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「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

The fuel diffusion layer 42 is provided with a fuel diffusion layer core 421, an outside fuel electrode water repellent layer 422 having and an inside fuel electrode water repellent layer 423.例文帳に追加

燃料拡散層42は、燃料拡散層核部421と燃料極外側撥水性材料含有層422と燃料極内側撥水性材料含有層423とを有している。 - 特許庁

An MEA 1 is formed in which an anode gas diffusion layer 10, an anode catalyst layer 12, a proton conductive polymer film 13, a cathode catalyst layer 14, and a cathode gas diffusion layer 15 are arranged, in this order.例文帳に追加

アノードガス拡散層10、アノード触媒層12、プロトン伝導性高分子膜13、カソード触媒層14、カソードガス拡散層15の順に配置されたMEA1を形成する。 - 特許庁

The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.例文帳に追加

この透過型スクリーン10のレンチキュラーレンズシート20は、レンチキュラーレンズ層29と、遮光層23と、第1拡散層24と、透光性基板25と、第2拡散層26とを備える。 - 特許庁

Next, an anode side gas diffusion layer 120a and a cathode side gas diffusion layer 120c are respectively hot-pressed on surfaces of the anode side catalyst layer 130a and the cathode side catalyst layer 130c.例文帳に追加

次に、アノード側触媒層130a、カソード側触媒層130cの表面に、それぞれ、アノード側ガス拡散層120a、カソード側ガス拡散層120cを、ホットプレス接合する。 - 特許庁

例文

Electric medium layers 7, 8 are formed between one electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.例文帳に追加

一方の前記電極層3および前記拡散層5の間ならびに他方の前記電極層4および前記拡散層6の間にそれぞれ電気媒介層7,8が設けられる。 - 特許庁


例文

Conductive and steam-collecting layers 7, 8 are disposed between an electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.例文帳に追加

一方の電極層3および拡散層5の間ならびに他方の電極層4および拡散層6の間にそれぞれ導電性水蒸気捕集層7,8が設けられている。 - 特許庁

A catalyst layer is arranged on both sides of an electrolyte membrane and a gas diffusion layer 23 is arranged on the outside of the catalyst layer, and a separator 21 is arranged on the outside of the gas diffusion layer 23.例文帳に追加

電解質膜の両面に触媒層を配置するとともに、触媒層の外面にガス拡散層23を配置し、さらにガス拡散層23の外面にセパレータ21を配置する。 - 特許庁

Preferably, the electronic device also has a mutual diffusion preventive layer between the ohmic layer and the oxidation preventive layer, and the oxidation preventive layer contains a layer made of gold and a layer made of tungsten in this order.例文帳に追加

好ましくは、オーミック層と酸化防止層との間に相互拡散防止層を有し、酸化防止層はAuからなる層とWからなる層をこの順で含む。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 11 except for a portion where the gate electrode 16 is formed, a shallow low-concentration diffusion layer 17 and a two-step layer composed of a shallow high-concentration diffusion layer 19 and a deep high-concentration diffusion layer 22 are formed.例文帳に追加

一方、ゲート電極16の形成位置を除く、シリコン基板11の表面部には、浅い低濃度拡散層17、および、二段構造の浅い高濃度拡散層19と深い高濃度拡散層22とが形成されている。 - 特許庁

例文

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層7の表面から一定の深さにかけて、導電型がP型である第1拡散層8、導電型がN^+型である第2拡散層9、および導電型がN^+型である第3拡散層10が形成されている。 - 特許庁

例文

The fuel cell system having an electrolyte layer (an electrolyte membrane) 11 between an oxidant gas diffusion layer and a fuel gas diffusion layer 15 is to also include a combustion catalyst 24 dispersed in the fuel gas diffusion layer 15.例文帳に追加

酸化剤ガス拡散層と燃料ガス拡散層15との間に電解質層(電解質膜)11を有する燃料電池システムにおいて、燃料ガス拡散層15に分散された燃焼触媒24を有する構成とする。 - 特許庁

The optical sheet has the support and the light diffusion layer on the support and the light diffusion layer is provided via the primer coating layer formed by containing the same resin as the resin included in the light diffusion layer at ≥50mass% in solid component.例文帳に追加

支持体と、該支持体上に光拡散層を有し、該光拡散層が、前記光拡散層の含む樹脂と同一の樹脂を固形分で50質量%以上含有してなる下塗り層を介して備えられた光学シートである。 - 特許庁

A silicon oxide film 19 is formed on the upper surface of an N type diffusion layer 12 (outside of the V shaped diffusion layer 12) between a P type diffusion layer 13 and an N type drain diffusion layer 17 on the N type diffusion layer 12, and the outer periphery of the silicon oxide film has tilted angles not smaller than 3 degrees and not larger than 30 degrees.例文帳に追加

N型拡散層12の表面におけるP型拡散層13とN型ドレイン拡散層17との間に形成されるシリコン酸化膜19を、N型拡散層12の表面に対して上側(V型拡散層12の外側)に形成し、然も外周部における傾斜面の傾斜角を3°よりも大きく且つ30°よりも小さく形成している。 - 特許庁

The liquid phase diffusion junction layer 56 is made of a first metal layer 52 for junction, that is combined (liquid phase diffusion) with the liquid phase diffusion metal, and a second metal for junction that decreases liquid phase diffusion temperature.例文帳に追加

液相拡散接合層56は、液相拡散金属と化合(液相拡散)させる第1の接合用金属層52と、液相拡散温度を下げる第2の接合用金属とにより生成されている。 - 特許庁

A diffusion layer 20 having different diffusion effects according to the light emission color of the LEDs 5 is formed for the diffusion sheet 9 to avoid light emission unevenness.例文帳に追加

拡散シート9に、表示むらをなくすために、LED5の発光色に応じて拡散効果の異なる拡散層20が形成される。 - 特許庁

The metal exterior case material is based on a cold rolled steel sheet as a ground, and has a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, a metal Cr or Cu layer, a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, and a metal Cr layer from the lower layer side on the face corresponding to the case interior face.例文帳に追加

冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側から、Cu−Ni拡散層、Ni層、金属Cr、又はCu層、Cu−Ni拡散層、Ni層、金属Crを有する金属外装ケース用素材。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板11上に第1クラッド層12、活性層13、第2クラッド層14、電流拡散層15、コンタクト層16が順次積層されている。 - 特許庁

Mainly, electrolyte (a proton exchange membrane), an anode layer, a first cathode catalyst layer, a second cathode catalyst layer, a cathode fine pore layer, and a cathode gas diffusion layer are included.例文帳に追加

主に電解質(プロトン交換膜)、陽極層、第一陰極触媒層、第二陰極触媒層、陰極微孔層、陰極気体拡散層を含む。 - 特許庁

With it, when used in the bulk silicon process, the diffusion layer as the diffusion layer for body tie can be used as a diffusion resistance, because an insulating oxide film causes the diffusion layer to be isolated completely from a transistor element or a substrate on an SOI device.例文帳に追加

これによってバルクシリコンプロセスに使用した際には、ボディータイ用拡散層であった拡散層は、SOIデバイス上では絶縁酸化膜によりトランジスタ素子や基板と完全に分離されるため拡散抵抗として使用できるようになる。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層5に近接してIn_yGa_1-yNからなる不純物拡散防止層8を設けるため、p型クラッド層10やp型第2ガイド層9などの内部に存在するp型不純物を不純物拡散防止層8に蓄積でき、p型不純物が活性層5に拡散しなくなる。 - 特許庁

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22).例文帳に追加

Mgドープ原子がpカバー層20からアクティブ層14へ拡散するのを抑圧するために(この拡散は通常、GaP窓層22に対する高い成長温度の際に発生する)、アクティブ層14とpカバー層20との間に拡散ストップ層16が設けられている。 - 特許庁

The method includes depositing copper to form a copper pillar layer 108, depositing a diffusion barrier layer 110 on a top of the copper pillar layer, and depositing a copper cap layer 112 on top of the diffusion barrier layer, wherein an intermetallic compound (IMC) 116 is formed among the diffusion barrier layer, the copper cap layer, and a solder layer formed on a top of the copper cap layer.例文帳に追加

銅柱108層を形成するために銅を堆積するステップと、銅柱層の上部に拡散バリア層110を堆積するステップと、拡散バリア層上に銅キャップ層112を形成するステップを含み、金属間化合物116(IMC)が拡散バリア層、銅キャップ層、銅キャップ層上に形成されたはんだ層の間に形成される。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly having a cathode including a cathode catalyst layer and a cathode gas diffusion layer, an anode including an anode catalyst layer and an anode gas diffusion layer, and an electrolyte membrane arranged between the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer, water-repellency of the anode gas diffusion layer is lower than that of the cathode gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明に係る膜電極接合体は、カソード触媒層及びカソードガス拡散層を含むカソードと、アノード触媒層及びアノードガス拡散層を含むアノードと、前記カソード触媒層と前記アノード触媒層の間に配置された電解質膜とを具備する膜電極接合体であって、前記アノードガス拡散層の撥水度が、前記カソードガス拡散層の撥水度より低いことを特徴とする。 - 特許庁

The light diffusion sheet provided with a light diffusion layer including a light diffusion agent in a binder, a transparent base material and a sticking prevention layer in the order contains inorganic particulates of a refractive index of 1.70-3.00 in the sticking prevention layer or the light diffusion layer.例文帳に追加

バインダー中に光拡散剤を含む光拡散層と、透明な基材とスティッキング防止層とをこの順に備える光拡散シートであって、スティッキング防止層または光拡散層中に屈折率が1.70〜3.00の無機微粒子を含有することを特徴とする光拡散シート。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition capable of forming an n-type diffusion layer in a specific part without forming an unwanted n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, a method for manufacturing the n-type diffusion layer, and a method for manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成するn型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The switch comprises, in order from the exterior, a surface sheet 2, an upper light refection/diffusion layer 3 as a light reflection/diffusion layer, a spacer 4 as a light guide member, a lower light reflection/diffusion layer 5 as a light reflection/diffusion layer, a circuit 6 mounted with a light emitting device 8, and a casing 7.例文帳に追加

表面シート2と、光反射・拡散層としての上部光反射・拡散層3と、導光部材としてのスペーサ4と、光反射・拡散層としての下部光反射・拡散層5と、発光素子8を実装した回路体6と、筐体7と、を外側から順に備えて構成する。 - 特許庁

Firstly, a catalyst layer 4 of a gas diffusion electrode 1 is formed on the surface of a gas diffusion layer 2 before a water repellent treatment by steps S1 to S3 and then a gas diffusion electrode 1 is formed by carrying out the water repellent treatment on the gas diffusion layer 2 excluding the catalyst layer 4 by steps S4 to S6.例文帳に追加

先ず、ステップS1〜S3により、ガス拡散電極1の触媒層4を撥水処理前のガス拡散層2の表面に形成し、次いで、ステップS4〜S6により、触媒層4を除くガス拡散層2を撥水処理してガス拡散電極1を形成する。 - 特許庁

The relation between the distance Y between the second P-type drain diffusion layer 11d and the channel 9 in the first P-type drain diffusion layer 5d and the difference Xj in depth between the second P-type drain diffusion layer 11d and the first P-type drain diffusion layer 5d is expressed in an inequality: Y<Xj.例文帳に追加

第1P型ドレイン拡散層5dにおける第2P型ドレイン拡散層11d、チャネル9間の距離Yと、第2P型ドレイン拡散層11dと第1P型ドレイン拡散層5dの深さの差Xjとの間にY<Xjの関係が成り立っている。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

N型不純物拡散層13及びP型不純物拡散層14は半導体基板11の基板面に対して平行となるように2層に設けられ、該N型不純物拡散層13及びP型不純物拡散層14とのPN接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

In the diffusion plate 7 disposed in the transmission type screen, two first diffusion layers 13, 15 into which diffusion particles are respectively added are arranged via a second diffusion layer 14 into which diffusion particles having a particle size smaller than that of the diffusion layers 13, 15 are added.例文帳に追加

それぞれ拡散粒子を添加した二つの第1の拡散層13,15を、第1の拡散層13,15よりも粒径の小さい拡散粒子を添加した第2の拡散層14を介して配置した拡散板7を、透過型スクリーンに設ける。 - 特許庁

The electrode 20 is provided with a catalyst layer 21 arranged to be brought into contact with the electrolyte membrane 11, a gas diffusion layer 23 arranged on the catalyst layer 21 and an adhesion layer 25 bonding the catalyst layer 21 and the gas diffusion layer 23.例文帳に追加

電極20は、電解質膜11と接するように配置された触媒層21と、触媒層21の上に配置されたガス拡散層23と、触媒層21とガス拡散層23とを接着する接着層25が設けられている。 - 特許庁

A storage element including at least a magnetization recording layer, a non-magnetic layer, and a magnetization reference layer is provided on the second diffusion layer.例文帳に追加

前記第2の拡散層上には、少なくとも磁化記憶層、非磁性層、および磁化参照層を有する記憶素子が設けられる。 - 特許庁

The thin film temperature sensor 35 is obtained by sequentially laminating an adhesion layer 35a, a diffusion preventing layer 35b, and a resistance layer 35c from lower layer.例文帳に追加

薄膜温度センサ35は、密着層35a、拡散防止層35b、抵抗層35cを下層から順に積層したものである。 - 特許庁

The NPN-type transistor 5 comprises an N-type epitaxial layer corresponding to the emitter, a P-type diffusion layer selectively formed on the N-type epitaxial layer and corresponding to the base, and an N-ype diffusion layer selectively formed on the P-type diffusion layer and corresponding to the collector.例文帳に追加

NPN型トランジスタ5は、エミッタに相当するN型エピタキシャル層と、N型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するP型拡散層と、P型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するN型拡散層とから構成される。 - 特許庁

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加

P型シリコン基板101上にN+埋め込み拡散層103およびN型エピタキシャル層102が形成され、N型エピタキシャル層102内には表面領域内のP型拡散層104とN+ドレイン引き出し拡散層106Aが形成されている。 - 特許庁

Steps 25 are formed at a peripheral edge part of the gas diffusion layer junction of the fuel cell formed by laminating a water-repellent layer 21 on the gas diffusion layer 20, and a protection layer 26 is formed over the side surface of the gas diffusion layer so as to fill up the steps.例文帳に追加

ガス拡散層20に撥水層21を積層してなる燃料電池のガス拡散層接合体において、その縁部に前記積層方向に段差25を形成し、かつこの段差を補填するように、かつガス拡散層の側面にわたり保護膜26を被覆する。 - 特許庁

In a memory cell transistor, a source diffusion layer 18 is covered by two dielectric sidewalls 25a and 25b, and a silicide layer is not formed on the source diffusion layer 18.例文帳に追加

メモリセルトランジスタにおいて、ソース拡散層18は2つの絶縁膜サイドウォール25a,25bによって覆われており、ソース拡散層18の上にはシリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.例文帳に追加

その後、外方拡散処理を施して拡散層(12)の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層(11)をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When the diffusion blocking semiconductor layer 25 is composed of AlGaAs, diffusion of Ge, Ni and Au from the contact metal layer 32 into the emission layer part 24 is suppressed effectively.例文帳に追加

拡散ブロック用半導体層25をAlGaAsで構成すると、コンタクト金属層32から発光層部24へのGe、Ni及びAuの拡散抑制に効果がある。 - 特許庁

Further, a p-type diffusion layer 8 is provided on the p-type layer 3', and the protective resistor 9 is provided on the n-type diffusion layer 6' via a separation insulation film 7.例文帳に追加

さらに、p型埋め込み層3´の上にはp型拡散層8が、n型拡散層6´の上には分離絶縁膜7を介して保護抵抗9が設けられている。 - 特許庁

A first assembly with a first catalyst layer formed on a gas diffusion layer is manufactured by applying first catalyst ink on one of sides of the gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層の一方の面に第1の触媒インクを塗布することによって、ガス拡散層上に第1の触媒層が形成された第1の接合体を作製する。 - 特許庁

Thus, the fuel cell provided with the electrolyte layer, the gas diffusion layer sandwiching the electrolyte layer and the separators arranged outside the gas diffusion layers is manufactured.例文帳に追加

このようにして、電解質層と、この電解質層を挟持するガス拡散層と、このガス拡散層のさらに外側に配設されるセパレータと、を備える燃料電池を製造する。 - 特許庁

A catalyst ink can be prevented from entering a pore of a gas diffusion layer 3 by peeling off a catalyst layer coated on a peeling base material to dispose on the gas diffusion layer 3.例文帳に追加

剥離基材に塗布した触媒層を剥離して、ガス拡散層3に設置することで、ガス拡散層3の孔に触媒インクが入り込むのを防ぐことができる。 - 特許庁

The first layer and the second layer are bonded with each other by solid-phase diffusion (step S4).例文帳に追加

前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する(ステップS4)。 - 特許庁

As desired, a diffusion retarding layer is formed between the SOI ground layer regions and the channel regions.例文帳に追加

随意に、SOIグラウンド層領域とチャネル領域の間に拡散抑制層を形成する。 - 特許庁

The diffusion layer 5 is disposed on the inner surface side of the front side substrate 2 in contact with the electrooptical layer 7.例文帳に追加

拡散層5は、前側基板2の電気光学層7と接する内面側に配されている。 - 特許庁

Furthermore, a light diffusion layer 7 can be provided on the polarizing layer 5 side of the polarizing plate.例文帳に追加

この偏光板の偏光層5側には、さらに光拡散層7を設けることができる。 - 特許庁

The first polysilicon layer 14a is provided on the base diffusion layer 12 and has the second conductivity type.例文帳に追加

第1ポリシリコン層14aは、ベース拡散層12上に設けられ、第2導電型である。 - 特許庁

For this purpose, a preferable combination of materials of an upper clad layer and the current diffusion layer is specified.例文帳に追加

そのために好適な上部クラッド層と電流拡散層の材質の組み合わせを特定する。 - 特許庁

例文

The current diffusion layer 14' has an anisotropic reflection property rough surface on the side of the reflective layer.例文帳に追加

電流拡散層14’の反射層側の面を異方性反射特性凹凸面とした。 - 特許庁




  
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