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「concentration area」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索
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concentration areaの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 729



例文

The difference in the contact areas between the lower and upper electrodes 19, 21 causes an electric field concentration in the variable resistance layer 20, resulting in the generation of a resistance change area 20a near the part to which the lower electrode 19 is connected.例文帳に追加

そして、この電極19、21の接続領域の相違により、可変抵抗層20では、電界集中が生じ、下部電極19が接続された部分近傍に抵抗変化領域20aが発生する。 - 特許庁

In this way, the area of the ground electrode 3 corresponding to the discharge electrode 2 is easily increased to increase the concentration degree of an electric field to the discharge electrode 2, and the production amount of metal fine particles can be increased.例文帳に追加

これにより、グラウンド電極3が放電極2に対向する面積を増大させやすくなり、その分、放電極2に対する電界の集中度を高めて、金属微粒子の生成量を増大させることができる。 - 特許庁

The Real Prep control part 21 determines the concentration of the contrast medium in a tomographic surface on the basis of an image in the template area set as above to this image among images provided by a prep scan.例文帳に追加

リアルプレップ制御部21は、プレップスキャンにより得られる画像のうちのこの画像に対して上記のように設定したテンプレート領域内の画像に基づいて撮影断層面における造影剤濃度を判定する。 - 特許庁

Concerning an alkali silica reactivity test method of an aggregate (JIS A 1145 chemical method), this alkali silica reactivity test method of the aggregate is characterized by determining the alkali concentration reduction quantity (Rc) from a BET specific surface area of the aggregate.例文帳に追加

骨材のアルカリシリカ反応性試験方法(JIS A 1145化学法)において、アルカリ濃度減少量(Rc)を骨材のBET比表面積から求めることを特徴とする骨材のアルカリシリカ反応性試験方法。 - 特許庁

例文

A repetition frequency of pulse irradiation is controlled based on the ozone concentration or the ozone partial pressure measured by the ozone densitometer 13, when the surface of the substrate is pulse-irradiated with the light within the ultraviolet area.例文帳に追加

前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計13によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。 - 特許庁


例文

A Pd layer 15a is formed as a contact layer on one surface of a silicon semiconductor substrate(n-type semiconductor substrate area 16a) having relatively low impurity concentration constituting a power bipolar transistor.例文帳に追加

電力用バイポーラトランジスタを構成する、比較的低い不純物濃度を有するシリコン半導体基体(N型半導体サブストレート領域16a)の一面上に、接触層としてのPd層15aを形成する。 - 特許庁

Then, a concentration of the dissolved oxygen in an area near the biological sample 140 introduced in the minute section of the sample guide 110, is measured from minute current flowing through the working electrode 122 and a counter electrode 124.例文帳に追加

そして、作用極122と対極124を介して流れる微小電流に基づいて、試料ガイド110の微小領域内に導入された生物試料140の近傍の溶存酸素濃度が測定される。 - 特許庁

Thus, the first insulating film 120, whose impurity concentration is high while wet-etching is high, is etched to complete a contact hole 150B with a lower-part width W2 widened, resulting in a wider exposed area of the contact hole 150.例文帳に追加

すると、不純物濃度が高くて湿式食刻率が高い第1絶縁膜120が食刻されて、下部の幅W2が広まったコンタクトホール150Bが完成し、コンタクトホール150Bで露出される面積が広がる。 - 特許庁

The inside-facility monitoring device 3 raises an alarm to a surrounding area and inform it to the monitoring side of the patient by the oximeter 1 through the communication when the received blood oxygen concentration information exceeds a threshold value.例文帳に追加

施設内監視装置3は、受信した血中酸素濃度情報が閾値を越えている場合に、周囲に警報を発し、かつ、通信を通じてオキシメータ1による被検者の監視側に通信を通じて通報する。 - 特許庁

例文

The area around Shanghai is well known for its concentration of die manufacturers, including Chinese as well as Japanese enterprises, and machine tool manufacturers are also clustering in the region. 例文帳に追加

また、上海周辺は金型の地場産業集積地としても知られており、その関係から日系企業はもちろんであるが、中国地場金型メーカーが数多く存在し、工作機械などの集積も進んでいる。 - 経済産業省

例文

A display control part 38a makes a display unit 32 display GUI for setting of "an interest area for analyzing the concentration of contrast medium" and "a moving condition for moving to a main scan" and stores the information of the interest area and the moving condition input by an operator in a setting information memory part 38b.例文帳に追加

表示制御部38aは、「造影剤濃度を解析するための関心領域」および「メインスキャンに移行するための移行条件」の設定用GUIを表示装置32に表示させて、操作者から入力された関心領域および移行条件の情報を、設定情報記憶部38bに格納する。 - 特許庁

Since a premium image area during the prediction period is set with the achromatic color of a high concentration (monochrome images of high contrast or black solid images), the imaging equipment is easily projected to a transparent game board 100 and a glass plate 22, and the projected imaging equipment and the premium image area on an LCD 106 are easily positioned.例文帳に追加

また、この予兆期間中のプレミアム画像領域は、高濃度の無彩色(コントラスト強い白黒画像、或いは黒ベタ画像)としたため、透明の遊技盤100やガラス板22に撮像機器が写り込み易くなり、この写り込んだ撮像機器とLCD106上のプレミアム画像領域との位置合わせが容易となる。 - 特許庁

By applying this constitution, a combustion gas temperature of a central part area of the combustion chamber 8 is raised to improve flame holding characteristic, thus even the fuel of low concentration supplied to a circumferential area can be sufficiently burnt, and the combustion efficiency can be improved without raising the combustion gas temperature as a whole.例文帳に追加

上記構成とすることで、燃焼室8の中央部領域の燃焼ガス温度を上昇させて保炎性を高め、これにより周辺領域に供給された濃度が低い燃料をも十分に燃焼させることができるので、全体の燃焼ガス温度を高めることなく燃焼効率を向上し得るのである。 - 特許庁

The source area 30a and the drain area 30b are respectively provided with first impurity areas 5b and 5c formed right under the gate electrode 12 of the n-type TFT 30, and second impurity areas 5f and 5g whose impurity concentration is higher than that of the first impurity areas 5b and 5c.例文帳に追加

ソース領域30aおよびドレイン領域30bの各々は、n型TFT30のゲート電極12の真下に形成された第1不純物領域5b,5cと、第1不純物領域5b,5cの不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2不純物領域5f,5gとを有している。 - 特許庁

The purge gas flowing from the flow-in hole 28 into the measuring chamber 30 is prevented from intruding directly into the measuring area 31 by a shielding wall 40 provided on a flow-in-directional extension line, and the ultrasonic wave is hardly attenuated in the measuring area 31 to measure thereby accurately the gas concentration.例文帳に追加

流入孔28より測定室30に流入したパージガスは、その流入方向の延長上に設けられた遮断壁40によって直接、測定領域31内に侵入することが防止されており、測定領域31における超音波の減衰が発生しにくく、正確なガス濃度の測定を行うことができる。 - 特許庁

It is avoided that fuel concentration in a cavity 26 becomes locally high since the major portion of a fuel is full in a squish area and is guided to its circumferential direction so as to form an air-fuel mixture in the squish area by means of synergism of recessed sections 28 arranged on the top of a piston 25 and a swirl during a low speed operation of an engine.例文帳に追加

エンジン低速運転時は、ピストン25頂部に設けた凹陥部28とスワールとの相乗作用によって、燃料の大半がスキッシュエリアに溢れ且つその周方向に導かれ、スキッシュエリア周方向全体で混合気が生成されるので、キャビティ26内の燃料濃度が局所的に高くなることが回避される。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which forms an epitaxial layer on an upper portion of an element separating structure of a recess gate area, designs a semiconductor element of an SOI tunnel structure, thereby, reduces an ion implantation concentration in a channel area and can improve characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

リセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、SOIチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、tWR及びLTRAS特性を改良することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A measuring curve 55 of a concentration value profile of a straight line 45 crossing a site (suspected area of abnormality) desired for quantitative analysis on a tomographic image 41, and a reference curve 54 of a concentration value profile of a normal site are expanded and contracted/moved to correspond, and then both curves are subtracted, and the result is displayed as a differential curve 56.例文帳に追加

断層画像41上の定量分析を所望する部位(異常が疑われる部位)を横断する直線45の濃度値プロファイルである計測曲線55と、正常な部位の濃度値プロファイルである参照曲線54とを、伸縮/移動させて対応付けた後、両曲線の減算を行い、その結果を差分曲線56として表示する。 - 特許庁

Lithium manganate is obtained by mixing electrolytic manganese dioxide having a sulfur concentration of 1,500 ppm or more and 3,500 ppm or less, a sodium concentration of 100 ppm or more and 500 ppm or less, a BET specific surface area of 10 m^2/g or more and less than 30 m^2/g and a tap density of 1.70 cc/g or more, with the lithium compound and baking.例文帳に追加

硫黄濃度が1500ppm以上3500ppm以下、ナトリウム濃度が100ppm以上500ppm以下、BET比表面積が10m^2/g以上30m^2/g未満、タップ密度が1.70cc/g以上の電解二酸化マンガンとリチウム化合物を混合、焼成することによりマンガン酸リチウムを得る。 - 特許庁

The quartz glass contains metal elements and is improved in plasma corrosion resistance and has the concentration of metal elements of 0.1-20 wt.%, OH concentration of 100-2000 ppm, a content of foams and foreign substances of <100 mm2 projected area per 100 cm3, and the inner visible light transmissivity of 50%/cm or more.例文帳に追加

金属元素を含有しプラズマ耐食性を増大した石英ガラスであり、該金属元素の濃度が0.1〜20wt%、OH濃度が100〜2000ppm、石英ガラス体中の泡と異物の含有量が100cm^3当たりの投影面積で100mm^2未満で、可視光線の内部透過率が50%/cm以上であるようにした。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板1上に素子分離領域2を形成した後、Pウェル層3を形成し、これにしきい値電圧Vth調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度1E14〔cm^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層6のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

A manuscript size decision section 25 decides the manuscript size of input manuscript image data based on the number of kinds of the ground decided by the ground decision section 23, a ground concentration value that is the lowest concentration value in one ground area or a plurality of areas decided to be a ground, and the number of white pixels extracted by the white pixel count section 24.例文帳に追加

原稿サイズ判定部25は、下地判定部23で判定された下地の種類の数と、下地と判定された1つの下地領域または複数の領域における最も低い濃度値である下地濃度値と白画素カウント部24により抽出された白画素数とに基づいて、入力された原稿画像データの原稿サイズを判定する。 - 特許庁

The high concentration carbon supported catalyst has Pt or a Pt alloy supported in an electrically conductive carbon support, wherein the concentration of the supported Pt or Pt alloy is in the range of 50% to 60% by weight, an average particle size is 1 to 5 nm, and a total specific surface area of the carbon supported catalyst is 200 m^2/g or greater.例文帳に追加

白金または白金合金が伝導性炭素担体に担持されている炭素担持触媒であって、前記白金または白金合金の担持濃度が50〜60重量%であり、平均粒子サイズが1〜5nmであり、炭素担持触媒全体の比表面積が200m^2/g以上である高濃度炭素担持触媒である。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

MOS型のキャパシタの電荷蓄積領域6のシリコン基板にトレンチを設けることにより、P型シリコン基板1とN型低濃度ウェル領域2の接触面積を減少させたから、N型低濃度ウェル領域2からP型シリコン基板1へのリーク電流を低減させたMOS型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

A wide light sensitive region is yielded to obtain a highly sensitive light receiving element by applying reverse bias to a low carrier concentration AlN crystal layer or AlGaN crystal layer and extending a space charge area laterally, for example.例文帳に追加

たとえばキャリア濃度の低いAlN結晶層もしくはAlGaN結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。 - 特許庁

To prevent congestion and production of overflow calls caused by concentration of calls onto a particular area while carrying minimum favor relating to communication with the users by providing many and useful information items to users of a terminal station on the occurrence of a disaster.例文帳に追加

災害時において端末局のユーザに対してより多くの有益な情報を提供し、通信に関する最低限の便宜を図りつつ、特定地域内の呼の集中に起因する溢れ呼の発生および輻輳を防止する。 - 特許庁

A through-hole, a groove and a recess are formed in the loaded surface of the braking element of the emergency stop device to prevent the concentration of a push-against load at the center of the braking element and produce a decease in single-side contact with the guide rail and an increase in contact area.例文帳に追加

非常止め装置の制動子の荷重負荷面に貫通穴、溝、及び凹部を形成し、押し付け荷重が制動子の中央に集中するのを防ぎ、ガイドレールに対する片当たりを減らし、接触面積を増加させる。 - 特許庁

To provide a cleaning treatment apparatus capable of cleaning organic wastewater in high concentration up to water capable of being discharged without causing any trouble to a public water area such as rivers or the like and capable of reducing an apparatus cost and a running cost.例文帳に追加

高濃度の有機性排水を河川等の公共水域に十分放流可能な水にまで浄化することができ、しかも装置コストおよびランニングコストの低減を期すことのできる浄化処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a manufacturing process can be simplified to form a semiconductor device that has a structure to relieve the concentration of an electric field adjacent to an end of a drain area.例文帳に追加

ドレイン領域の端部近傍における電界集中を緩和する構造を有する半導体装置を形成する場合における製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To ensure the uniform concentration of abrasive of slurry to be sucked from a resin-made drum in a stirring manner so that the abrasive of the slurry is not easily deposited in a parting line generation area in the bottom surface part of the blow-molded resin-made drum.例文帳に追加

ブロー成形の樹脂製ドラムの底面部における上記パーティングライン発生領域にスラリーの研磨剤がたまり易くならないようにして、攪拌しながら樹脂製ドラムから吸引するスラリーの研磨剤の濃度が均一にする。 - 特許庁

An area of contacting the gas stream with the liquid can be expanded while suppressing the decrease of gas stream speed by hitting the gas stream against a curved surface so that generation efficiency of the nanobubbles is enhanced to increase its concentration in the liquid.例文帳に追加

そして該気流を曲面に当てることにより、気流の速度の減少を抑えながら気流と液体が接する面積を拡大することができ、ナノバブルの発生効率を高くしてその液体中の濃度を高くする。 - 特許庁

To provide an opening/closing panel mounting structure which does not cause an opening/closing panels like a gate to be damaged, prevents concentration of local stress by enlarging its restraint area, enables strong fastening without increasing wall thickness, and facilitates handling.例文帳に追加

アオリ等の開閉パネルを傷付けることがないとともに、その拘束面積を大きくして局部的な応力集中の発生を防止し、肉厚を増大することなく強固な締結を可能にし、しかも取り扱いを容易にする。 - 特許庁

A biosensor 1 includes an insulating substrate 10; an electrode system 50 including a working pole 102 and a working pole 202 different from the working pole 102; and concentration measurement area provided on the insulating substrate 10, to which a sample is introduced.例文帳に追加

バイオセンサ1は、絶縁性基板10と、作用極102と、作用極102とは異なる作用極202と、を含む電極系50と、絶縁性基板10に設けられ、試料が導入される濃度測定領域と、を有する。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、MOSトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

Each ball 6 is formed by nitriding or carbonitriding treatment so that the nitrogen concentration of a rolling surface is 0.2-2.0 mass% and that the area rate of an Si-Mn-based nitride which is a nitride containing Si and Mn is 1-20%.例文帳に追加

各玉6、6は、窒化処理又は浸炭窒化処理により、転動面の窒素濃度を0.2〜2.0質量%とすると共に、Si及びMnを含有した窒化物であるSi・Mn系窒化物の面積率を1〜20%とする。 - 特許庁

To provide a method for sufficiently remediating polluted soil in an unsaturated band at a low cost in situ without eluting a polluting substance before its decomposition even in the case the polluted area is spread in a wide range and in the case the pollutant concentration is uneven.例文帳に追加

汚染領域が広範囲に及ぶ場合や汚染濃度にムラがある場合であっても、分解前の汚染物質が流出することなく、不飽和帯の汚染土壌を低コストで十分に原位置浄化できる方法を提供する。 - 特許庁

The oleum impregnated silica gel is prepared by impregnating oleum having 5-40 mass% of free SO_3 concentration into the silica gel having a BET specific surface area of 250-450 m^2/g and a pore volume of 1.4-2.6 cm^3/g.例文帳に追加

発煙硫酸含浸シリカゲル:BET比表面積250〜450m^2/g、細孔容積1.4〜2.6cm^3/gのシリカゲルに遊離SO_3濃度5〜40質量%の発煙硫酸が含浸された発煙硫酸含浸シリカゲル - 特許庁

This light emitting diode overcomes a current concentration phenomenon, and can embody the uniform light emission of high illuminance by assuring a wide light emitting area while incorporating uniform current density in the entire light emitting region.例文帳に追加

本発明は電流集中現象を克服し全発光領域において均一な電流密度を有するようにさせながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。 - 特許庁

To provide an arc ion plating device in which an evaporation source is evenly consumed and the efficiency of use is improved by removing the local concentration and evenly moving an arc spot as a whole in the inner side area of an evaporation surface.例文帳に追加

蒸発面の内側領域において、局部的な集中をなくして全体に均等にアークスポットが移動することにより、蒸発源が均等に消耗し、利用効率がよくなるアークイオンプレーティング装置を提供する。 - 特許庁

The rice and water fed into a pan 9 are uniformly heated while the rice and water are moved in the heating concentration area generated in the pan by electromagnetic induction heating by moving ferrite 2, by which the cooked rice with the lessened cooking unevenness may be provided.例文帳に追加

フェライト2を移動させることにより、電磁誘導加熱により鍋に生じる加熱集中域を移動させつつ、鍋9内に投入された米と水を均一に加熱し、炊きむらの少ないご飯を提供することができる。 - 特許庁

The method for producing the humidity conditioning activated carbon comprises treating raw material activated carbon having a specific surface area of ≥1,280 m^2/g and a pore volume of ≥0.88 ml/g in a nitric acid solution having concentration of2.5 N at 40-80°C for 0.5-30 min.例文帳に追加

比表面積が1280m^2/g以上で、細孔容積0.88ml/g以上の原料活性炭を、2.5N以下の硝酸溶液中で、40〜80℃で0.5〜30分で処理する調湿活性炭の製造方法。 - 特許庁

A diffusion layer (an area where the concentration of a plating component or an additive is weak) is made thinner compared to a stirring method such as the bubbling or the jetting of a plating liquid by directly bringing an insulating contact body having flexibility into contact with a substrate.例文帳に追加

可撓性を有する絶縁性接触体が直接接触することにより、バブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層(めっき成分や添加剤濃度が薄い領域)を薄くすることができる。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第1導電型の半導体基板201全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、P、As等のN型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板201より高濃度の第1導電型拡散層200と第2導電型well202,203を形成する。 - 特許庁

In this oxide sintered compact obtained by mixing and sintering each powder of zinc oxide, tin oxide and indium oxide, when performing in-plane composition mapping by EPMA to the oxide sintered compact, the ratio of a region having an Sn concentration of 10-50 mass% occupied in the measured area is70 area%.例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してEPMAによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Sn濃度が10〜50質量%の領域の比率が70面積%以上である。 - 特許庁

After a nitrogen-enriched layer 13D having a higher nitrogen concentration than that in the other area 13C is formed in an area including the contact surface 13A and hardening treatment is performed, the contact surface 13A is plastically machined, and has hardness higher than the rolling surfaces 11A, 12A by 3 HRC or more.例文帳に追加

そして、接触面13Aを含む領域に、他の領域13Cよりも窒素濃度が高い窒素富化層13Dが形成され、かつ焼入硬化処理が実施された後に、接触面13Aに対して塑性加工が施されており、接触面13Aは転走面11A,12Aよりも3HRC以上高い硬度を有している。 - 特許庁

To provide a rubber crawler capable of effectively preventing the generation of cracks in a rubber area by sufficiently relaxing the bending deformation itself of an outside part in the crawler width direction in such a case that the rubber crawler runs onto a curbstone or the like, and relieving the stress concentration in the rubber area adjacent to the side edge of a reinforcing member caused by the bending deformation.例文帳に追加

ゴムクローラが縁石等に乗り上げた場合その他に、クローラ幅方向外側部分の折れ曲がり変形それ自体を十分に軽減させることによって、その折れ曲がり変形に起因する、補強部材の側縁に隣接するゴム領域への応力集中を緩和し、そのゴム領域への亀裂の発生を有効に防止できるゴムクローラを提供する。 - 特許庁

A first fuel nozzle 301 supplying a fuel 51 for starting and the hydrogen-containing fuel 62a is disposed at the upstream of a combustion chamber 12, and a primary combustion area (area A) for producing a combustion gas of low oxygen concentration is formed by burning the fuel supplied from the first fuel nozzle 301 under a fuel excessively-rich condition.例文帳に追加

本発明は、起動用燃料51や水素含有燃料62aを供給する第一の燃料ノズル301を燃焼室12の上流に配置して、第一の燃料ノズル301から供給された燃料を燃料過濃条件で燃焼して低酸素濃度の燃焼ガスを生成する一次燃焼領域(領域A)を形成する。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、SOIチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、tWR及びLTRAS特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

As a result, the surface area of the bubbles are increased by the increase of gaseous oxygen contained in the bubbles though the concentration of ozone in the bubbles is decreased and then the sewage is brought into contact with ozone in the bubbles in a wide surface area to efficiently allow the sewage to react with ozone in a short time and to sufficiently exhibit the sterilization cleaning action by ozone.例文帳に追加

これにより、気泡中のオゾンの純度は低くなるが、この気泡に含まれる酸素ガスの増加分だけ気泡の表面積が大きくなり、汚水とこの気泡中のオゾンと汚水とが広い面積で接触するとともに汚水とオゾンとが短時間で効率良く反応するようになり、オゾンによる殺菌浄化作用を充分に発揮できる。 - 特許庁

例文

The danger of dust explosion at crushing or pulverizing can be reduced by crushing or pulverizing in the atmosphere of superheated steam since the rapid oxidation of the plastic accompanied by the an increase in a specific surface area is inhibited while lowering an oxygen concentration in the atmosphere where the increase in the specific surface area is inhibited by the absorption of a water molecule on the crushed or pulverized plastic particle.例文帳に追加

過熱蒸気の雰囲気の下で破砕又粉砕することで、雰囲気の酸素濃度を低下させるとともに、破砕又粉砕されたプラスチック粒子の表面に水分子が吸着し、比表面積の増大に伴うプラスチックの急激な酸化を抑制することとなるため、破砕又は粉砕の際の粉塵爆発の危険性を低下させることができる。 - 特許庁




  
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