例文 (999件) |
diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12851件
Consequently, the resistances of the diffusion layers 33a can be so increased as to be able to suppress the flows of their currents based on the charges caused by incident cosmic rays and prevent the occurrence of soft errors.例文帳に追加
これにより、拡散層33aの抵抗を上げることができ、宇宙線の入射による電荷に基づく電流の流れを抑制でき、ソフトエラーの発生を防止できる。 - 特許庁
At least one of the plurality of optical members constituting the diffusion section 11 is used as a diffusivity-variable element 4 that can vary its diffusivity to make such a construction that the diffusivity of the incident light is variable.例文帳に追加
拡散部11を構成する複数の光学部材のうち少なくとも1つを拡散度を可変な拡散度可変素子4とし、入射光に対する拡散度を可変に構成する。 - 特許庁
For example, in the case of four-valued error diffusion processing, an initial value 85 of dot data with a small size is set to (revised into) 102 and an initial value 170 of dot data with a medium size is set to (revised into) 204.例文帳に追加
例えば4値誤差拡散処理の場合、小サイズのドットのデータの初期値85を102に設定(変更)し、中サイズのドットのデータの初期値170を204に設定(変更)する。 - 特許庁
The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加
このゲート電極44の第1の蓄積部41側とは反対側のp型基板/ウェル20の表面部にn型拡散層からなるドレイン領域45が設けられている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting device capable of forming end surface window structure by Zn solid phase diffusion which can be performed in low temperature and short time, furthermore is independent of thickness.例文帳に追加
本発明は、低温、短時間、膜厚に依存しないZn固相拡散により端面窓構造を形成できる半導体発光素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
When the flames of the ignited air-fuel mixture propagate to the opening 11a and passes by the opening 11a, high-velocity gas is blown out of the opening 11a to promote the diffusion of unburnt gas in a combustion chamber.例文帳に追加
着火された混合気の火炎が開口11aに伝播し通り過ぎると、開口11aから高速ガスが噴出し燃焼室内の未燃ガスの拡散を促進する。 - 特許庁
An error diffusion means 109 distributes the deviation searched for, with a deviation calculating means 107 to the peripheral pixels of yet unprocessing at the modulus of the error propagation asked with the modulus-of-propagation determining means 105.例文帳に追加
誤差拡散手段109が、誤差算出手段107で求められた誤差を伝播率決定手段105で求められた誤差伝播率で未処理の周辺画素に振り分ける。 - 特許庁
A reflection plate 4 to reflect the light outgoing from the light guiding body 2 is applied on the face of the light guiding body 2 in contact with the bottom of the body 2, and a diffusion plate 6 is applied on the top face of the light guiding body 2.例文帳に追加
導光体2の底面と接する側に、導光体2からの射出光を反射させる反射板4、導光体2の天面側に拡散板6を設ける。 - 特許庁
By performing self development of the lipid film including a molecule to be fractionated in the channel of the fractionating chip, the target molecule to be fractionated can be fractionated according to the diffusion of the molecule.例文帳に追加
本発明の分別チップの流路内に被分別分子を含む脂質膜を自発展開させることで、目的の被分別分子をその分子の拡散性に応じて分別することができる。 - 特許庁
To provide a light wavelength multiplex transmission system by a light wavelength diffusion system capable of connecting terminals for the number of optical wavelength multiplex or more and improving secrecy of transmission information.例文帳に追加
光波長多重数以上の端末を接続できると共に、伝送情報の秘匿性を向上し得る光波長拡散方式による光波長多重伝送システムを提供する。 - 特許庁
To improve nitrogen oxide purification efficiency by a nitrogen oxide reduction catalyst by improving the diffusion performance of a reducer, and preventing the deterioration of the activity of a nitrogen oxide reduction catalyst.例文帳に追加
還元剤の拡散性を高めると共に、窒素酸化物還元触媒の活性の低下を防止することで、窒素酸化物還元触媒による窒素酸化物浄化効率を向上させる。 - 特許庁
To provide an aeration apparatus which can control the generation of precipitate in the slit of a diffusion film, a seawater flue gas desulfurization apparatus including the same, and a humidifying method of the aeration apparatus.例文帳に追加
散気膜のスリットにおいて析出物の発生を抑制することができるエアレーション装置及びこれを備えた海水排煙脱硫装置、エアレーション装置の加湿方法を提供する。 - 特許庁
A film 4 for preventing the diffusion of H_2O is formed at least between the multilayer wiring of the logic area and an element forming layer 1 of the logic area.例文帳に追加
少なくともロジック領域の多層配線層と、ロジック領域の素子形成層1との間に、ロジック領域内へのH_2Oの拡散を防止する拡散防止膜4が形成されている。 - 特許庁
To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加
STIプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数nm程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer capable of keeping good supply/drainage conditions of water around an electrolyte layer and an electrode without causing degradation of durability or battery performance.例文帳に追加
耐久性や電池性能の低下を伴うことなく、電解質層および電極周辺における水の給排状態を良好に保つことができるガス拡散層を提供する。 - 特許庁
To provide a light diffusion plate capable of being molded using a relatively small-sized existing injection molding machine and contributing to thinning of a direct backlight device while suppressing luminance irregularities of a light emitting surface.例文帳に追加
比較的小型の既存の射出成形機を用いて成形でき、発光面の輝度むらを抑えつつ、かつ直下型バックライト装置の薄型化に寄与できる光拡散板を提供する。 - 特許庁
To provide an electrolytic tank capable of effectively and appropriately coping with the leakage of a caustic solution into a gas chamber from a gas diffusion electrode by providing a lower gas chamber at a lower external end of a cathode element.例文帳に追加
下部ガスチャンバーを陰極エレメントの下方外端部に設けることによって、ガス拡散電極からのガス室への苛性液漏れに、有効適切に対処できる電解槽を提供する。 - 特許庁
To provide a division method of a nitride semiconductor wafer capable of reducing cost by dispensing with the formation of a current diffusion conductive film with respect to a nitride semiconductor layer.例文帳に追加
窒化物半導体層に対する電流拡散導電膜の形成を不要なものし、コストの低廉化を図ることができる窒化物半導体ウエハの分割方法を提供する。 - 特許庁
To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加
不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the sputtering target 1, a backing plate material 4 consisting of a plurality of metallic layers 2 and 3 is integrally joined to a target material 5 by means of diffusion joining or welding.例文帳に追加
複数の金属層2,3から成るバッキングプレート材4とターゲット材5とが拡散接合または溶接により一体に接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット1である。 - 特許庁
The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加
本発明のスパイクを用いて、InPをベースにしたPINデバイス等、様々なIII−V族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁
On a side of a trench 5b dug from a surface of the epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 9 made of polysilicon with P-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加
また、エピタキシャル層4の表面から掘り下がったトレンチ5bの側面には、P型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層9が被着されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the reduction in the breakdown voltage of the capacitor dielectric film formed on the impurities diffusion region of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の不純物拡散領域上に形成されるキャパシタ誘電体膜の耐圧が低下するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which narrows a distance between a plurality of active layers mutually, while suppressing the diffusion of high-concentration dopant constituting tunnel junction.例文帳に追加
トンネルジャンクションを構成する高濃度のドーパントの拡散を抑制しつつ複数の活性層の相互間の間隔を狭くする半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the second electrode layer 30, outer peripheral ends of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 are located on the outside of the outer peripheral end of the catalyst layer 21 in the first electrode layer 20.例文帳に追加
第2の電極層30は、触媒層31およびガス拡散層32の外周端が、第1の電極層20における触媒層21の外周端より外側に位置している。 - 特許庁
To increase a circulation speed of a gas for power generation in the neighborhood of a catalyst layer of a membrane electrode assembly and to improve an oxygen diffusion performance and drainage.例文帳に追加
膜電極接合体の触媒層近傍の発電用ガスの流通速度を増加させるとともに、酸素拡散性及び排水性の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁
Next, the surface of the poly-crystalline silicon thin film is re-crystallized in the sequentially solidifying process using a mask capable of controlling the energy of the laser beam as the slit comprises a diffusion shell.例文帳に追加
次いで、スリットが半透過膜からなってレーザービームのエネルギーを調節することができるマスクを利用した順次的凝固工程で多結晶シリコン薄膜の表面を再結晶化する。 - 特許庁
A blocking region 23 for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of a first control electrode 17 to the metal-semiconductor compound of a second control electrode 18 is formed.例文帳に追加
第1の制御電極17の金属半導体化合物から、第2の制御電極18の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域23を形成する。 - 特許庁
The gas-diffusion electrode of this invention comprises a carbon sheet with a catalyst layer formed on one of its surfaces, and with a plularity of through holes formed from a surface to the other surface.例文帳に追加
本発明によるガス拡散電極は、一方の面に触媒層が形成されたカーボンシートからなり、一方の面から他方の面に亘って複数の貫通孔が形成されている。 - 特許庁
To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加
プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁
To provide a fuel cell of high efficiency in generation of electrical power by removing surplus water which exists in a electrode and a solid polymer electrolyte layer and promoting diffusion of gas into the electrode.例文帳に追加
電極および固体高分子電解質層に存在する過剰な水を除去して、電極内へのガスの拡散を促進させ、発電効率の高い燃料電池を供給すること。 - 特許庁
■ The yen's appreciation that came in tandem with the above (Deterioration of the cash position and implementation of support measures) The diffusion index of the cash position has rapidly deteriorated since 2008, with small and medium enterprises experiencing substantial negative figures.例文帳に追加
■ 同時に進行した円高(資金繰りの悪化と支援策の展開)資金繰りD.I.は、08年以降急速に悪化しており、特に、中小企業は大幅なマイナスとなっている。 - 経済産業省
The projecting section 46a comes into contact with the peripheral end of a gas diffusion layer 42b, and the height of the projecting section 46a is set larger than the height of other projecting sections 46 by dimensions H.例文帳に追加
凸部46aは、ガス拡散層42bの周端部に接触するとともに、前記凸部46aの高さは、他の凸部46の高さよりも寸法Hだけ大きく設定される。 - 特許庁
To prevent a diffusion into a ventilation space on the rear of an exterior wall material 1 of rainwater, dew condensation water or the like infiltrating to the rear of the exterior wall material 1 in an exterior-wall structure by a ventilation construction method.例文帳に追加
通気工法による外壁構造において、外壁材1の裏面に侵入した雨水、結露水等が外壁材1の裏面の通気空間に拡散することを防止する。 - 特許庁
As a result, a quantity of heat in the vicinity of a center can be carried to a peripheral part most spaced array from a center, and can be evenly diffused throughout the whole surface of the thermal diffusion plate 1.例文帳に追加
このため、中心付近の熱量を、中心から最も離れた周辺部まで輸送することができ、熱を熱拡散板1の全面にわたって均等に拡散することができる。 - 特許庁
In the transistor TrA, the surface of a high-concentration impurity diffusion layer 106 and the bottom of the side wall 105 are positioned to be overlapped with each other when viewed from the main surface direction of the substrate.例文帳に追加
トランジスタTrAにおいて、高濃度不純物拡散層106の表面とサイドウォール105の底部とは、基板の主面方向から見たときに重なる位置にある。 - 特許庁
In such a case, the mode field diameter D1 of the inner end surface 4 of the side opposite to the light receiving element 3 of the single mode fiber constituting the short fiber 2 is preferably enlarged by thermal diffusion.例文帳に追加
短尺ファイバ2を構成する単一モードファイバの受光素子3と対向する側の内端面4のモードフィールド径D_1を熱拡散によって拡大することが好適である。 - 特許庁
Each of layers 32 is stacked on the first component 16 or a substrate 12, and thereafter, each of layers 32 is heated at a predetermined diffusion temperature such as a temperature near an eutectic temperature of a desired alloy or the like.例文帳に追加
第1の部品16または基材12に各層32を堆積させた後、各層32は、所望の合金の共融温度の付近の温度などの所定の拡散温度で加熱される。 - 特許庁
The heat diffusion section 50 is made of a metallic material and is formed on the insulation layer 52 so as to be spread from the top of the turnup conductive section 44 toward the opposite side of the heating resistor sections 42.例文帳に追加
熱拡散部50は、金属材からなり、絶縁層52上に形成されて、折返し導電部44の上方から発熱抵抗部42とは反対側に向かって広がっている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of efficient RH supply and diffusion processing capable of increasing the amount of processing per one time while preventing an R-T-B based sintered magnet and a holding material from being welded.例文帳に追加
R−T−B系焼結磁石と保持部材とが溶着せずに一回あたりの処理量を増やす効率の良いRH供給、拡散処理の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The gas diffusion member is composed of a substrate 10 having a plurality of through holes with a surface reforming treated and the morphology of the substrate 10 is either a wreath-cut metal or an expanded metal.例文帳に追加
ガス拡散部材は、表面改質処理された複数の貫通孔が設けられた基材10からなり、基材10の形態が、ラスカットメタルまたはエキスパンドメタルのいずれかの形態である。 - 特許庁
To provide a cell of a fuel cell capable of approaching a coefficient of the thermal expansion of a supporter to that of an solid electrolyte and suppressing the characteristic deterioration of the solid electrolyte caused by element diffusion from the supporter, and to provide the fuel cell.例文帳に追加
支持体の熱膨張率を固体電解質に近づけることができるとともに、支持体からの元素拡散による固体電解質の特性劣化を抑制できる燃料電池セル及び燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device capable of achieving a decrease in number of saturation electrons of a light receiving element and prevention against color mixing due to spreading of an element isolation diffusion layer of a surface layer of a semiconductor substrate even when micromanufactured to a smaller size.例文帳に追加
微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加
ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.例文帳に追加
本発明は、Si基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Si基板の裏面における低融点金属とSi基板のSiとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加
パワーMOSFETの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁
The (ρ×c) value or coefficient of thermal diffusion of the stamper substrate is made greater than the respective values of glass, there by, the influence of the heat accumulated in the stamper substrate during the exposure of the laser beam is lowered and the deformation and change in the properties of the resist are prevented.例文帳に追加
スタンパー基板の(ρ×c)値、又は、熱拡散係数をガラスのそれぞれの値より大きくすることにより、レーザビーム露光時のスタンパー基板の蓄熱による影響を低下させて、レジストが変形や変質を防止する。 - 特許庁
To provide a substrate for display, which is capable of preventing occurrence of abnormality in an element caused by thermal diffusion of movable ions even when it is produced by a high temp. process and preventing lowering of the life of the element caused by electrification of the substrate.例文帳に追加
高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁
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