「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

Mosquito nets fell almost completely out of use by the latter half of the Showa period as a result of changes to living conditions including decreased numbers of mosquitoes due to pesticides and drainage, the increased use of screen doors that accompanied the popularity of airtight aluminum frames, as well as the diffusion of air conditioning. 例文帳に追加

生活環境の変化、すなわち殺虫剤や下水の普及による蚊の減少および気密性の高いアルミサッシの普及に伴う網戸の採用、さらにエア・コンディショナーの普及により、昭和の後期にはほとんど使われなくなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

The assembly composed of the tantalum or tungsten target and the backing plate made from the copper alloy is characterized by that the tantalum or tungsten target and the backing plate made of copper alloy are diffusion bonded through an inserted material made from an aluminum or aluminum alloy sheet of 0.5 mm or thicker, and by that they have diffusion bonded layers between themselves and the inserted material.例文帳に追加

タンタル又はタングステンターゲットと銅合金製バッキングプレートが厚さ０．５ｍｍ以上のアルミニウム又はアルミニウム合金板のインサート材を介して拡散接合されており、それぞれの材料間で拡散接合界面を備えることを特徴とするタンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体。 - 特許庁

This gas chamber is constituted by press forming a nickel sheet 8 to provide the central part thereof with a recessed part 9 of the dimension as the dimension of the gas diffusion electrode and inserting and installing a nickel mesh body as a spacer for assuring the passage for the oxygen into the gas chamber 4 formed of this recessed part and the gas diffusion electrode.例文帳に追加

ニッケル薄板８をプレス成形して、その中央部にガス拡散電極と同じ寸法の凹部９を設け、その凹部とガス拡散電極とで形成されるガス室４内に、酸素の通路を確保するためのスペーサーとしてニッケル製メッシュ体７を挿嵌内設して構成したことを特徴とするガス拡散電極のガス室。 - 特許庁

A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加

前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁

Since a diffusion layer 13 formed during film formation between the Si layer 11 and the Mo layer 12 has a property reducing a reflectivity of the multilayered film mirror 10, a film thickness distribution is provided in the in-plane direction of the diffusion layer 13 to correspond to a mirror peripheral part and a center part having each different incident angle of a soft X-ray R1.例文帳に追加

Ｓｉ層１１とＭｏ層１２の間に成膜中に形成される拡散層１３は、多層膜ミラー１０の反射率を低下させる性質があるため、軟Ｘ線Ｒ１の入射角度が異なるミラー周辺部分と中央部に対応するように、拡散層１３の面内方向に膜厚分布を設ける。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

This dielectric element is provided with the lower electrode, provided with an IrSiN film 14 with a function for suppressing diffusion of oxygen, an SBT film 19 as the oxide-based dielectric film formed on the lower electrode and an SiN film 17 with the function of suppressing the diffusion of oxygen, arranged in regions other than the lower electrode.例文帳に追加

酸素拡散を抑制する機能を有するＩｒＳｉＮ膜１４を含む下部電極と、下部電極上に形成され、酸化物系誘電膜としてのＳＢＴ膜１９と、下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有するＳｉＮ膜１７とを備えている。 - 特許庁

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。 - 特許庁

Reflecting members 30 are aligned in the vicinity of the rear face of the light guide 20 at a constant interval 28, and are provided with second diffusion steps 31 reflecting the irradiation light α1 toward the first diffusion steps 24 of the light guide 20 at the front face, as well as second step faces 32 as reflecting surfaces for reflecting the irradiation light α1.例文帳に追加

反射部材３０は、導光体２０の後面近傍で一定の間隔２８を保って配置され、出射光α１を導光体２０の第１拡散ステップ２４へ向けて反射する第２拡散ステップ３１を前面に有し、出射光α１を反射する反射面である第２ステップ面３２を有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加

半導体素子は、素子領域内の半導体基板１１に離間して設けられた１対の第２拡散層２１５と、１対の第２拡散層２１５間の素子領域表面上に設けられた第１絶縁膜１１１ｂと、第１絶縁膜１１１ｂ上に設けられた第１ゲート電極１１２ｂとを備える。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is produced by laminating a reaction layer sheet 2 which is a member constituting the gas diffusion electrode, a gas supply layer sheet 3 and a current collector 4, laminating the metallic terminal on one part thereof and hot pressing the laminated under the conditions of a temperature above the melting point of a used fluororesin and ≤400°C and a pressing pressure of ≥5 g/cm2.例文帳に追加

ガス拡散電極を構成する部材である反応層シートとガス供給層シートと集電体とを積層するとともに、一部に金属端子も合わせて積層し、使用したフッ素樹脂の融点以上、４００℃以下の温度、プレス圧５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の条件下でホットプレスして製造。 - 特許庁

Furthermore, it is characterized in that a transfer gate electrode adjacent with a diffusion node is maintained in a turn-off state when optical charges are moved to a channel in a lower portion of a gate electrode most adjacent with the photodiode, and that influences exerted upon a degree of discharging of optical charges by the diffusion node are removed when the optical charges are discharged from the photodiode.例文帳に追加

また、フォトダイオードと最も隣接するゲート電極の下部のチャネルに光電荷が移動する時、拡散ノードと隣接するトランスファーゲート電極をターンオフ状態で維持して、フォトダイオードから光電荷が放出される時、拡散ノードが光電荷の放出程度に及ぼす影響を除去することを特徴とする。 - 特許庁

When stably printing a light diffusion pattern by using ultraviolet curing ink, a minimum diameter of a minimum unit of the light diffusion pattern (for example, a dot) can be made smaller than the case when using solvent ink, and a dot diameter of minimum dot can be made less than 0.2 mm, and further, less than 0.15 mm.例文帳に追加

本発明者は、紫外線硬化型インキを用いて光拡散パターンを工業的に安定に印刷した場合、当該光拡散パターンの最小単位（例えば、ドット）の最小径を、溶剤型インキを用いた場合よりも小さくでき、最小ドットのドット径を０．２ｍｍ未満、さらには０．１５ｍｍ未満にできることを発見した。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the optical member which has at least one light diffusion layer that contains fine particles of an organic polymer on a transparent support consisting of a translucent resin, wherein the light diffusion layer is formed by coating the coating liquid using an organic solvent and wherein the specific gravity of the organic solvent is >0.85 and <1.例文帳に追加

透光性樹脂からなる透明支持体上に有機ポリマー微粒子を含有する光拡散層を少なくとも１層有する光学部材であって、該光拡散層は有機溶剤を用いた塗布液を塗布して形成され、該有機溶剤の比重が０．８５を越え１未満である光学部材の製造方法。 - 特許庁

The membrane electrode assembly of the fuel cell is formed in such a way that a cathode catalyst layer 16, a cathode primary coat 17, and a cathode diffusion layer 18 are stacked on the cathode side of an electrolyte membrane, an oxygen gas passage 24 is installed on the outside of the cathode diffusion layer 18, and each layer and the electrolyte membrane are arranged in the gravity acting direction.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体は、電解質膜のカソード側に、カソード触媒層１６、カソード下地層１７、カソード拡散層１８を積層し、カソード拡散層１８の外側に酸素ガス流路２４を設け、各々の層および電解質膜を重力の作用する方向に向けて配置するものである。 - 特許庁

When the user depresses a release button, in a state where the diffusion plate 4 descends in front of the auxiliary LED 3, the auxiliary LED starts flickering, and after the lapse of a prescribed time by a self timer, the switch lever 1 is lowered, then, at photographing, photographing is performed in a state where the diffusion plate 4 is not present in front of the auxiliary LED 3.例文帳に追加

拡散板４が、補助光用ＬＥＤ３の前面に降りた状態で、ユーザがレリーズボタンを押下すると、補助光用ＬＥＤが点滅を始め、セルフタイマによる所定時間が経過すると、切り替えレバー１が下がり、撮影時には補助光ＬＥＤ３の前面に拡散板４がない状態で撮影される。 - 特許庁

In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connecting surface which is formed on the side opposite to the light-emitting surface and is formed of a plurality of elongated depressions, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of elongated depressions.例文帳に追加

透明基板と拡散層から構成される光学板において、前記透明基板は、光出射面と、前記光出射面の相対側に形成され、且つ表面に複数の長状凹部が形成されている連接面と、を含み、前記拡散層は、前記連接面に付着されて、前記複数の長状凹部を充填する。 - 特許庁

To improve water drainage from a porous body in a fuel cell equipped with a membrane electrode assembly formed by joining gas diffusion electrodes to both faces of an electrolyte membrane, and the porous body laminated at least on one surface of the membrane electrode assembly and constituting a flow passage of gas supplied to the gas diffusion electrodes.例文帳に追加

電解質膜の両面にガス拡散電極を接合してなる膜電極接合体と、膜電極接合体の少なくとも一方の表面に積層され、ガス拡散電極に供給されるガスの流路を構成する多孔体と、を備える燃料電池において、多孔体からの排水性を向上させる。 - 特許庁

To provide a metal wiring and a method of manufacturing the same employing liquid phase method for dissolving further a trouble due to diffusion while having flatness, a thin film transistor prevented from the deterioration of characteristics caused by diffusion and the deterioration of the flatness, and an electro-optical device and an electronic apparatus which are equipped with the thin film transistor.例文帳に追加

液相法を用いて形成され、さらに拡散による不都合を解消するとともに、平坦性をも有した金属配線とその製造方法、さらには拡散や平坦性の低下に起因する特性の低下を防止した薄膜トランジスタと、これを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

In the plated steel sheet for the positive electrode can of the alkali manganese battery, an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer are deposited on the side to be used as the inside face of the can, and the thickness of an oxidation film in the oustermost surface layer is 50 to 1,000 nm.例文帳に追加

本発明の要旨は、アルカリマンガン電池正極缶用のメッキ鋼板であって、缶内面になる面にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とＮｉメッキ層が形成され、その最表層の酸化膜厚みが、５０〜１０００ｎｍであることを特徴とするものである。 - 特許庁

In the semitransmissive liquid crystal display element 1 having a light diffusion layer 21 composed of a transmissive resin and a semitransmissive metal thin film 22 as a light reflection film on the inside surface, the transmissive resin of the light diffusion layer 21 is colored with the complementary color with respect to the color of the transmitted light from the metal thin film 22.例文帳に追加

内面に透光性樹脂からなる光拡散層２１と、光反射膜としての光半透過性金属薄膜２２とを有する半透過型液晶表示素子１において、光拡散層２１の透光性樹脂を金属薄膜２２の透過光色と補色関係にある色に着色する。 - 特許庁

The catalyst fine particles and PTFE(polytetrafluoroethylene) fine particles which are reaction layer materials of the gas diffusion electrode, are coagulated and self-organized by adding an alcohol and an electrolyte to a dispersed liquid of the reaction layer materials containing at least the catalyst particles and PTFE dispersion and by stirring the same to manufacture a reaction layer raw material of the gas diffusion electrode.例文帳に追加

少なくとも触媒粒子とＰＴＦＥディスパージョンを含むガス拡散電極の反応層材料の分散液に、アルコールと電解質を添加して攪拌することにより反応層材料の触媒微粒子とＰＴＦＥ微粒子を凝集、自己組織化させてガス拡散電極の反応層原料を製造する。 - 特許庁

The element body part 2 includes an element protection layer 4 consisting of a first protective layer 41 covering two diffusion side corner parts 221 formed with a gas introduction port 361 of the diffusion resistance layer 36 and a second protective layer 42 covering the whole outer periphery of the element body part 2 including the first protective layer 41.例文帳に追加

素子本体部２には、拡散抵抗層３６のガス導入口３６１が形成された２つの拡散側角部２２１をそれぞれ覆う第１保護層４１と、第１保護層４１を含む素子本体部２の外周全体を覆う第２保護層４２とからなる素子保護層４が設けられている。 - 特許庁

The combustion exhaust-gas introduction part 30 is formed by a roofed cylindrical diffusion part 31 and a rectification part 32 of inverted head-cut conical form arranged at the lower part of the diffusion part 31, while the combustion exhaust-gas supplying pipe 40 is held inclined and upwards to be connected to the side 34 of the rectification part 32.例文帳に追加

前記燃焼排ガス導入部３０を、有蓋円筒状の拡散部３１と、該拡散部３１の下部に設けた倒立裁頭円錐形状の整流部３２により形成すると共に、前記燃焼排ガス供給管４０を斜め上向きにして前記整流部３２の側面３４に接続する。 - 特許庁

On top faces of copper wirings are provided diffusion barriers made of a material selected among silicon nitride, silicon carbide, aluminum nitride, aluminum carbide and titanium carbide, an etch stopper film and an insulation film are provided on the diffusion barriers, and the etching selectivity of the etch stopper film to the insulation film is set to 10 or more, thereby attaining the purpose.例文帳に追加

銅配線の上面にシリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム炭化物、チタン炭化物から選ばれる拡散バリアを設け、この拡散バリア上にエッチストッパ膜と絶縁膜を設け、この絶縁膜に対するエッチストッパ膜のエッチ選択比を１０以上とすることにより達成される。 - 特許庁

Since almost no NO_2 is contained in the exhaust gas passing through the first diffusion resistance part 103 by reducing NO_2 to NO with the reduction part 18 and the circulation of NOx in the first diffusion resistance part 103 is not controlled by NO_2, the sensitivity of the detection of NOx may be improved.例文帳に追加

還元部１８によってＮＯ_２をＮＯに還元することで、第１拡散抵抗部１０３を通過する排気ガスにはＮＯ_２がほとんど含まれず、第１拡散抵抗部１０３におけるＮＯｘの流通がＮＯ_２によって律速されることがないため、ＮＯｘ検出の感度を向上することができる。 - 特許庁

The light guide film 10 includes a light diffusion structure 30 provided on a first face 12, and the light diffusion structure 30 includes a plurality of micro concave lenses arranged in a first direction and a second direction so as to form a two-dimensional array, and the curvature of the jointing portion of each concave lens is not zero respectively.例文帳に追加

導光フィルム１０はその第１の面１２に光拡散構造３０が設けられており、光拡散構造３０は二次元アレイを形成するよう第１の方向および第２の方向に配列された複数のマイクロ凹レンズを含み、かつ各凹レンズおよび凹レンズの接合部分の曲率はいずれも０ではない。 - 特許庁

The resin-coated Ni-plated steel sheet excellent in corrosion resistance is obtained by forming an oxide film formed by forming an Ni plating layer on the surface layer of an Ni-plated steel sheet composed of an Fe-Ni diffusion layer or an Fe-Ni diffusion layer by means of an anode electrolysis treatment, and applying a resin thereon.例文帳に追加

本発明の要旨とするところは、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散層とＮｉメッキ層からなるＮｉメッキ鋼板の表層に、前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより形成した酸化膜を有し、更に樹脂を被覆してなる耐食性に優れた樹脂被覆Ｎｉメッキ鋼板である。 - 特許庁

To prevent structural changes which changes a soft jointing material to an intermetallic compound layer by diffusion, and to prevent lowering of reliability due to defects of segregation or the like for occurrence by diffusion in a high-temperature environment or a temperature cycle environment, during assembly or in practical use in a flip-chip assembly of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。 - 特許庁

It is characterized that while a plurality of light emitting elements 101 arranged along the main scanning direction irradiate light to an object for lighting without diffusion reflection or diffusion transmission, outputs of the light emitting elements 101 in both ends of the main scanning direction, are set larger than other light emitting elements 101.例文帳に追加

主走査方向に沿って配列された複数の発光素子１０１が照明対象に向けて拡散反射あるいは拡散透過させずに光を照射すると共に、主走査方向の両端の発光素子１０１の出力が他の発光素子１０１の出力より大きく設定されることを特徴とする。 - 特許庁

A high leak current structure, in which a leak current density upon impressing a bias in the reverse direction of the first impurities diffusion area and the first well becomes larger than the leak current density upon impressing the bias of the same voltage in the reverse direction of the second impurities diffusion area and the first well, is formed.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域と前記第１のウェルとに逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度が、第２の不純物拡散領域と第１のウェルとに同一電圧の逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度よりも大きくなるような高リーク電流構造が形成されている。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

Reflecting prisms 9 for deflecting light from the light source 1 in an emitting surface direction by reflecting the light and diffusion prisms 10 for deflecting the light in the emitting surface direction by diffusing the light are arranged on at least either of an emitting surface and an opposite surface of a light guide plate 2 in order to control a vertical component and a diffusion component of the emitted light.例文帳に追加

導光板２の出射面と対向面の少なくとも一方に、光源１からの光を反射して出射面方向へ偏向する反射プリズム９と、光源からの光を拡散して出射面方向へ偏向する拡散プリズム１０とを設け、出射光の垂直成分と拡散成分をコントロールする。 - 特許庁

The diffusion plate 130 is arranged directly above the light guide plate 120 so as to cover the plurality of irradiating faces 122 and the gaps 128, and a plurality of second groove parts 131a are provided on a main face of the diffusion plate 130 parallel with each other and extended along a direction parallel with a direction where the first groove parts 122a are extended.例文帳に追加

拡散板１３０は、複数の出射面１２２および隙間１２８を覆うように導光板１２０の直上に配置され、拡散板１３０の主面には、第１溝部１２２ａが延びる方向と平行な方向に沿って延びる互いに並行して位置する複数の第２溝部１３１ａが設けられる。 - 特許庁

In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connection surface which is formed on the side opposite to the light-emitting side and is formed of a plurality of spot-shaped depressions on the surface, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of spot-shaped depressions.例文帳に追加

透明基板と拡散層とを含む光学板において、前記透明基板は光出射面と前記光出射面の反対側に形成され且つ表面に複数の点状凹部が形成されている連接面とを含み、前記拡散層は前記連接面に付着して前記複数の点状凹部を充填する。 - 特許庁

The diffusion film is a lamination film made by laminating a resin layer having a micro ruggedness shape on at least one side surface of a base material film principally consisting of polyester, wherein the inner haze of the lamination film is 20 to 90% and the diffusion anisotropy is 2 to 500.例文帳に追加

本発明の拡散フィルムは、ポリエステルを主構成成分とする基材フィルムの少なくとも一方の面に、微細凹凸形状を有する樹脂層を積層してなる積層フィルムであって、該積層フィルムの内部ヘイズが２０％〜９０％であって、かつ、拡散異方度が２〜５００であることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention film which can effectively suppress the permeation of hydrogen and which is superior in a hydrogen barrier property, to provide a method of manufacturing the diffusion preventive film, to provide a semiconductor memory element which is equipped with a capacitor comprising a stable ferreoelectric characteristic or a high dielectric characteristic and whose yield is satisfactory, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory element.例文帳に追加

水素の透過を効果的に抑制でき、水素バリア性の優れた拡散防止膜およびその製造方法を提供すると共に、安定した強誘電体特性または高誘電体特性を有するキャパシタを備えた歩留まりのよい半導体記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method for producing a resin-coated Ni-plated steel sheet having excellent corrosion resistance is characterized in that the oxide film is formed by forming the Ni-plated steel sheet on the surface layer of the Ni-plated steel sheet composed of the Fe-Ni diffusion layer or the Fe-Ni diffusion layer and the Ni plating layer by means of the anode electrolysis treatment.例文帳に追加

また、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散層とＮｉメッキ層からなるＮｉメッキ鋼板の表層に、前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより酸化膜を形成し、更に樹脂を被覆することを特徴とする耐食性に優れた樹脂被覆Ｎｉメッキ鋼板の製造方法である。 - 特許庁

In the polymer porous film for semiconductor wafer dicing, a viscous layer, having the peeling strength of ≤50 gf, is provided on the porous film having the porosity of 10 to 50% and gas permeability of 0.1 to 100 sec by drying and burning a diffusion medium after a slurry, with which particulates are diffused in the diffusion medium, is continuously applied onto a carrier.例文帳に追加

分散媒に微粒子を分散させたスラリーをキャリア上に連続的に塗布した後、分散媒の乾燥、焼結を行い気孔率が１０〜５０％で、通気度が０．１〜１００秒である多孔質フィルムに、剥離力が５０ｇｆ以下となる粘着層を設けた半導体ウエハダイシング用高分子多孔質膜。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

A body RH with light transmitters PH1 and PH2 and a mask with a diffusion part DF provided in a free way of relative displacement to the body RH for diffusing the incidence light to the body RH are mounted to an exposure device, so that the aberration of the lens of the projection optical system may be measured by rotating the diffusion part.例文帳に追加

光透過部ＰＨ１、ＰＨ２を有する本体部ＲＨと、本体部ＲＨに相対移動自在に設けられ、本体部ＲＨへの入射光を拡散する拡散部ＤＦとを有するマスクを露光装置に搭載し、拡散部を回転しながら投影光学系のレンズの収差を測定する。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The memory units each include first to fourth diffusion layers juxtaposed along the row direction and extended in the column direction, thereby forming a pair of storage nodes.例文帳に追加

メモリユニットは、行方向に沿って並置され列方向に伸長される第１〜第４拡散層を備え一対の記憶ノードが構成される。 - 特許庁