「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.例文帳に追加

それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

To manufacture an integrally-formed member of an electrolyte membrane-electrode assembly, a gas diffusion layer, and a seal member while suppressing damage of the electrolyte membrane-electrode assembly and the gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜・電極接合体及びガス拡散層の損傷を抑えつつ、電解質膜・電極接合体、ガス拡散層及びシール部材の一体形成部材を製造する。 - 特許庁

The film thickness (d) of the thermal diffusion layer 7 is controlled to satisfy 0<d≤(5/16)λ/n or (7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n, wherein (n) is the refractive index of the thermal diffusion layer 7.例文帳に追加

熱拡散層７の屈折率をｎとするとき、熱拡散層７の膜厚ｄを０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎの範囲内に設定する。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 3 is formed on the optical receiver surface side of a p-type silicon substrate 2, while an anti-reflective coating 4 and a silver electrode 7 for the optical receiver surface are attached on the diffusion layer 3.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。 - 特許庁

The porous material part 162 has, on one side, a contact face contacted with the gas diffusion layer 140, and a passage forming a face to form an oxidation gas passage without contacting with the gas diffusion layer.例文帳に追加

多孔質部１６２は、一方の側に、ガス拡散層１４０に接触する接触面と、ガス拡散層に接触せずに酸化ガス通路を形成する通路形成面と、を有する。 - 特許庁

To prevent threshold voltage of a low breakdown strength MOS transistor from varying and to form a channel diffusion layer and the source diffusion layer of an LDMOS transistor, while being self-aligning.例文帳に追加

低耐圧ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧が変化するのを防ぐとともに、ＬＤＭＯＳトランジスタのチャネル用拡散層とソース拡散層をともに自己整合的に形成する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

A p-type extension diffusion layer 14 is formed under the lateral side of the gate electrode 12, and a p-type source-drain diffusion layer 15 is formed under the lateral side of the side wall 13.例文帳に追加

そして、ゲート電極１２の側方下にはＰ型エクステンション拡散層１４が形成され、サイドウォール１３の側方下にはＰ型ソース・ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

An electrolyte material 214 is applied to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 including the catalyst material 206, and one surface of the electrolyte material 214 relates to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 in terms of functions.例文帳に追加

電解質材料214を、基板202と、触媒材料206を有するガス拡散層204とに塗布し、電解質材料214の一方表面は基板202及びガス拡散層204に機能上関連する。 - 特許庁

A laminate film consisting of metal nitride and an elemental substance of noble metal is used as the oxygen diffusion preventive layer, and a plasma CVD oxide film is used as the interlayer insulation film 7 on the oxygen diffusion preventive layer.例文帳に追加

酸素拡散防止層に、金属の窒化物と貴金属の単体との積層膜を用い、酸素拡散防止層上の層間絶縁膜７としてプラズマＣＶＤ酸化膜を用いる。 - 特許庁

The oxygen diffusion prevention layer has oxygen diffusibility lower than that of the anode catalyst layer 26, and has a function for sufficiently diffusing hydrogen while restraining diffusion of oxygen.例文帳に追加

この酸素拡散防止層は、アノード触媒層２６に比して酸素の拡散性が低くされており、水素を良好に拡散させる一方で酸素の拡散を抑制する機能を有している。 - 特許庁

A fuel gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side, and an oxidization gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side.例文帳に追加

アノード側に配置したセパレータの拡散層側の面に燃料ガス流路を設ける一方、カソード側に配置したセパレータの拡散層側の面に酸化ガス流路を設ける。 - 特許庁

To suppress occurrence of flooding and maintain a high power generation performance by controlling water and steam permeation of an oxidizer gas diffusion layer and improving water discharge performance of the oxidizer gas diffusion layer.例文帳に追加

酸化剤ガス拡散層の水及び水蒸気透過性を制御することにより、酸化剤ガス拡散層の排水性を高め、フラッディングの発生を抑制し、高い発電性能を維持する。 - 特許庁

An N-type high-concentration diffusion layer 2 is selectively formed on a P-type silicon substrate 1, and a silicon oxide film is formed as a first interlayer insulating film 3 on the surface on the diffusion layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上には選択的にｎ型高濃度拡散層２が形成され、その表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜が配置されている。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a manufacturing process of the semiconductor device having a high-concentration dopant diffusion layer and a low-concentration dopant diffusion layer, is simplified.例文帳に追加

高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove-shaped gas passage 9 is formed on the surface coming in contact with the gas diffusion layer 3 of the separator 5, and fuel gas or oxidant gas is supplied from the gas passage 9 to the gas diffusion layer 3.例文帳に追加

セパレータ５のガス拡散層３に接する面には、溝状のガス流路９が形成され、ガス流路９からガス拡散層へ３へ燃料ガスまたは酸化剤ガスが供給される。 - 特許庁

The doping of N-type region 111a and P-type region 112a respectively are executed, independent of the doping of N type diffusion layer of NMOS and the doping of P type diffusion layer of PMOS.例文帳に追加

Ｎ型領域１１１ａ，Ｐ型領域１１２ａのドーピングは、それぞれＮＭＯＳのＮ型拡散層のドーピング，ＰＭＯＳのＰ型拡散層のドーピングと独立に行なわれる。 - 特許庁

By means of constituting the gas diffusion layer by the profiled section carbon fiber, moisture can be retained in a recess part pinched between protrusions, and the gas diffusion layer having the superior water holding property can be realized.例文帳に追加

ガス拡散層を異形断面炭素繊維で構成することで、突出部の間に挟まれた凹部において水分を保持することができ、保水性の優れたガス拡散層を実現できる。 - 特許庁

To prevent an increase of a diffusion layer resistance and an increase of a silicide fine wire resistance when silicifying the diffusion layer, and to prevent a decrease of a positioning margin of a contact.例文帳に追加

メモリ部における拡散層抵抗の増大、さらに拡散層をシリサイド化する場合にはシリサイド細線抵抗の増大を防止し、且つコンタクトの合わせマージンの低下を防止できるようにする。 - 特許庁

In the polymer electrolyte fuel cell formed by stacking a cathode side separator, an anode side gas diffusion layer, a cathode, a polymer electrolyte membrane, an anode, an anode side gas diffusion layer, and an anode side separator, a high density carbon layer comprising carbon particles and water repellent resin is arranged on the surface of the gas difffusion layer on the contact surface between the separator and the gas diffusion layer.例文帳に追加

カソード側セパレータ、カソード側ガス拡散層、カソード電極、高分子電解質膜、アノード電極、アノード側ガス拡散層、アノード側セパレータを積層してなる固体高分子型燃料電池において、セパレータとガス拡散層との接触面におけるガス拡散層表面に、カーボン粒子と撥水性樹脂とからなる高密度カーボン層を設ける。 - 特許庁

In the conjugate of the fuel cell equipped with an electrode composed of a catalyst layer and a gas diffusion layer on both sides of the electrolyte film, these are the conjugate of the fuel cell in which the gas diffusion layer has a water repellent resin and the fibrous carbon at least on a part of surface of the gas diffusion layer to contact with the catalyst layer, and the fuel cell using the same.例文帳に追加

電解質膜の両面に、触媒層とガス拡散層とからなる電極を具備した燃料電池の接合体において、ガス拡散層が触媒層に接するガス拡散層表面の少なくとも一部に撥水性樹脂、及び繊維状炭素を含む層を有する燃料電池の接合体及びそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４のＣＭＯＳ形成領域とは異なる領域に、ＰｃｈＤＭＯＳトランジスタを構成する、Ｎ型チャネル拡散層２４、ソース用のＰ型高濃度拡散層２６、Ｎ型高濃度拡散層２８、ゲート酸化膜３０及びゲート電極３２が形成されている。 - 特許庁

The end face of the catalyst layer 30 of one gas diffusion electrode layer 26 is arranged so as to slip from the end face of the catalyst layer 28 of the other gas diffusion electrode layer 24, and spaces 27, 29 of at least one part are left to the end face of the catalyst layers 28, 30 in the outer circumferences of the gas diffusion electrode layers 24, 26.例文帳に追加

一方のガス拡散電極層２６の触媒層３０の端面が、他方のガス拡散電極層２４の触媒層２８の端面に対して位置をずらして設置され、ガス拡散電極層２４，２６の外周に、前記触媒層２８，３０の端面と少なくとも一部間隔２７，２９を開けている。 - 特許庁

In a gas diffusion layer used for a gas diffusion electrode having at least catalyst layers 2A, 2B, and gas diffusion layers 11A, 11B, embedded parts 15A, 15B where the peripheral part Q2 of the catalyst layer is deeply intruded compared with the central part Q1 of the catalyst layer when the catalyst layer is formed are installed.例文帳に追加

触媒層２Ａ、２Ｂとガス拡散層１１Ａ、１１Ｂとを少なくとも有するガス拡散電極に用いられるガス拡散層において、触媒層を設けたときに触媒層の周辺部Ｑ２が触媒層の中央部Ｑ１に比べてより深く侵入するように形成される埋没部１５Ａ、１５Ｂを設ける。 - 特許庁

The light diffusion film has a light diffusion layer on one surface of a transparent sheet-like substrate and has a rear face layer on the other surface, wherein the light diffusion layer and/or the rear face layer has a half life of charge potential measured by a half-life measuring method determined by JIS L1094, of <5 min.例文帳に追加

透明なシート状基材の一方の面に光拡散層、他方の面に背面層を有する光拡散フィルムであって、ＪＩＳ・Ｌ１０９４に定める半減期測定法により測定した帯電電位の半減期が５分未満である光拡散層および／または背面層を有する光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel battery cell with high manufacturing yield and excellent durability equipped with an element diffusion preventing layer between a solid electrolyte layer and an oxygen electrode layer with element diffusion from the oxygen electrode layer to the solid electrolyte effectively restrained and exfoliation between the element diffusion preventing layer and the oxygen electrode layer due to difference of thermal expansion coefficient effectively prevented.例文帳に追加

固体電解質層と酸素極層との間に元素拡散防止層が設けられ、酸素極層から固体電解質層への元素拡散が有効に抑制されるとともに、熱膨張係数差による元素拡散防止層と酸素極層との剥離が有効に防止され、製造歩留まりが高く且つ優れた耐久性を示す固体電解質型燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

Or, the jointed body of fuel cell comprises an electrode having a catalyst layer and a gas diffusion layer on both sides of an electrolyte film, and a layer containing conductive powder, water-repellent resin and fibrous carbon at least at the part of the surface of the gas diffusion layer where the gas diffusion layer contacts with the catalyst layer, and the fuel cell uses the above jointed body of fuel cells.例文帳に追加

電解質膜の両面に、触媒層とガス拡散層とからなる電極を具備した燃料電池の接合体において、ガス拡散層が触媒層に接するガス拡散層表面の少なくとも一部に導電性粉粒体、撥水性樹脂、及び繊維状炭素を含む層を有する燃料電池の接合体及びそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

A channel P diffusion layer 7 is formed on the outer circumferential side at the surface layer part of the element forming layer 6b, an emitter region 5 is formed to surround the collector region 3 on the outer circumferential side of the unit cell 1 at the surface layer part of the channel P diffusion layer 7, and a base region 4 is formed on the central part side.例文帳に追加

また、素子形成層６ｂの表層部のうち外周側にchannelP拡散層７が形成され、channelP拡散層７の表層部のうち単位セル１の外周側にコレクタ領域３を囲む様にしてエミッタ領域５が形成され、中心部側にベース領域４が形成されている。 - 特許庁

The transistor comprises a columnar semiconductor layer 2, gate electrode 4 formed to surround the columnar semiconductor layer 2 through a gate insulation film 3, and a drain diffusion layer 5 and a source diffusion layer 6 formed in an upper and a lower end of the columnar semiconductor layer 2, respectively.例文帳に追加

トランジスタは、柱状半導体層２と、この柱状半導体層２を取り囲むようにゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４と、柱状半導体層２の上端部及び下端部に形成されたドレイン拡散層５及びソース拡散層６とを有する。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

The plating material 5 is prevented from the thermal diffusion of the fundamental components during production or during use by the base layer 2 and the thermal diffusion of the base layer components is obstructed by the intermediate layer 3 and therefore, the contamination of the Cu-Sn intermetallic compound layer of the outermost layer 4 is averted and the functions thereof are satisfactorily maintained.例文帳に追加

めっき材料５は、製造中または使用中の基体成分の熱拡散が前記下地層２により防止され、下地層成分の熱拡散が中間層３に阻止されるので、最外層４のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層が汚染されず、その機能が良好に保持される。 - 特許庁

This electrode 10 for a fuel cell is provided with: a catalyst layer 3; a gas diffusion layer 7 formed of a conductive base material; and a minute pore layer 5 located between the catalyst layer 3 and the gas diffusion layer 7 and containing a conductive substance, a disperser and a fluorine-based resin.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極１０は，触媒層３と；導電性基材で構成される気体拡散層７と；上記触媒層３と上記気体拡散層７の間に位置し，導電性物質，分散剤及びフッ素系樹脂を含む微細気孔層５；を備える。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel having a reflection layer 10 on a substrate 2b in the back face side, the reflection layer 10 is formed on a first diffusion layer 3 having a sawtooth-like cross-sectional form and a second diffusion layer 13 containing minute particles 14 is formed on the reflection layer 10.例文帳に追加

裏面側の基板２ｂに反射層１０が備えられた液晶表示パネルにおいて、反射層１０を断面形状が鋸歯形状の第１拡散層３の上に形成し、反射層１０の上に微小粒子１４を含む第２拡散層１３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

A high temperature superconductive thin film wire 100 is constructed by layering an intermediate layer 2, a high temperature superconductive layer 3 of high temperature superconductor, a protective layer 4 of metal, and a diffusion prevention layer 5 made of copper or nickel and preventing the diffusion of protective layer 4, in this order.例文帳に追加

金属基板１の上に、中間層２、高温超電導体からなる高温超電導層３、金属からなる保護層４、銅またはニッケルからなり保護層４の拡散を抑止する拡散防止層５、を順次積層して高温超電導薄膜線材１００を構成する。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

To provide a non-destructive indirect measuring apparatus and method for flexural rigidity of a gas diffusion layer for a fuel cell with which the flexural rigidity can be indirectly estimated by measuring the whole slack length of a gas diffusion layer sheet with neither damaging nor destructing the gas diffusion layer sheet.例文帳に追加

気体拡散層シートの損傷や破壊なく気体拡散層シート全体のたるみ長さを測定することにより、間接的に曲げ剛性を評価できるようにした燃料電池用気体拡散層の曲げ剛性の非破壊間接測定装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the film, the electrode, and the gas diffusion layer junction, a catalyst-ink coated electrolyte film having catalyst ink for catalyst electrode layer formation coated on either face of a polymer electrolyte film, and two catalyst-ink coated gas diffusion layers with catalyst ink coated on one of the faces of each gas diffusion layer, are provided.例文帳に追加

高分子電解質膜の両面上に触媒電極層形成用の触媒インクを塗布した触媒インク塗布済み電解質膜、２つのガス拡散層のそれぞれの一方の面上に触媒インクを塗布した２つの触媒インク塗布済みガス拡散層を用意する。 - 特許庁

The gas permeability in the region of the gas diffusion layer 23 corresponding to the rib 21a of the separator 21 is established so that the near side to the gas inlet port 25 (gas diffusion layer 23b) may become higher than the near side to the gas exhaust port (gas diffusion layer 23a) against an inlet side branch passage 35.例文帳に追加

セパレータ２１のリブ２１ａに対応するガス拡散層２３の領域におけるガス透過率を、導入側分岐流路３５に対し、ガス導入口２５に近い側（ガス拡散層２３ｂ）がガス導出口２９に近い側（ガス拡散層２３ａ）より高くなるよう設定する。 - 特許庁

Accordingly, the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of the base diffusion layer 12 is controlled, the base diffusion layer 12 having a desired concentration distribution can be formed and the base diffusion layer 12 displaying an approximately constant impurity concentration in the depthwise direction can be formed.例文帳に追加

これによって、ベース拡散層１２の深さ方向における不純物の濃度分布を制御し、所望の濃度分布を有するベース拡散層１２を形成することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示すベース拡散層１２を形成することができる。 - 特許庁