「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, an electronic overflow is reduced via the narrow diffusion preventing layer 4 of a band gap, since the diffusion preventing layer 4 is formed in a position operate at a prescribed interval apart from the activity layer 7.例文帳に追加

また、拡散防止層４を活性層７から所定間隔離れた位置に設けたことにより、バンドギャップの狭い拡散防止層４を介しての電子のオーバーフローが低減される。 - 特許庁

Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively.例文帳に追加

金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。 - 特許庁

The reflection type screen 1 has a sheet-like substrate 10, a diffusion layer 40 disposed on one surface of the substrate 10 and a reflective layer 30 disposed on the substrate surface on the side opposite to the diffusion layer 40.例文帳に追加

反射型スクリーン１は、シート状の基材１０と、基材１０の片面に設けた拡散層４０と、拡散層４０の反対側の基材面に設けた反射層３０とを有する。 - 特許庁

As a result, when the buried layer 13 is grown, Zn diffusing from an upper cladding layer 23 is trapped by the diffusion protection layer 31, and counter diffusion between Zn and Fe is inhibited.例文帳に追加

この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。 - 特許庁

A high fusing point metal layer is provided on inner walls of a contact hole for the first diffusion layer and connected with first metal wiring, and the second diffusion layer is directly connected with second metal wiring.例文帳に追加

第1の拡散層に対するコンタクトホールの内壁には高融点金属層を設け、第１の金属配線と接続し、第２の拡散層は第２の金属配線と直接接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly capable of jointing mutually certainly an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a diffusion layer by preventing breakage of the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層の破損を防止しながら、電解質膜、触媒層および拡散層を互いに確実に接合させることができる、膜電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.例文帳に追加

第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

The gas diffusion layer 6 is comprised of first and second gas diffusion layers 6a, 6b having different water repellency, and the first and second gas diffusion layers 6a, 6b are laminated so that the first gas diffusion layer 6a with higher water repellency is closely contacted with the air electrode catalyst layer 3.例文帳に追加

そして、ガス拡散層６は、撥水性の異なる第１および第２ガス拡散層６ａ、６ｂから構成され、第１および第２ガス拡散層６ａ、６ｂが撥水性の高い第１ガス拡散層６ａを空気極触媒層３に密接するように積層されている。 - 特許庁

In the optical diffusion film having at least one layer of an optical diffusion layer containing a translucent resin and translucent fine particles on a transparent substrate, the optical diffusion film is characterized by having the optical diffusion layer with ≥40% haze value and with 30-99% mapping performance.例文帳に追加

透明基材上に、透光性樹脂と透光性微粒子を含有する光拡散層を少なくとも１層有する光拡散フィルムにおいて、該光拡散層がヘイズ値４０％以上であり、かつ写像性が３０％乃至９９％であることを特徴とする光拡散フィルム。 - 特許庁

The light diffusion layer comprises light diffusing material and a proportion of the content of the light diffusing material of average particle size 3 μm or less present in the light diffusion layer with respect to the content of the whole light diffusion material present in the light diffusion layer is 10 to 80 vol.%.例文帳に追加

前記光拡散層が光拡散材を含み、前記光拡散層中に存在する全光拡散材の含有量に対する、前記光拡散層中に存在する平均粒子径が３μｍ以下の光拡散材の含有量の割合が１０〜８０体積％である前記光拡散板。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell advantageous for achieving further improvement in gaseous diffusion and drainage capability in the downstream region of a gaseous diffusion layer, a gaseous diffusion layer for the polymer electrolyte fuel cell, and a manufacturing method for a solid-state polymer electrolyte type gaseous diffusion layer thereof.例文帳に追加

ガス拡散層の下流領域におけるガス拡散性や排水性の更なる向上を図るのに有利な固体高分子電解質形の燃料電池、固体高分子電解質形の燃料電池用のガス拡散層、固体高分子電解質形のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To give water-repellency to a gas diffusion layer base material by impregnating with a water-repellent material containing liquid; prevent oozing-out of the water-repellent material containing liquid from the gas diffusion layer base material caused by a guide roller when continuously manufacturing a gas diffusion layer with a roll-to-roll method; and fill up a desired water-repellent material into the gas diffusion layer base material.例文帳に追加

ガス拡散層基材に撥水材含有液を含浸して撥水性を付与し、かつロールツーロール法により連続的にガス拡散層を製造する際、ガイドローラによるガス拡散層基材からの撥水材含有液の染み出しを防止し、所望の撥水材がガス拡散層基材に充填されるようにする。 - 特許庁

Hydrogen passages 10 and air passages 11 are composed of: gas diffusion layer hydrogen passages 10a and gas diffusion layer air passages 11a formed on an anode gas diffusion layer 4 and a cathode gas diffusion layer 5 sandwiching an electrolyte membrane 2 therebetween, respectively; and separator hydrogen passages 10b and separator air passages 11b formed on an anode separator 6 and a cathode separator 7, respectively.例文帳に追加

電解質膜２を挟持するアノードガス拡散層４、カソードガス拡散層５に設けたガス拡散層水素流路１０ａ、ガス拡散層空気流路１１ａと、アノードセパレータ６、カソードセパレータ７に設けたセパレータ水素流路１０ｂ、セパレータ空気流路１１ｂと、によって、水素流路１０、空気流路１１を構成する。 - 特許庁

The screen 20 comprises a screen body 12 having a diffusion layer 10 and a frame 16 disposed along the perimeter of the diffusion layer 10 via a support member 14, wherein the diffusion layer 10 is attached to the frame 16 as capable of oscillating in a direction intersecting the plane of the diffusion layer 10 by the support member 14.例文帳に追加

本発明のスクリーン２０は、拡散層１０を有するスクリーン本体１２と、拡散層１０の外周に支持部材１４を介して設けられた枠部１６とを有し、拡散層１０が支持部材１４により拡散層１０の面に交差する方向に振動可能に枠部１６に取り付けられている。 - 特許庁

A first diffusion layer 2 and a second diffusion layer 3 are formed on the main surface of a silicon substrate 1, while first insulation films 4, 4a, second insulation films 5, 5a and third insulation films 6, 6a are formed on the main surface of the silicon substrate 1 near the first diffusion layer 2 and the second diffusion layer 3 by partially laminating them.例文帳に追加

シリコン基板１の主面に第１拡散層２および第２拡散層３が形成され、第１拡散層２あるいは第２拡散層３の近傍のシリコン基板１主面に、第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａが積層し部分的に形成される。 - 特許庁

The maximum dimension of the overlapped section with the gate electrode 8 to a depthwise direction in the first diffusion layer region 10 and the second diffusion layer region 11 is made larger than the half of the dimension of the gate electrode, in a direction in parallel with the direction connecting the first diffusion layer region and the second diffusion layer region.例文帳に追加

第１の拡散層領域１０および第２の拡散層領域１１中、ゲート電極８とオーバーラップした部分の深さ方向への最大寸法は、ゲート電極の、第１の拡散層領域と第２の拡散層領域とを結ぶ方向と平行な方向の寸法の半分よりも大きい。 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The light diffusion sheet includes a light diffusion layer containing a light diffusing agent in a binder, a transparent substrate and a sticking preventing layer, in this order, and the light diffusion sheet is characterized in that it has a plurality of layers having refractive indices different by 0.1 or more from one another, between the sticking preventing layer or the light diffusion layer and the substrate.例文帳に追加

バインダー中に光拡散剤を含む光拡散層と、透明な基材とスティッキング防止層とをこの順に備える光拡散シートであって、スティッキング防止層または光拡散層と基材との間に、屈折率が０．１以上異なる複数の層が配置されていることを特徴とする光拡散シート。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

In the disassembly method for a fuel cell 1, a membrane electrode assembly 2, an anode side diffusion layer 8, and a cathode side diffusion layer 9 are immersed in a cleaning solution before detachment of a fuel supplier 3 and an air supplier 4 from a unit cell 16 makes the anode side diffusion layer 8 and the cathode side diffusion layer 9 exposed.例文帳に追加

この燃料電池１の分解方法では、単位セル１６から燃料供給部材３および空気供給部材４が取り外されてアノード側拡散層８およびカソード側拡散層９が露出する前に、膜・電極接合体２、アノード側拡散層８およびカソード側拡散層９が洗浄液に浸漬される。 - 特許庁

The second switch SW2 includes a second diffusion layer region 14 of a second conductive n-type formed on the substrate 15, a third diffusion layer region 11a of the first conductive p-type surrounded by the second diffusion layer region 14, and a second MOS transistor 10a formed on the second diffusion layer region 11a.例文帳に追加

第２スイッチＳＷ２は、基板１５上に形成された第２導電型Ｎの第２拡散層領域１４と、第２拡散層領域１４に囲まれた第１導電型Ｐの第３拡散層領域１１ａと、第２拡散層領域１１ａ上に形成された第２ＭＯＳトランジスタ１０ａとを備える。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition excellent in dispersion stability, capable of forming an n-type diffusion layer at a specific portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell using a crystalline silicon substrate; a method for manufacturing an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加

レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 - 特許庁

Then, a mask layer 102 such as a photo-resist layer or a diffusion barrier layer is formed on the heat-resistant metal oxide layer 101.例文帳に追加

特定の範囲の抵抗値を付与するために、抵抗を形成すべき前記耐熱性金属酸化物層の選択した部分に水素処理を行う。 - 特許庁

An optical sheet according to the present invention has a transparent conductive layer, a hard coat layer, a light diffusion layer, or a prism layer on one surface of the optical film.例文帳に追加

本発明の光学シートは、当該光学フィルムの一方の面に透明導電層、ハードコート層、光拡散層又はプリズム層を有する光学シートである。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

A lower layer 31 functioning as a diffusion prevention layer is provided between an oxidation-resistant metal in an upper layer 32 and the surface layer of a multilayered film 20.例文帳に追加

上部層３２の耐酸化性金属と多層膜２０の表面層との間に拡散防止層として機能する下部層３１を設けている。 - 特許庁

In the metal-layer forming step, the copper foil layer 73 and the gold diffusion prevention layer are removed, so that the gold layer 33 projects from the main face of the laminated structure.例文帳に追加

金属層形成工程では、銅箔層７３及び金拡散防止層を除去して、金層３３を積層構造体の主面から突出させる。 - 特許庁

Then, only the second layer 4 is peeled off and an area including the catalyst layer 6 and reaching a part surrounding the window hole 5 in the first layer 3 is covered with the gas diffusion layer 7.例文帳に追加

その後、第２層４のみを剥がし、続いて、触媒層６を含み、第１層３の窓穴５周囲部分に至る領域をガス拡散層７で覆う。 - 特許庁

As a result, the impurities implanted to the silicon oxide layer 4 are passed through the additional silicon oxide layer 14, and solid layer diffusion of the impurities occurs in the silicon single-crystal layer 12.例文帳に追加

その結果、酸化シリコン層４に注入された不純物は、追加酸化シリコン層１４を貫通してシリコン単結晶層１２に固層拡散する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shield film 1 includes a substrate film layer 2 composed of a transparent resin, an oligomer diffusion preventing layer 3, a print receptive layer 4, and a conductive mesh layer 5.例文帳に追加

電磁波シールドフィルム１は、透明樹脂からなる基材フィルム層２、オリゴマー拡散防止層３、印刷受容層４及び導電性メッシュ層５を含む。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

A manufacturing method of a gas diffusion layer contains a process where a polymer thin membrane 2 is arranged on a gas diffusion substrate 1, they are heated at a melting temperature or higher of the polymer thin membrane 2, and at the same time, the polymer thin membrane 2 and the gas diffusion substrate 1 are pressed to form the gas diffusion layer 7.例文帳に追加

高分子薄膜２をガス拡散基材１上に配して、高分子薄膜２の溶融温度以上に加熱しながら、高分子薄膜２とガス拡散基材１を加圧してガス拡散層７を形成する工程を有する。 - 特許庁

A protecting adhesion layer made of conductive carbon and hydrogen ion conductive polymer electrolyte, without the hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane directly contacting with the gas diffusion layer, is formed between a catalyst layer and the gas diffusion layer, having a projected area substantially same as the gas diffusion layer or all outer peripheral parts bigger than the gas diffusion layer yet without contacting a gasket.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層との間に、ガス拡散層を水素イオン伝導性高分子電解質膜が直接接することのないような、投影面積が、ガス拡散層と実質的に等しいまたは、外周部全てがガス拡散層より大きくかつガスケットと接することのない、導電性カーボンと水素イオン伝導性高分子電解質からなる保護接着層を形成する。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell includes (a) a process of forming a gas diffusion layer powder for forming a gas diffusion layer with the use of a conductive member, (b) a process of forming a catalyst layer on an electrolyte membrane, and (c) a process of forming the gas diffusion layer by depositing the gas diffusion layer powder on the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池用の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）ガス拡散層を形成するためのガス拡散層用粉体を、導電性部材を用いて生成する工程と、（ｂ）電解質膜上に触媒層を形成する工程と、（ｃ）前記触媒層上に前記ガス拡散層用粉体を堆積させてガス拡散層を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The vertical PNP transistor is equipped with a base layer which comprises a first phosphorus injection layer exhibiting its peak concentration at a position deeper than an emitter diffusion layer and a second phosphorus injection layer showing its peak concentration at a position shallower than the emitter diffusion layer, and the width of the base layer is expanded, whereby an Early effect can be restrained.例文帳に追加

エミッタ拡散層より深い位置にピーク濃度を持つ第１のリン注入層７とエミッタ拡散層７より浅い位置にピーク濃度を持つ第２のリン注入層６を有し、ベース幅を広げることにより、アーリー効果を抑制することができる。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

The layer 7 or the first layer 3a of the layer 3 as well as this layer 7 can be formed as an alkali barrier layer 8 for preventing and controlling the thermal diffusion of alkali components from the substrate 2 to the light absorbing layer 4 at the time of manufacturing the layer 4.例文帳に追加

前記層７又はこれと層３の第１層３ａは、層４の製膜時に基板２から光吸収層へのアルカリ成分の熱拡散を防止し、制御するためのアルカリバリア層８となる。 - 特許庁

A diffusion layer 7, 7 is laminated on the electrode catalyst layer 3a, 3b, and is heated and pressurized with a pressure of 0.5-4 Mpa to integrate the polymer electrolyte membrane 1, the electrode catalyst layer 3a, 3b, and the diffusion layer 7, 7.例文帳に追加

電極触媒層３ａ，３ｂ上に拡散層７，７を積層して、加熱下に０．５〜４ＭＰａの圧力で加圧し、高分子電解質膜１、電極触媒層３ａ，３ｂ、拡散層７，７を一体化する。 - 特許庁

In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。 - 特許庁