「concentration type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type well region 23 for channel and an n-type intermediate-concentration drain region 24 containing impurities at a higher concentration than that of the well region 21 for n-type drain are formed with a space between them.例文帳に追加

Ｐ型低濃度ウエル領域２２内にＰ型チャネル用ウエル領域２３と、Ｎ型ドレイン用ウエル領域２１よりも濃い不純物濃度をもつＮ型中濃度ドレイン領域２４が間隔をもって形成されている。 - 特許庁

A gate oxide film 11ox and a gate electrode 11g, extending from the well region 23 for p-type channel up to the n-type medium-concentration drain region 24 via the p-type low-concentration well region 22, are formed.例文帳に追加

Ｐ型チャネル用ウエル領域２３上からＰ型低濃度ウエル領域２２上を介してＮ型中濃度ドレイン領域２４上にわたってゲート酸化膜１１ox及びゲート電極１１ｇが形成されている。 - 特許庁

The IGBT has a p^+-type high-concentration drain layer 12 which decides the injection volume of a hole and a p^--type low-concentration drain layer 11 which absorbs the fluctuation of the ground amount of the rear surface of a wafer under an n^+-type buffer layer 13.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴは、ｎ^+バッファ層１３の下に、正孔の注入量を決めるｐ^+高濃度ドレイン層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^-低濃度ドレイン層１１を有している。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

By the n-type pocket region 6, there is formed a barrier blocking the spread of a depletion layer from the low-concentration p-type drain region 1, without reinforcing the electric field strength applied to the low-concentration p-type drain region 1 side.例文帳に追加

Ｎ型ポケット領域６により、低濃度Ｐ型ドレイン領域１側に印加される電界強度を強めることなく、低濃度Ｐ型ドレイン領域１からの空乏層の拡がりを阻止する障壁が形成される。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

Based on the concentration of oxygen detected by the galvanic type sensor 23 and the zirconia type sensor 24, an oxygen concentration control part outputs a flow rate control command signal to a control valve 52 so as to become the concentration of oxygen set beforehand.例文帳に追加

ガルバニック式センサ２３およびジルコニア式センサ２４により検知された酸素濃度に基づいて、酸素濃度制御部は、予め設定された酸素濃度になるように、制御バルブ５２に流量制御指令信号を出力する。 - 特許庁

Based on the concentration of oxygen detected by the galvanic type sensor 23 and the zirconia type sensor 24, an oxygen concentration control part 50 outputs a flow rate control command signal to a control valve 52 so as to be a previously set oxygen concentration.例文帳に追加

ガルバニック式センサ２３およびジルコニア式センサ２４により検知された酸素濃度に基づいて、酸素濃度制御部５０は、予め設定された酸素濃度になるように、制御バルブ５２に流量制御指令信号を出力する。 - 特許庁

N-type buffer regions 48, which are formed under the lower parts of the regions 36 and 46 in contact with the regions 36 and 46, contain As and phosphous P as N-type impurities, and have a P concentration lower than an As concentration and the As concentration, are formed.例文帳に追加

エクステンション領域３６及びソース／ドレイン領域４６に接してその下方に、ｎ型不純物としてＡｓ及びリン（Ｐ）を含み、かつＰ濃度がＡｓ濃度より低いｎ−バッファ領域４８が形成されている。 - 特許庁

In a 2nd configuration, each TFT has an LDD structure and the impurity concentration of low concentration source and drain areas of a TFT for pixel of a 1st conductivity type is lower than the impurity concentration of low concentration source and drain areas of a TFT for driving circuit of the 1st conductivity type.例文帳に追加

第２形態では、各ＴＦＴがＬＤＤ構造を有すると共に、第１導電型の画素用ＴＦＴの低濃度ソース・ドレイン領域の不純物濃度は、第１導電型の駆動回路用ＴＦＴにおける低濃度ソース・ドレイン領域の不純物濃度に比較して低い。 - 特許庁

A junction electric field transistor according to this invention, when the a pn junction of a gate is formed in a selection regrowth, a low-concentration doped regrowth layer 13 doped at lower concentration than a p+ type high-concentration doped regrowth layer 14 is inserted directly under the p+ type high-concentration doped regrowth layer 14.例文帳に追加

本発明の接合電界トランジスタは、選択再成長によりゲートのｐｎ接合を形成する際、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４の直下に、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４よりも低濃度にドーピングされた低濃度ドーピング再成長層１３を挿入する。 - 特許庁

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。 - 特許庁

A p++ type region 17 of a p-type region having high impurity concentration is formed nearly at the middle part between the n-type regions 8 on the main surface side in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１内の主表面側においてｎ形領域８間の略中央部に高不純物濃度ｐ形領域たるｐ^++形領域１７が設けられている。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.例文帳に追加

層構造体ＬＳは、順次積層された、反射防止膜２、ｎ型（第一導電型）の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁

Related to a semiconductor device comprising p-type and n-type TFTs, a different impurity concentration is separately set for a channel layer of p-type TFT and that of n-type TFT.例文帳に追加

ｐ型及びｎ型ＴＦＴを含む半導体装置において、ｐ型ＴＦＴのチャネル層とｎ型ＴＦＴのチャネル層とで不純物濃度が異なるように独立して設定される。 - 特許庁

In the N-type diffused source and drain layers 20, there is formed P-type impurity-implanted regions 19 having a P-type impurity concentration lower than that of the N-type diffused source and drain layers 20.例文帳に追加

Ｎ型ソース・ドレイン拡散層２０の内部には、Ｐ型不純物濃度がＮ型ソース・ドレイン拡散層２０よりも低いＰ型不純物注入領域１９が形成されている。 - 特許庁

In the first multiplication layer 13 and the second multiplication layer 15, each of a p-type impurity concentration and an n-type impurity concentration is ≤5×10^15 cm^-3.例文帳に追加

第一増倍層１３および第二増倍層１５はｐ型の不純物濃度およびｎ型の不純物濃度の各不純物濃度が５×１０^１５ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration.例文帳に追加

チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

On a drain layer 101 containing a high concentration n-type dopant, there is formed an interlayer 102 consisting of an n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101.例文帳に追加

高濃度のＮ型不純物を含むドレイン層１０１上には、ドレイン層１０１よりも不純物濃度の低いＮ型Ｓｉからなる中間層１０２が形成されている。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

To stabilize the concentration of ozone in the case of producing a high concentration of ozone gas by sending the oxygen gas produced from a PSA-type oxygen generator to a discharging-type ozonizer.例文帳に追加

ＰＳＡ法による酸素発生装置で発生させた酸素ガスを放電式のオゾン発生装置に送給して高濃度オゾンガスを発生させる場合のオゾン濃度を安定させる。 - 特許庁

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

In impurity regions 102 and 103, concentration gradient is given to the concentration distribution of an impurity element where a one-conductivity type is added, thus decreasing concentration at the side of a channel formation region 101, and increasing the concentration at the side of a semiconductor layer end section.例文帳に追加

不純物領域１０２、１０３において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域１０１側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

The drain region 3 is constituted of a deep low concentration diffusion region 3B, and a shallow high concentration diffusion domain 3A which is the same conductivity type as that of the low concentration diffusion region 3B and arranged in the low concentration diffusion region 3B.例文帳に追加

ドレイン領域３が、深さの深い低濃度拡散領域３Ｂと、低濃度拡散領域３Ｂと同じ導電型であって低濃度拡散領域３Ｂに設けられた浅い高濃度拡散領域３Ａとから構成される。 - 特許庁

A first nitrogen concentration meter 6 and a second nitrogen concentration meter 8 for measuring a nitrogen gas concentration of pure water are respectively arranged before and after a concentration variable part 7 capable of dissolving and degassing nitrogen gas by use of a hollow fiber type separation membrane.例文帳に追加

純水の窒素ガス濃度を測定する濃度計を、中空子分離膜を用いて窒素ガスの溶解および脱気が可能な濃度可変部７の前後に第１窒素濃度計６、第２窒素濃度計８としてそれぞれ配置する。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

The printing device of an inkjet type calculates an input concentration correction value from an actual output concentration value of each nozzle N of a printing head 200, and corrects a concentration value of image data, based on the input concentration correction value.例文帳に追加

インクジェット方式の印刷装置であって、印字ヘッド２００の各ノズルＮごとにその実際の出力濃度値から入力濃度補正値を求め、その入力濃度補正値に基づいて画像データの濃度値を補正する。 - 特許庁

Impurity concentration of the n^--type impurity diffusing region 21 is lower than that of the n^+-type impurity diffusing layer 22.例文帳に追加

Ｎ^−型不純物拡散領域２１の不純物濃度はＮ^＋型不純物拡散層２２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

The p-type diffusion layer 5 is formed to have an impurity concentration peak at a deeper part than the n-type diffusion layers 7, 8.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５は、Ｎ型の拡散層７、８よりも深部に不純物濃度ピークを有するように形成されている。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

Thus, n-type impurity concentration of a capacitor electrode 23 in the n-type decoupling capacitor region 4 is low compared to a conventional case.例文帳に追加

これにより、従来と比較して、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４のキャパシタ電極２３のｎ型不純物濃度が低い。 - 特許庁

The P^---type impurity layer 12 is of the same P-type with a semiconductor substrate 1, but lower in impurity concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−−型不純物層１２は、半導体基板１と同じＰ型であるが、不純物濃度は半導体基板１よりも低い。 - 特許庁

The temperature-detecting diode 20 comprises a P+-type polysilicon 23, which is an anode region of high impurity concentration, an N+-type polysilicon 25 which is a cathode region of high impurity concentration, and a P-type polysilicon 24, which is an anode region of relatively low impurity concentration formed between the regions.例文帳に追加

温度検出用ダイオード２０は、高不純物濃度のアノード領域であるＰ^^+ 型ポリシリコン２３と、高不純物濃度のカソード領域であるＮ^+ 型ポリシリコン２５と、それらの領域の間に形成される比較的不純物濃度の低いアノード領域であるＰ型ポリシリコン２４から構成される。 - 特許庁

The p-type impurity concentration of the outer circumferential region of the curved part in the anode region which touches the curved part is lower than that of the high concentration region.例文帳に追加

アノード領域のうちの前記曲線部に接する曲線部外周領域のｐ型不純物濃度が、高濃度領域よりも低い。 - 特許庁

The oil lubrication type rolling device includes a mixed water concentration monitoring device 6 that monitors the concentration of water mixed into the lubricating oil 5.例文帳に追加

油潤滑方式の転動装置において、潤滑油５中の混入水分濃度を監視する混入水分濃度監視装置６を設ける。 - 特許庁

A high concentration channel injection region 42 containing the N-type impurity at a higher concentration than the substrate 36 is provided at a center of the gate region 40.例文帳に追加

ゲート領域４０の中央に、基板３６に比して高い濃度でＮ型不純物を含む高濃度チャネル注入領域４２を設ける。 - 特許庁

A first low concentration diffusion layer 103 is of the first conductivity type, and formed to include the first high-concentration diffusion layer 109 inside.例文帳に追加

第１低濃度拡散層１０３は第１導電型であり、第１高濃度拡散層１０９を内側に含むように形成されている。 - 特許庁

The n^+-embedding layer 31 has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み層３１は、ｎ型不純物領域１２１が有する第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する。 - 特許庁

In an n-type silicon substrate, a high-concentration collector region 11 is formed and a low-concentration collector region 12 is formed on the entire surface.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１０内に高濃度のコレクタ領域１１が形成され、全面に低濃度のコレクタ領域１２が形成されている。 - 特許庁