「copper interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent defects from occurring in a barrier metal film or the copper wiring layer when a copper wiring layer is connected to a wiring layer of Al or the like formed on the copper wiring layer through a fine tungsten plug having an aspect ratio of above 1.25 to form a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

銅配線層を、その上に形成されたＡｌなどの配線層と、アスペクト比が１．２５を超える微細なタングステンプラグを介して接続し、多層配線構造を形成する際に、バリアメタル膜あるいは銅配線層における欠陥の発生を抑制する。 - 特許庁

As a material of the interconnection 30, a material which allows easy transmission of laser light used for laser bonding (for example, aluminum, gold, or copper) can be used.例文帳に追加

配線３０の材料としては、レーザ接合に用いるレーザ光を透過しやすい材料（例えばアルミニウム、金、又は銅を用いることができる。 - 特許庁

To provide a substrate which prevents an element characteristic from being reduced, which enhances the stability of a device, to which a copper interconnection can be applied and which prevents increase of production processes and production costs.例文帳に追加

素子特性の低減を防止してデバイスの安定性を向上し、銅配線の適用を可能とし、製造工程、製造コストの増加を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a first nitride film 4, a copper interconnection 5, a second nitride film 6, a passivation 7, a barrier layer 8, an adhesive layer 9, and a wire 10.例文帳に追加

半導体装置１は、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。 - 特許庁

A diffusion preventing insulating film DP is formed so as to cover the copper interconnection layer CL1 and is made of at least either SiC or SiCN.例文帳に追加

拡散防止絶縁膜ＤＰは、銅配線層ＣＬ１上を覆うように形成されており、かつＳｉＣおよびＳｉＣＮの少なくともいずれかよりなっている。 - 特許庁

In manufacturing the semiconductor device, a layer (4a) containing nitrogen is formed in an exposed portion of the copper interconnection line (3b) formed in an insulation film (1) on a substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜（１）に形成された銅配線（３ｂ）における露出部位に、窒素を含む層（４ａ）を形成する。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having interconnection or plugs buried in an insulation film in which an oxide film can be removed from the surface of a lower interconnection while preventing intrusion of copper from a via hole or a trench into an interlayer insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に埋め込まれる配線又はプラグを有する半導体装置の製造方法に関し、ビアホール又は溝から層間絶縁膜への銅の侵入を防止しながら下側の配線の表面の酸化膜を除去すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To uniformly and efficiently remove a surface oxide film formed on a copper interconnection or the like, regarding a method and an apparatus the manufacturing a semiconductor device, where a process or a means used to remove an inessential substance adhering to the surface of an electrode or an interconnection using copper as the main material is provided.例文帳に追加

本発明は銅を主材料とする電極或いは配線の表面に付着する不要物を除去する工程／手段を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関し、銅配線等に形成される表面酸化膜を均一にかつ効率的に除去することを課題とする。 - 特許庁

Relatively narrow second interconnection trenches 121 are formed in the second region of the second insulation film 104 and second embedded interconnections 123 of a copper film embedded by plating are formed in the second interconnection trenches 121.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４の第２の領域には、相対的に狭い溝幅を持つ第２の配線溝１２１が形成されており、該第２の配線溝１２１にはめっき法による埋め込まれた銅膜からなる第２の埋め込み配線１２３が形成されている。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the upper surface of the copper interconnection 5 partially and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面及び上面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

To improve an adhesion of an inorganic barrier film composed of SiC or hydrogenated SiC to an copper surface and an adhesion of an insulation film composed of SiO2, fluorinated SiO2 or SiOC to the inorganic barrier film in a copper interconnection structure.例文帳に追加

銅相互接続構造の銅表面に対するＳｉＣまたは水素化ＳｉＣからなる無機バリア膜の接着性および無機バリア膜に対するＳｉＯ_2，フッ化ＳｉＯ_2，またはＳｉＯＣからなる絶縁膜の接着性を改良する。 - 特許庁

To provide a structure and method that forms mechanically and electrically firm interconnection between the copper wiring of an integrated circuit and a solder ball without diffusing tin or lead from the solder ball to final copper wiring.例文帳に追加

ソルダ・ボールからスズまたは鉛が最終の銅配線に拡散することなく、集積回路の銅配線とソルダ・ボールとの間に機械的および電気的に強固な相互接続を形成する構造および方法を提供すること。 - 特許庁

Multilayer interconnection parts 4 and 5 and a fuse part 11 inserted between them are provided, with the fuse part 11 comprising a copper which becomes higher in resistance through oxidation.例文帳に追加

多層配線部分４，５と、多層配線部分４，５の間に介設されるヒューズ部分１１とからなり、ヒューズ部分１１は酸化を受けて高抵抗化する銅が用いられている。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a printed interconnection board which can fabricate a printed interconnection board having improved circuit reliability with improved productivity by a method wherein a copper foil in a surface layer only is removed by a laser beam to form an aperture for forming a via-hole.例文帳に追加

レーザ光にて表層の銅箔のみを除去することによって銅箔にバイアホール形成用の開口を形成することが可能となって生産性を高めることができ、また回路の信頼性が高くなるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A copper solution containing CuSO_45H_2O as a copper source, potassium sodium tartrate 4H_2O or trisodium citrate as a complexing agent, glyoxylate, glyoxylic acid or sodium phosphate as a reducing agent, a sulfur organic compound as a stabilizing agent, and a pH adjusting agent, is used to from the copper interconnection layer on the substrate.例文帳に追加

銅源としてのＣｕＳＯ_４５Ｈ_２Ｏ、錯化剤としての酒石酸カリウムナトリウム４Ｈ_２Ｏまたはクエン酸三ナトリウム、還元剤としてのグリオキシル酸塩、グリオキシル酸またはリン酸ナトリウム、安定剤としての有機硫黄化合物、およびｐＨ調節剤を含む銅溶液を使用し、基板上に銅相互接続層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, electroless Cu plating is performed, using a plating solution containing a growth suppressor for suppressing growth of copper, whereby copper is selectively precipitated on the layer 14 on which the layer 17 is formed, thereby forming a copper interconnection 13 in a manner of swelling on the layer 14.例文帳に追加

そして、銅の成長を抑制するための成長抑制剤を含むめっき液を用いた銅の無電解めっきが行われることにより、パラジウム層１７が形成されたバリアメタル層１４上に銅が選択的に析出させられ、銅配線１３がバリアメタル層１４上に隆起した状態に形成される。 - 特許庁

The copper film 9a in the first region can be used for the interconnection with the capacitance between interconnections suppressed due to the low relative permittivity of the insulating film between the copper films 9a, and the copper film 9b in the second region can be used for the capacitive element with a satisfactory electrostatic capacity assured due to high relative permittivity of the insulating film between copper films 9b.例文帳に追加

これによって、第１領域内の銅膜９ａは、当該銅膜９ａ間の絶縁膜の比誘電率が低いため、配線間容量が抑制されており、配線に利用可能であるとともに、第２領域内の銅膜９ｂは、当該銅膜９ｂ間の絶縁膜の比誘電率が高いため十分な静電容量が確保でき、容量素子として利用可能である。 - 特許庁

An aluminum bonding pad is formed on the barrier layer for the wire bonding interconnection wiring, and a copper bonding pad is formed on the barrier layer for the solder bump interconnecting wiring.例文帳に追加

アルミニウムボンディングパッドは、ワイヤボンディング相互接続配線のための障壁層上に形成され、銅ボンディングパッドは、ハンダバンプ相互接続配線のための障壁層上に形成される。 - 特許庁

To provide an improved alkaline chemical for post-CMP cleaning of a wafer including metal, copper in particular and interconnection in relation to cleaning of semiconductor wafers after chemical mechanical polishing (CMP) during production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造の間にウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウェハの洗浄に関し、金属、特に銅、相互接続を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ薬品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which places no restraints on layout of a lower interconnection located below copper wiring and can reduce the variation in effective dielectric constant, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

銅配線の下方に位置する下部配線がレイアウト上の制約を受けず、しかも、実効誘電率のばらつきが低減される半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。 - 特許庁

A split barrier layer enables copper interconnection wires to be used in conjunction with a low-k dielectric film by preventing the diffusion of N-H base groups into the photoresist where they can render the photoresist insoluble.例文帳に追加

銅配線ワイヤを低ｋ誘電体膜とともに用いることが、分割バリア層によって、Ｎ−Ｈ塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐことで可能になる。 - 特許庁

To solve the problem that in a dual damascene method, if an overlapping area between a trench for interconnection and a hole for a via is too small, embedding defects are caused when embedding the trench and the hole with copper.例文帳に追加

デュアルダマシン法において、配線用の溝とビア用の孔とがオーバーラップする領域の面積が小さ過ぎると、上記溝および孔に銅を埋め込む際に埋設不良が起こってしまう。 - 特許庁

Although the copper foils 4 and 5, etc., tend to contract following the curing contraction of the prepregs 2 and 3, etc., as contraction is obstructed by the friction between the contact surfaces KT1B and KT2A of the interposed bodies KT1 and KT2 and the copper foils 4 and 5, etc., the contraction of the layered printed interconnection board is suppressed.例文帳に追加

すると、プリプレグ２，３等の硬化収縮に伴い、銅箔４，５等も収縮しようとするが、介挿体ＫＴ１，ＫＴ２の当接面ＫＴ１Ｂ，ＫＴ２Ａと銅箔４，５等の摩擦により収縮が阻止されるため、積層プリント配線板の収縮が抑制される。 - 特許庁

Relatively wide first interconnection trenches 111, having a recessed part 112 in the bottom, are formed in the first region of the second insulation film 104 and first embedded interconnections 113 of a copper film embedded, by plating are formed on the bottom of the first interconnection trenches 111.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４の第１の領域には、相対的に広い溝幅を持ち底部に凹状部１１２を有する第１の配線溝１１１が形成されており、該第１の配線溝１１１の底部はめっき法により埋め込まれた銅膜からなる第１の埋め込み配線１１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an active device which is arranged on a semiconductor substrate, an interconnect layer which is formed on the active device and contains copper, and an outermost metallization layer which is located over the interconnection layer.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板の上に配置される活性デバイスと、活性デバイスの上に形成された銅を含む相互接続層と、相互接続層を覆って位置する最外側メタライゼーション層とを備える。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

To provide a copper interconnecting integrated circuit of low permittivity, where corrosion of interconnection is reduced, when a crack stopper adjacent to a trimmed edge is used also as a primary barrier to diffusion of oxygen in dielectrics.例文帳に追加

切り口に隣接したクラック止めが誘電体内の酸素の拡散に対する１次バリアとしても用いられるとき、相互接続の腐食を少なくする低誘電率の銅相互接続集積回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier which reduces a connection resistance without dropping an electric capacitance of a compact Li battery in a laminated circuit substance performing an interconnection by a conductive paste and thins down a film having excellent adhesiveness with the substrate in a laminated substrate for ensuring the adhesiveness with resin on both the surfaces of the copper foil.例文帳に追加

小型化したＬｉ電池の電気容量を落さず、導電ペーストによって相間接続を行う積層回路基板においては接続抵抗を低くし、銅箔両面にて樹脂との密着性を確保する積層基板においては基板との密着性が良好な薄膜化したキャリア付き銅箔を提供することである。 - 特許庁

To obtain a TFT structure and a fabrication method thereof in which low resistance interconnection can be realized sufficiently while preventing deterioration of characteristics due to undercut of a barrier metal layer when copper is used as a source-drain electrode material.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極材料に銅を用いた場合の加工時のバリアメタル層のアンダーカットに起因する特性不良を防止し、低抵抗配線が充分に実現できるＴＦＴの構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an SiOC film 5 is formed as an insulation film wherein a via plug will be formed and then an organic film 6 having a higher selectivity than the SiOC film is formed as another insulation film wherein the copper interconnection will be formed.例文帳に追加

半導体基板１上にビアプラグが形成される絶縁膜としてＳｉＯＣ膜５が形成され、銅配線が形成される絶縁膜としてそのＳｉＯＣ膜よりもエッチング選択比の高い有機膜６が形成される。 - 特許庁

A copper through-hole conductor 5 and a grounded interconnection layer 6 become depressed like a dish through being polished by a CMP method, forming a dishing part 17, because they have lower hardness than that of a through-hole insulator 11 formed of nitride silicon.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨によって、銅からなるスルーホール導電体５および接地配線層１０は、窒化シリコンからなるスルーホール絶縁体１１よりも硬度が低いため、皿状に窪んで低くなって、ディッシング部１７が生じる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2 on which a plurality of semiconductor elements (not shown) are formed, an interconnection layer 3, first nitride films 4, copper interconnections 5, barrier layers 6, adhesive layers 7, a second nitride layer 8, and a wire 9.例文帳に追加

半導体装置１は、複数の半導体素子（図示略）が形成された半導体素子層２と、配線層３と、第１窒化膜４と、銅配線５と、バリア層６と、接着層７と、第２窒化膜８と、ワイヤ９とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing method includes a heat press process in which metal foils 4 and 5 are overlaid on the surface and rear 1A and 1B of a copper plate 1 or a layered printed interconnection board with prepregs 2 and 3 therebetween respectively and the layered body is held between a pair of interposed bodies KT1 and KT2 to be heated and compressed.例文帳に追加

銅板１または被積層プリント配線板１０，２０の表裏面１Ａ，１Ｂに、それぞれプリプレグ２，３を介して金属箔４，５を重ね、２つの介挿体ＫＴ１，ＫＴ２の間に挟んで加熱プレスする加熱プレス工程を備える。 - 特許庁

To cap a layer on a surface of a copper interconnect wiring layer for use in interconnect structures for integrated circuits and to provide a method and apparatus for forming improved integration interconnection structures for integrated circuits by the application of gas-cluster ion-beam processing.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device is provided with a cleaning process, in which the surface oxide film 6 formed on the copper interconnection 3, is cleaned and a first process, in which the film 6 is substituted into carboxylate and a second process, in which the generated carboxylate is reduced and removed.例文帳に追加

銅配線３に形成された表面酸化膜６を清浄する清浄工程を有する半導体装置の製造方法であって、清浄工程は、表面酸化膜６をカルボン酸塩に置換する第１の工程と、生成されたカルボン酸塩を還元除去する第２の工程とを有する。 - 特許庁

The progress of the oxidation of a copper (Cu) interconnection layer 104 is suppressed by supplying oxygen plasma 105 to the surface layer thereof thereby forming an oxidation layer 106 where the number of CuO bonds is larger than that of Cu_2O bonds (e.g. CuO bonds occupy 50% or more).例文帳に追加

銅（Ｃｕ）配線層１０４の表層部に、酸素プラズマ１０５を供給して、Ｃｕ_2Ｏ結合よりも、ＣｕＯ結合が多い状態の酸化層１０６（例：ＣｕＯ結合の占める割合が５０％以上）を形成し、銅（Ｃｕ）配線層１０４の酸化の進行を抑制する。 - 特許庁

Disclosed is the cleaning agent used after a chemical-mechanical polishing process in the manufacturing process of the semiconductor device having the copper interconnection formed on the surface, wherein the cleaning agent contains (A) polycarboxylic acid and (B) a compound having an aldehyde structure and has the pH of 0.5 to 5.例文帳に追加

表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 - 特許庁

A semiconductor device has an insulating film 105 as a low void region having a low void content which is formed on a substrate 100, and a high void region 107, having a void content higher than that of the low void porosity region, and is equipped with copper interconnections 109b formed in interconnection grooves 105b in the insulating film 105.例文帳に追加

半導体装置は、基板１００上に形成された空孔率が低い低空孔率領域である絶縁膜１０５と低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域１０７とを有し、絶縁膜１０５における配線溝１０５ｂに形成された銅配線１０９ｂとを備える。 - 特許庁

On the semiconductor circuit device surface having necessary circuits formed, one layer or a plurality of layers of insulating layer composed of an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a component of organic filler of ≤1 μm in average primary particle size is provided, and circuits using copper as interconnection conductors for the same intralayer connection and the interlayer connection are formed on optional locations.例文帳に追加

必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a substrate processing method which can suppress formation of a water mark in a surface of a substrate to be processed and corrosion of a copper interconnection exposed in a surface of the substrate to be processed when the substrate to be processed such as a semiconductor wafer is subjected to cleaning treatment by cleaning liquid containing hydrofluoro ether.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁