「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor is composed of the diffusion layer 1 with a plurality of power source nodes 7 provided, a first wiring layer 2, a second wiring layer 8, and a package 11.例文帳に追加

複数の電源ノード７が設けられた拡散層１と、第１の配線層２と、第２の配線層８と、パッケージ１１とで半導体装置を構成する。 - 特許庁

To improve on drainage of a gas diffusion layer by making hydrophobicity of a surface of the layer higher than that inside the layer.例文帳に追加

ガス拡散層の表面の疎水性をガス拡散層内部の疎水性よりも高めることで、ガス拡散層の排水性を向上することを目的とする。 - 特許庁

The fixed layer 22A is electrically connected with the first interconnection layer BL, and the recoding layer 22C is electrically connected with the diffusion region 16 of the select transistor 13.例文帳に追加

固定層２２Ａは第１の配線層ＢＬに電気的に接続され、記録層２２Ｃは選択トランジスタ１３の拡散領域１６に電気的に接続される。 - 特許庁

The rim 2a at the side of an n^+ channel stopper layer 5 of an oxide film 2 is superposed on the end at the side of a p type diffusion layer 4 for the n^+ channel stopper layer 5.例文帳に追加

酸化膜２のＮ^＋チャンネルストッパー層５側の縁部２ａは、Ｎ^＋チャンネルストッパー層５のＰ型拡散層４側の端に重さなっている。 - 特許庁

Furthermore, an intermediate layer 4 for suppressing mutual diffusion between both layers near an interface of both layers is provided between the positive electrode layer 1 and solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

また、正極層1と固体電解質層3との間に、これら両層の界面近傍における両層間の相互拡散を抑制する中間層4を備える。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded insulating film 4.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

Hydrogen in the insulating layer is immobilized to prevent diffusion of hydrogen from the insulating layer to the oxide semiconductor layer by the chlorine implantation.例文帳に追加

塩素の導入により、絶縁層中の水素を固定化し、絶縁層中から酸化物半導体層中への水素の拡散を防ぐとことができる。 - 特許庁

The adhesion layer 2 comprises a first adhesion part 21 which is arranged on the intermediate layer 16, and a second adhesion part 22 which is arranged on the diffusion resistance layer 17.例文帳に追加

接着層２は、中間層１６に設けられた第１接着部２１と、拡散抵抗層１７に設けられた第２接着部２２とからなる。 - 特許庁

As a result thereof, a hardening layer is formed of an alloy layer of intermetallic compound consisting of the titanium and the noble metal, and a diffusion layer of nitrogen and oxygen to titanium.例文帳に追加

その結果、硬化層はチタンと貴金属からなる金属間化合物の合金層およびチタンへの窒素、酸素の拡散層とから形成される。 - 特許庁

The cathode includes a first cathode catalyst layer 18, a diffusion layer 19 contacting with the cathode side separator, and an intermediate layer 32 arranged between them.例文帳に追加

カソードは、第１のカソード触媒層１８、カソード側セパレータに接する拡散層１９、およびそれらの間に配置された中間層３２を含む。 - 特許庁

A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上に、第２の拡散防止層７、第２の層間絶縁膜８およびキャップ層９を形成する。 - 特許庁

A nitriding layer of not less than Hv 900 made of a compound layer and a diffusion hardening layer by nitriding is formed on a surface of a rolling element made of a steel material.例文帳に追加

鋼材からなる転動体の表面に、窒化処理によって化合物層と拡散硬化層とからなるＨｖ９００以上の窒化層を形成する。 - 特許庁

To improve power generation efficiency of a fuel cell by providing a porous layer having irregularity between a catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層との間に、凹凸を有する多孔質層を備えることにより、燃料電池の発電効率を向上させることができる。 - 特許庁

To enhance power generating efficiency in a fuel cell applying a membrane electrode assembly having an electrolyte membrane, a catalyst layer, a humidity retaining layer, and a gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜と触媒層と保湿層とガス拡散層とを備える膜電極接合体を適用した燃料電池において、発電性能を向上させる。 - 特許庁

At a cathode electrode layer side of the film 11, a catalyst layer 12 made of carrier carbon carrying platinum and a gaseous diffusion layer 13 made of carbon fiber are formed.例文帳に追加

この膜１１のカソード電極層側には、白金を担持した担持カーボンからなる触媒層１２とカーボン繊維からなるガス拡散層１３とが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using diffusion layers as interconnections, which prevents a size increase and reduces the resistance of the diffusion layer interconnections.例文帳に追加

拡散層を配線として用いる半導体装置において、大型化を防止しつつ拡散層配線の抵抗値を低減することにある。 - 特許庁

A gate electrode 9 is arranged to cover the P-type diffusion layer 5 in the region where the N-type diffusion layers 6 and 7 face each other.例文帳に追加

そして、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層６、７が対向する領域のＰ型の拡散層５上を被覆するように配置されている。 - 特許庁

The optical sheet 29 is provided with a light diffusion layer 30 comprising a base material 31 and a plurality of light diffusion agents 33 dispersed in the base material.例文帳に追加

光学シート２９は、基材３１と基材内に分散された複数の光拡散剤３３とを有する光拡散層３０を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the diffusion wafer is provided wherein the thickness of the non-diffusion layer corresponding to resistivity is obtained even in the same ingot.例文帳に追加

しかし、同一インゴット内であったとしても、抵抗率に対応した非拡散層の厚みを自在に製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer is locally formed between an n-type source/drain diffusion layers of an NMOS transistor having a conventional type drain structure.例文帳に追加

コンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタのＮ型ソース・ドレイン拡散層の間に局所的にＰ型拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffusion film 1 wherein the surface of a diffusion layer 12 is partially covered with a transparent resin 8 is arranged on the light guide body of the lighting device.例文帳に追加

拡散層１２の表面が部分的に透明樹脂８で覆われた拡散フィルム１を照明装置の導光体の上に配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses horizontal diffusion in a p-type diffusion layer for composing a separation region, and reduces the size of the device.例文帳に追加

分離領域を構成するＰ型の拡散層の横方向への拡散を抑制し、デバイスサイズを縮小した半導体装置の提供。 - 特許庁

The gas diffusion substrate, of which the gas and water permeabilities are approximately equal, is used in the gas diffusion layer for the solid polymer fuel cell.例文帳に追加

ガス拡散基材は、ガスの通気度と水の通水度がほぼ同じであり、固体高分子形燃料電池用ガス拡散層に用いられる。 - 特許庁

A light diffusion layer 14 having a light diffusion function is interposed between the first LCD panel 11 and the second LCD panel 12.例文帳に追加

第１の液晶表示素子１１と第２の液晶表示素子１２との間には、光拡散性を有する光拡散層１４が配置される。 - 特許庁

An optical diffusion layer 7 formed by binding optical diffusion particles 8 by using a binder is provided on the backside of the optical sheet 3 opposed to the backlight 1.例文帳に追加

光学シート３は、バックライト１と対向する裏面には、光拡散粒子８をバインダーで結合した光拡散層７を設けている。 - 特許庁

Therefore, the diffusion prevention portion 62 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.例文帳に追加

従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a diffusion layer for photovoltaics, easily forming the diffusion layer for photovoltaics using a selective emitter, and also to provide a method for manufacaturing of solar cell.例文帳に追加

選択エミッタを用いた太陽電池用拡散層を容易に形成することが可能な太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法を得る。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this setup, an N-type diffusion layer 34a connected to a capacitor node 24 and an N-type diffusion layer 34b connected to a bit line 5 are covered with a spacer insulating film 37.例文帳に追加

これにより、キャパシタノード２４に接続されるｎ型拡散層３４ａ上と、ビット線５に接続されるｎ型拡散層３４ｂ上はスペーサ絶縁膜３７で覆われている。 - 特許庁

Consequently, a sufficient range of P type diffuse conditions can be ensured in a P^+ type buried diffusion layer 12 being formed on the N^+ type buried diffusion layer 11.例文帳に追加

これにより、Ｎ＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ＋型埋め込み拡散層１２におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing increase in the contact resistance caused by the shrinkage of a diffusion layer region, even when forming the diffusion layer region thiny.例文帳に追加

拡散層領域を細く形成する場合でも、拡散層領域の縮みによるコンタクト抵抗の増大を抑えることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The anode diffusion layer is provided with a portion in which a permeation pressure showing the promptness of starting permeation of liquid when it contacts liquid in a prescribed dry state is lower than the cathode diffusion layer.例文帳に追加

アノード拡散層は、所定の乾燥状態において液体に接した場合に、該液体が透過を開始する早さを示す透過圧が、カソード拡散層よりも低い部分を備える。 - 特許庁

The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.例文帳に追加

第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 117a becomes a drain of the junction field effect transistor 151, and the n-type diffusion layer 117b becomes the source of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｎ型拡散層１１７ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のドレインとなり、前記Ｎ型拡散層１１７ｂは前記接合型電界効果トランジスタ１５１のソースとなる。 - 特許庁

To provide a display device having high contrast, in which a light control means is used in place of a light diffusion layer and the failure in the case when the light diffusion layer is used is eliminated.例文帳に追加

光拡散層の代わりに、光制御手段を利用して、光拡散層を用いた場合の不具合を解消し、高コントラストの表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

The electrolyte film and at least either the second diffusion layer or the first diffusion layer are overlapped with the rib in a lamination direction.例文帳に追加

支持部と一体化している積層部材の端部において、電解質膜と、第１の拡散層および前記第２の拡散層のうちの少なくとも一つとが、リブと積層方向に重なり合う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light diffusion plate with a primer layer for sufficiently securing an air layer between the light diffusion plate and the other optical film or the like and securing sufficient sticking strength.例文帳に追加

他の光学フィルム等との間に空気層を十分に確保できると共に十分な貼合強度を確保できるプライマー層付き光拡散板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A high conductivity region 18 that comprises the surface part of the drain region is diffused more deeply than a main diffusion layer 36 and channel diffusion layer 37, and its conductive resistance is kept at a low level.例文帳に追加

ドレイン領域の表面部分を構成する高導電領域１８は、主拡散層３６やチャネル拡散層３７よりも深く拡散されており、導通抵抗が小さくなっている。 - 特許庁

A first high-concentration diffusion layer 109 and a second high-concentration diffusion layer 108 are both of a first conductivity type, and opposed to each other via a gate electrode 106 as seen in a planar view.例文帳に追加

第１高濃度拡散層１０９及び第２高濃度拡散層１０８はそれぞれ第１導電型であり、平面視においてゲート電極１０６を介して互いに対向している。 - 特許庁

A solar cell is provided with a p-type diffusion layer and an electrode that are formed by heat treatment after the p-type diffusion layer formation composition is applied on a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 - 特許庁

A portion opposed to the diffusion layer 24 among the side faces of the through electrode 7 is curved, and the portion opposed to the through electrode 7 among the surfaces of the diffusion layer 24 is curved.例文帳に追加

貫通電極７の側面のうち拡散層２４に対向する部分は湾曲しており、拡散層２４の表面のうち貫通電極７に対向する部分は湾曲している。 - 特許庁