「direction orientation」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate 100 for the electronic device is provided with the substrate 11 having an amorphous layer 15, a buffer layer 12 which is formed so as to make the orientation uniform at least in the thickness direction on the amorphous layer 15 and a conductive oxide layer 13 which is formed on the buffer layer 12 by epitaxial growth and contains a metal oxide having a perovskite structure.例文帳に追加

図１に示す電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。 - 特許庁

The mirror unit 43 is constituted, in such a way that each of the tilt angles of the mirrors 44-48 is different from one another with respect to the center axis 42a so as to change the orientation of the laser beam from the mirror unit 43 in the direction of the center axis 42a, by making the mirrors to be arranged arrange at then incident position of the laser beam L1.例文帳に追加

また、ミラーユニット４３は、中心軸４２ａに対して各ミラー４４〜４８の傾斜角度がそれぞれ異なるように構成されており、レーザ光Ｌ１の入射位置に配置されるミラーを切り替えることで、ミラーユニット４３からのレーザ光の向きを中心軸４２ａの方向に関して変化させる構成をなしている。 - 特許庁

A film including (A) a thermoplastic resin comprising a component bearing substituted or unsubstituted imide groups on the side chains and (B) a thermoplastic resin bearing at least substituted or unsubstituted phenyl group and nitrile group is mono-axially roll-stretched in the longitudinal direction at the neck-in rate (%) of ≤(1-1/(orientation ratio)-3×100 in % whereby an excellent oriented film is obtained.例文帳に追加

（Ａ）側鎖に置換または非置換イミド基を有する成分からなる熱可塑性樹脂、および（Ｂ）側鎖に少なくとも置換または非置換フェニル基とニトリル基とを有する熱可塑性樹脂を含有するフィルムを、ネックイン率（％）が（１−１／延伸倍率の３乗根）×１００以下で、ロール縦一軸延伸することにより優れた延伸フィルムが得られる。 - 特許庁

To allow the edge part of a core bit to begin to smoothly cut in a sapphire single crystal ingot without escaping or moving the same from the ingot and to prevent breakage or cracking from being produced in the ingot in the vicinity of the completion of hollowing operation in a method for sampling a columnar block having crystal orientation forming a desired angle with respect to a crystal direction from the ingot using a core drill.例文帳に追加

サファイア単結晶インゴットからコアドリルを用いて結晶方向と所望の角度をなす結晶方位の円柱状ブロックを採取する方法において、コアビットの刃先部がインゴットから逃げたり、ブレることなくスムースに切り込み始め、くり抜き終了近くでインゴットに欠けやひび割れ等を生ずることがないようにする。 - 特許庁

The crystalline ceria thin film catalyst is a thin film consisting of a crystal with the ceria formed on the surface of a base material as a principal component, wherein the thin film is grown from the surface of the base material and is composed of columnar crystal, and the orientation of a crystal face in the thin film is in a (100) direction to a normal of the base material surface is provided.例文帳に追加

基材の表面に形成されたセリアを主成分とする結晶からなる薄膜であって、前記薄膜が前記基材表面から成長してなる柱状結晶からなり、且つ前記薄膜の結晶面の方位が前記基材表面の法線に対して（１００）方向となっていることを特徴とする結晶性セリア薄膜触媒。 - 特許庁

A light reflection film is composed of a biaxial orientation polypropylene film (layer A) which is constituted of a composition containing polypropylene resin with β crystal formation ability of 50 to 100% and inorganic particles with a content of 5 to 20 mass% and has an air gap and in which the number of resin-air gap boundary faces in a thickness direction is 500 to 2,000/100 μm.例文帳に追加

β晶形成能が５０〜１００％であるポリプロピレン樹脂と無機粒子とを含む組成物からなり、無機粒子の含有量が５〜２０質量％であり、空隙を有し、厚み方向の樹脂−空隙界面数が５００〜２，０００／１００μｍである二軸配向ポリプロピレンフィルム（層Ａ）から構成される光反射フィルムとする。 - 特許庁

In this polyvinylidene chloride resin plastic wrap, the axis in the direction of the molecular chain of its crystal is oriented parallel to the film surface, and the crystalline orientation degree F, which is stipulated by formula 1:F=100×(180°-μ°)/180°, is calculated to be 72.0%-89.3%例文帳に追加

結晶の分子鎖方向の軸がフィルム表面に対して平行に配向し、ＥＤＧＥ方向からの透過法２次元広角Ｘ線散乱測定による（１００）面の回折ピーク強度を方位角に対してプロットした際に現れるピークの半値全幅μから下記式１によって規定される結晶配向度Ｆが、７２．０％〜８９．３％であるポリ塩化ビニリデン系樹脂ラップフィルム。 - 特許庁

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction.例文帳に追加

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。 - 特許庁

Moreover, the dummy patterns are formed in the same direction as the main patterns to raise uniformity of the patterns and to maintain the CD (Critical Diameter) of each pattern constant by securing the uniformity of the patterns as well as to simplify designing and manufacturing process by the regularity of the orientation of the dummy pattern relative to the main pattern.例文帳に追加

また、メインパターンと同じ方向にダミーパターンを形成することによって、パターンの均一性をより高め、パターンの均一性確保によって各パターンのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）の一定化を図り、かつ、メインパターンと同じ方向にダミーパターンを形成することによって、メインパターンとダミーパターンの方向性の規則性によって設計工程及び製造工程の単純化を図る。 - 特許庁

The battery pack 10 includes: a first bypass circuit 12 in which multiple secondary batteries 2 are connected in series and a Zener diode 6 connected in parallel in such an orientation that it is connected in the opposite direction to this series connection during charging is included; and a second bypass circuit 14 including a varistor 4 connected in parallel with the secondary batteries and the Zener diode.例文帳に追加

本発明によって提供される組電池１０は、複数の二次電池２が直列に接続され、該直列接続に対して充電時に逆方向接続となる向きで並列に接続されたツェナーダイオード６を含む第１バイパス回路１２と、該二次電池およびツェナーダイオードに対して並列に接続されたバリスタ４を含む第２バイパス回路１４とを備える。 - 特許庁

Subsequently, the binder-bonded crushed pieces 11 are arranged unidirectionally by a rotating rotary cylinder having a large number of small holes formed to the peripheral wall thereof and, after short crushed pieces and a crushed powder produced in the orientation process are removed, a plate-shaped aggregate of the oriented crushed pieces 11 are press-molded in its thickness direction to mold the regenerated molding material 13.例文帳に追加

次いで、結合剤を付着した破砕片１１を、周壁に多数の小孔が形成されて回転する回転筒によって一方向に引き揃えて配向するとともに、配向する過程において発生した短小な破砕片および破砕粉を除去した後、配向された破砕片１１の板状の集合体を厚み方向にプレス成形して再生成形材１３を成形する。 - 特許庁

In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat.例文帳に追加

（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。 - 特許庁

In this pattern creation method, reflectance of a magnetic recording layer surface is varied locally by orientating locally magnetic powders in the magnetic recording layer of a magnetic recording medium in which the magnetic recording layer is formed on a non-magnetic supporter or causing locally to change an orientation direction, and the pattern is created on the magnetic recording layer surface.例文帳に追加

非磁性支持体上に磁気記録層を形成してなる磁気記録媒体の、前記磁気記録層中の磁性粉を局所的に配向せしめるか、または局所的に配向方向の変化を生ぜせしめることにより、前記磁気記録層表面の反射率を局部的に変化させ、該磁気記録層表面に図柄を形成することを特徴とする図柄形成方法。 - 特許庁

A β-phase composed of a body-centered cubic crystal having many slip systems is made present to some extent by making Fe content to 0.5 to 1.3 mass% and integrated crystal orientation of an α-phase as a main phase is regulated so that it satisfies prescribed relations in view of the slip systems and a cold forging direction to obtain cold forgeability more excellent than conventional ones.例文帳に追加

且つ、Ｆｅ含有量を０．５〜１．３質量％とすることによって多くのすべり系を有する体心立方晶からなるβ相をある程度存在させるとともに、主な相であるα相の集積結晶方位をそのすべり系と冷間鍛造方向を考慮して所定の関係にすることによって、従来よりも優れた冷間鍛造性が得られる。 - 特許庁

The method includes steps of: activating a vertical alignment region A1; forming long-chain alkyl chains in the vertical alignment region A1 to obtain a vertical alignment layer 41; forming short-chain alkyl chains in a horizontal alignment region A2 to obtain a horizontal alignment layer 42; and rubbing the surface in a given orientation direction where the long-chain alkyl chains and the short-chain alkyl chains are formed.例文帳に追加

垂直配向領域Ａ１を活性化する工程と、垂直配向領域Ａ１に長鎖アルキル鎖を形成して垂直配向膜４１とする工程と、水平配向領域Ａ２に短鎖アルキル鎖を形成して水平配向膜４２とする工程と、長鎖アルキル鎖及び短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向にラビング処理する工程とを有する。 - 特許庁

per 500 mm of variation of an orientation angle in the film width direction, (5) 0.1% or less of the haze variation after heat treatment at 170°C for 20 min.例文帳に追加

（１）１５０℃、３０分間加熱したときの熱収縮率が長手方向および幅方向とも２．０％以下、（２）１５０℃、３０分間加熱したときの長手方向の熱収縮率と幅方向の熱収縮率の差が１．０％以下、（３）マイクロ波透過型分子配向計で測定したＭＯＲ値が１．８０〜２．１０、（４）フィルム幅方向における配向角の変化量が５００ｍｍ当り３．０°〜５．０°、（５）１７０℃、２０分間の熱処理後のヘイズ変化量が０．１％以下 - 特許庁

This controller calculates a orientation command value based on orbit data 26 corresponding to the orbit control of 1st spacecraft and executes the control of drive of an antenna in the direction of 2nd spacecraft by providing an accelerometer 23 that detects acceleration generated by the orbit control of the 1st spacecraft and an acceleration integrating part 25 which outputs the orbit data 26 of the 1st spacecraft from the acceleration.例文帳に追加

第１の宇宙機の軌道制御により生じる加速度を検出する加速度計２３と上記加速度から第１の宇宙機の軌道データ２６を出力する加速度積算部２５とを具備することで、第１の宇宙機の軌道制御に対応した軌道データ２６に基づき指向方向指令値を算出し、アンテナを第２の宇宙機の方向に駆動制御を実施するように構成した。 - 特許庁

The processing apparatus for the semiconductor wafer which grinds or polishes a reverse surface of the semiconductor wafer having a mark indicating crystal orientation at an outer periphery includes a positioning means having a rotatable holding table and detecting the mark of the semiconductor wafer to position the semiconductor wafer in the predetermined direction, and a spinner cleaning device having a spinner table for cleaning or spin-drying the semiconductor wafer having been ground or polished.例文帳に追加

外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、回転可能な保持テーブルを有し、半導体ウエーハのマークを検出して半導体ウエーハを所定の向きに位置付ける位置合わせ手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄装置を備えている。 - 特許庁

A method for forming a polycrystalline film on a substrate comprises a step for providing the substrate, a step for depositing an amorphous silicon film on the substrate, a step for annealing the amorphous silicon film using a lateral direction crystallization process to create a polycrystalline film principally having a crystallographic orientation of <100>, and a step for polishing the polycrystalline film to prepare a film for further process.例文帳に追加

基板上に多結晶膜を形成する方法であって、前記基板を提供する工程と、前記基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜をアニーリングし、主に＜１００＞の結晶学的配向を有する多結晶膜を生成する工程と、前記多結晶膜を研磨してさらなるプロセスのための膜を調製する工程とを包含する、方法。 - 特許庁

The waveguides are formed, for at least a section thereof (411, 421) in the device modulation region, in respective substrate regions which have electro-optic coefficients of opposite sign along an axis transversal to the waveguide sections, so that a modulating electric field of same direction and orientation in the waveguide sections causes refractive index modulations of opposite sign in the waveguide sections.例文帳に追加

デバイス変調領域における導波路のそれぞれの少なくとも一区画４１１，４２１にかけて、導波路区画に対して横方向の軸に沿う互いに符号が逆の電気光学係数を有するそれぞれの基板領域に導波路が形成されて、導波路区画において方向及び配向が同じ変調電場が導波路区画において符号が互いに逆の屈折率変調を生じさせる。 - 特許庁

In the semiconductor device employing a silicon film having crystallinity formed on a glass substrate as an active region, the active region 109 comprises a group of grains arranged linearly substantially in one direction (a region delimited by grain boundary GB) wherein the shift of face orientation between the linear group of grains and an adjacent linear group of grains is set within 10°.例文帳に追加

ガラス基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を活性領域として用いた半導体装置において、活性領域１０９は、略一方向に沿って並んだライン状の結晶粒群(結晶粒界ＧＢにより境界が示された領域)により構成されており、かつ、そのライン状の結晶粒群とそれに隣接するライン状の結晶粒群との間の面方位のずれは１０゜以内である。 - 特許庁

This method for producing the crystallographically oriented ceramic includes: a preparation step of preparing a template layer having uniform crystal orientation in a predetermined direction; a formation step of forming a shaped body having a matrix layer, which is composed of a mixed material of an additional material containing lithium and boron with a lead-containing material, formed on the template layer; and a firing step of firing the shaped body obtained at the formation step at a predetermined firing temperature.例文帳に追加

本発明の結晶配向セラミックスの製造方法は、結晶方位を所定方向に揃えたテンプレート層を準備する準備工程と、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料によって構成されるマトリックス層をテンプレート層上に形成した成形体を作製する形成工程と、形成工程によって得られた成形体を所定の焼成温度で焼成する焼成工程と、を含むものである。 - 特許庁

At least the one-side conductive porous body 20a is a conductive fiber-containing porous body containing a binding resin and a conductive fiber; and the conductive fiber-containing porous body has an orientation layer 21a with the conductive fiber oriented in the flowing direction of the fluid.例文帳に追加

本発明の燃料電池用セル１ａは、電解質膜３０と、電解質膜３０を挟むように積層され、少なくとも電解質膜３０側にイオン化触媒を含むシート状または板状の導電性多孔質体２０ａ，４０と、電解質膜３０および導電性多孔質体２０ａ，４０を挟むように積層され、流体の供給口および排出口が形成されたシート状のセパレータ１０，５０とを具備し、少なくとも一方の導電性多孔質体２０ａが、結着樹脂と導電性繊維とを含む導電性繊維含有多孔質体であり、該導電性繊維含有多孔質体が、導電性繊維が流体の流動方向に沿って配向している配向層２１ａを備える。 - 特許庁