「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a diffusion wafer group having a narrow range of variance in resistivity in addition to a high-precision thickness of a non-diffusion layer.例文帳に追加

精度の高い非拡散層の厚みに加えて、抵抗率のバラツキの範囲も狭い拡散ウェーハ群の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n+ type source diffusion layers 8 are formed locally at the parts of a diffusion layer forming region F extending in the transverse direction of the paper.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８は、紙面の左右方向に延びた拡散層形成領域Ｆの一部に局在して設けられている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device wherein a diffusion layer hardly has thermal diffusion and word lines can be finely processed.例文帳に追加

拡散層の熱拡散が生じにくく且つワード線の微細加工が容易な不揮発性半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The reflective screen is formed by laminating a surface diffusion layer 1, a transparent tacky adhesive layer 2, and the aluminum foil reflection layer 5, wherein a diffusion material is added to the transparent tacky adhesive layer 2 and the transparent layer 3 of a prescribed thickness is disposed between the transparent tacky adhesive layer 2 and the aluminum foil reflection layer 5.例文帳に追加

表面拡散層１、透明粘着剤層２及びアルミ箔反射層５を積層してなる反射型スクリーンであって、前記透明粘着剤層２には拡散材が添加され、この透明粘着剤層２とアルミ箔反射層５との間には所定厚の透明層３が設けられているものである。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

The measuring substrate and a temperature measuring substrate are constituted by laminating a diffusion preventing layer, a first adhesion layer, wiring, a second adhesion layer, and a protective layer on a substrate.例文帳に追加

測定用基板及び温度測定用基板は、基板に拡散防止層と第１の密着層と配線と第２の密着層と保護層とが積層されてなる。 - 特許庁

Thereby, the hydrogen adsorption layer 221 suppresses the diffusion of hydrogen present in the insulating layer 222 to the active layer 205 by the hydrogen attraction force of the hydrogen adsorption layer 221.例文帳に追加

本発明によれば、水素吸着層２２１が、その水素を吸い寄せる力により、絶縁層２２２内に存在する水素の、活性層２０５への拡散を抑制する。 - 特許庁

In the gas diffusion layer 10b, an intermediate layer 3 containing carbon powder and fluorine resin, a resin layer 2 containing fluorine resin, and a base material layer 1 containing carbon fiber are laminated in this order.例文帳に追加

ガス拡散層１０ｂは、炭素粉末とフッ素樹脂とを含む中間層３、フッ素樹脂を含む樹脂層２、炭素繊維を含む基材層１の順に積層される。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a p^+ diffusion layer 10 and a silicide film 11b are formed as an external base layer outside the region acting as an internal base layer in the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

さらにＳｉＧｅ合金層４のうち内部ベース層として働く領域の外側に、外部ベース層としてｐ^＋拡散層１０およびシリサイド膜１１ｂを形成する。 - 特許庁

In the terminal forming step, a gold layer 33, a nickel layer 32, and a copper layer 31 are stacked in sequence on the gold diffusion prevention layer to thereby form a surface connection terminal 30.例文帳に追加

端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層３３、ニッケル層３２及び銅層３１をこの順序で積層し、面接続端子３０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加

一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁

Thus, a wiring structure 18 comprising an electrically conductive adhesion layer 12, an anti-metal diffusion layer 15, the plating base layer 16, and the conductor layer 17 is manufactured.例文帳に追加

このようにして、導電性の密着層１２、金属拡散防止層１５、メッキ下地層１６および導体層１７から成る配線構造体１８が作製される。 - 特許庁

A first dielectric material layer 5, a magneto-optical recording reproducing layer 6 and a second dielectric material layer 7 are successively laminated on the heat diffusion layer 4 to form a magneto-optical disk 1.例文帳に追加

熱拡散層４上に、第１の誘電体層５、光磁気記録再生層６および第２の誘電体層７を順次積層して、光磁気ディスク１を製造する。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16.例文帳に追加

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。 - 特許庁

A diffusion prevention layer 18, an orientation segmentalization layer 19, and a bias ground layer 20 are stacked on opposite side end surfaces 4a of the laminate 4.例文帳に追加

積層体４の両側端面４ａ上に拡散防止層１８、配向分断層１９、バイアス下地層２０が積み重ねられている。 - 特許庁

A diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit to manufacture the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。 - 特許庁

The intrinsic channel layer 23 is provided with a recessed part 25 for embedding a gate means, and a gate diffusion layer 5 is embedded in the intrinsic channel layer 23.例文帳に追加

真性チャネル層２３には、ゲート手段埋め込み用の凹部２５が設けられ、ゲート拡散層５が真性チャネル層２３内に埋め込まれている。 - 特許庁

To obtain a large output at high temperatures by increasing the carrier concentration of a clad layer and preventing diffusion of impurities of the cladding layer into an active layer.例文帳に追加

クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、クラッド層中の不純物の活性層への拡散を防止して、高温で大きな出力を得る。 - 特許庁

Related to an integrated circuit, a diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

Since the spacer layer 7 absorbs impurities diffused from the p-type clad layer 8, impurity diffusion to the optical guide layer 6 is prevented.例文帳に追加

このスペーサ層７がｐ型クラッド層８から拡散してくる不純物を吸収するので、光ガイド層６への不純物拡散が防止できる。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The corrosion resistant layer 12 contains a film containing chromium formed on the surface of the outer cylinder container 2 and a chromium diffusion layer on the inside of the outer cylinder layer 2.例文帳に追加

耐腐食層１２は、外筒容器２表面に形成されたクロムを含む膜と、外筒容器２内部のクロムが拡散した層とを含む。 - 特許庁

A separator of three-layer structure comprising a white diffusion reflection layer/a metal layer/a white diffusion reflection layer is inserted into the groove 20, and a resin containing reflecting material powder is injected/cured using a centrifuge in the groove inserted with the separator to form a reflecting layer.例文帳に追加

この切り込み溝２０に、白色拡散反射層／金属膜／白色拡散反射層の３層構造のセパレータを挿入し、セパレータが挿入された切り込み溝２０に、遠心機を用いて、反射材粉末を含む樹脂を注入・硬化し、反射層を形成する。 - 特許庁

The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.例文帳に追加

また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁

The resistance changing layer 22 has a laminated layer structure composed of a first layer 22A having a diffusion coefficient of the moving atoms of not more than 1.0×10^-21 m^2/s at room temperature on the lower electrode 10 side, and a second layer 22B having a diffusion coefficient different from that of the first layer 22A from the lower electrode 10 side.例文帳に追加

抵抗変化層２２は、下部電極１０側から室温における可動原子の拡散係数が１．０×１０^-21ｍ^2／ｓ以下の第１層２２Ａと第１層２２Ａとは拡散係数の異なる第２層２２Ｂとの積層構造を有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

The cathode 4 includes a catalyst layer 10 in contact with the electrolyte membrane 2 and a diffusion layer 11 formed on the catalyst layer 10, and the catalyst layer 10 contains a volume of pores 31 corresponding to 2 to 20% of the total volume between the electrolyte membrane 2 and the diffusion layer 11.例文帳に追加

ここで、カソード４は、電解質膜２に接している触媒層１０と、その上層の拡散層１１とを含み、触媒層１０は、電解質膜２と拡散層１１との間の全体積の２〜２０％に相当する体積の空隙３１を含んでいる。 - 特許庁

The electrode includes a catalyst layer 3, a gas diffusion layer 7 formed of a conductive base material, and a fine air hole layer 5 positioned between the catalyst layer 3 and the diffusion layer 7 and includes a conductive material, a thickener and a fluoride series resin.例文帳に追加

触媒層３と，導電性基材で構成される気体拡散層７と，触媒層３と気体拡散層７との間に位置し，導電性物質，増粘剤およびフッ素系列樹脂を含む微細気孔層５と，を含む燃料電池用電極を提供する。 - 特許庁

The embodiment that the refractive index difference between the light diffusion layer and the primer coating layer is within 0.05, the embodiment that the light diffusion layer and the primer coating layer contain the same coating solvent at ≥50mass%, the embodiment that the film thickness of the primer coating layer is 0.05 to 2.0 μm, and the like are preferable.例文帳に追加

光拡散層と下塗り層との屈折率差が０．０５以内である態様、光拡散層と下塗り層とが同一の塗布溶剤を５０質量％以上含む態様、下塗り層の膜厚が０．０５μｍ〜２．０μｍである態様、などが好ましい。 - 特許庁

In the optical element having a reflection multilayer film comprising alternate layers of a Mo layer 12 and an Si layer 14 on a substrate 11, a B_4C layer 13 which is a diffusion prevention layer is provided between the Mo layer 12 and the Si layer 14.例文帳に追加

基板１１にＭｏ層１２とＳｉ層１４の交互層からなる反射多層膜を有する光学素子において、Ｍｏ層１２とＳｉ層１４の層間に拡散防止層であるＢ_４Ｃ層１３を設ける。 - 特許庁

A GMR film 30 has such a structure that a base layer 31, antiferromagnetic layer 32, fixed magnetization laminate 33, non-magnetic metal layer 37, diffusion prevention layer 38, free magnetization layer 39, and protection layer 40 are stacked in this order.例文帳に追加

ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRINTING IMAGE USING THERMAL DIFFUSION TRANSFER AND DYE RECEIVING LAYER AND IMAGE FORMING BODY例文帳に追加

熱拡散転写と染料受容層を用いた印画方法および画像形成体 - 特許庁

Subsequently, a barrier layer for preventing diffusion of copper is deposited over the entire surface of the substrate.例文帳に追加

次に、銅の拡散を防止するためのバリア層は、基板の全面にわたって堆積される。 - 特許庁

Impurity is poured to form the diffusion layer employing at least the gate electrode as a mask.例文帳に追加

少なくともゲート電極をマスクとして、不純物を注入し、拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

NON-DESTRUCTIVE INDIRECT MEASURING APPARATUS AND METHOD FOR FLEXURAL RIGIDITY OF GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL例文帳に追加

燃料電池用気体拡散層の曲げ剛性の非破壊間接測定装置及び方法 - 特許庁

In the gas diffusion layer used in the fuel cell (for example, gas diffusion layer 140 on the anode side), a hydrophilic fiber (148) is sewn on a desired position so that a part of the hydrophilic fiber may be exposed on both sides of a diffusion layer base material (142) having water repellency.例文帳に追加

燃料電池に用いられるガス拡散層（例えば、アノード側ガス拡散層１４０）において、親水性繊維（１４８）を、親水性繊維の一部が撥水性を有する拡散層基材（１４２）の両面に露出するように、所望の位置に縫い付ける。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF LIGHT DIFFUSION PLATE WITH PRIMER LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF LAMINATED OPTICAL MEMBER例文帳に追加

プライマー層付き光拡散板の製造方法及び積層光学部材の製造方法 - 特許庁

Then, vapor-phase Zn diffusion is performed on the whole surface of the substrate from the surface of the cap layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層上から基板全面に気相Ｚｎ拡散を行う。 - 特許庁