「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The diffusion resistance layer 400 is a second conductivity type, and is located adjacently to any of the plurality of second diffusion layers 300.例文帳に追加

拡散抵抗層４００は、第２導電型であり、複数の第２の拡散層３００のいずれかの隣に位置している。 - 特許庁

A rugged shape comprising fine protrusions 26A for light diffusion is disposed on the light emission surface side 26b of the light diffusion layer 26.例文帳に追加

光拡散層２６の光出射面側２６ｂに微細な光拡散用凸部２６Ａからなる凹凸形状を備えている。 - 特許庁

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

N- diffusion layers 14b and 17b are formed deeper than the diffusion layer of the source/drain of a MOS transistor for internal circuits.例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１４ｂ，１７ｂは内部回路用ＭＯＳトランジスタのソース、ドレインの拡散層よりも深く形成されている。 - 特許庁

To form a diffusion barrier provided with both of diffusion preventing performance to copper and adherence between with a layer insulation film and copper.例文帳に追加

銅に対する拡散防止性能と、層間絶縁膜及び銅との密着性とを兼ね備えた拡散バリア膜を形成する。 - 特許庁

The diffusion layer 5 consists of an optical film interposed between a pair of transparent electrodes 4, 6 and electrically controls diffusion properties.例文帳に追加

拡散層５は、透明な一対の電極４，６によって挟まれ拡散性を電気的に制御可能な光学膜からなる。 - 特許庁

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed.例文帳に追加

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。 - 特許庁

Since the impurity diffusion region is formed by doping the impurity on the polysilicon layer, the impurity diffusion region can be formed shallow.例文帳に追加

ポリシリコン層に不純物をドーピングして不純物拡散領域を形成するため、不純物拡散領域を浅く形成できる。 - 特許庁

Diffusion coefficient of main impurities of the surface region 18 is less than diffusion coefficient of main impurities of the embedded layer 10.例文帳に追加

表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 - 特許庁

Only the deeply doped impurity diffusion layer 8b of the diffusion layers overlaps with a gate electrode 4 when observing them in a plan view of them.例文帳に追加

これらの拡散層のうち、高濃度不純物拡散層８ｂのみが、平面視でゲート電極４と重なり合っている。 - 特許庁

A replacing layer is formed in a diffusion barrier layer, and a part of a replacing layer is replaced with a thin copper film in mixture solution including a replacing reactant.例文帳に追加

拡散バリア層に置換層を形成し、置換反応物を含む混合液中で置換層の一部を薄い銅膜と置換する。 - 特許庁

The barrier layer is laminated on the element attaching part 3 and the diffusion of Cu composing the element attaching part 3 to the cover layer is suppressed by the barrier layer.例文帳に追加

バリア層を素子取付け部３に積層し、この層で素子取付け部３をなしたＣｕのカバー層への拡散を抑制する。 - 特許庁

Since the SOI device is completely isolated from each circuit element, the diffusion layer can be used advantageously as a wiring layer similar to a metal layer.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスは、各回路素子が完全に分離されるので、拡散層をメタル層と同様に配線層として使用できるメリットがある。 - 特許庁

The method can further include depositing a thin layer for wettability on top of the diffusion barrier layer prior to depositing the copper cap layer.例文帳に追加

銅キャップ層を形成する前に、拡散バリア層上部の濡れ性のために薄膜層を堆積するステップを更に含むことができる。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the surface of the P+ diffusion layer 18 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

ｐ^+ 拡散層１８の表面に、Ｔａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

The cathode includes a cathode catalyst layer 6 and a cathode diffusion layer 7, the cathode catalyst layer arranged on a solid polymer electrolyte membrane side.例文帳に追加

カソードは、カソード触媒層６とカソード拡散層７とを含み、カソード触媒層が固体高分子電解質膜側に配されている。 - 特許庁

The anode includes an anode catalyst layer 3 and an anode diffusion layer 4, the anode catalyst layer arranged on the solid polymer electrolyte membrane side.例文帳に追加

アノードは、アノード触媒層３とアノード拡散層４とを含み、アノード触媒層が固体高分子電解質膜側に配されている。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

A mask blank 10 comprises a glass substrate 1 containing an alkali metal, a diffusion prevention layer 2 formed on a surface of the glass substrate, a light-shielding layer 3 formed on the diffusion prevention layer 2, and an antireflection layer 4 formed on the light-shielding layer 3.例文帳に追加

マスクブランクス１０は、アルカリ金属を含有するガラス基板１、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層２、拡散防止層２上に形成された遮光層３、遮光層３上に形成された反射防止層４を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer enabling of manufacturing a fuel cell which can generate power without water retention on the gas diffusion layer in spite of driving under a high-humidification condition, to provide a membrane-electrode assembly using the gas diffusion layer, and to provide a fuel cell.例文帳に追加

高加湿条件下で駆動させても、水がガス拡散層に滞留することなく、発電することのできる燃料電池を製造できるガス拡散層、及びこれを用いた膜−電極接合体並びに燃料電池を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the gas diffusion layer used for a fuel cell comprises processes of: (A) preparing a gas diffusion layer base material and an adhesive member; and (B) removing fluff protruded from the surface of the gas diffusion layer base material with an adhesive sheet.例文帳に追加

燃料電池に用いられるガス拡散層の製造方法であって、（Ａ）ガス拡散層基材及び粘着性部材を用意する工程と、（Ｂ）ガス拡散層基材の表面から突き出た毛羽を、粘着性シートで除去する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer/separator junction body, of which the problem that a separately manufactured gas diffusion layer and a separator easily deviate from each other at laminating and difficulty of assembly are solved, and of which contact resistance between the gas diffusion layer and the separator is lowered.例文帳に追加

ガス拡散層とセパレータが別々に作製され積層する際にずれ易く組み立てにくいのを解消するとともに、ガス拡散層とセパレータ間の接触抵抗を低減するガス拡散層とセパレータの接合体を提供することである。 - 特許庁

The optical thin sheet comprises: a substrate; and a light diffusion layer formed on at least one surface of the substrate, wherein the light diffusion layer has a rugged structure formed so as to operate as the light diffusion layer on a light incident surface, a light emission surface or both of the substrate.例文帳に追加

光学薄膜シートは、支持と、該支持体の少なくとも一面に形成された光拡散層とを含み、該光拡散層は、支持体の光入射面、発行面又は両面に、光拡散層として働くように凹凸構造を形成する。 - 特許庁

A heat diffusion layer 7 is formed from a surface 2 of a wafer 1, a tapered trench 12 reaching the heat diffusion layer 7 is formed from a back surface 3 by anisotropic etching with an alkali solution, and a diffusion layer 21 within a trench is formed on a sidewall surface 13 of the trench 12.例文帳に追加

ウェハ１の表面２から熱拡散層７を形成し、裏面３からアルカリ溶液による異方性エッチングで熱拡散層７に達するテーパー状の溝１２を形成し、この溝１２の側壁面１３に溝内拡散層２１を形成する。 - 特許庁

The mirror includes: a substrate 111; a heat diffusion layer 112 formed on the main surface of the substrate and having higher heat-conductivity than the substrate; and a high reflection film 113 formed on the heat diffusion layer and having lower heat-conductivity than the heat diffusion layer.例文帳に追加

ミラーは、基板１１１と、基板の主面上に形成され基板よりも高い熱伝導率を有する熱拡散層１１２と、熱拡散層上に形成され、熱拡散層よりも低い熱伝導率を有する高反射膜１１３と、を備える。 - 特許庁

The laminating member at least contains an electrolyte film arranged at one side of the separator, a first diffusion layer arranged between the electrolyte film and the separator, and a second diffusion layer arranged at an opposite side of the electrolyte film to the first diffusion layer.例文帳に追加

積層部材は、セパレータの一の側に配置された電解質膜と、電解質膜とセパレータとの間に配置された第１の拡散層と、電解質膜の第１の拡散層とは反対側に配置された第２の拡散層と、を少なくとも含む。 - 特許庁

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed.例文帳に追加

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。 - 特許庁

The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.例文帳に追加

固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁

To provide an abnormality diagnostic device which is suitable for an oxygen sensor having a diffusion layer in an outer layer part of a detection element.例文帳に追加

検出素子の外層部に拡散層を有する酸素センサに好適な異常診断装置を提供する。 - 特許庁

The second layer is a diffusion layer in contact with the surface area on the first surface side of the silicon substrate.例文帳に追加

第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。 - 特許庁

The first layer 46 contains a light-scattering material 46b and includes a stronger light diffusion properties than those of the second layer 47.例文帳に追加

第１層４６は、光散乱材４６ｂを含み、第２層４７よりも強い光拡散能を有する。 - 特許庁

Also, the diffusion layer 50 is arranged contacting to a surface of the light source 31 side in the metallic color layer 40.例文帳に追加

また、拡散層５０は、メタリック色の層４０における光源３１側の面に接触して配置される。 - 特許庁

To provide an abnormality diagnosing device suitable for an oxygen sensor which has a diffusion layer in the outer layer part of a detection element.例文帳に追加

検出素子の外層部に拡散層を有する酸素センサに好適な異常診断装置を提供する。 - 特許庁

The free magnetization layer 39 is formed of an Mn-based Heusler alloy, while the diffusion prevention layer 38 is formed of CoFeAl.例文帳に追加

自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。 - 特許庁

A porous water-repellent sheet 5 is preferably disposed between the liquid retaining layer 41 and the liquid diffusion layer 42.例文帳に追加

液保持層４１と液拡散層４２の間に、開孔撥水シート５が配置されていることも好ましい。 - 特許庁

This spike prevents diffusion of dopants into another layer, without having to form a p-n junction in the layer.例文帳に追加

スパイクによって、ｐｎ接合を層内に形成することなく、別の層にドーパントが拡散することが防止される。 - 特許庁

Contacts for connecting with an upper metal layer are formed at four corners of the rectangular region of the diffusion layer.例文帳に追加

また、該拡散層の該矩形領域の四隅に上層の金属層と接続するためのコンタクトを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided, where a diffusion layer 5 is formed at a SOI layer 12 under a sidewall 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、サイドウォール１４の下のＳＯＩ層１２には、拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a film electrode diffusion layer junction having an integrated structure in which interface formation between each layer is prevented.例文帳に追加

各層間の界面形成が防止された一体的な構造の膜電極拡散層接合体を実現する。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a side wall film 6 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a sidewall film 6 made of a silicon oxide film.例文帳に追加

またＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into a P type well layer 11 at the light receiving part while leaving the resist to form a diffusion layer 14.例文帳に追加

レジストを残したまま受光部のＰ型ウエル層１１にイオン注入し拡散層１４を形成する。 - 特許庁