意味 | 例文 (68件) |
diffusion processesの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 68件
The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加
p型GaNAs拡散防止層504は、n型AlGaAsエミッタ層505にドーピングされたn型不純物であるSeが、結晶成長中またはプロセス中にp型GaAsベース層503に拡散することを防止している。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板1の不純物拡散層からなる下部電極2上にセラミック誘電体膜3を形成する工程と、セラミック誘電体膜3上に上部電極4aを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁
Also, two processes; a process of printing a black frame to the diffusion sheet 2 and a double coated tape sticking process, which are heretofore practiced, can be omitted and only the light shielding tape sticking process is required to be performed and therefore, the cost reduction by the simplification of the manufacturing process can be achieved.例文帳に追加
また、従来行われていた拡散シート2への黒枠印刷の工程及び両面テープ貼り付け工程の2工程を省略することができ、遮光テープ貼り付け工程のみを行えばよいため、製造工程の簡略化による低コスト化が図られる。 - 特許庁
To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加
膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とCMP処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁
To provide a reflective liquid crystal display device having a light diffusion function without any alignment defects of a liquid crystal and a high quality displaying effect by introducing a transparent light scattering function thereinto without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加
本発明は、製造工程を増やさないで透明光拡散機能を液晶表示装置に導入し、かつ液晶の配向不良が無く光の拡散機能を有する高品位な表示効果をもつ反射型液晶表示装置を提供せんとするものである。 - 特許庁
The trimming method executes measurements (S10) by means of a PCM (a process control module) as a procedure of performance evaluation of diffusion processes, wherein the information on each of voltage values (Vt), wiring resistances and a variation in contact resistances is acquired and the information is utilized to generate the parameters for Zener zap trimming (S20, S30).例文帳に追加
拡散工程の出来映え評価手法としてのPCM(プロセス・コントロール・モジュール)測定(S10)において、電圧値(Vt)、配線抵抗、コンタクト抵抗のばらつきの各情報を取得し、それらの情報を、ツェナーザップトリミング用のパラメータ作成に利用する(S20,S30)。 - 特許庁
Further, the diffusion reflection plate is manufactured by using a photomask 32 prepared by combining a region of pattern of size of resolution limit or more, a region of pattern less than resolution limit and a region having no pattern and, thereby, the liquid crystal display device can be manufactured with a few processes, at a good yield and at a low cost.例文帳に追加
また、この拡散反射板を、解像限界以上のサイズのパターンの領域と解像限界未満のパターンの領域とパターンのない領域とを組み合わせたフォトマスク32を用いて作製することにより、少ない工程で歩留まり良く安価に作製できるようにする。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of resin film, which does not require management of complicated processes, has stable holes and has optical functional property, to provide a hard coat film which uses a resin film manufactured by the manufacturing method and have an glare-proofing property, and to provide an antireflection film and a light diffusion sheet.例文帳に追加
煩雑な工程の管理を必要とせず、安定した空孔を有し光学機能性を有する樹脂フィルムの製造方法、この製造方法により製造された樹脂フィルムを使用した防眩性を有するハードコートフィルム、反射防止フィルム、光拡散シートの提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit and its test method for preventing the deterioration of reliability due to any pad crack, by changing a test method for testing a wafer and the layers of pads to be connected at the time of test and the layers of pads to be used at the time of completing all processes in the middle of a metal diffusion process.例文帳に追加
メタル拡散工程の途中段階で、ウェハを試験するテスト手法及びテスト時に接続するパッドと全ての工程完了時に使用するパッドの層を変更し、パッドクラックによる信頼性劣化を防ぐ半導体集積回路およびそのテスト方法を提供する。 - 特許庁
The surface of a glass surface 12 of the halftone reticl 10 is provided with rugged parts 11, by which the uniform diffusion of illumination light 15, etc., into a glass surface 12 is made possible and therefore diagonal incident light 20 effective for improving the contrast on the wafer 112 may be inexpensively and easily increased without the execution of intricate processes.例文帳に追加
ハーフトーンレティクル10のガラス面12の表面に凹凸部11を設けることにより、照明光15等をガラス面12に均一に拡散することができるため、複雑なプロセスをせずに安価で容易にウェーハ112上のコントラスト向上に有効な斜め入射光20を増加させることができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加
イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のTED(Transient Enhanced Diffusion)現象を最大限抑え、アウトガス(ガス抜け)による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a gas diffusion layer for the fuel cell contains (a) a process filling an evanescent material into the conductive porous substrate; (b) a process forming the covering layer containing conductive particles on the conductive porous substrate; and (c) a process removing the evanescent material, in order of the processes (a) to (c).例文帳に追加
(a)導電性多孔質基材に消失性物質を充填する工程と、(b)前記導電性多孔質基材に導電性粒子を含む被覆層を形成する工程と、(c)前記消失性物質を除去する工程とを、工程(a)〜(c)の順に含むことを特徴とする燃料電池用ガス拡散層の製造方法。 - 特許庁
A semiconductor chip 10 is placed on an insulation tape 12 without openings, and projected electrodes 17 formed on the electrode 11 on the semiconductor chip 10 are connected electrically together by inner leads 13 formed on the insulating tape 12, so that the increase of diffusion processes for forming wiring on the semiconductor chip 10 is avoided.例文帳に追加
開口部を設けない絶縁テープ12に半導体素子10が搭載され、半導体素子10の電極11に形成された突起電極17どうしが、絶縁テープ12上に形成されたインナーリード13によって電気的に接続されることで、半導体素子10の配線形成のための拡散プロセス工程が増加することを回避できる。 - 特許庁
When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加
NPNトランジスタ10と共に同一シリコン基板30上に形成されるNMOSトランジスタ20のソース領域24およびドレイン領域25を形成する際同一工程で高濃度領域15を形成することができるので、高濃度領域15を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置1を製造することができる。 - 特許庁
In this fuzzy neural network, a functional relation capable of duplexing a simultaneous reaction diffusion equation is defined, and the state variables of plural cells are processed in a language format by duplexing the simultaneous equation, and the kinetics of a vibration type is applied by two sets of fuzzy rules to be imposed on each cell, and the two dynamic processes are provided with different kinematical characteristics simultaneously.例文帳に追加
このファジーニューラルネットワークは、連立反応拡散方程式を二重化することができる関数的な関係を定義し、その連立方程式の二重化は、複数セルの状態変数を言語形式で処理し、振動タイプの動態を各セルに負わせる2組のファジー規則により与えられ、2つの動的なプロセスは、同時に異なる運動学的特性を有する。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加
半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
To provide a printing head capable of reducing the diffusion of the irradiation light of an LED, capable of enhancing the printing quality to photosensitive paper by enhancing resolving power per unit area by converging the irradiation light, capable of being processed by a two-color molding method to perform all of processes by one mold and capable of producing an LED head of high accuracy.例文帳に追加
LEDの照射光の拡散を低減でき、且つこの照射光を収束して単位面積あたりの解像度を上げて感光紙への印画品質を向上させることができ、更に2色成形法で加工することができて、全ての工程を1つの金型で行うことができ、高精度のLEDヘッドを制作することができるプリンターヘッドを提供する。 - 特許庁
The manufacturing method includes processes of applying slurry containing a catalytic metal precursor, a catalyst support having fine cavities, ionomers having cation exchange groups, and solvent on a gas diffusion layer to form a catalytic layer before reduction and reducing the catalytic metal precursor by means of thermal treatment under a reductive atmosphere to from catalytic metal particles in the fine cavities of the catalyst support.例文帳に追加
触媒金属前駆体、微細気孔を有する触媒担体、陽イオン交換基を有するイオノマ及び溶媒を含むスラリをガス拡散層上に塗布して未還元触媒層を形成する段階と、前記未還元触媒層を還元雰囲気にて熱処理して前記触媒金属前駆体を還元させることにより、前記触媒担体の微細気孔内に触媒金属粒子を形成する段階とを含む。 - 特許庁
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