「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

This is a water repellent electrode for gas diffusion for the solid polymer fuel cell in which (1) the electrode is a conductive porous body, (2) a water repellent layer is formed at a part or whole of the surface of the porous body, and (3) the water repellent layer contains sulfur and at least one kind of its compound.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池用のガス拡散用電極であって、１）前記電極が導電性多孔体であり、２）前記多孔体の表面の一部又は全部に撥水層が形成されており、３）前記撥水層が硫黄及びその化合物の少なくとも１種を含むことを特徴とするガス拡散用撥水性電極に係る。 - 特許庁

A hydrogen gas passing through the gas diffusion speed-controlling layer 2 and reaching the first electrode 3 is dissociated into protons by the catalysis operation of Pt contained in the electrode and voltage being applied to the first electrode 3, passes through the proton conduction layer 5, is pumped out to the second electrode 4, becomes a hydrogen gas again, and is diffused to the gas atmosphere to be measured.例文帳に追加

ガス拡散律速層２を通り第１の電極３に到達した水素ガスは電極に含有されるＰｔの触媒作用と第１の電極３への印加電圧によりプロトンに解離されてプロトン伝導層５を通り第２の電極４へ汲み出され、再び水素ガスとなって被測定ガス雰囲気に拡散していく。 - 特許庁

The moisture control sheet is an independent moisture control sheet which is used by preparing between a catalyst layer and a gas diffusion layer of the solid polymer fuel cell, and is constituted by filling up a fluoride resin and/or a conductive agent into a non-carbonized porous base material sheet which is not carbonized after forming the porous base material sheet.例文帳に追加

本発明の水分管理シートは、固体高分子形燃料電池の触媒層とガス拡散層との間に配置して使用する、自立した水分管理シートであり、前記水分管理シートは多孔質基材シート形成後に炭化処理をしていない非炭化処理多孔質基材シートに、フッ素系樹脂及び／又は導電剤が充填されたものである。 - 特許庁

A selection transistor includes a gate insulating film 12b provided on a semiconductor substrate 11, polysilicon gate electrodes 13b, 19b provided on a gate insulating film 13b, a conductive barrier layer 30 provided on the polysilicon gate electrode 13b as a barrier against metal diffusion, and a silicide gate electrode 25b provided on the conductive barrier layer 30.例文帳に追加

選択トランジスタは、半導体基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１２ｂと、ゲート絶縁膜１３ｂ上に設けられたポリシリコンゲート電極１３ｂ,１９ｂと、ポリシリコンゲート電極１３ｂ上に設けられ、金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層３０と、導電性バリア層３０上に設けられたシリサイドゲート電極２５ｂとを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

The hologram reflection plate 10 disposed in the rear of a liquid crystal panel and reflecting incident light in a specific direction and range is characterized in that a light diffusion agent is dispersed in an adhesion layer laminating a hologram 11 and a light reflection layer 12 and the hologram is to be a hologram of a volume phase transmission type, a surface relief type or the like.例文帳に追加

液晶パネルの背面側に配置され、入射光を特定方向、範囲に反射させるホログラム反射板１０において、ホログラム１１と光反射層１２とを積層する粘着層中に光拡散剤が分散された構成である体積位相透過型、又は表面レリーフ型等のホログラムであることを特徴とするホログラム反射板。 - 特許庁

The ratio of the thickness of a diffusion layer to that of the layer having the low refractive index is made larger so that the ratio of phase change among the respective layers is not changed suddenly when the multilayer film is scraped off in order to adjust the phase of the light to be reflected by the multilayer film reflection mirror.例文帳に追加

本発明による多層膜反射鏡は、前記多層膜反射鏡によって反射される光の位相を調整するために多層膜を削り取る際に、各層間で位相変化の割合が急激に変化しないように、前記屈折率の低い層の厚さに対する拡散層の厚さの比率を大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

When information light 1 which carries information by spatial modulation and reference light 2 for recording are allowed to interfere in an information recording layer 4 of a recording medium and the information is recorded according to the resulting interference pattern, diffusion of the reference light 2 for recording is controlled so that rays of the reference light 2 for recording cause no interference in the information recording layer 4.例文帳に追加

空間的に変調することで情報を担持した情報光１と、記録用参照光２とを記録媒体の情報記録層４において干渉させ、当該干渉パターンによって情報を記録する際に、記録用参照光２同士が情報記録層４において干渉を生じないように記録用参照光２の発散を制御する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

To manufacture a paste for an electrode of a fuel cell, hardly forming an agglomerate of catalyst carrying carbon and a solid polymer electrolyte, intensely orienting a proton exchange group of the solid polymer electrolyte to the hydrophilic layer side, excellent in gas diffusion property and proton conductivity of a catalyst layer, and providing high output even in light humidification or no humidification.例文帳に追加

触媒担持カーボンと高分子固体電解質とが大きな凝集塊（アグロメレート）となり難く、高分子固体電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池の電極用ペーストを製造可能にする - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。 - 特許庁

The light source device is provided with an LED unit having LED chips and phosphors which change wavelengths of a part of light from the LED chips, a lens positioned at the light irradiating side of the LED unit, and a light diffusion layer positioned on the light irradiating face or the light incident face of the LED unit with an air layer between.例文帳に追加

ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたＬＥＤ装置と、前記ＬＥＤ装置の光出射側に配置されるレンズと、前記ＬＥＤ装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置される光拡散層と、を備えてなる光源装置とする。 - 特許庁

The anode dead-end type fuel cell 100 is provided with passage constituent members (sheet member 125, anode side metallic porous body 130a, anode side separator 140a) which are installed on the surface side of an anode (anode side catalyst layer 42a, anode side diffusion layer 120a) in a membrane electrode assembly 10 and constitute a fuel gas passage for flowing hydrogen to be supplied to the anode.例文帳に追加

アノードデッドエンド型燃料電池１００は、膜電極接合体１０におけるアノード（アノード側触媒層４２ａ、アノード側拡散層１２０ａ）の表面側に設けられ、アノードに供給すべき水素を流すための燃料ガス流路を構成する流路構成部材（シート部材１２５、アノード側金属多孔体１３０ａ、アノード側セパレータ１４０ａ）を備える。 - 特許庁

By providing a TFT substrate 10 provided with a TFT and a reflection display electrode 19 connected to the TFT and its protection layer 33 on the light diffusion layer 34 mixed with bead particles 37, the occurrence of a projecting part to a counter electrode 35 and an oriented film 36 due to the projected part of the bead particle 37 is prevented, and a flat surface is obtained.例文帳に追加

ＴＦＴ及びそのＴＦＴに接続された反射表示電極１９を備えたＴＦＴ基板１０と、ビーズ粒子３７を混入させた光拡散層３４上にその保護層３３を設けることにより、ビーズ粒子３７の突出部による対向電極３５及び配向膜３６への突起部発生を防止し平坦な表面とする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable to manufacture a paste for an electrode of a fuel cell in which catalyst-carrying carbon and polymer solid electrolyte hardly make up a large agglomerate, a proton exchange group of the polymer electrolyte is strongly oriented toward a side of a hydrophilic layer, the catalyst layer is excellent in gas diffusion properties and proton conductivity, and capable of obtaining a high output despite its being low-humidified or non-humidified.例文帳に追加

触媒担持カーボンと高分子固体電解質とが大きな凝集塊（アグロメレート）となり難く、高分子電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池の電極用ペーストを製造可能にする - 特許庁

In a reaction layer or/and a gas supply layer, constituted of at least carbon black and fluororesin fine particles, of a gas diffusion electrode, thin film-shaped metal bodies penetrate from the front side to the back side of the electrode nearly vertically to the electrode surface and the average area ratio of the metal bodies in the cross section of the electrode is ≤10% of the electrode surface area.例文帳に追加

少なくともカーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス拡散電極の反応層又は／及びガス供給層において、電極面とおおよそ垂直に薄膜状金属体が電極の表裏を貫通し、電極断面における該金属体の平均面積率が電極面面積の１０パーセント以下であるガス拡散電極。 - 特許庁

The reflection type projection screen 1 is equipped with a linear Fresnel member 4 whose shelf surface 8 turned upward is made a light absorbing surface and whose inclined surface 10 turned downward is made a reflection surface, and an anisotropic diffusion layer 12 arranged to cover the Fresnel surface of the linear Fresnel member and having anisotropic diffusion characteristic that incident light at a larger incidence angle than a predetermined angle is not diffused.例文帳に追加

本発明の反射型プロジェクションスクリーン１は、上方に向けられた棚面８が吸光面とされ、下方に向けられた傾斜面１０が反射面とされたリニアフレネル部材４と、リニアフレネル部材のフレネル面を覆って配置され、所定角より大きな入射角の入射光は拡散させない異方性の拡散特性を有する異方性拡散層１２とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a water repellent paste for a fuel cell electrode which surely prevents a solid content of the water repellent paste from soaking into a porous body when it is applied on the porous body by coagulating appropriately the solid content and, by preventing clogging, maintains porosity of a gas diffusion layer largely, thereby, improves gas diffusion performance and removal capacity of generated moisture to improve characteristics of the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池電極用撥水ペーストにおいて、撥水ペーストの固形分を適度に凝集させることによって、多孔体の上に塗布した場合においても固形分が多孔体に染み込むのを確実に防止して、目詰まりを防いでガス拡散層の気孔率を大きく保ち、もってガス拡散性及び発生水分の除去能力を向上させて燃料電池の特性を向上させること。 - 特許庁

In this manufacturing method for a gas diffusion electrode, a sheet of gas diffusion electrode having a reaction layer whose main components are silver or silver alloy particulates and particulates of polytetrafluoroethylene, is pressed by a press jig having continuous irregularity at a normal temperature and at a pressure of 10 kg/cm2 or more, then is subjected to a heat treatment without being pressurized at a temperature not less than the melting point of polyetrafluoroethylene.例文帳に追加

銀微粒子又は銀合金微粒子とボリテトラフルオロエチレン微粒子を主要構成成分とする反応層を有するガス拡散電極シートを、連続的な凹凸を有するプレスジグを用いて常温で１０ｋｇ／ｃｍ^2 以上の圧力でプレスし、その後圧力をかけないでポリテトラフルオロエチレンの融点以上の温度で圧力をかけずに熱処理することを特徴とするガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the light diffusion film having 50-99 pts.mass of a crystal polyester and a light diffusion layer obtained to biaxially extend a non-extension sheet, consisting of a mixture containing 1-50 pts.mass of inorganic particles performs biaxial extension in vertical and horizontal directions at an extension speed of less than 300%/sec at extension magnification of 2.5 times or higher.例文帳に追加

結晶性ポリエステル５０〜９９質量部と、無機粒子１〜５０質量部を含む混合物からなる未延伸シートを二軸延伸して得られる光拡散層を有する光拡散性フィルムの製造方法であって、前記二軸延伸を縦方向及び横方向にそれぞれ、２．５倍以上の延伸倍率で、かつ３００％／秒未満の延伸速度で行うことを特徴とする光拡散性フィルムの製造方法。 - 特許庁

In this case, conditions of the film formation of the metal film or the like are changed, and a diffusion layer in which metal or a metal compound included in the metal film or the metal compound film is diffused to the insulating film is formed between the metal film or the metal compound, and the insulating film.例文帳に追加

この際、金属膜等の成膜の条件を変化させて、金属膜又は金属化合物膜と、絶縁膜との間に、金属膜又は金属化合物膜に含まれる金属又は金属化合物を、絶縁膜に拡散させた拡散層を形成する。 - 特許庁

The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.例文帳に追加

レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for which wiring or a diffusion layer is formed using a high accuracy mask even while the performance of a high speed circuit part is not lowered or is equivalent and using the low accuracy mask of accuracy lower than that, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高速回路部分の性能は下げないか同等でありながら高精度マスクを用いると共にこれより精度の低い低精度マスクを用いて配線もしくは拡散層を形成した半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell is characterized in that an insulating film is formed on the surface of a silicon substrate, a plurality of holes are formed in the surface of the insulating film by a wet etching and then, a diffusion layer is formed in the surface of the silicon substrate via these holes.例文帳に追加

シリコン基板の表面に絶縁膜を形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜の表面に複数の穴を形成し、次いで、それらの穴を介してシリコン基板の表面に拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 特許庁

An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.例文帳に追加

ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁

On an Si substrate 1, a Cr-Ta film 2 as a diffusion preventive layer, a lower electrode composed of a Pt film 3, a ferroelectric film 4 composed of PZT and an upper electrode composed of a Pt film 5 are laminated in this order to compose a ferroelectric capacitor 10.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴからなる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこの順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。 - 特許庁

When the focal length of the first lens array 11 or the second lens array 15 is defied as T, a diffusion layer 21 is provided at a position apart with respect to the exit side by T to <2T than the focal positions of the first lens array and the second lens array.例文帳に追加

また、第１のレンズ列１１又は第２のレンズ列１５の焦点距離をＴとしたとき、当該第１のレンズ列及び当該第２のレンズ列の焦点位置よりＴ以上２Ｔ未満だけ出射側に離れた位置に拡散層２１を設けている。 - 特許庁

To restrain generation of a moire without damaging display quality, in a direct-view type liquid crystal display device in which a light diffusion layer having a stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction is provided on an observer side of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

To solve the problem that when a finer dielectric memory is manufactured, the aspect ratio in the structure for leading out the electric potential of an upper electrode to a diffusion layer becomes large, so that the coverage of the upper electrode is deteriorated and the upper electrode is disconnected upon the heat treatment for crystallizing the dielectric.例文帳に追加

誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

This oxide superconductive compound multicore wire is characterized in that it has a structure in which plural compound strands formed by embedding an oxide super-conductive material in a metal matrix are bound, and a metal diffusion layer is formed between the compound strands.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導複合多芯線材は、金属マトリクス内に酸化物超電導物質が埋め込まれてなる複合素線を複数本束ねた構造を有し、前記複合素線間には金属拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Fuel supply efficiency to the fuel electrode 21 can be improved by drop of pressure from the first passage 31 through a diffusion layer 33 to the second passage 32, and exhaust efficiency of exhaust gas produced in the fuel electrode 21 can be improved.例文帳に追加

また、第１流路３１から拡散層３３を介して第２流路３２への圧力降下により、燃料極２１への燃料供給効率を向上させると共に、燃料極２１で生成された排出ガスの排出効率を向上させることができる。 - 特許庁

To prevent penetration of a coating solution into pores of a gas diffusion layer laminated on the surface of a membrane-electrode assembly when the coating solution is poured into a gas manifold included in a fuel cell stack for coating the inner wall of the gas manifold.例文帳に追加

燃料電池スタックが備えるガスマニホールドの内部にコーティング溶液を注入して、ガスマニホールドの内壁にコーティングを施す際に、膜電極接合体の表面に積層されたガス拡散層が有する細孔へのコーティング溶液の浸入を防止する。 - 特許庁

With such a structure, an electric line of force generating between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20 can be shut off by the impurity diffusion layer 91, and a crosstalk noise can be suppressed between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20.例文帳に追加

このような構成であれば、バルクトランジスタ１０と、ＳＯＩトランジスタ２０との間で生じる電気力線を不純物拡散層９１で遮断することができ、バルクトランジスタ１０とＳＯＩトランジスタ２０との間でのクロストークノイズを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly, capable of suppressing degradation of power generation efficiency by suppression of soaking of a resin material from an outer edge part to a central part of a gas diffusion layer, when a frame body is formed by resin molding adjacent to the outer edge part of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体の外縁部に隣接して枠体を樹脂成形する際に、ガス拡散層の外縁部から中心部への樹脂材料の染み込みを抑えて、発電効率の低下を抑えることができる膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.例文帳に追加

トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An outer peripheral end face of the gas diffusion layer 28a has a separation face 52a formed by separating a circumference edge 50a, which is used as a positioning part, at a fixed separation section after unification with the solid polymer electrolyte film 18 by hot pressing.例文帳に追加

ガス拡散層２８ａの外周端面には、固体高分子電解質膜１８にホットプレスにより一体化された後、位置決め部として使用された外周縁部５０ａが、予め設定された分離部位から切り離されることにより、分離面５２ａが形成される。 - 特許庁

Side walls 5 are formed on the gate insulating film 3 and the side faces of the gate electrode 4, and the source electrode 6 and drain electrode 7 of a P^+ type diffusion layer, to which impurity ions are injected, are formed to the silicon substrate 1 on both sides of the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３及びゲート電極４の側面にはサイドウォール５が形成され、ゲート電極４の両側のｎ型シリコン基板１には、不純物イオンが注入されｐ＋型拡散層のソース電極６とドレイン電極７とが形成される。 - 特許庁

To provide water-repellent paste for a gas diffusion layer capable of being manufactured in a simple component composition, securing coating performance without adding a thickener giving rise to calcination residues, and that, with due consideration not involving air at its filling in a coating head or the like.例文帳に追加

ガス拡散層用撥水ペーストにおいて、簡単な成分組成で製造することができ、焼成残渣を生ずる増粘剤を添加することなく塗工性能を確保することができるとともに、塗工ヘッド等に充填する際にエアーを巻き込むことがないこと。 - 特許庁

Heated steam which is a gas body reaches a membrane electrode assembly precursor 4 after easily passing through a diffusion layer 3 having water-repellency and locally forms a high-temperature and high-concentration alkaline aqueous solution by being condensed in the membrane electrode assembly precursor 4.例文帳に追加

加熱水蒸気はガス体であり、撥水性を持つ拡散層３を容易に通過して膜電極接合体前駆体４に到達し、膜電極接合体前駆体４内で凝縮して局所的に高温高濃度のアルカリ水溶液を生成する。 - 特許庁

After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁

After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁