「diffusion processes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To actualize a deep expansion type diffusion area at low cost without increasing the number of processes as much as possible.例文帳に追加

できるだけ工程数を増やすことなく又安価なコストで、深部膨張形拡散領域を実現する。 - 特許庁

To acquire a measuring device for the physical property of a diffusion layer capable of measuring two or more physical properties of a diffusion layer in continuous processes using one measuring device.例文帳に追加

１つの測定装置でもって拡散層の２つ以上の物性値を連続するプロセスで測定することを可能とする拡散層物性値測定装置を得る。 - 特許庁

When receiving data, the device 10 inversely diffusion-processes the data received by the RF signal receiving section 20 by the inverse diffusion section 22 with the use of diffusion code set 116, demodulates the resulting data by a demodulation section 24, and then supplies it to a data processing section 26.例文帳に追加

また、本装置10は、データを受信する際、RF信号受信部20が受信したデータを逆拡散部22で拡散コードセット116を用いて逆拡散処理し、復調部24で復調してデータ処理部26に供給する。 - 特許庁

An infiltrate-trapping material (81) reduces diffusion of the dopants in the base region during subsequent thermal treatment processes.例文帳に追加

侵入物トラップ材料（８１）は、後続の熱処理工程の間に、ベース領域内へドーパントが拡散することを減じる。 - 特許庁

There is provided the prediction method for a long-period diffusion state of the chemical species in the concrete based upon a short-period diffusion state, the prediction method for the diffusion state of the chemical species in the concrete including at least processes (A) and (B).例文帳に追加

コンクリート中の化学種の、短期の拡散状態に基づき、長期の拡散状態の予測方法であって、少なくとも下記（Ａ）と（Ｂ）工程を含むコンクリート中における化学種の拡散状態の予測方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the gas diffusion layer used for a fuel cell comprises processes of: (A) preparing a gas diffusion layer base material and an adhesive member; and (B) removing fluff protruded from the surface of the gas diffusion layer base material with an adhesive sheet.例文帳に追加

燃料電池に用いられるガス拡散層の製造方法であって、（Ａ）ガス拡散層基材及び粘着性部材を用意する工程と、（Ｂ）ガス拡散層基材の表面から突き出た毛羽を、粘着性シートで除去する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which simplify manufacturing processes and suppress the diffusion of copper.例文帳に追加

製造工程を簡略化でき且つ銅の拡散をより抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an excellent output of a fuel cell by providing a manufacturing method with simple processes of a catalyst layer and a diffusion layer for the fuel cell with cracks of the catalyst layer and the diffusion layer restrained.例文帳に追加

工程がシンプルである触媒層と拡散層のひび割れが抑制された燃料電池用触媒層、拡散層の製造方法を提案することにより、優れた燃料電池の出力を得る。 - 特許庁

Such a CDMA/WCDMA noise removal repeater can shorten the time required for reverse diffusion and diffusion of a digital signal in demodulation and modulation processes in the repeater, by using the diffusion coefficient lower than the diffusion coefficient of the received signal and demodulating and modulating the digital signal.例文帳に追加

このようなＣＤＭＡ／ＷＣＤＭＡ雑音除去中継器は、受信信号の拡散係数より低い拡散係数を用い、デジタル信号を復調して変調することにより、中継器における復調及び変調過程中のデジタル信号の逆拡散及び拡散に所要される時間を減らすことができる。 - 特許庁

To provide a circuit board of a light emitting diode superior in thermal diffusion and heat resistivity through a simple and cheap in processes.例文帳に追加

簡単で、且つ、工程的に安価な方法で、熱拡散の良い、耐熱性の良い、発光ダイオード回路基板を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since hydrogen contained in a silicon nitride film 13 contributes to a speed-up diffusion of boron, all processes which are performed following the film-forming process of the film 13, are conducted within a temperature range which is capable of preventing this speed-up diffusion.例文帳に追加

窒化シリコン膜１３に含まれる水素はホウ素の増速拡散に寄与するので、窒化シリコン膜１３の成膜工程以降に行われるすべての工程を、この増速拡散を防止し得る温度範囲内で行う。 - 特許庁

To reduce irregularities, and to inhibit diffusion from a copper conductor layer without increasing processes in a resistance-layer laminated board and a circuit board with a built-in resistance element.例文帳に追加

抵抗層積層基板及び抵抗素子内蔵回路基板において、凹凸が少なく、工程を増やさずに銅導体層からの拡散を抑制すること。 - 特許庁

To solve the problem that the formation of a zener diode independently from the formation of an embedded electrode results in increasing the number of diffusion processes, thereby increasing manufacturing cost.例文帳に追加

ツェナーダイオードの形成を埋込電極の形成とは別個に行うと、拡散工程数の増加、ひいては製造コストの増大につながってしまう。 - 特許庁

In a method of manufacturing the diffusion layer of a fuel cell having processes of impregnating and coating diffusion layer paste on the porous substrate, drying and baking it, a porous substrate 31 with a two-layered structure is used as a porous substrate.例文帳に追加

多孔質基材に拡散層ペーストを含浸塗布し、乾燥及び焼成を含む工程を経て燃料電池用の拡散層を製造する方法であって、多孔質基材として２層積層構造の多孔質基材３１を用いる。 - 特許庁

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法は２００〜３００℃程度で処理するので、第１のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Ｗなどの接続配線の拡散を活性化しない。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus which efficiently processes a pattern formation surface of a wafer while preventing the diffusion of a chemical atmosphere that may occur during chemical processing.例文帳に追加

薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a heterostructure magnetic shield having high magnetic shield effect, while preventing diffusion of the material of the magnetic material film during manufacturing processes.例文帳に追加

製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Zener diode and a method for manufacturing the same capable of increasing the yield and minimizing the production cost by not using a diffusion mask and minimizing the number of processes.例文帳に追加

拡散マスクを使用せず、工程数を最小限に低減することにより歩留りを高め、製造コストを最小化するツェナーダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The melt processes preferably also cause diffusion of germanium to dilute the overall germanium content and essentially consume silicon 500 overlying an insulator.例文帳に追加

融解プロセスは、好ましくは、全体のゲルマニウム含量を希釈するようなゲルマニウムの拡散も引き起こし、そして絶縁体の上層のシリコン５００を実質的に消費する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加

キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To suppress electrical breakdown voltage deterioration at the contact part of a gate electrode and a diffusion region, without separately adding processes for removing an insulating film on the gate electrode.例文帳に追加

別途ゲート電極上の絶縁膜を除去するための工程を追加することなしに、ゲート電極と拡散領域のコンタクト部の電気的な耐圧劣化を抑制することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing diffusion of metal into a semiconductor substrate with a simple manufacturing method while minimizing increase of the number of processes.例文帳に追加

簡易な製造方法で且つ工程数の増加を最小限に抑制しながらも、半導体基板中への金属の拡散防止を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively manufacturing a metal precision mechanical component which is assembled and formed by liquid phase diffusion welding by simplified manufacturing processes and a metal precision mechanical component.例文帳に追加

液相拡散接合により組み立て成型した金属製精密機械部品を簡素化された製造工程で、低コストで製造可能な金属製精密機械部品を提供する。 - 特許庁

To stably maintain high cleanliness within a cabinet in a substrate treatment apparatus for manufacturing a semiconductor device by conducting processes such as film forming and impurity diffusion or the like to the substrate.例文帳に追加

基板に製膜処理、不純物の拡散等の処理をして、半導体装置を製造する基板処理装置に於いて、筐体内の高清浄度を安定して維持できる様にする。 - 特許庁

According to a value of a calculation result by an APL detection part 15 and a luminance control part 16, error diffusion processing circuits 300 and 300' switch the value of an error diffusion coefficient, a diffusion pixel range, etc., and a dither processing circuit varies a dither coefficient pattern and a matrix number, etc., to adaptively correlate and vary individual processes in accordance with variation in the APL.例文帳に追加

ＡＰＬ検出部１５と輝度制御部１６の算出結果の値に応じて、誤差拡散処理回路３００、３００′では、誤差拡散係数の値や拡散画素範囲等を切り替え、また、ディザ処理回路では、ディザ係数パターンやマトリクス数を変化させるなど、夫々の処理をＡＰＬの変化に関連付けて適応的に可変する。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

Thereby, three processes for producing an alloy, such as dispersion, diffusion and deposition, or dispersion, diffusion and transformation of the additive 10 to a desired portion of the metal base materials 1a and 1b, are attained by one method using a technique of friction stir welding.例文帳に追加

これにより、摩擦攪拌接合の手法を利用した一つの方法で、金属母材１ａ，１ｂの所望の部位に対して添加材１０の分散、拡散及び析出あるいは分散、拡散及び変態といった合金を製造する３つの過程を実現することができる。 - 特許庁

By forming one or at least two slit-shaped or island-shaped P-type high-concentration diffusion layers 17 in a polycrystalline silicon high- resistance P-type low-concentration diffusion layer 18, a polycrystalline silicon high resistor with a plurality of sheet resistors can be simultaneously manufactured without any additional processes.例文帳に追加

多結晶シリコン高抵抗のＰ型低濃度拡散層１８の中に、１つ又は２つ以上のスリット状又は島状のＰ型高濃度拡散層１７を形成することで、追加工程なしで複数のシート抵抗を持つ多結晶シリコン高抵抗を同時に作製するように出来る。 - 特許庁

To provide a technology for preventing the diffusion of nitrous oxide to the atmosphere by investigating the conditions of the nitrification and denitrification processes without providing an additional process for decomposing nitrous oxide in a method for treating nitrogen-containing wastewater, including nitrification and denitrification processes.例文帳に追加

硝化工程と脱窒工程を有する窒素含有排水の処理方法において、別途亜酸化窒素分解の為の工程を設けることなく、硝化工程と脱窒工程の条件検討により亜酸化窒素の大気中への拡散を防止する技術を提供すること。 - 特許庁

A method for processing the image generates a plurality of multivalued image data corresponding to a plurality of times of scanning based on input image data expressing the image to be formed on the predetermined region, and executes different low gradation processes (for example, different error diffusion processes) to a plurality of multivalued image data formed in this manner.例文帳に追加

所定領域に形成すべき画像を表す入力画像データに基づいて複数回の走査に対応した複数の多値の画像データを生成し、こうして生成された複数の多値の画像データに対してそれぞれ異なる低階調化処理（例えば、異なる誤差拡散処理）を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flat panel display that can exhibit superior light diffusion through simple manufacturing processes and miniaturize a light emitting element by excellently dispersing light emitted by a spot light source.例文帳に追加

簡易な製造工程で優れた光拡散性を発揮でき、点光源の発光光を好適に分散させることで発光素子の微小化を可能とするフラットパネルディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the diffusion layer of fuel cell consists of two processes; the first is to impregnate the base material in the form of a woven cloth with a resin binder and the second to carbonize the base material impregnated with the binder.例文帳に追加

織布化した基材に樹脂のバインダを含浸させる第１の工程と、バインダを含浸させた基材を炭化処理する第２の工程と、からなる燃料電池の拡散層の製造方法。 - 特許庁

To provide a light diffusive sheet and a manufacturing method for the sheet having reduced processes and obtain a uniform light diffusion without using spherical beads, and a back light unit using the sheet.例文帳に追加

製造工程が少なく、かつ、球形ビーズを用いずに光の均一な拡散を可能とする光拡散シート、その製造方法及びそれを用いたバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

To reproduce the significant image on a recording medium at first gray scale, an image development section 404 and an error diffusion processing section 406 processes the significant data to store them in an image memory 405.例文帳に追加

画像展開部４０４及び誤差拡散処理部４０６は有意画像を第１の階調数で記録媒体上に再現するべく有意画像データを処理して画像メモリ４０５に格納する。 - 特許庁

To provide a wafer with a tapered edge of an improved manufacturing yield for film forming in a semiconductor manufacturing process, by chemical vapor deposition (CVD), impurity diffusion, annealing, epitaxial growth, or other processes.例文帳に追加

半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。 - 特許庁

By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加

これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable anyone to quickly extract failure factors causing the product yield to drop in machining processes such as diffusion steps to meet the actual situation in a semiconductor manufacturing factory.例文帳に追加

半導体製造工場の拡散工程等の加工プロセス工程において製品の歩留り低下を引き起こす異常要因を抽出するに際して、実態に即して迅速にかつ誰でもが抽出できるようにする。 - 特許庁

Further included is performing calculation processes to alter time and a density based on a decreasing characteristic of the diffusion material (S15-4), and to obtain a total density distribution of a whole space from the allotted calculation of density according to occurrence time (S15-5).例文帳に追加

さらに、拡散物質の減少特性に基づき時間と濃度を変化させる計算処理を行い（Ｓ１５−４）、発生時刻別の濃度に分配計算した全体の総濃度分布の計算処理を行う（Ｓ１５−５）。 - 特許庁

To provide a wafer having excellent surface properties by effectively suppressing the uneven reactivity that is problematic in surface processing by conventional diffusion controlling processes such as wet processing, in a wafer surface processing method involving chemical processing.例文帳に追加

化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。 - 特許庁

As a result, the dimensions of the isolation structure are limited and defined, thereby allowing a higher packing density than obtainable using conventional processes which include the growth of an epitaxial layer and diffusion of dopant.例文帳に追加

その結果として、上記分離構造の寸法が制限かつ規定され、こうして、エピタキシャル層を成長させる工程とドーパントを拡散させる工程とを含む従来のプロセスを用いて得られるよりも高い実装密度を得ることができる。 - 特許庁

To form an aperture to a ferroelectric capacitor in an interlayer insulation film and a hydrogen diffusion prevention film especially without increasing the number of processes, and without damaging the ferroelectric capacitor, and to remove unneeded residuals.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、強誘電体キャパシタにダメージを与えずに強誘電体キャパシタに対する開孔を層間絶縁膜及び水素拡散防止膜に形成し、しかも不要な残存物を除去する。 - 特許庁

This method of manufacturing a heat exchanger 10 having a plurality of fine flow channels 11 includes processes of: forming a plurality of thin plate members 1a-1d into a predetermined shape; and laminating the plurality of thin plate members 1a-1d and bonding them to one another by diffusion bonding.例文帳に追加

微細流路１１を複数有する熱交換器１０の製造方法であって、複数の薄板部材１ａ〜１ｄを所定の形状に形成する工程と、複数の薄板部材１ａ〜１ｄを積層して拡散接合する工程と、を有する。 - 特許庁