「copper interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The multilayer interconnection parts 4 and 5 comprise a copper.例文帳に追加

多層配線部分４，５は銅が用いられている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING BARRIER LAYER FOR USE IN COPPER INTERCONNECTION METHOD例文帳に追加

銅相互接続部に用いるバリア層の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CRYSTAL LAYER FOR COPPER INTERCONNECTION OF INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法 - 特許庁

To certainly form a copper interconnection and a copper plug in a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

化学的機械的研磨方法において、銅配線および銅プラグを確実に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COPPER INTERCONNECTION DURING MANUFACTURE OF IC DEVICE例文帳に追加

集積回路デバイスの製造中に銅配線を形成する方法 - 特許庁

METHOD FOR PASSIVATING INTERCONNECTION PART MADE OF COPPER OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の銅製の相互接続部を不動態化処理する方法 - 特許庁

Thereafter, a copper layer is deposited on the second barrier layer, filling the interconnection trench.例文帳に追加

銅層が、第２バリア層に堆積され、配線トレンチに充填される。 - 特許庁

A copper interconnection layer CL1 is formed in an interconnection trench IT1, on the surface of an interlayer insulating film II2.例文帳に追加

銅配線層ＣＬ１は層間絶縁膜ＩＩ２の表面の配線溝ＩＴ１内に形成されている。 - 特許庁

Further, the device has a drain electrode, a gate electrode, and a source electrode and an interconnection connected to these electrodes, and all or almost all the electrodes and the interconnection are formed of copper.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイスであって、電極と配線の全部あるいは殆ど全部を銅にする。 - 特許庁

To solve the problem that copper corrodes and current does not flow in a copper interconnection when CMP (Chemical and Mechanical Polishing) is carried out using slurry chemically changing a copper plating film.例文帳に追加

銅めっき膜を化学的に変化させるスラリーを用いてＣＭＰすると、銅が腐食して、銅配線に電流が流れなくなる。 - 特許庁

To form a barrier metal layer which perfectly prevents copper diffusion in a contact hole of a trench interconnection or between interconnection layers.例文帳に追加

溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてＣｕ拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an interconnection structure 116 of copper is formed on the thin liner 110.例文帳に追加

その後、銅の相互接続構造１１６が薄いライナー１１０上に形成される。 - 特許庁

The shield layer 45 and the interconnection layer 47 are composed of the same continuous copper foil 46.例文帳に追加

シールド層４５と配線層４７は、連続した同一の銅箔４６から成る。 - 特許庁

To provide a method for removing silicon nitride film on a copper interconnection by etching, while suppressing generation of copper fluoride.例文帳に追加

銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

When a copper film 6 is formed in interconnection trenches, copper is polished by CMP method, and then the copper is removed by etching from the vicinity of the circumferential fringe of a wafer.例文帳に追加

銅膜６を配線溝内に形成する際、ＣＭＰにより銅を研磨した後、ウェーハ周縁近傍の銅をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁

Each barrier layer 6 is formed continuously to cover the upper surface and the side faces of each copper interconnection 5.例文帳に追加

バリア層６は、銅配線５の上面及び側面を覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING COPPER INTERCONNECTION AND THIN FILM USING CATALYST AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD例文帳に追加

触媒及び化学気相蒸着法を用いて銅配線及び薄膜を形成する方法 - 特許庁

To provide a method of planarization with less copper dishing or with no copper dishing in the process of forming a copper interconnection using a damascene process.例文帳に追加

ダマシン法を用いて銅配線を形成するに当たり、化学・機械的研磨（ＣＭＰ）による銅のディッシングを低減、あるいはなくし、平坦化する方法を提供する。 - 特許庁

A conductive cap layer 6 is selectively formed on the conductive layers 5 for interconnection, and serves as a barrier for diffusion of copper inside the conductive layers 5 for interconnection.例文帳に追加

導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。 - 特許庁

The first nitride film 4 is composed of SiN and formed across the adjoining copper interconnections 5 to cover the lower surface of the copper interconnection 5 partially.例文帳に追加

第１窒化膜４は、ＳｉＮからなり、銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって形成されている。 - 特許庁

A method and an apparatus for producing a copper layer on a substrate in a flat panel display manufacturing process are provided, where the copper is electrodelessly deposited on a substrate to form a copper interconnection layer.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ製造過程において基板上に銅層を作る方法および装置であって、銅を基板上に無電極的に堆積し、銅相互接続層を形成する。 - 特許庁

A method for strengthening reliability of copper interconnection and/or contact is given on a via bottom where the surface of an embedded copper wiring is exposed or an upper surface of the copper wiring, immediately after CMP.例文帳に追加

埋め込み銅配線の表面が露出したビア底またはCMP直後の銅配線の上面での銅相互接続及び／またはコンタクトの信頼性を強化するための方法が与えられる。 - 特許庁

Thereafter, by removing the organic film and finally forming an MSQ film as a low-k film to fill up the side of the copper interconnection, a semiconductor device is obtained with the copper interconnection and the via plug.例文帳に追加

次に、有機膜を除去して最終的に銅配線の側方を充填するようにＬｏｗ−ｋ膜としてのＭＳＱ膜を形成することによって、銅配線とビアプラグを備えた半導体装置が得られる。 - 特許庁

To enhance reliability of an element, while increasing the manufacturing yield by preventing an interlayer insulation film on a copper film from being stripped when copper interconnections are formed by a damascene interconnection technology.例文帳に追加

ダマシン法による銅配線の形成において、銅膜上の層間絶縁膜の剥離を防止して、歩留まりおよび素子の信頼性を向上させること。 - 特許庁

Then, a copper film is formed to fill up the opening and the trench, and the via plug 15b is formed in the opening and the copper interconnection 15a in the trench.例文帳に追加

次に、開口部と溝を充填する銅膜が形成されて、開口部にビアプラグ１５ｂが形成され、溝に銅配線１５ａが形成される。 - 特許庁

The copper layer, the second barrier layer, and the aluminum barrier layer are polished to the upper face of the dielectric layer to form a copper interconnection and complete an IC device.例文帳に追加

銅層、第２バリア層及びアルミニウム・バリア層が誘電層の頂面に至るまでポリッシングされて、銅配線を画成し、集積回路装置を完了する。 - 特許庁

Each first nitride film 4 covers part of the under surface of each copper interconnection 5, and is extended between copper interconnections 5 and 5 adjacent to each other.例文帳に追加

第１窒化膜４は、各銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５と銅配線５との間にわたって形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2, an interconnection layer 3, a polyimide layer 4, a first barrier layer 5, a copper interconnection 6, a second barrier layer 7, and an adhesive layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体素子層２と、配線層３と、ポリイミド層４と、第１バリア層５と、銅配線６と、第２バリア層７と、接着層８とを備えている。 - 特許庁

The adhesion of the insulation film is improved by including the steps of exposing a copper layer 5 in the interconnection of a semiconductor structure to reducing plasma and plasma containing carbon and exposing the inorganic barrier film 11 to plasma containing oxygen prior to forming the inorganic barrier film 11 on the copper layer 5 having the copper in the copper interconnection structure.例文帳に追加

銅相互接続構造の銅の層５上に無機バリア膜１１を形成する前に、相互接続半導体構造内の銅の層５を還元プラズマと炭素含有のプラズマに暴露する工程と無機バリア膜１１を酸素含有プラズマに暴露する工程を含むことにより、絶縁膜の接着性を改良する。 - 特許庁

To provide a copper interconnection layer (110) having a barrier (106) made of transition metal-silicon-nitride.例文帳に追加

遷移金属−シリコン−窒化物からなる障壁（１０６）を備えた銅相互接続層（１１０）を提供する。 - 特許庁

To prevent electrolytic corrosion of a copper interconnection and scratch resulting from polishing liquid when a semiconductor device is fabricated.例文帳に追加

半導体装置を製造する際の銅配線の電解腐食および研磨液に起因するスクラッチを防止する。 - 特許庁

The method is disclosed for forming the copper interconnection conductor in order to interconnect and couple active and passive elements.例文帳に追加

能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that a small area high capacitance structure is required for an integrated circuit employing a copper interconnection.例文帳に追加

銅相互接続線路を使用した集積回路では、小さい面積の高静電容量構造が必要である。 - 特許庁

ALUMINIUM PAD POWER BUS FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING COPPER TECHNOLOGY INTERCONNECTION STRUCTURE, AND SIGNAL ROUTING TECHNOLOGY例文帳に追加

銅技術相互接続構造を使用する集積回路デバイス用のアルミニウム・パッド電力バスおよび信号ルーティング技術 - 特許庁

The method includes a CVD step using copper as the material of the interconnection conductor substance together with the catalyst.例文帳に追加

ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。 - 特許庁

SOURCE ALTERNATE MOCVD PROCESS OF DEPOSITING TUNGSTEN NITRIDE THIN FILM AS BARRIER LAYER FOR MOCVD COPPER INTERCONNECTION例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ銅インターコネクトのためのバリア層としてタングステンナイトライド薄膜を堆積するソースオールタネイトＭＯＣＶＤプロセス - 特許庁

Afterward, the Damacene trench 670 is filled with the metal pattern of a copper wire that connects electrically to the interconnection contact 55.例文帳に追加

その後、ダマシントレンチ670を満たして連結コンタクト55に電気的に連結される銅配線の金属パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal interconnection for a semiconductor device which forms a copper layer only by a CVD method but can increase an adhesive property of copper.例文帳に追加

化学気相成長法のみで銅層を形成するが、銅の接着特性を向上させることができる半導体素子の金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

After ashing the first organic film 8, the stopper film 3 is dry-etched to form a via hole which reaches a copper interconnection layer 1.例文帳に追加

第１の有機膜８をアッシングした後、ストッパー膜３をドライエッチングして銅配線層１に達するビアホールを形成する。 - 特許庁

To effectively polish a copper interconnection while reducing a noise level of a noisy stick-slip phenomenon which continues over a polishing cycle.例文帳に追加

研摩サイクルに渡って継続する騒がしいスティック−スリップ事象のノイズレベルを下げながら銅配線を効果的に研磨する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents deterioration of characteristics and reliability when copper interconnection is used.例文帳に追加

銅配線を用いた場合に、特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy thin film for forming an interconnection and an electrode for flat panel display, using a thin film transistor (TFT) that is superior in adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the copper alloy thin film.例文帳に追加

ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a copper interconnection conductor by filling a trench, a via-hole and a contact without causing the occurrence of pinch-off or void as a copper CVD method using a catalyst.例文帳に追加

触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁