース層２が形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device wherein the light utilizing efficiency is increased by using a cholesteric liquid crystal filter, and color concentration is secured in display of either reflection type or transmission type.例文帳に追加

コレステリック液晶フィルターを用いて光利用効率を上げ、反射型、透過型何れの表示においても色濃度を確保するようにした液晶表示装置。 - 特許庁

At formation of the second p-type pocket layers 11, the concentration of the impurity ions implanted for forming the layers 11 are made higher than that of the impurity ions implanted for forming the first p-type pocket layers 9.例文帳に追加

この時、第２ｐ型ポケット層１１を形成する不純物イオン濃度は第１ｐ型ポケット層９を形成する不純物イオン濃度より高くなるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing an n-type SiC monocrystal, the method suppressing variations of the nitrogen concentration among a plurality of n-type SiC monocrystal ingots produced.例文帳に追加

製造された複数のｎ型ＳｉＣ単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the p-type clad layer 13 contains tellurium (Te) as a group VI element, the carrier concentration of the p-type clad layer 13 is increased, and an electrical conductivity is enhanced.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１３がＶＩ族元素としてテルル（Ｔｅ）を含むので、ｐ型クラッド層１３のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 - 特許庁

Current induction layers 7 having an n-type impurity concentration higher than that of the other area of the n-type drift layer 14 are formed in a part of the drift area 14.例文帳に追加

ドリフト領域１４の一部には、ｎ型ドリフト層１４のうちの他の領域よりもｎ型不純物の濃度の高い電流誘導層７が設けられている。 - 特許庁

Then p-type regions 38A are formed on the substrate 22, by injecting a low- concentration p-type impurity deep into the substrate 22, by high-energy ion implantation by using the photoresist film 2 as a mask.例文帳に追加

この第１のフォトレジスト層２をマスクとして低濃度のｐ型不純物を深部に高エネルギーのイオン注入により導入しｐ型領域３８Ａを形成する。 - 特許庁

The concentration of a low concentration N-type diffusion layer 14 of a drain electrode 26 that affects the characteristics of N channel high voltage MOS transistor 10 can be increased 50% by generating an overlapping region 36 at the border portion between a gate electrode 22 and the low concentration of N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

ゲート電極２２と、ドレイン電極２６の低濃度Ｎ型拡散層１４との境界部分にオーバーラップ領域３６を設けることで、上記Ｎチャンネル高耐圧ＭＯＳトランジシタ１０の所謂トランジスタ特性に影響のある低濃度Ｎ型拡散層１４の濃度を約５０％増加することができる。 - 特許庁

The single chip data processing device is characterised by being provided with a first conductive-type substrate having a first doping concentration, a first well formed on the substrate, a first conductive-type second well which is deeper than the first well and has a higher concentration than the first doping concentration and a nonvolatile memory cell formed on the second well.例文帳に追加

第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板と、この基板に形成された第１ウェルと、第１ウェルより深く、第１ドーピング濃度より高い濃度を有する第１導電型の第２ウェルと、第２ウェル上に形成された不揮発性メモリセルとを備えることを特徴とする単一チップデータ処理装置である。 - 特許庁

By introducing P-type impurities into an N-type impurity concentration distribution for forming a super staircase PN junction, to balance out, a semiconductor layer in which the impurity concentration distribution in the PN junction part is made gentle compared with the impurity concentration distribution in which the super staircase PN junction is formed.例文帳に追加

超階段型ＰＮ接合を形成するためのＮ型不純物濃度分布に、Ｐ型不純物を導入して相殺させることにより、超階段型ＰＮ接合を形成する不純物濃度分布に比べて、ＰＮ接合部における不純物濃度分布をなだらかにした半導体層を設ける。 - 特許庁

On the TFT impurity area 102 of the pixel part, the concentration inclination is possessed on the concentration of an impurity element giving one electrical conduction type, the concentration is low in the side of a channel formation area 101, and is large in the side of a semiconductor layer end.例文帳に追加

画素部のＴＦＴの不純物領域１０２において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域１０１側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

The concentration Na_17c of a non-activated p-type dopant 17c in the first region 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 is lower than the concentration Na_17b of a non-activated p-type dopant 25b in the second region 17b.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａの活性化されていないｐ型ドーパント１７ｃの濃度Ｎａ_１７ｃは第２の領域１７ｂの活性化されていないｐ型ドーパント２５ｂの濃度Ｎａ_１７ｂより小さい。 - 特許庁